技術特征：

1.一種超高透低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述鍍膜玻璃包括玻璃基板和自所述玻璃基板一表面向外依次疊設的第一電介質膜層、第二電介質膜層、銀功能膜層、阻擋膜層、第三電介質膜層、第四電介質膜層、第五電介質膜層、第六電介質膜層。

2.如權利要求1所述的超高透低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述銀功能膜層的厚度為5nm～10nm。

3.如權利要求1所述的超高透低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述阻擋膜層的厚度為1nm～5nm。

4.如權利要求1～3任一所述的超高透低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第一電介質膜層的厚度為25nm～35nm；和/或

所述第二電介質膜層的厚度為15nm～25nm；和/或

所述第三電介質膜層的厚度為5nm～10nm；和/或

所述第四電介質膜層的厚度為10nm～15nm；和/或

所述第五電介質膜層的厚度為25nm～30nm；和/或

所述第六電介質膜層的厚度為5nm～10nm。

5.如權利要求1所述的超高透低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述阻擋膜層為鎳鉻膜層、氧化鎳鉻膜層或氮化鎳鉻膜層中任一種。

6.如權利要求1所述的超高透低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第一電介質膜層SiZrO_x膜層、TiO₂膜層、SiO₂膜層、Ta₂O₅膜層、SiN_xO_y膜層、BiO₂膜層、Al₂O₃膜層、Nb₂O₅膜層、Si₃N₄膜層、AZO膜層中的任一種。

7.如權利要求1所述的超高透低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第二電介質膜層和/或所述第四電介質膜層為ZnSnO_x膜層、SnO₂膜層、ZnO膜層、Al₂O₃膜層中的任一種。

8.如權利要求1所述的超高透低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第三電介質膜層為ZnSnO_x膜層、SnO₂膜層、ZnO膜層、Al₂O₃膜層、AZO膜層中的任一種。

9.如權利要求1所述的超高透低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述第五電介質膜層為SiO₂膜層、Ta₂O₅膜層、SiN_xO_y膜層、BiO₂膜層、Al₂O₃膜層、Nb₂O₅膜層、Si₃N₄膜層、ZnSnO_x膜層、SnO₂膜層、ZnO膜層、Al₂O₃膜層中的任一種；和/或所述第六電介質膜層為TiO₂膜層、ZnSnO_x膜層、SnO₂膜層、ZnO膜層、Al₂O₃膜層、AZO膜層中的任一種。

10.如權利要求1所述的超高透低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基板為普通白玻。