技術特征：

1.一種切割芯片接合薄膜，其形成為卷狀，其包含：

覆蓋膜，和

配置在所述覆蓋膜上的切割片一體型粘接薄膜，

所述切割片一體型粘接薄膜包含：

切割片，所述切割片包含以第1面和與所述第1面相向的第2面來定義兩面的基材層和與所述第1面接觸的粘合劑層；以及

粘接薄膜，所述粘接薄膜以與所述粘合劑層接觸的第1主面和與所述第1主面相向的第2主面來定義兩面，

所述第2面的表面電阻值為1.0×10¹¹Ω/sq.以下，所述第2主面的表面電阻值為1.0×10¹²Ω/sq.以上。

2.根據權利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述基材層包含具有所述第1面的第1基材層和具有所述第2面的第2基材層，

所述第2基材層包含導電性成分。

3.根據權利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述第2基材層的厚度為1μm～30μm。

4.根據權利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述導電性成分為有機系導電性成分。

5.根據權利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述第2基材層還包含選自由聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物組成的組中的1種以上的樹脂。

6.根據權利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述切割片的斷裂伸長率為500％以上。

7.根據權利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接薄膜包含：環氧樹脂或酚醛樹脂；以及丙烯酸類樹脂，

所述粘接薄膜在25℃的粘著強度為0.2N以上且3.0N以下。

8.根據權利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述覆蓋膜為聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，

所述覆蓋膜的厚度為20μm～75μm。

9.一種半導體裝置的制造方法，其包括如下工序：

準備權利要求1～8中任一項所述的切割芯片接合薄膜的工序；

將半導體晶圓壓接于所述切割片一體型粘接薄膜的所述粘接薄膜的工序；

在將所述半導體晶圓壓接于所述粘接薄膜的工序之后，通過進行芯片分割而形成包含半導體芯片和配置在所述半導體芯片上的薄膜狀粘接劑的芯片接合用芯片的工序；和

將所述芯片接合用芯片壓接于被粘物的工序，

將所述半導體晶圓壓接于所述粘接薄膜的工序包括從所述覆蓋膜剝離所述切割片一體型粘接薄膜的步驟。

10.一種半導體裝置，其是通過權利要求9所述的制造方法而得到的。