技術特征：

1.一種量子點固態膜的制備方法，其特征在于，包括：

步驟A、首先將含有配體的量子點制成量子點固態膜；

步驟B、然后將量子點固態膜置于無機鹽溶液中1s~10min后取出；

步驟C、隨后用與無機鹽溶液相同的溶劑清洗量子點固態膜，得到不含配體的量子點固態膜。

2.根據權利要求1所述的量子點固態膜的制備方法，其特征在于，所述步驟B中，所述無機鹽溶液是無機鹽溶解在溶劑中配制而成的，所述無機鹽為硫化胺、硒化胺、硫化鈉、硫化鎂、硫化銅、硫化鐵中的一種。

3.根據權利要求2所述的量子點固態膜的制備方法，其特征在于，所述溶劑為去離子水、甲醇、乙醇中的一種。

4.根據權利要求1所述的量子點固態膜的制備方法，其特征在于，所述量子點為油溶性量子點。

5.根據權利要求4所述的量子點固態膜的制備方法，其特征在于，所述油溶性量子點包含量子點和量子點表面的油溶性配體，所述量子點為二元相量子點、三元相量子點、四元相量子點中的一種，所述油溶性配體為油酸、油胺、三辛基磷、三辛基氧磷中的一種。

6.根據權利要求5所述的量子點固態膜的制備方法，其特征在于，所述二元相量子點為CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一種。

7.根據權利要求5所述的量子點固態膜的制備方法，其特征在于，所述三元相量子點為Zn_XCd_1-XS、Cu_XIn_1-XS、Zn_XCd_1-XSe、Zn_XSe_1-XS、Zn_XCd_1-XTe、PbSe_XS_1-X中的一種。

8.根據權利要求5所述的量子點固態膜的制備方法，其特征在于，所述四元相量子點為Zn_XCd_1-XS/ZnSe、Cu_XIn_1-XS/ZnS、Zn_XCd_1-XSe/ZnS、CuInSeS、Zn_XCd_1-XTe/ZnS、PbSe_XS_1-X/ZnS中的一種。

9.一種量子點固態膜，其特征在于，所述量子點固態膜采用如權利要求1-8任一所述的量子點固態膜的制備方法制備而成。

10.一種QLED器件，其特征在于，所述QLED器件的量子點發光層包括如權利要求9所述的量子點固態膜。