技術特征：

1.一種合成二氧化硅中氯離子雜質的深度去除方法，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的合成二氧化硅中氯離子雜質的深度去除方法，其特征在于，sio2凝膠通過以氯硅烷為原料采用溶膠-凝膠法制備得到；

3.根據權利要求1所述的合成二氧化硅中氯離子雜質的深度去除方法，其特征在于，單次操作中，向sio2凝膠中加入水的體積與sio2凝膠體積之比為4～6:1，進一步為4.5:1。

4.根據權利要求1所述的合成二氧化硅中氯離子雜質的深度去除方法，其特征在于，負壓旋蒸的溫度為60～90℃。

5.根據權利要求1所述的合成二氧化硅中氯離子雜質的深度去除方法，其特征在于，減壓干燥的溫度為85～95℃，進一步為90℃，時間為4～6小時。

6.根據權利要求1所述的合成二氧化硅中氯離子雜質的深度去除方法，其特征在于，煅燒過程中sio2顆粒的鋪設密度為0.03～0.15g/cm2，優選為0.035～0.04g/cm2。

7.根據權利要求1所述的合成二氧化硅中氯離子雜質的深度去除方法，其特征在于，煅燒時間為60～120min。

8.根據權利要求1所述的合成二氧化硅中氯離子雜質的深度去除方法，其特征在于，煅燒氣氛為氮氣氣氛、空氣氣氛、氦氣氣氛中的一種或多種組合。

9.根據權利要求1～8任一項所述的深度去除方法在深度去除合成二氧化硅中氯離子雜質中的應用。

技術總結
本發明公開了一種合成二氧化硅中氯離子雜質的深度去除方法，包括：對SiO<subgt;2</subgt;凝膠進行一次或反復多次的加水?超聲分散形成溶膠?負壓旋蒸至凝膠的操作，得到洗滌后的SiO<subgt;2</subgt;凝膠；洗滌后的SiO<subgt;2</subgt;凝膠減壓干燥，得到SiO<subgt;2</subgt;顆粒；取粒徑0.2～0.45微米的SiO<subgt;2</subgt;顆粒于300～600℃煅燒除氯。本發明具有工藝簡單、易操作、低成本和無污染等優點，且極大的降低了SiO<subgt;2</subgt;干燥過程對設備的腐蝕。經本發明方法得到的合成SiO<subgt;2</subgt;中氯含量最低值可達17.05ppm，滿足多種領域應用。

技術研發人員：余學功,劉純,王坤,楊德仁
受保護的技術使用者：浙江大學杭州國際科創中心
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24