具有優(yōu)良電性能的環(huán)氧化合物及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的環(huán)氧化合物即使在執(zhí)行加成反應(yīng)的情形下，使二次乙醇的生成最小化，實(shí)現(xiàn)優(yōu)良附著力、高剝離強(qiáng)度、低吸濕力、低熱膨脹系數(shù)(CTE)，并同時(shí)顯著改善介電常數(shù)、介電損耗等電性能。
【專利說(shuō)明】具有優(yōu)良電性能的環(huán)氧化合物及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有優(yōu)良電性能的環(huán)氧化合物及其制造方法，更具體地說(shuō)，實(shí)現(xiàn)優(yōu)良附著力、高剝離強(qiáng)度、低吸濕力、低熱膨脹系數(shù)(CTE)，并同時(shí)顯著改善介電常數(shù)、介電損耗等電性能的環(huán)氧化合物及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)隨著高密度化、超高速化，通過(guò)異種技術(shù)及組件的融合向著極小型化的趨勢(shì)發(fā)展。此種融復(fù)合技術(shù)的核心技術(shù)是將異種材料及組件放入一個(gè)裝置的封裝技術(shù)，為此必須開(kāi)發(fā)具有Low CTE (低熱膨脹系數(shù))、及Low Dk(低介電常數(shù))及耐熱性性能的核心材料。
[0003]次世代IC substrate, PCB, Flexible display substrate 等為了高集成化、高微細(xì)化、高功能化，要在短時(shí)間處理許多容量，為此通常增加半導(dǎo)體元件的集成度，這是指元件的線寬和之間的寬度縮小，因此晶體管轉(zhuǎn)換速度增加，可以實(shí)現(xiàn)元件的高速化。最近提出縮小元件線寬的多種方法，但在形成微細(xì)電路圖案時(shí)，通過(guò)現(xiàn)有的銅蝕刻形成的圖案，在縮小電路圖案的間隔方面總有限制。因此利用化學(xué)方法形成的Copper電路圖案可以實(shí)現(xiàn)到 20/20 μ m以下，但由于形成圖案的表面粗度尚未形成，具有附著力明顯降低的缺點(diǎn)。即，高密度晶片的速度取決于高密度晶片的線條間的狹小線寬比轉(zhuǎn)換速度大，此時(shí)需要電性能Low Dk(低介電常數(shù))、Low Df (低介電損耗)及附著力優(yōu)秀的高分子物質(zhì)。
[0004]低介電常數(shù)材料的開(kāi)發(fā)相比于線寬的減小速度，其開(kāi)發(fā)速度較慢，其中有機(jī)物質(zhì)有環(huán)氧樹(shù)脂、特氟綸(PTFE)、氰酸鹽樹(shù)脂、聚苯醚(PPE)或熱硬化性PPE等，其中特氟綸材料是有機(jī)物質(zhì)中介電性能最優(yōu)秀的已知材料。
[0005]可是，對(duì)具有低介電常數(shù)性能的有機(jī)材料特氟綸來(lái)講，在ICsubstrate, PCB, Flexible display substrate等要求的附著性能方面，有明顯降低的缺點(diǎn)，因此其使用上有限制，對(duì)氰酸鹽樹(shù)脂來(lái)講，雖然實(shí)現(xiàn)低介電性能，但硬化時(shí)硬化溫度在230°C以上需要高能量，并在像水分一樣的醇式羥基容易凝膠化，因此其使用上有限制。另外，對(duì)聚苯醚(PPE)或熱硬化性PPE來(lái)講，由于非反應(yīng)型，單純添加后會(huì)引起ICsubstrate, PCB, Flexible display substrate等附著層的硬化基質(zhì)的附著性能降低、附著層表面的不均勻等問(wèn)題。由于這種許多問(wèn)題，對(duì)具有高附著性能，并具有低介電常數(shù)、介電損耗、低吸濕性能，并且易用的環(huán)氧樹(shù)脂來(lái)講，其使用就越來(lái)越多。
[0006]通常對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂實(shí)現(xiàn)附著力性能的方法是可以對(duì)雙酚型環(huán)氧反應(yīng)雙酚化合物來(lái)實(shí)現(xiàn)，這可由通過(guò)雙酚型環(huán)氧和雙酚A的加成反應(yīng)形成2次乙醇來(lái)獲得。具體地，下述反應(yīng)式I表示現(xiàn)有的雙酚A和雙酚A系列的環(huán)氧化合物(國(guó)都化學(xué)，YD128)的加成反應(yīng)。
[0007][反應(yīng)式I]
[0008]
【權(quán)利要求】
1.一種環(huán)氧化合物，其特征是包含:分子中具有2個(gè)以上環(huán)氧基的環(huán)氧化合物；和下面化學(xué)式I表示的化合物；的反應(yīng)生成物， 化學(xué)式I表示的化合物用酯基遮蓋(masking)環(huán)氧化合物的環(huán)氧基開(kāi)環(huán)所生成的羥基； [化學(xué)式I]
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧化合物，其特征是所述環(huán)氧化合物包含由酚醛型環(huán)氧樹(shù)月旨、雙酚型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、苯并吡喃型環(huán)氧樹(shù)脂及縮合多環(huán)脂肪族環(huán)氧樹(shù)脂所構(gòu)成的群中選擇的任何一個(gè)以上。
3.一種環(huán)氧樹(shù)脂，其特征是包含下面化學(xué)式2~6表示的化合物中任何一個(gè)以上； [化學(xué)式2]
4.一種環(huán)氧化合物的制造方法，其特征是分子中具有2個(gè)以上環(huán)氧基的環(huán)氧化合物和下面化學(xué)式I表示的化合物在催化劑的存在下進(jìn)行反應(yīng)，所述反應(yīng)是化學(xué)式I表示的化合物的酯基取代環(huán)氧化合物的環(huán)氧基開(kāi)環(huán)所生成的羥基; [化學(xué)式I]
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的環(huán)氧化合物的制造方法，其特征是對(duì)所述環(huán)氧化合物100重量份添加所述化學(xué)式I表示的化合物5:50重量份。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的環(huán)氧化合物的制造方法，其特征是所述催化劑包含: 含有在 2-甲基咪唑(2-Methyl Imidazole)、2_ 乙基-4-甲基咪唑(2-Ethyl-4_MethylImidazole)、1-芐基-2-甲基咪唑(1-Benzyl-2-MethyI Imidazole)、2_ 十七烷基咪唑(2-Heptadecyl Imidazole)及 2_ 十一烷基咪唑(2-Undecyl Imidazole)中選擇的一種以上的咪唑化合物； 含有在憐酸三苯酯(Triphenylphosphate)、ETPPI (Ethyl Triphenyl Phosphonium1dide)中選擇的一種以上的三烷基化合物；以及
含有在4-二甲氨基吡唳(4-Dimethylamino Pyridine)、2_氨基吡啶、3-氨基吡唳、4-氨基吡啶、2，3- 二氨基吡啶、2，5- 二氨基吡啶、2，6- 二氨基吡啶、2-氨基-6-甲基吡啶、3-氨基-6-異丙基吡啶、2，2’ - 二吡啶胺及4-吡咯烷基吡啶中選擇的一種以上的吡啶化合物； 中選擇的任何一個(gè)以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的環(huán)氧化合物的制造方法，其特征是所述反應(yīng)是在140°C~200°C進(jìn)行。
8.一種包含權(quán)利要求1或2所述的環(huán)氧化合物的封裝材料。
9.一種包含權(quán)利要求3所述的環(huán)氧樹(shù)脂的封裝材料。
【文檔編號(hào)】C07D303/30GK103626958SQ201310361802
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月21日
【發(fā)明者】李垠龍, 樸龍義, 李智愛(ài), 黃載錫, 趙相弼, 李貴恒, 白美貞, 洪晟鎬, 崔湖京, 抑利烈 申請(qǐng)人:新亞T&C