本實用新型屬于碳化硅晶體生長加工裝置領域，尤其涉及一種用于IGBT碳化硅晶體管的制備裝置。

背景技術：

隨著現在社會科技的不斷發展，人們對于生活的品質追求也越來越高，不僅在普通的衣食住行方面，對于一些奢侈品的追求也在逐年增長，碳化硅晶體寶石由于本身是具有獨特的衍射圖案的固體，其原子或分子在空間按一定規律周期重復地排列。碳化硅晶體中原子或分子的排列具有三維空間的周期性，隔一定的距離重復出現。

由于自然界中存在的碳化硅晶體數量極其有限，隨著現在社會科技研究水平的不斷提升，為了滿足人們對于碳化硅晶體的，越來越多的人們開始通過人工處理的方法進行人工合成，通常將碳化硅晶體籽料模擬自然環境，以促進晶體的快速生產，以滿足市場需求，但普通的晶體生長裝置雖然能有效提升生長的速率，但是晶體生長時生長及其不規則，嚴重影響晶體的品質，特別對于IGBT碳化硅晶體管，對于品質生產的要求更加嚴格。

技術實現要素：

本實用新型的目的在于提供一種用于IGBT碳化硅晶體管的制備裝置，能夠有效實現裝置促進IGBT碳化硅晶體管的生長，使其生長均勻，操作便捷。

本實用新型是這樣實現的：

一種用于IGBT碳化硅晶體管的制備裝置，包括反應釜本體、轉軸、生長液盛放槽、攪拌裝置、底座、溫度感應器，所述反應釜本體的頂部設置有開口，并在開口上安裝有液封蓋，所述的轉軸貫穿過液封蓋設置于反應釜本體內部，并在轉軸前端設置設置有夾持件，所述的夾持件設置于生長液盛放槽內部，生長液盛放槽通過若干支桿連接在反應釜本體的內壁，所述的反應釜本體內底部通過支撐座連接有攪拌裝置，所述的攪拌裝置上設置有加熱絲，在反應釜本體外底部設置有底座，所述的反應釜本體內腔內設置有溫度感應器。

優選地，所述的反應釜本體外底部設置有若干橫向的凸塊，所述的底座上設置有若干凹槽，所述的凸塊與凹槽相互卡合連接。

優選地，所述的支桿與生長液盛放槽螺栓連接。

優選地，所述反應釜本體的外側壁設置有控制開關。

優選地，所述的夾持件與轉軸前端鉸接連接。

技術效果

本實用新型提供的一種用于IGBT碳化硅晶體管的制備裝置，通過裝置上設計的轉軸連接的夾持件將待加工的晶體籽料放置在生長液盛放槽內生長，生長液盛放槽在反應釜本體內放置的溶液中進行水溶液水浴加熱加壓，米面強烈的外界溫度以及壓力刺激導致晶體籽料生長不均勻，大大提升了晶體籽料生長的均勻性。整個裝置操作便捷，且裝置運行時更加便捷穩定，可被進一步推廣應用。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1本實用新型實施例的整體結構示意圖：

圖中：1、反應釜本體；2、轉軸；4、支撐座；5、溫度感應器；11、液封蓋；12、底座；13、凸塊；14、凹槽；15、控制開關；31、生長液盛放槽；32、夾持件；33、支架；41、攪拌裝置；42、加熱絲。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

下面結合附圖及具體實施例對本實用新型的應用原理作進一步描述。

如圖1所示，本實施例提供一種用于IGBT碳化硅晶體管的制備裝置，包括反應釜本體1、轉軸2、生長液盛放槽31、攪拌裝置41、底座12、溫度感應器5，反應釜本體1的頂部設置有開口，并在開口上安裝有液封蓋11，轉軸2貫穿過液封蓋11設置于反應釜本體1內部，并在轉軸2前端設置設置有夾持件32，用于夾持盛放碳化硅晶體籽料裝置，夾持件32設置于生長液盛放槽31內部，生長液盛放槽31放置碳化硅晶體生長液體原料，生長液盛放槽31通過若干支桿33連接在反應釜本體1的內壁，反應釜本體1內底部通過支撐座4連接有攪拌裝置41，攪拌裝置41上設置有加熱絲42，在反應釜本體1外底部設置有底座12，反應釜本體1內腔內設置有溫度感應器。

反應釜本體1外底部設置有若干橫向的凸塊13，底座12上設置有若干凹槽14，凸塊13與凹槽14相互卡合連接。

支桿33與生長液盛放槽31螺栓連接，方便安裝拆卸。

反應釜本體1的外側壁設置有控制開關15。

夾持件32與轉軸2前端鉸接連接。整個裝置設置簡單，操作便捷，可被進一步推廣應用。

以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的精神和范圍。