技術總結
本發明涉及切割芯片接合薄膜、半導體裝置的制造方法及半導體裝置。本發明提供可防止覆蓋膜的剝離不良、能夠防止半導體芯片的靜電破壞的切割芯片接合薄膜等。本發明涉及一種切割芯片接合薄膜，其形成為卷狀。切割芯片接合薄膜包含覆蓋膜和配置在覆蓋膜上的切割片一體型粘接薄膜。切割片一體型粘接薄膜包含切割片，所述切割片包含以第1面和與第1面相向的第2面來定義兩面的基材層和與第1面接觸的粘合劑層。切割片一體型粘接薄膜還包含粘接薄膜，所述粘接薄膜以與粘合劑層接觸的第1主面和與第1主面相向的第2主面來定義兩面。第2面的表面電阻值為1.0×1011Ω/sq.以下。第2主面的表面電阻值為1.0×1012Ω/sq.以上。

技術研發人員：大西謙司;三隅貞仁;宍戶雄一郎;木村雄大
受保護的技術使用者：日東電工株式會社
文檔號碼：201610366194
技術研發日：2016.05.27
技術公布日：2016.12.07