本發(fā)明涉及晶體生長領域，特別涉及一種減少BBO晶體包絡的生長工藝。

背景技術：

低溫相偏硼酸鋇β-BaB2O4是一種非常重要的新型非線性晶體，具有寬的透光范圍，大的有效倍頻系數(shù)，大的雙折射率和高的激光損傷閾值，廣泛運用于激光倍頻，目前還未見有性能更好的材料取代它。

雖然該晶體具有優(yōu)異的性能，但是實際晶體生長想要得到大尺寸優(yōu)質的晶體毛坯并不容易，晶體中存在一些質量問題：主要有中間包絡、氣泡、生長紋等。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是探究一種減少BBO晶體包絡的特殊生長工藝，本發(fā)明通過如下方式實現(xiàn)：

S1將晶體生長用的旋轉爐爐絲沿爐管豎直方向纏繞，爐管面積的四分之一不繞爐絲；

S2將繞好爐絲的爐管置于熔鹽爐中，開始升溫至1100℃，恒溫24h，于飽和溫度以上10℃下籽晶，坩堝保持不動，爐子開始旋轉，轉速2.5轉/min，晶體轉速4轉/min，當晶體生長快至坩堝壁時，停止晶轉，開始以1℃/天的速率降溫，180天后停止生長，采用轉爐，取出晶體，退火至室溫，得到高質量BBO晶體。

附圖說明

圖1旋轉爐示意圖；

圖2爐絲纏繞示意圖。

具體實施方式

實施例一：稱取一定量的碳酸鋇、硼酸和氟化鈉，滿足BaB2O4:NaF=2:1（摩爾比）于原料桶中混勻。將混好的料于1000℃的硅碳棒爐中熔解至反應完全。將熔好的料倒入鉑金坩鍋置于旋轉爐中，升溫至980℃，恒溫18h，爐子開始以4r/min旋轉，而后在飽和溫度以上10℃下。將事先固定在籽晶桿上的籽晶緩慢的下至熔液表面，4r/min轉動，半小時之后降7℃，晶體開始生長，直至晶體快至坩堝壁停止籽晶桿旋轉，以1℃/天降溫，降溫180天，晶體生長結束，采用轉爐，取出晶體，退火至室溫。