技術總結
本發明公開了一種氮化鋁單晶生長方法，長晶時的溫度曲線和壓力曲線簡單可控；在氮化鋁燒結體表面進行長晶，生長得到的氮化鋁單晶體內部幾乎無缺陷；通過采用鎢材料制備坩堝，雜質引入極少；能夠得到最大尺寸為厘米級的氮化鋁單晶；長晶成本較低。

技術研發人員：吳亮;曹凱;汪佳;劉理想;龔加瑋;王智昊;王琦琨
受保護的技術使用者：蘇州奧趨光電技術有限公司
文檔號碼：201611196928
技術研發日：2016.12.22
技術公布日：2017.05.10