本發(fā)明涉及氣體分離膜領域,具體地,涉及一種聚酰亞胺改性cofs及其制備方法、聚酰亞胺改性cofs膜與應用。
背景技術:
1、與傳統(tǒng)的化學吸附法和物理吸附法相比,膜法分離技術具有能耗低、穩(wěn)定性高、環(huán)境友好、操作方便等優(yōu)點,被認為是一種最有前途的co2捕集與封存(ccs)的方法。其中,分離膜性能是影響膜法分離技術能否大規(guī)模應用的主要因素之一,理想的分離膜需要具有良好的化學穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性、機械穩(wěn)定性,高的co2滲透率和選擇性。
2、聚合物膜材料具有成膜性好、易于規(guī)模化生產(chǎn)、易于封裝等特點,因此,聚合物膜自2001年首次被應用從天然氣脫碳后,已廣泛應用于co2的分離與捕獲。目前,研究最多的一種聚合物膜材料是聚酰亞胺,聚酰亞胺具有良好的熱穩(wěn)定性、化學穩(wěn)定性、機械穩(wěn)定性,良好的co2滲透性和選擇性,合理的制備成本。但聚酰亞胺膜,尤其是直鏈的聚酰亞胺膜材料,其滲透性與選擇性之間存在“trade-off”效應,分離性能很難突破羅伯遜上限。在聚合物基膜摻雜無機/有機納米顆粒制備混合基質(zhì)膜(mmms)是一種有效的克服“trade-off”效應的方法,其中納米顆粒的本征性能是影響混合基質(zhì)膜性能最終的因素之一。目前,沸石分子篩、金屬有機框架化合物、碳納米管、碳分子篩、石墨烯等納米材料已經(jīng)被證實可以有效提高聚酰亞胺膜的氣體分離性能。
3、聚合物基體與納米顆粒填料之間的相容性不好、納米顆粒在基膜中存在團聚問題,混合基質(zhì)膜容易形成界面缺陷,影響膜的性能。
技術實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術有機修飾cofs困難、混合基質(zhì)膜對氣體滲透率與選擇性低的問題,提供一種聚酰亞胺改性cofs及其制備方法、聚酰亞胺改性cofs膜與應用。
2、為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明第一方面提供一種聚酰亞胺改性cofs的制備方法,其中,所述制備方法包括以下步驟:
3、s1:制備cofs粉末;
4、s2:將所述cofs粉末、二胺單體和二酐單體進行聚合反應,得到聚酰亞胺改性cofs。
5、本發(fā)明第二方面提供前述制備方法制得聚酰亞胺改性cofs。
6、本發(fā)明第三方面提供一種聚酰亞胺改性cofs膜,其中,所述聚酰亞胺改性cofs膜由前述的聚酰亞胺改性cofs經(jīng)成膜加工而得。
7、本發(fā)明第四方面提供一種前述聚酰亞胺改性cofs膜在氣體分離領域的應用。
8、通過上述技術方案,獲得發(fā)明的有益效果如下:
9、本發(fā)明特定的制備方法中采用聚酰亞胺來改性cofs,實現(xiàn)了聚酰亞胺對特定的cofs的修飾改性;并且該聚酰亞胺改性cofs制備的膜能夠穩(wěn)定存在,不會龜裂,能夠選擇性通過氣體,用來分離尺寸不一氣體,成功實現(xiàn)了氣體選擇性分離。
1.一種聚酰亞胺改性cofs的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其中,s2中,所述二胺單體選自中的至少一種,優(yōu)選選自中的至少一種,進一步優(yōu)選為
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其中,s2中,所述二酐單體選自中的至少一種,優(yōu)選為
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述制備方法,其中,s2中,所述cofs粉末、所述二胺單體與所述二酐單體的重量比為0.01-10:0.5-1.2:1,優(yōu)選為0.1-5:0.6-1.1:1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的制備方法,其中,s2中,所述聚合反應在溶液中進行;
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任意一項所述的制備方法,其中,s2中,所述聚合反應的條件包括:反應溫度為-20℃至20℃,優(yōu)選為-10℃至0℃;反應時間為8-72h,優(yōu)選為12-18h。
7.一種由權(quán)利要求1-6中任意一項所述的制備方法制得的聚酰亞胺改性cofs。
8.一種聚酰亞胺改性cofs膜,其特征在于,所述聚酰亞胺改性cofs膜由權(quán)利要求7所述的聚酰亞胺改性cofs經(jīng)成膜加工而得。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聚酰亞胺改性cofs膜,其中,所述聚酰亞胺改性cofs膜的厚度為15-30μm,優(yōu)選為18-20μm。
10.權(quán)利要求8或9所述的聚酰亞胺改性cofs膜在氣體分離領域的應用。