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聚馬來酰亞胺化合物、固化性組合物、固化物、預浸料、電路基板、積層膜、半導體密封材料及半導體裝置的制作方法

文檔序號:41753018發布日期:2025-04-29 18:21閱讀:7來源:國知局
聚馬來酰亞胺化合物、固化性組合物、固化物、預浸料、電路基板、積層膜、半導體密封材料及半導體裝置的制作方法

本公開涉及聚馬來酰亞胺化合物、含有該聚馬來酰亞胺化合物的固化性組合物及其固化物、預浸料、電路基板、積層膜、半導體密封材料以及半導體裝置。


背景技術:

1、作為電子設備用的電路基板材料,廣泛使用在玻璃布中含浸環氧樹脂系、bt(雙馬來酰亞胺-三嗪)樹脂系等熱固性樹脂并加熱干燥而得到的預浸料、將該預浸料加熱固化而成的層疊板、將該層疊板與該預浸料組合并加熱固化而成的多層板。其中,半導體封裝基板的薄型化不斷發展,安裝時封裝基板的翹曲成為問題,因此為了抑制該問題,要求表現出高耐熱性的材料。

2、另外,近年來,信號的高速化、高頻化不斷發展,期望提供一種熱固性樹脂組合物,所述熱固性樹脂組合物提供在這些環境下維持充分低的介電常數并且表現出充分低的介電損耗角正切的固化物。

3、特別是最近,在各種電材用途、特別是尖端材料用途中,要求兼具耐熱性、介電特性所代表的性能的進一步提高、以及用于提高封裝基板可靠性的耐吸濕性等各種要求特性的材料、其組合物。

4、對于這些要求,作為兼具耐熱性和低介電常數/低介電損耗角正切的材料,馬來酰亞胺樹脂受到關注。然而,以往的馬來酰亞胺樹脂雖然顯示出高耐熱性,但在低介電特性方面并不令人滿意。

5、因此,對于這些課題,例如,在專利文獻1中,作為顯示優異的尺寸穩定性和低介電特性的馬來酰亞胺樹脂,公開了使芳香族二乙烯基化合物和苯胺系化合物反應而得到的低聚物與馬來酸酐反應而得到的聚馬來酰亞胺樹脂。但是,不能說其熱膨脹率、耐吸濕性一定充分,存在進一步改善的余地。

6、現有技術文獻

7、專利文獻

8、專利文獻1:日本專利第7160151號公報


技術實現思路

1、發明所要解決的課題

2、因此,本公開所要解決的課題在于提供一種在固化物時顯示出優異的低熱膨脹率、耐吸濕性的聚馬來酰亞胺化合物。

3、用于解決課題的方法

4、本發明涉及一種聚馬來酰亞胺化合物、含有該聚馬來酰亞胺化合物的固化性組合物及其固化物,所述聚馬來酰亞胺化合物通過使用以芳香族胺化合物(a)、通式(b1)所表示的化合物(b1)和馬來酸酐為必需反應原料(1)的聚馬來酰亞胺化合物,能夠高度兼顧固化物時的優異的低熱膨脹率、耐吸濕性。

5、另外,本發明提供所述固化性組合物的固化物、以及使用了所述固化性組合物的預浸料、電路基板、積層膜、半導體密封材料以及半導體裝置。

6、發明效果

7、根據本公開,可提供能夠高度兼顧固化物時的優異的低熱膨脹率、耐吸濕性的聚馬來酰亞胺化合物、含有該聚馬來酰亞胺化合物的固化性組合物及其固化物。這樣的聚馬來酰亞胺化合物在電子部件密封材料用途等中特別有用。



技術特征:

1.一種聚馬來酰亞胺化合物,其以芳香族胺化合物(a)、以下的通式(b1)所表示的化合物(b1)和馬來酸酐為必需反應原料(1),

2.根據權利要求1所述的聚馬來酰亞胺化合物,其以所述芳香族胺化合物(a)彼此經由所述通式(b1)所表示的化合物(b1)連接而成的中間體胺化合物(c)和所述馬來酸酐為必需反應原料(3)。

3.根據權利要求1或2所述的聚馬來酰亞胺化合物,其由以下的通式(1)表示,

4.根據權利要求2所述的聚馬來酰亞胺化合物,其中,所述中間體胺化合物(c)的胺當量為172~400g/當量的范圍。

5.一種固化性組合物,其含有權利要求1~4中任一項所述的聚馬來酰亞胺化合物。

6.一種權利要求5所述的固化性組合物的固化物。

7.一種預浸料,其具有增強基材及含浸于所述增強基材的權利要求5所述的固化性組合物的半固化物。

8.一種電路基板,其是將權利要求7所述的預浸料及銅箔層疊并加熱壓接成型而成的。

9.一種積層膜,其含有權利要求5所述的固化性組合物。

10.一種半導體密封材料,其含有權利要求5所述的固化性組合物。

11.一種半導體裝置,其包含權利要求10所述的半導體密封材料的固化物。


技術總結
本公開的目的在于提供在固化物時顯示優異的低熱膨脹率及耐吸濕性的聚馬來酰亞胺化合物、含有該聚馬來酰亞胺化合物的固化性組合物及其固化物。本發明涉及一種聚馬來酰亞胺化合物、含有該聚馬來酰亞胺化合物的固化性組合物及其固化物,所述聚馬來酰亞胺化合物通過使用以芳香族胺化合物(A)、通式(b1)所表示的化合物(B1)和馬來酸酐為必需反應原料(1)的聚馬來酰亞胺化合物,能夠高度兼顧固化物時的優異的低熱膨脹率、耐吸濕性。另外,本發明提供所述固化性組合物的固化物和使用了所述固化性組合物的預浸料、電路基板、積層膜、半導體密封材料以及半導體裝置。

技術研發人員:青山和賢,都留陽介,橋本慎太郎,下野智弘
受保護的技術使用者:DIC株式會社
技術研發日:
技術公布日:2025/4/28
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