背景技術(shù)：
：本發(fā)明涉及組合物，以及特別是用于微電子應(yīng)用的抗反射涂層組合物。本發(fā)明的組合物包含兩種或更多種樹(shù)脂的摻混物，其中一種樹(shù)脂具有懸垂或稠合到聚合物主鏈聚合物交聯(lián)劑組分上的環(huán)氧基團(tuán)。本發(fā)明的優(yōu)選組合物與外涂的光致抗蝕劑組合物一起使用，并且可以被稱為底部抗反射組合物或“barc”。光致抗蝕劑是用于將圖像轉(zhuǎn)移到襯底上的光敏膜。在襯底上形成光致抗蝕劑的涂層，然后通過(guò)光掩模將光致抗蝕劑層暴露于活化輻射源。在曝光后，使光致抗蝕劑顯影以提供允許襯底的選擇性處理的浮雕圖像。用于曝光光致抗蝕劑的活化輻射的反射通常對(duì)在光致抗蝕劑層中圖案化的圖像的分辨率造成限制。來(lái)自襯底/光致抗蝕劑界面的輻射的反射可以產(chǎn)生光致抗蝕劑中輻射強(qiáng)度的空間變化，在顯影時(shí)產(chǎn)生不均勻的光致抗蝕劑線寬。輻射也可從襯底/光致抗蝕劑界面散射到光致抗蝕劑的非預(yù)期曝光的區(qū)域中，再次導(dǎo)致線寬變化。用于減少反射輻射問(wèn)題的一種方法是使用被插在襯底表面與光致抗蝕劑涂層之間的輻射吸收層。參見(jiàn)ep2000852b1、kr1362661b1、us5677112a、us6818381b2、us8338078b2、us8181247b2、us20080102649a1、kr2010074607a、us9181426b2、wo2009035290a2、wo2013023124a2。對(duì)于許多高性能平版印刷應(yīng)用而言，使用特定的抗反射組合物以提供所需的性能特性，例如最佳吸收特性和涂層特征。參見(jiàn)，例如，上述專利文獻(xiàn)。然而，電子器件制造商不斷地尋求增加在抗反射涂層上圖案化的光致抗蝕劑圖像的分辨率，并且繼而需要抗反射組合物的不斷增加的性能。因此，希望具有與外涂光致抗蝕劑一起使用的新穎抗反射組合物。特別期望新穎的抗反射組合物，其展現(xiàn)增強(qiáng)的性能并可提供被圖案化成外涂光致抗蝕劑的圖像的增加的分辨率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：我們現(xiàn)在提供可以與外涂光致抗蝕劑組合物一起使用的新穎涂層組合物。在優(yōu)選的方面中，本發(fā)明的涂層組合物可以用作用于外涂抗蝕劑層的有效抗反射層。在一個(gè)優(yōu)選的方面中，提供了有機(jī)涂層組合物，特別是與外涂光致抗蝕劑一起使用的抗反射組合物，其包含兩種或更多種單獨(dú)樹(shù)脂的摻混物，其中一種樹(shù)脂具有側(cè)接或稠合到聚合物主鏈上的環(huán)氧基。優(yōu)選的涂層組合物包括：1)包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)的第一樹(shù)脂；和2)不同于第一樹(shù)脂并且包含環(huán)氧基團(tuán)的交聯(lián)劑樹(shù)脂。環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)包括可以與含有環(huán)氧部分的取代基反應(yīng)的官能團(tuán)，例如通過(guò)親核取代反應(yīng)。示例性環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)可以包括包含一個(gè)或多個(gè)親核氧、氮或硫原子的基團(tuán)，其可以與環(huán)氧基反應(yīng)，包括在高溫下(例如，具有環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)的樹(shù)脂的組合物的旋涂層，在200℃或更高溫度下加熱30或60秒或更長(zhǎng))，例如羥基、胺和/或硫部分，包括羥基，例如醇、苯氧基或羧基；伯胺、仲胺或叔胺；和硫化物、硫氧基和磺基部分；以及可以與環(huán)氧基樹(shù)脂反應(yīng)的這些部分的受保護(hù)形式，例如酰胺或氨基甲酸酯。這種受保護(hù)形式將包含一個(gè)或多個(gè)可與環(huán)氧基反應(yīng)的親核氧、氮或硫原子，包括在高溫下(例如，具有環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)的樹(shù)脂的組合物的旋涂層，在200℃或更高溫度下加熱30或60秒或更長(zhǎng))。在某些方面中，環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)不包括羧基。優(yōu)選地，涂層組合物的第一樹(shù)脂1)包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)以及2)大體上、基本上或完全不含任何環(huán)氧部分。樹(shù)脂將至少大體上不含環(huán)氧基團(tuán)，其中小于15、13、12、11、10、9、8、7、6、或5重量％(基于樹(shù)脂的總重量)的樹(shù)脂重復(fù)單元包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧基。樹(shù)脂將至少基本上不含環(huán)氧基團(tuán)，其中少于4、3、2、1或0.5重量％(基于樹(shù)脂的總重量)的樹(shù)脂重復(fù)單元包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧基團(tuán)。優(yōu)選地，涂層組合物的第二樹(shù)脂1)包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧部分以及2)大體上、基本上或完全不含任何環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)部分。樹(shù)脂將至少大體上不含環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)，其中小于15、13、12、11、10、9、8、7、6、或5重量％(基于樹(shù)脂的總重量)的樹(shù)脂重復(fù)單元包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)。樹(shù)脂將至少基本上不含環(huán)氧基團(tuán)，其中少于4、3、2、1或0.5重量％(基于樹(shù)脂的總重量)的樹(shù)脂重復(fù)單元包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)。本發(fā)明的涂層組合物的特別合適的交聯(lián)劑樹(shù)脂(第二樹(shù)脂)可以包含一個(gè)或多個(gè)下式(1)的重復(fù)單元：其中在式(i)中：r1選自氫、鹵素、氰基、任選經(jīng)取代的烷基，所述烷基包括任選經(jīng)取代的環(huán)烷基；r2是選自–c(＝o)-o-、-o-、-(ch2)n-o-、-o-(ch2)n-(其中n是如1-6的正整數(shù))、-(ch2)n-(其中n是如1-6的正整數(shù))、-(任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基)-o-、-(任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基)-、-o-(任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基)-、-(任選經(jīng)取代的雜芳基)-o-、-(任選經(jīng)取代的雜芳基)-、-o-(任選經(jīng)取代的雜芳基)-的連接基團(tuán)；以及r2'選自任選經(jīng)取代的c1至c12直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基、任選經(jīng)取代的c6至c15芳基，任選地含有雜原子，并且其中r2'包含至少一個(gè)環(huán)氧基，或r2和r2'一起形成包含側(cè)接或稠合環(huán)氧基的碳脂環(huán)。本發(fā)明的涂層組合物的特別合適的環(huán)氧反應(yīng)性樹(shù)脂(第一樹(shù)脂)可以包含：(1)任選的一個(gè)或多個(gè)下式(2)的重復(fù)單元：其中在式(2)中：r1選自氫、鹵素、氰基、任選經(jīng)取代的烷基，所述烷基包括任選經(jīng)取代的環(huán)烷基；r2是選自–c(＝o)-o-、-o-、-(ch2)n-o-、-o-(ch2)n-(其中n是正整數(shù))、-(ch2)n-，其中n是非負(fù)整數(shù)、-(任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基)-o-、-(任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基)-、-o-(任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基)-、-(任選經(jīng)取代的雜芳基)-o-、-(任選經(jīng)取代的雜芳基)-、-o-(任選經(jīng)取代的雜芳基)-的連接基團(tuán)；r3選自氫、鹵素、氰基和任選經(jīng)取代的烷基；以及r4和r5獨(dú)立地選自氫、任選經(jīng)取代的烷基、任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基或任選經(jīng)取代的雜芳基；或r2和r5一起形成包含側(cè)接或稠合環(huán)氧基的碳脂環(huán)；以及(2)下式(3)的單元：其中在式(3)中，r1、r2、r3和r4與以上式(2)中定義相同；以及r6是任選經(jīng)取代的烷基、任選經(jīng)取代的環(huán)烷基、和任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基、任選經(jīng)取代的雜芳基，其中r6具有至少一個(gè)包含親核氧、氮或硫的官能團(tuán)，例如羥基、胺或硫部分或其受保護(hù)形式。本發(fā)明的涂層組合物的優(yōu)選環(huán)氧反應(yīng)性樹(shù)脂(第一樹(shù)脂)也包括包含下式(4)的單元的那些：其中在式(4)中，r6、r7、r8和r9各自獨(dú)立地選自氫、任選經(jīng)取代的烷基、任選經(jīng)取代的烯基、任選經(jīng)取代的炔基、任選經(jīng)取代的烷氧基、任選經(jīng)取代的環(huán)烯基、任選經(jīng)取代的c2至c20雜環(huán)烷基、任選經(jīng)取代的c2至c20雜環(huán)烯基、任選經(jīng)取代的雜環(huán)炔基、任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基或任選經(jīng)取代的雜芳基，并且其中r6、r7、r8和r9中的至少一個(gè)具有至少一個(gè)包含親核氧、氮或硫的官能團(tuán)，例如羥基、胺或硫部分或其受保護(hù)形式。本發(fā)明的涂層組合物的優(yōu)選環(huán)氧反應(yīng)性樹(shù)脂(第一樹(shù)脂)包括包含聚酯鍵的材料，例如通過(guò)單體的縮合制備的聚酯，所述單體包含1)氰脲酸酯基團(tuán)和任選的2)疏水基團(tuán)、3)芳族基團(tuán)。在某些方面中，優(yōu)選的環(huán)氧反應(yīng)性樹(shù)脂(第一樹(shù)脂)包含氰脲酸酯基團(tuán)。此優(yōu)選者可以是聚酯或具有其它主鏈鍵?？梢苑磻?yīng)形成本發(fā)明的涂層組合物的樹(shù)脂(例如環(huán)氧反應(yīng)性樹(shù)脂或第一樹(shù)脂)的合適的氰脲酸酯單體包括下式(5)的那些：其中在式(5)中：r1、r2和r3各自獨(dú)立地是氫或非氫取代基，例如任選經(jīng)取代的烷基、任選經(jīng)取代的烯基或任選經(jīng)取代的炔基、任選經(jīng)取代的環(huán)烷基、和任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基、任選經(jīng)取代的雜芳基、任選經(jīng)取代的烷基酯、任選經(jīng)取代的烷基醚，其中r1、r2、r3中的至少一個(gè)具有包含親核氧、氮或硫的官能團(tuán)，例如羥基、胺或硫部分或其受保護(hù)形式。可以反應(yīng)以形成本發(fā)明的涂層組合物的樹(shù)脂(例如環(huán)氧反應(yīng)性樹(shù)脂或第一樹(shù)脂)的、合適的疏水性單體包括下式(6)的那些：r1-r4-r2(6)其中在式(6)中，r1和r2與式(5)中定義相同，其中r1、r2中的至少一個(gè)具有包含含有氧、氮或硫的親核基團(tuán)的官能團(tuán)，例如羥基、羧基、胺、或硫部分；r4是任選經(jīng)取代的烷基(例如，任選經(jīng)取代的c1-10烷基)、任選經(jīng)取代的烯基或任選經(jīng)取代的炔基，優(yōu)選地具有2至約10個(gè)碳原子，例如烯丙基或任選鹵代的烷基；可以反應(yīng)以形成本發(fā)明的涂層組合物的樹(shù)脂(例如環(huán)氧反應(yīng)性樹(shù)脂或第一樹(shù)脂)的合適的芳族(包括碳環(huán)芳基)單體包括下式(7)的那些：r1-ar-r2(7)其中在式(7)中：r1和r2與式(5)中定義相同，其中r1和r2中的至少一個(gè)具有包含含有氧、氮或硫的親核基團(tuán)的官能團(tuán)，如羥基、羧基、胺或硫部分；芳基是任選經(jīng)取代的烷芳基，例如任選經(jīng)取代的芐基、任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基，例如任選經(jīng)取代的苯基、萘基、蒽基、苊基、或任選經(jīng)取代的雜芳基，例如甲基鄰苯二甲酰亞胺、n-甲基-1,8-鄰苯二甲酰亞胺。對(duì)于抗反射應(yīng)用而言，本發(fā)明的下層組合物也優(yōu)選地含有包含發(fā)色團(tuán)基團(tuán)的組分，所述發(fā)色團(tuán)基團(tuán)可吸收用于通過(guò)反射回到抗蝕劑層中使外涂的抗蝕劑層曝光的、不需要的輻射。樹(shù)脂或交聯(lián)劑可以包含這樣的發(fā)色團(tuán)基團(tuán)，或者涂層組合物可以包含含有合適的發(fā)色團(tuán)基團(tuán)的其它組分。優(yōu)選的第一樹(shù)脂可以是氟化的，即包含或多個(gè)具有氟取代的原子，包括被氟化醇取代。優(yōu)選的第二樹(shù)脂可以是氟化的，即包含或多個(gè)具有氟取代的原子，包括被氟化醇取代。優(yōu)選的涂層組合物包括其中第一樹(shù)脂被氟化但第二樹(shù)脂不具有任何氟取代的那些。優(yōu)選的涂層組合物包括其中第二樹(shù)脂被氟化，但第一樹(shù)脂不具有任何氟取代的那些。優(yōu)選的涂層組合物也包括其中第一樹(shù)脂和第二樹(shù)脂均被氟化的那些。在與外涂的光致抗蝕劑一起使用時(shí)，可將涂層組合物涂覆在襯底上，例如其上可以具有一個(gè)或多個(gè)有機(jī)或無(wú)機(jī)涂層的半導(dǎo)體晶片。所涂覆的涂層可以在利用光致抗蝕劑層外涂前任選地進(jìn)行熱處理。這種熱處理可以引起硬化，包括涂層組合物層的交聯(lián)。這種交聯(lián)可以包括一種或多種組合物組分之間的硬化和/或共價(jià)鍵結(jié)形成反應(yīng)，并且可以調(diào)節(jié)涂層組合物層的水接觸角。然后，可以將光致抗蝕劑組合物涂覆在涂層組合物層上，接著利用圖案化活化輻射使涂覆的光致抗蝕劑組合物層成像，并且將成像的光致抗蝕劑組合物層顯影以提供光致抗蝕劑浮雕圖像。多種光致抗蝕劑可與本發(fā)明的涂層組合物組合使用(即外涂)。與本發(fā)明的下層涂層組合物一起使用的優(yōu)選的光致抗蝕劑是化學(xué)增強(qiáng)的抗蝕劑，特別是含有一種或多種光活性化合物和一種樹(shù)脂組分的負(fù)性光致抗蝕劑，所述樹(shù)脂組分含有在光生酸存在下發(fā)生解封或裂解反應(yīng)的單元。在優(yōu)選的方面中，光致抗蝕劑組合物被設(shè)計(jì)用于負(fù)性抗蝕劑，其中曝光區(qū)域在顯影過(guò)程后保留，但是也可使用正性顯影以除去光致抗蝕劑層的曝光部分。本發(fā)明進(jìn)一步提供用于形成光致抗蝕劑浮雕圖像的方法和新穎制品，其包括襯底(例如微電子晶片襯底)，其上單獨(dú)涂布了本發(fā)明的涂層組合物或涂布了與光致抗蝕劑組合物組合的、本發(fā)明的涂層組合物。本發(fā)明的其它方面在下文中公開(kāi)。附圖說(shuō)明圖1a和1b顯示了以下實(shí)例15的結(jié)果。圖1a是比較實(shí)例6的經(jīng)加工的組合物的sem，以及圖1b是實(shí)例7的經(jīng)加工的組合物的sem。圖2a和2b顯示了以下實(shí)例16的結(jié)果。圖1a是比較實(shí)例6的經(jīng)加工的組合物的sem，以及圖1b是實(shí)例8的經(jīng)加工的組合物的sem。具體實(shí)施方式如上所述，提供了有機(jī)涂層組合物，特別是與外涂光致抗蝕劑一起使用的抗反射組合物，其包含兩種不同樹(shù)脂的摻混物：1)包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)的第一樹(shù)脂；和2)不同于第一樹(shù)脂并且包含環(huán)氧基團(tuán)的交聯(lián)劑樹(shù)脂。在包含樹(shù)脂的組合物的任何熱處理或交聯(lián)前，樹(shù)脂的摻混物適當(dāng)?shù)夭煌蚍珠_(kāi)(例如兩種或更多種樹(shù)脂不共價(jià)連接)。樹(shù)脂的摻混物適宜地可以是相同類型(例如，其中摻混物成員各自是丙烯酸酯或各自是聚酯)或樹(shù)脂的摻混物可以是不同的(例如，其中包含環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)的第一樹(shù)脂是丙烯酸酯以及包含環(huán)氧基團(tuán)的第二不同樹(shù)脂不同于丙烯酸酯，例如聚酯，或者其中第一樹(shù)脂是聚酯和/或包含氰脲酸酯基團(tuán)，并且第二樹(shù)脂不包含氰脲酸酯基團(tuán)和/或聚酯鍵)。在努力設(shè)計(jì)更多功能的電路下，隨著特征尺寸變得更小并且襯底形態(tài)變得更加復(fù)雜，控制由高度反射襯底的光反射引起的臨界尺寸(cd)的變化、多個(gè)薄膜層的干擾以及光致抗蝕劑聚焦深度(dof)更為關(guān)鍵。對(duì)于這樣的應(yīng)用，可將barc和間隙填充材料涂覆在有相對(duì)巨大形態(tài)的襯底上。我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，對(duì)于這樣的形態(tài)區(qū)域，barc材料應(yīng)當(dāng)在隔離通孔和致密通孔的區(qū)域之間提供減小的厚度偏差的涂層，具有比抗蝕劑更高的蝕刻速率，并且基本上不含空隙，并且基本上不與抗蝕劑相互混合。然而，現(xiàn)有的barc材料可以產(chǎn)生空隙，特別是具有例如10nm或更小尺寸的內(nèi)孔和溝槽圖案?？障犊蓪?dǎo)致許多性能問(wèn)題，包括barc頂部厚度、光學(xué)性質(zhì)、通孔填充百分比和等離子體蝕刻速率的變化。我們現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明優(yōu)選的下層涂層組合物可以表現(xiàn)出顯著的、改進(jìn)的間隙填充性能，包括具有小尺寸的孔和溝槽圖案。在優(yōu)選的方面中，本發(fā)明的涂層組合物可以涂覆溝槽而不檢測(cè)空隙(sem分析)，其中溝槽具有40、30、20或10nm或更小的尺寸和80、90、100、110或120nm或者更大的間距。不受任何理論的約束，認(rèn)為本發(fā)明的優(yōu)選涂層組合物具有控制聚合物熱流動(dòng)和有效性的交聯(lián)反應(yīng)性和效率，從而積極地影響間隙填充性能。特別地，本發(fā)明的優(yōu)選涂層組合物具有相對(duì)高的交聯(lián)溫度，這被認(rèn)為可提供給組合物聚合物足以流經(jīng)底表面的時(shí)間。本發(fā)明的優(yōu)選涂層組合物也可以表現(xiàn)出相對(duì)于現(xiàn)有組合物降低的膜收縮率。特別地，優(yōu)選的涂層組合物不產(chǎn)生任何實(shí)質(zhì)的副產(chǎn)物(例如裂解反應(yīng)產(chǎn)物)，因此在交聯(lián)期間組合物涂層膜收縮以顯著量發(fā)生。減少膜厚度損失也可以提高性能和抗蝕劑分辨率。示例性優(yōu)選的、包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)的第一樹(shù)脂也可以包括異氰脲酸酯，例如下式(8)的聚合物：其中在式(8)中，r2和r4各自獨(dú)立地是氫或非氫取代基，例如任選經(jīng)取代的烷基(例如任選經(jīng)取代的c1-10烷基)、任選經(jīng)取代的烯基或炔基，優(yōu)選地具有2至約10個(gè)碳原子，例如烯丙基、任選經(jīng)取代的烷酰基，優(yōu)選地具有1至約10個(gè)碳原子；任選經(jīng)取代的烷氧基(包括環(huán)氧基)，優(yōu)選地具有1至約10個(gè)碳原子，例如甲氧基、丙氧基、丁氧基；任選經(jīng)取代的烷硫基，優(yōu)選地具有1至約10個(gè)碳原子；任選經(jīng)取代的烷基亞磺?；?，優(yōu)選地1至約10個(gè)碳原子；任選經(jīng)取代的烷基磺?；?，優(yōu)選地具有1至約10個(gè)碳原子；任選經(jīng)取代的羧基，優(yōu)選地具有1至約10個(gè)碳原子(其包括例如-coor'的基團(tuán)，其中r'為h或c1-8烷基，包括大體上不與光酸反應(yīng)的酯)；任選經(jīng)取代的烷芳基，例如任選經(jīng)取代的芐基、任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基，例如任選經(jīng)取代的苯基、萘基、苊基、或任選經(jīng)取代的雜脂環(huán)族或雜芳族基團(tuán)，例如甲基鄰苯二甲酰亞胺、n-甲基-1,8-鄰苯二甲酰亞胺，其中r2和r4中的至少一個(gè)包含親核氧、氮或硫，例如羥基、胺或硫部分或其受保護(hù)形式。r3和r6是相同或不同的連接體，例如任選經(jīng)取代的亞烷基，例如-(ch2)n-，其中n是1至6的整數(shù)；每個(gè)m、n和l是相同或不同的，并且為0或正整數(shù)，典型地是0、1、2、3、4或5?？砂h(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)和異氰脲酸酯基團(tuán)的組合物的示例性優(yōu)選聚合物包括以下：額外優(yōu)選的、包含一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)的第一樹(shù)脂包括丙烯酸酯樹(shù)脂、聚羥基苯乙烯樹(shù)脂和包含具有一個(gè)或多個(gè)環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)環(huán)取代基的碳脂環(huán)族、雜脂環(huán)族或雜芳族基團(tuán)的其它樹(shù)脂，例如包含以下所述的結(jié)構(gòu)(重復(fù)單元)，大體上由以下所述的結(jié)構(gòu)(重復(fù)單元)組成或由以下所述的結(jié)構(gòu)(重復(fù)單元)組成的樹(shù)脂。在以下結(jié)構(gòu)中，值x、y和z表示指定重復(fù)單元在樹(shù)脂中以百分比計(jì)的摩爾百分比。在以下結(jié)構(gòu)中，x、y和z的典型值是0至90％，其中至少一個(gè)含有環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)的單元將存在于樹(shù)脂中(因此，例如，含有環(huán)氧反應(yīng)性基團(tuán)的樹(shù)脂單元將具有大于0的x、y或z的指定值)。在以下結(jié)構(gòu)中，n的合適值包括0和正整數(shù)，典型地是0、1、2、3、4、5或6，更典型地是1、2、3、4、5或6：如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“烷基”包括具有直鏈、支鏈或環(huán)狀部分(包括稠合和橋接的雙環(huán)和螺環(huán)部分)、或前述部分的組合的飽和一價(jià)烴基，其可以由一個(gè)或多個(gè)雜原子打斷。合適的烷基可以具有1至30個(gè)或更多個(gè)碳原子。對(duì)于具有環(huán)狀部分的烷基而言，該基團(tuán)必須具有至少三個(gè)碳原子。如烷基酯或烷基醚的術(shù)語(yǔ)應(yīng)被充分理解為表示包括兩個(gè)官能團(tuán)的基團(tuán)，即烷基醚是文中所述的、與醚基團(tuán)一起的烷基(也是烷氧基)。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“亞烷基”包括衍生自烷基的二價(jià)基團(tuán)，例如-ch2ch2ch2ch2-。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“烯基”包括具有至少一個(gè)碳-碳雙鍵的烷基部分，其中烷基如上定義并包括所述烯基部分的e和z異構(gòu)體。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“炔基”包括具有至少一個(gè)碳-碳三鍵的烷基部分，其中烷基如上定義。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“烷基”包括具有直鏈、支鏈或環(huán)狀部分(包括稠合和橋接的雙環(huán)和螺環(huán)部分)、或前述部分的組合的飽和一價(jià)烴基，其可以由一個(gè)或多個(gè)雜原子打斷。對(duì)于具有環(huán)狀部分的烷基而言，該基團(tuán)必須具有至少三個(gè)碳原子。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“亞烷基”包括衍生自烷基的二價(jià)基團(tuán)，例如-ch2ch2ch2ch2-。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“烯基”包括具有至少一個(gè)碳-碳雙鍵的烷基部分，其中烷基如上定義并包括所述烯基部分的e和z異構(gòu)體。雜烯基是包括一個(gè)或多個(gè)n、o或s原子的烯基。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“炔基”包括具有至少一個(gè)碳-碳三鍵的烷基部分，其中烷基如上定義。雜炔基是包括一個(gè)或多個(gè)n、o或s原子的炔基。術(shù)語(yǔ)“醇”是指-oh基團(tuán)。其可以是烷基例如或其它部分的取代基。術(shù)語(yǔ)“胺”是指–n(r)(r1)基團(tuán)(其中r和r1各自獨(dú)立地是氫或非氫取代基)，其可以是伯胺、仲胺或叔胺并可以是例如烷基的取代基。術(shù)語(yǔ)“硫代”是指含硫的基團(tuán)，例如-sh，并且可以是例如烷基的取代基。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“烷氧基”包括o-烷基，其中烷基如上定義。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“烷基胺”包括具有一個(gè)或多個(gè)取代基的氮基團(tuán)，所述取代基中的至少一個(gè)是如上定義的烷基。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“烷硫基”包括s-烷基，其中烷基如上定義。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“烷基亞磺?；卑╯(o)-烷基，其中烷基如上定義。如文中所用，除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“烷基磺酰基”包括s(o)2-烷基，其中烷基如上定義。如文中所提到的，合適的雜烷基包括任選經(jīng)取代的c1-20烷氧基、任選經(jīng)取代的烷硫基，優(yōu)選地具有1至約20個(gè)碳原子；任選經(jīng)取代的烷基亞磺酰基，優(yōu)選地具有1至約20個(gè)碳原子；任選經(jīng)取代的烷基磺酰基，優(yōu)選地具有1至約20個(gè)碳原子；和任選經(jīng)取代的烷基胺，優(yōu)選地具有1至約20個(gè)碳原子。如文中所提及的，術(shù)語(yǔ)“碳脂環(huán)基”意指非芳族基團(tuán)的每個(gè)環(huán)成員是碳。碳脂環(huán)基可以具有一個(gè)或多個(gè)橋環(huán)碳-碳雙鍵或三鍵，條件是該環(huán)不是芳族的。術(shù)語(yǔ)任選經(jīng)取代的“環(huán)烷基”意指非芳族基團(tuán)的每個(gè)環(huán)成員是碳，并且碳環(huán)不具有任何橋環(huán)碳-碳雙鍵。例如，環(huán)己基、環(huán)戊基和金剛烷基是環(huán)烷基以及碳脂環(huán)基。碳脂環(huán)基和環(huán)烷基可以包含一個(gè)環(huán)或多個(gè)(例如2、3、4或更多個(gè))橋接、稠合或以其它方式共價(jià)連接的環(huán)。應(yīng)當(dāng)理解，環(huán)烯基或環(huán)炔基分別包括至少一個(gè)橋環(huán)碳-碳雙鍵或三鍵。術(shù)語(yǔ)“雜環(huán)烷基”或其它類似術(shù)語(yǔ)是與上述針對(duì)環(huán)烷基所述相同的非芳族基團(tuán)，除了至少一個(gè)環(huán)原子是n、o或s而不是碳。雜環(huán)烷基可以具有一個(gè)或多個(gè)橋環(huán)碳-碳雙鍵，條件是該環(huán)不是芳族的。雜環(huán)烷基可以包含一個(gè)環(huán)或多個(gè)(例如2、3、4或更多個(gè))橋接、稠合或以其它方式共價(jià)連接的環(huán)。應(yīng)理解，雜環(huán)烯基或雜環(huán)炔基將分別包括至少一個(gè)橋環(huán)碳-碳雙鍵或三鍵。非芳族雜環(huán)烷基或雜環(huán)基的實(shí)例是吡咯烷基、四氫呋喃基、二氫呋喃基、四氫噻吩基、四氫吡喃基、二氫吡喃基、四氫噻喃基、哌啶基、嗎啉代、硫代嗎啉代、噻烷基和二氫吲哚基。術(shù)語(yǔ)碳環(huán)芳基是指其中芳族環(huán)成員全部是碳的芳族基團(tuán)，例如苯基、萘基和蒽基。如文中所提到的，“雜芳基”或其它類似術(shù)語(yǔ)基團(tuán)包括具有1-3個(gè)雜原子(如果是單環(huán))、1-6個(gè)雜原子(如果是雙環(huán))、或1-9個(gè)雜原子(如果是三環(huán))的芳族5-8元單環(huán)、8-12元雙環(huán)或11-14元三環(huán)的環(huán)系統(tǒng)，所述雜原子選自o、n、或s(例如，碳原子和如果分別是單環(huán)、雙環(huán)或三環(huán)，n、o、或s的1-3、1-6或1-9個(gè)雜原子)，其中每個(gè)環(huán)的0、1、2、3或4個(gè)原子可以被取代基取代。雜芳基的實(shí)例包括吡啶基、呋喃基(furyl或furanyl)、咪唑基、苯并咪唑基、嘧啶基、苯硫基或噻吩基、喹啉基、吲哚基、噻唑基等?！叭芜x經(jīng)取代的”各種材料和取代基(包括上述各式(1)至(8)的取代基)可以在一個(gè)或多個(gè)可用位置被例如鹵素(f、cl、br、i)；硝基；羥基；氨基；烷基例如c1-8烷基；烯基例如c2-8烯基；烷氨基例如c1-8烷氨基；碳環(huán)芳基例如苯基、萘基、蒽基等；以及類似物適當(dāng)?shù)厝〈?。在通常?yōu)選的方面中，在熱處理前，涂層組合物的第一樹(shù)脂和第二樹(shù)脂組分是不同的、分開(kāi)的材料，即樹(shù)脂組分和交聯(lián)劑組分不共價(jià)連接。在某些其它實(shí)施例中，交聯(lián)劑組分可以連接到樹(shù)脂組分，例如被共價(jià)束縛作為側(cè)基。如所討論，多種樹(shù)脂可以用作下層涂層組合物的樹(shù)脂組分。本發(fā)明的涂層組合物的特別優(yōu)選的樹(shù)脂可以包含聚酯鍵。聚酯樹(shù)脂可以容易地通過(guò)一種或多種多元醇試劑與一種或多種含羧基(例如羧酸、酯、酸酐等)化合物反應(yīng)而制備。合適的多元醇試劑包括二醇、甘油和三醇，比如，例如，二醇，例如二醇是乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、丁二醇、戊二醇、環(huán)丁基二醇、環(huán)戊基二醇、環(huán)己基二醇、二羥甲基環(huán)己烷，以及三醇，例如甘油、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷等。用于本發(fā)明的抗反射組合物的優(yōu)選的聚酯樹(shù)脂也公開(kāi)在u.s.8,501,383、u.s.2011/0033801和u.s.7,163,751中。如那些專利文件中所公開(kāi)的，含有酯重復(fù)單元(聚酯)的樹(shù)脂可以適當(dāng)?shù)赝ㄟ^(guò)含羧基的化合物(例如羧酸、酯、酸酐等)和含羥基的化合物(優(yōu)選地具有多個(gè)羥基的化合物，例如二元醇，例如乙二醇或丙二醇、或甘油、或其它二醇、三醇、四醇等)的聚合提供。在某些方面中，優(yōu)選地，酯官能團(tuán)作為聚合物主鏈的組分存在或存在于聚合物主鏈中而不是作為側(cè)接或側(cè)鏈單元存在。酯部分也可以作為側(cè)基存在，但是優(yōu)選地，聚合物也沿聚合物主鏈含有酯官能性。也優(yōu)選的是其中酯重復(fù)單元包含芳族取代，例如任選經(jīng)取代的碳環(huán)芳基，例如任選經(jīng)取代的苯基、萘基或蒽基取代，或作為側(cè)鏈或更優(yōu)選地沿著聚合物主鏈。本發(fā)明的涂層組合物的樹(shù)脂可以包含各種額外基團(tuán)，例如氰脲酸酯基團(tuán)，如美國(guó)專利6852421和8501383中所公開(kāi)的。如所討論，本發(fā)明的涂層組合物的特別優(yōu)選的第一和/或第二(環(huán)氧交聯(lián)劑)樹(shù)脂可以包含一個(gè)或多個(gè)氰脲酸酯基團(tuán)和聚酯鍵。如所討論，對(duì)于抗反射應(yīng)用，合適的、反應(yīng)以形成樹(shù)脂的一種或多種化合物包含可用作發(fā)色團(tuán)以吸收用于曝光外涂的光致抗蝕劑涂層的輻射的部分。例如，鄰苯二甲酸酯化合物(例如鄰苯二甲酸或鄰苯二甲酸二烷基酯(即二酯，例如每個(gè)具有1-6個(gè)碳原子的酯，優(yōu)選為鄰苯二甲酸二甲酯或鄰苯二甲酸乙酯))可以與芳族或非芳族多元醇和任選的其它反應(yīng)性化合物聚合以提供聚酯，其特別用于與在低于200nm波長(zhǎng)(例如193nm)下成像的光致抗蝕劑一起使用的涂層組合物。異氰脲酸酯化合物也可以與一種或多種多元醇聚合以提供用于本下層涂層組合物的樹(shù)脂?？梢跃酆洗褂糜谂c在低于300nm波長(zhǎng)或低于200nm波長(zhǎng)(例如248nm或193nm)下成像的外涂光致抗蝕劑一起使用的組合物的樹(shù)脂，萘基化合物，例如包含一個(gè)或兩個(gè)或更多個(gè)羧基取代基(例如二烷基，特別是二-c1-6烷基萘二羧酸酯)的萘基化合物。反應(yīng)性蒽化合物也是優(yōu)選的，例如具有一個(gè)或多個(gè)羧基或酯基團(tuán)，例如一個(gè)或多個(gè)甲酯或乙酯基團(tuán)的蒽化合物。含有發(fā)色團(tuán)單元的化合物也可以含有一個(gè)或優(yōu)選為兩個(gè)或更多個(gè)羥基，并與含羧基的化合物反應(yīng)。例如，具有一個(gè)、兩個(gè)或更多個(gè)羥基的苯基化合物或蒽化合物可以與含羧基的化合物反應(yīng)。另外，用于抗反射目的的下層涂層組合物可以含有含有與提供水接觸角調(diào)節(jié)的樹(shù)脂組分分離的發(fā)色團(tuán)單元的材料(例如含有光酸不穩(wěn)定基團(tuán)和/或堿反應(yīng)性基團(tuán)的樹(shù)脂)。例如，涂層組合物可以包含含有苯基、蒽、萘基等單元的聚合或非聚合化合物。然而，通常優(yōu)選的是，提供水接觸角調(diào)節(jié)的一種或多種樹(shù)脂也含有發(fā)色團(tuán)部分。包含環(huán)氧基的優(yōu)選的第二樹(shù)脂包括丙烯酸酯聚合物，例如包含一個(gè)或多個(gè)以下單元的聚合物。在以下結(jié)構(gòu)中，值x、y和z表示指定重復(fù)單元在樹(shù)脂中以百分比計(jì)的摩爾百分比。在以下結(jié)構(gòu)中的每個(gè)n的合適值包括0和正整數(shù)，典型地是0、1、2、3、4、5或6，更典型地是1、2、3、4、5或6：本發(fā)明的下層涂層組合物的優(yōu)選樹(shù)脂具有約1,000至約1,000,000道爾頓，更典型地約2,000至約50,000道爾頓的重均分子量(mw)，和約500至約1,000,000道爾頓的數(shù)均分子量(mn)。本發(fā)明組合物的樹(shù)脂的分子量(mw或mn)適當(dāng)?shù)赝ㄟ^(guò)凝膠滲透色譜法測(cè)定。下層涂層組合物可以包含不同量的第一和第二樹(shù)脂。典型地，每種類型的樹(shù)脂(即第一和/或第二(交聯(lián)劑樹(shù)脂)中的每一種)以基于組合物總固體(除溶劑載體外的所有材料)重量的至少5重量％的量存在于涂層組合物中，更典型地，每種類型的樹(shù)脂以基于組合物總固體重量的至少10、15或20重量％的量存在于涂層組合物中。在許多優(yōu)選實(shí)施例中，樹(shù)脂組分是下層涂層組合物的主要固體組分。例如，樹(shù)脂合適地可以以基于涂層組合物的總固體含量的50至99.9重量％存在，更典型地，基于涂層組合物的總固體含量的80至95重量％。如本文所提及的，涂層組合物的固體是指除溶劑載體外的涂層組合物的所有材料。在某些實(shí)施例中，除了環(huán)氧樹(shù)脂(第二樹(shù)脂)外，本發(fā)明的涂層組合物可以包含交聯(lián)劑。例如，涂層組合物可以包括胺基交聯(lián)劑，例如三聚氰胺材料，包括例如由氰特工業(yè)公司(cytecindustries)制造并以商品名cymel300、301、303、350、370、380、1116和1130出售的三聚氰胺樹(shù)脂；甘脲，包括可購(gòu)自氰特工業(yè)公司(cytecindustries)的那些甘脲；和苯并胍胺和脲基材料，包括樹(shù)脂，例如可購(gòu)自氰特工業(yè)公司(cytecindustries)的苯并胍胺樹(shù)脂(商品名為cymel1123和1125)，以及可購(gòu)自氰特工業(yè)公司(cytecindustries)的脲樹(shù)脂(商品名為powderlink1174和1196)。除了可商購(gòu)?fù)猓@些胺基樹(shù)脂可以例如通過(guò)丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺共聚物與甲醛在含醇溶液中的反應(yīng)，或者替換地通過(guò)n-烷氧基甲基丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺與其它合適的單體的共聚制得。本發(fā)明的特別優(yōu)選的涂層組合物也可以含有可以起到促進(jìn)組合物組分的硬化或交聯(lián)的作用的游離酸和/或酸產(chǎn)生劑。通過(guò)酸產(chǎn)生劑的活化使涂層組合物熱誘導(dǎo)交聯(lián)通常是優(yōu)選的。游離酸的實(shí)例包括，但不限于，磺酸例如甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸和三氟甲基磺酸。合適的酸產(chǎn)生劑包括熱酸產(chǎn)生劑(tag)、光酸產(chǎn)生劑(pag)及其組合。用于涂層組合物的合適的熱酸產(chǎn)生劑化合物包括離子或基本中性的熱酸產(chǎn)生劑。合適的非離子熱酸產(chǎn)生劑包括，例如，環(huán)己基三氟甲基磺酸酯、三氟甲基磺酸甲酯、對(duì)甲苯磺酸環(huán)己酯、對(duì)甲苯磺酸甲酯、2,4,6-三異丙基苯磺酸環(huán)己酯、硝基芐酯、苯偶姻甲苯磺酸酯、2-硝基芐基甲苯磺酸酯、三(2,3-二溴丙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6-三酮、有機(jī)磺酸的烷基酯、對(duì)甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、草酸、鄰苯二甲酸、磷酸、樟腦磺酸、2,4,6-三甲基苯磺酸、三異丙基萘磺酸、5-硝基鄰甲苯磺酸、5-磺基水楊酸、2,5-二甲基苯磺酸、2-硝基苯磺酸、3-氯苯磺酸、3-溴苯磺酸、2-氟辛基萘磺酸、十二烷基苯磺酸、1-萘酚-5-磺酸、2-甲氧基-4-羥基-5-苯甲?；?苯磺酸、及其鹽、及其組合。合適的離子熱酸產(chǎn)生劑包括，例如，十二烷基苯磺酸三乙胺鹽、十二烷基苯二磺酸三乙胺鹽、對(duì)甲苯磺酸銨鹽、磺酸鹽，例如碳環(huán)芳基(例如苯基、萘基、蒽基等)和雜芳基(例如噻吩基)磺酸鹽、脂族磺酸鹽、苯磺酸鹽和三氟甲磺酸銨鹽，包括三氟甲磺酸的芐基吡啶和芐基苯胺鹽。在活化時(shí)產(chǎn)生磺酸或三氟甲磺酸的化合物通常是合適的。優(yōu)選的熱酸產(chǎn)生劑包括對(duì)甲苯磺酸銨鹽、三氟甲磺酸銨鹽。某些光酸產(chǎn)生劑也可以用作熱酸產(chǎn)生劑，在暴露于活化輻射或熱時(shí)產(chǎn)生酸。例如，以下化合物可以用作pag或tag：當(dāng)用作tag時(shí)，與銨鹽相比，這些化合物提供相對(duì)緩慢的交聯(lián)(高交聯(lián)起始溫度)，從而可以實(shí)現(xiàn)高δto-g。典型地，一種或多種酸產(chǎn)生劑以組合物的整個(gè)干組分(除溶劑載體外的所有組分)的約0.1至10重量％的濃度存在于涂層組合物中，更優(yōu)選為整個(gè)干組分的約0.5至2重量％。本發(fā)明的涂層組合物(特別地用于反射控制應(yīng)用)也可以含有吸收用于曝光外涂的光致抗蝕劑層的輻射的、額外的染料化合物。其它任選的添加劑包括表面流平劑，例如，以商品名silwet7604可購(gòu)得的流平劑，或者可購(gòu)自3m公司(3mcompany)的表面活性劑fc171或fc431。本發(fā)明的下層涂層組合物也可以含有其它材料，例如光酸發(fā)生劑，包括如所討論的、與外涂的光致抗蝕劑組合物一起使用的光酸發(fā)生劑。關(guān)于光酸產(chǎn)生劑在抗反射組合物中的此用途的討論，參見(jiàn)美國(guó)專利6261743。為了制備本發(fā)明的液體涂層組合物，將涂層組合物的組分溶于合適的溶劑中，比如，例如，一種或多種氧基異丁酸酯，特別是2-羥基異丁酸甲酯、乳酸乙酯或一種或多種乙二醇醚類，比如2-甲氧基乙基醚(二甘醇二甲醚)、乙二醇單甲基醚、和丙二醇單甲基醚；具有醚和羥基部分的溶劑，比如甲氧基丁醇、乙氧基丁醇、甲氧基丙醇和乙氧基丙醇；2-羥基異丁酸甲酯；酯，比如甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚乙酸酯和其它溶劑，比如二元酯、碳酸丙烯酯和γ-丁內(nèi)酯。溶劑中干組分的濃度將取決于幾個(gè)因素，例如施用方法。通常，下層涂層組合物的固體含量是涂層組合物的總重量的約0.5至20重量％，優(yōu)選地，固體含量是涂層組合物的約0.5至10重量％。示例性光致抗蝕劑系統(tǒng)與下層涂層組合物一起使用的光致抗蝕劑典型地包含聚合物和一種或多種酸產(chǎn)生劑。通常優(yōu)選的是正性抗蝕劑，并且抗蝕劑聚合物具有賦予抗蝕劑組合物堿性水溶性的官能團(tuán)。例如，優(yōu)選的是包含極性官能團(tuán)(比如羥基或羧酸酯)的聚合物，或可以在光刻處理時(shí)釋放這些極性部分的酸不穩(wěn)定基團(tuán)。優(yōu)選地，聚合物以足以使抗蝕劑可利用堿性水溶液顯影的量用于抗蝕劑組合物中。酸產(chǎn)生劑也適合地與包含含有芳族基團(tuán)的重復(fù)單元的聚合物一起使用，例如任選經(jīng)取代的苯基(包括苯酚)、任選經(jīng)取代的萘基和任選經(jīng)取代的蒽。含任選經(jīng)取代的苯基(包括苯酚)的聚合物特別地適于許多抗蝕劑系統(tǒng)，包括利用euv和電子束輻射成像的那些。對(duì)于正性作用抗蝕劑，聚合物也優(yōu)選地含有一個(gè)或多個(gè)包含酸不穩(wěn)定基團(tuán)的重復(fù)單元。例如，在聚合物含有任選經(jīng)取代的苯基或其它芳族基團(tuán)的情況下，聚合物可以包含含有一個(gè)或多個(gè)酸不穩(wěn)定部分的重復(fù)單元，例如通過(guò)丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯化合物的單體與酸不穩(wěn)定酯(例如丙烯酸叔丁酯或甲基丙烯酸叔丁酯)的聚合形成的聚合物。這種單體可以與包含芳族基團(tuán)(比如任選的苯基)的一種或多種其它單體(例如苯乙烯或乙烯基苯酚單體)共聚。用于形成這種聚合物的優(yōu)選單體包括：具有下式(v)的酸不穩(wěn)定單體、下式(vi)的含內(nèi)酯單體、用于調(diào)節(jié)在堿性顯影劑中的溶解速率的、下式(vii)的堿可溶單體和下式(viii)的產(chǎn)酸單體、或包含至少一種上述單體的組合：其中每個(gè)ra獨(dú)立地為h、f、-cn、c1-10烷基或c1-10氟烷基。在式(v)的可酸脫保護(hù)的單體中，rb獨(dú)立地為c1-20烷基、c3-20環(huán)烷基、c6-20芳基或c7-20芳烷基，并且每個(gè)rb是分開(kāi)的或至少一個(gè)rb與相鄰rb鍵合以形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。在式(vi)的含內(nèi)酯單體中，l是單環(huán)、多環(huán)或稠合多環(huán)c4-20含內(nèi)酯基團(tuán)。在式(vii)的堿增溶性單體中，w是鹵化或非鹵化的、芳族或非芳族的c2-50含羥基的有機(jī)基團(tuán)，其具有小于或等于12的pka。在式(viii)的產(chǎn)酸單體中，q是含酯或不含酯的以及氟化或非氟化的，并且是c1-20烷基、c3-20環(huán)烷基、c6-20芳基或c7-20芳烷基，a是含酯或不含酯的以及氟化或非氟化的，并且是c1-20烷基、c3-20環(huán)烷基、c6-20芳基或c7-20芳烷基，z-是包含陰離子的羧酸酯、磺酸酯、磺酰胺陰離子或磺酰亞胺陰離子，以及g+為锍或碘嗡陽(yáng)離子。示例性可酸脫保護(hù)的單體包括但不限于：或一種組合，所述組合包含以上的至少一種，其中ra是h、f、-cn、c1-6烷基或c1-6氟烷基。合適的內(nèi)酯單體可以是下式(ix)的形式：其中ra是h、f、-cn、c1-6烷基或c1-6氟烷基，r是c1-10烷基、環(huán)烷基或雜環(huán)烷基，w是0至5的整數(shù)。在式(ix)中，r直接地附連到內(nèi)酯環(huán)或通常附連到內(nèi)酯環(huán)和/或一個(gè)或多個(gè)r基團(tuán)，酯部分直接地或間接地通過(guò)r附連到內(nèi)酯環(huán)。示例性含內(nèi)酯單體包括：或一種組合，所述組合包含以上單體中的至少一種，其中ra是h、f、-cn、c1-10烷基或c1-10氟烷基。合適的堿溶性單體可以是下式(x)的形式：其中每個(gè)ra獨(dú)立地是h、f、-cn、c1-10烷基或c1-10氟烷基，a是含羥基或不含羥基的、含酯或不含酯的、氟化或非氟化的c1-20亞烷基、c3-20亞環(huán)烷基、c6-20亞芳基或c7-20亞芳烷基，x是0至4的整數(shù)，其中當(dāng)x是0時(shí)，a是含羥基的c6-20亞芳基。示例性堿溶性單體包括具有以下結(jié)構(gòu)的那些：或一種組合，所述組合包含以上的至少一種，其中ra是h、f、-cn、c1-6烷基或c1-6氟烷基。優(yōu)選的產(chǎn)酸單體包括式(xi)或(xii)的那些：其中每個(gè)ra獨(dú)立地是h、f、-cn、c1-6烷基或c1-6氟烷基，a是氟取代的c1-30亞烷基、氟取代的c3-30亞環(huán)烷基、氟取代的c6-30亞芳基、或氟取代的c7-30亞烷基-亞芳基，以及g+是锍或碘翁陽(yáng)離子。優(yōu)選地，在式(xi)和(xii)中，a是–[(c(r1)2)xc(＝o)o]b-c((r2)2)y(cf2)z-基團(tuán)、或鄰-、間-或?qū)?取代的–c6f4-基團(tuán)，其中每個(gè)r1和r2各自獨(dú)立地是h、f、-cn、c1-6氟烷基或c1-6烷基，b是0或1，x是1至10的整數(shù)，y和z獨(dú)立地是0至10的整數(shù)，y+z的總和是至少1。示例性優(yōu)選的產(chǎn)酸單體包括：或一種組合，所述組合包含以上的至少一種，其中每個(gè)ra獨(dú)立地是h、f、-cn、c1-6烷基或c1-6氟烷基，k適當(dāng)?shù)厥?至5的整數(shù)；以及g+是锍或碘翁陽(yáng)離子。文中多個(gè)式中所提及的g+可以是如本文所公開(kāi)的酸產(chǎn)生劑并包含氧代-二氧戊環(huán)部分和/或氧代-二氧六環(huán)部分。優(yōu)選的產(chǎn)酸單體可以包括锍或碘翁陽(yáng)離子。優(yōu)選地，在式(iv)中，g+具有式(xiii)的形式：其中x是s或i，每個(gè)r0是鹵代或非鹵代的且獨(dú)立地是c1-30烷基；多環(huán)或單環(huán)c3-30環(huán)烷基；多環(huán)或單環(huán)c4-30芳基；或一種組合，所述組合包含以上的至少一種，其中當(dāng)x是s時(shí)，r0基團(tuán)中的一個(gè)任選地通過(guò)單鍵與一個(gè)相鄰的r0基團(tuán)附連，且a是2或3，其中當(dāng)x是i時(shí)，a是2，或當(dāng)x是s時(shí)，a是3。示例性產(chǎn)酸單體包括具有下式的那些：用于本發(fā)明的正性作用化學(xué)增強(qiáng)型光致抗蝕劑的、具有酸不穩(wěn)定去封閉基團(tuán)的、特別合適的聚合物已在歐洲專利申請(qǐng)0829766a2(具有縮醛和縮酮聚合物的聚合物)和歐洲專利申請(qǐng)ep0783136a2(三元共聚物和包括以下單元的其它共聚物：1)苯乙烯；2)羥基苯乙烯；和3)酸不穩(wěn)定基團(tuán)，特別是丙烯酸烷基酯不穩(wěn)定基團(tuán))中公開(kāi)。用于在小于200nm，例如在193nm下成像的光致抗蝕劑的額外優(yōu)選的樹(shù)脂包含以下通式(i)、(ii)和(iii)的單元：用于在小于200nm，例如在193nm下成像的光致抗蝕劑的優(yōu)選的樹(shù)脂包含以下通式(i)、(ii)和(iii)的單元：其中：r1是(c1-c3)烷基；r2是(c1-c3)亞烷基；l1是內(nèi)酯基；以及n是1或2。用于本發(fā)明的光致抗蝕劑的聚合物的分子量和多分散性可以適當(dāng)?shù)?、寬泛地變化。合適的聚合物包括具有約1,000至約50,000，更典型地約2,000至約30,000的mw，和約3或更小的分子量分布，更典型地約2或更小的分子量分布的那些。本發(fā)明的優(yōu)選的負(fù)性作用組合物包含在暴露于酸時(shí)將固化、交聯(lián)或硬化的材料的混合物，和文中公開(kāi)的兩種或更多種酸產(chǎn)生劑。優(yōu)選的負(fù)性作用組合物包含聚合物粘合劑，比如酚類或非芳族聚合物、交聯(lián)劑組分和本發(fā)明的光活性組分。這樣的組合物及其用途已經(jīng)在thackeray等人的歐洲專利申請(qǐng)0164248和美國(guó)專利號(hào)5,128,232中公開(kāi)。用作聚合物粘合劑組分的優(yōu)選酚類聚合物包括酚醛清漆和聚(乙烯基苯酚)，例如上述那些。優(yōu)選的交聯(lián)劑包括胺襯底料，包括三聚氰胺、甘脲、苯并胍胺襯底料和脲襯底料。三聚氰胺-甲醛聚合物通常是特別合適的。這種交聯(lián)劑是可購(gòu)得的，例如三聚氰胺聚合物、甘脲聚合物、脲基聚合物和苯并胍胺聚合物，例如由cytec以商品名cymel301、303、1170、1171、1172、1123和1125以及beetle60、65和80出售的那些。本發(fā)明的特別優(yōu)選的光致抗蝕劑可用于浸沒(méi)式光刻應(yīng)用中。關(guān)于優(yōu)選的浸沒(méi)式光刻光致抗蝕劑和方法的討論，參見(jiàn)，例如羅門哈斯電子材料公司(rohmandhaaselectronicmaterials)的u.s.7968268。本發(fā)明的光致抗蝕劑也可以包含單個(gè)酸產(chǎn)生劑或不同酸產(chǎn)生劑的混合物，典型地是2或3種不同酸產(chǎn)生劑的混合物，更典型地是由總共2種不同的酸產(chǎn)生劑組成的混合物。光致抗蝕劑組合物包含酸產(chǎn)生劑，其用量足以在暴露于活化輻射時(shí)在組合物的涂層中產(chǎn)生潛像。例如，酸產(chǎn)生劑將適合地以基于光致抗蝕劑組合物的總固體的1至20重量％的量存在。合適的酸產(chǎn)生劑在化學(xué)增強(qiáng)型光致抗蝕劑領(lǐng)域是已知的，并包括，例如：鎓鹽，例如，三苯基锍三氟甲磺酸酯、(對(duì)叔丁氧基苯基)二苯基锍三氟甲磺酸酯、三(對(duì)叔丁氧基苯基)锍三氟甲磺酸酯、三苯基锍對(duì)甲苯磺酸酯；硝基芐基衍生物，例如，2-硝基芐基對(duì)甲苯磺酸酯、2,6-二硝基芐基對(duì)甲苯磺酸酯和2,4-二硝基芐基對(duì)甲苯磺酸酯；磺酸酯，例如，1,2,3-三(甲磺酰氧基)苯、1,2,3-三(三氟甲磺酰氧基)苯和1,2,3-三(對(duì)甲苯磺酰氧基)苯；重氮甲烷衍生物，例如，雙(苯磺酰基)重氮甲烷、雙(對(duì)甲苯磺?；?重氮甲烷；乙二肟衍生物，例如，雙-o-(對(duì)甲苯磺?；?-α-二甲基乙二肟和雙-o-(正丁磺?；?-α-二甲基乙二肟；n-羥基酰亞胺化合物的磺酸酯衍生物，例如，n-羥基琥珀酰亞胺甲磺酸酯、n-羥基琥珀酰亞胺三氟甲磺酸酯；和含鹵素的三嗪化合物，例如2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪和2-(4-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪。如文中所述，當(dāng)暴露于活化輻射(比如euv輻射、電子束輻射、193nm波長(zhǎng)輻射或其它輻射源)時(shí)，酸產(chǎn)生劑可產(chǎn)生酸。文中提及的酸產(chǎn)生劑化合物也可以稱為光致酸產(chǎn)生劑化合物。本發(fā)明的光致抗蝕劑也可以包含其它材料。例如，其它任選的添加劑包括光化學(xué)和對(duì)比染料、抗條紋劑、增塑劑、速度增強(qiáng)劑和敏化劑。這種任選的添加劑通常以較小的濃度存在于光致抗蝕劑組合物中。替換地，或另外，其它添加劑可包括為非光可破壞堿的猝滅劑，比如，例如基于氫氧化物、羧酸鹽、胺、亞胺和酰胺的那些。優(yōu)選地，這種猝滅劑包括c1-30有機(jī)胺、亞胺或酰胺，或者可以是強(qiáng)堿(例如氫氧化物或醇鹽)或弱堿(例如羧酸鹽)的c1-30季銨鹽。示例性猝滅劑包括胺，比如三丙胺、十二胺、三(2-羥丙基)胺、四(2-羥丙基)乙二胺；芳基胺，比如二苯胺、三苯胺、氨基苯酚和2-(4-氨基苯基)-2-(4-羥基苯基)丙烷、受阻胺，比如二氮雜雙環(huán)十一烯(dbu)或二氮雜雙環(huán)壬烯(dbn)、或包括季烷基銨鹽的離子猝滅劑，比如四丁基氫氧化銨(tbah)或四丁基乳酸銨。表面活性劑包括氟化和非氟化表面活性劑，并且優(yōu)選地是非離子的。示例性氟化非離子表面活性劑包括全氟c4表面活性劑，比如可購(gòu)自3m公司(3mcorporation)的fc-4430和fc-4432表面活性劑；和氟二醇，例如來(lái)自omnova的polyfoxpf-636、pf-6320、pf-656和pf-6520氟表面活性劑。光致抗蝕劑進(jìn)一步包括通常適于溶解、分配和涂覆光致抗蝕劑中使用的組分的溶劑。示例性溶劑包括苯甲醚、包括乳酸乙酯、1-甲氧基-2-丙醇和1-乙氧基-2-丙醇的醇、包括乙酸正丁酯、乙酸1-甲氧基-2-丙基酯、甲氧基乙氧基丙酸酯、乙氧基乙氧基丙酸酯的酯、包括環(huán)己酮和2-庚酮的酮，以及包含以上溶劑中的至少一種的組合。光刻處理在使用中，通過(guò)多種方法中的任一種(例如旋涂)將本發(fā)明的涂層組合物作為涂層涂覆到襯底上。通常將涂層組合物涂覆在襯底上，干層厚度為約0.02至0.5μm之間，優(yōu)選地，干層厚度為約0.04至0.20μm之間。襯底適當(dāng)?shù)厥窃谏婕肮庵驴刮g劑的方法中使用的任何襯底。例如，襯底可以是硅、二氧化硅或鋁-氧化鋁微電子晶片。也可以使用砷化鎵、碳化硅、陶瓷、石英或銅襯底。也適當(dāng)?shù)厥褂糜糜谝壕э@示器或其它平板顯示器應(yīng)用的襯底，例如玻璃襯底、氧化銦錫涂覆的襯底等。也可以使用用于光學(xué)和光學(xué)電子器件(例如波導(dǎo)管)的襯底。優(yōu)選地，在將光致抗蝕劑組合物涂覆到下層涂層組合物上前，使涂覆的涂層固化。固化條件將隨著下層涂層組合物的組分變化。特別地，固化溫度將取決于涂層組合物中使用的特定酸或酸(熱)產(chǎn)生劑。典型的固化條件為約80℃至225℃，歷時(shí)約0.5至5分鐘。固化條件優(yōu)選地使涂層組合物涂層大體上不溶于光致抗蝕劑溶劑以及待使用的顯影劑溶液。在此固化后，將光致抗蝕劑涂覆在所涂覆的涂層組合物的表面上。與底部涂層組合物層的涂覆一樣，外涂的光致抗蝕劑可通過(guò)任何標(biāo)準(zhǔn)方法涂覆，例如通過(guò)旋壓、浸漬、彎月面涂布或輥涂。在涂覆后，通常通過(guò)加熱來(lái)干燥光致抗蝕劑涂層以除去溶劑，優(yōu)選地直到抗蝕劑層沒(méi)有粘性為止。最佳地，底部組合物層和外涂的光致抗蝕劑層大體上不應(yīng)發(fā)生混合。然后以常規(guī)方式通過(guò)掩模利用活化輻射，例如248nm、193nm或euv輻射，使抗蝕劑層成像。曝光能量足以有效地活化抗蝕劑系統(tǒng)的光活性組分以在抗蝕劑涂層中產(chǎn)生圖案化圖像。典型地，曝光能量范圍為約3至300mj/cm2，并且部分地取決于曝光工具和所采用的特定抗蝕劑和抗蝕劑處理。如果需要，可以對(duì)曝光的抗蝕劑層進(jìn)行曝光后烘烤，以產(chǎn)生或增強(qiáng)涂層的曝光區(qū)域與未曝光區(qū)域之間的溶解度差異。例如，負(fù)性酸硬化光致抗蝕劑通常需要曝光后加熱以誘導(dǎo)酸促進(jìn)的交聯(lián)反應(yīng)，并且許多化學(xué)增強(qiáng)的、正性作用的抗蝕劑需要曝光后加熱以誘導(dǎo)酸促進(jìn)的脫保護(hù)反應(yīng)。典型地，曝光后烘烤條件包括約50℃或更高的溫度，更具體地說(shuō)，溫度范圍為約50℃至約160℃。光致抗蝕劑層也可以在浸沒(méi)式光刻系統(tǒng)中曝光，即曝光工具(特別是投影透鏡)和光致抗蝕劑涂覆的襯底之間的空間被浸沒(méi)流體占據(jù)，所述浸沒(méi)流體比如水或與一種或多種添加劑(經(jīng)如硫酸銫)混合的水，所述添加劑可以提供具有增強(qiáng)的折射率的流體。優(yōu)選地，浸沒(méi)流體(例如水)已經(jīng)處理以避免氣泡，例如水可以脫氣以避免納米氣泡。本文提及的“浸漬曝光”或其它類似術(shù)語(yǔ)表示曝光是利用介于曝光工具與涂布的光致抗蝕劑組合物層之間的這種流體層(例如水或含有添加劑的水)而進(jìn)行的。然后利用能夠選擇性地去除部分膜的合適的顯影劑處理曝光的光致抗蝕劑層以形成光致抗蝕劑圖案。在負(fù)性顯影過(guò)程中，可以通過(guò)利用合適的非極性溶劑處理而選擇性地除去光致抗蝕劑層的未曝光區(qū)域。關(guān)于負(fù)性顯影的合適方法，參見(jiàn)美國(guó)2011/0294069。用于負(fù)性顯影的典型非極性溶劑是有機(jī)顯影劑，比如選自酮、酯、烴、及其混合物的溶劑，例如丙酮、2-己酮、2-庚酮、乙酸甲酯、乙酸丁酯和四氫呋喃。在ntd方法中使用的光致抗蝕劑材料優(yōu)選地形成光致抗蝕劑層，其可以使用有機(jī)溶劑顯影劑形成負(fù)像，或者使用水性堿性顯影劑(比如四烷基氫氧化銨溶液)形成正像。優(yōu)選地，ntd光致抗蝕劑基于具有酸敏感性(可脫保護(hù))基團(tuán)的聚合物，其在脫保護(hù)時(shí)形成羧酸基團(tuán)和/或羥基。替換地，曝光的光致抗蝕劑層的顯影可以通過(guò)利用能夠選擇性地去除膜的曝光部分(其中光致抗蝕劑是正性)或去除膜的未曝光部分的合適的顯影劑(其中光致抗蝕劑在曝光區(qū)域是可交聯(lián)的，即負(fù)性)處理曝光層來(lái)實(shí)現(xiàn)。優(yōu)選地，基于具有酸敏感性(可脫保護(hù))基團(tuán)(其在被脫保護(hù)時(shí)形成羧酸基團(tuán))的聚合物，光致抗蝕劑是正性的，并且顯影劑優(yōu)選地是不含金屬離子的四烷基氫氧化銨溶液，比如，例如，水性的0.26n四甲基氫氧化銨。通過(guò)顯影形成圖案。然后可以在裸露光致抗蝕劑的那些襯底區(qū)域上選擇性地處理顯影的襯底，例如根據(jù)本領(lǐng)域熟知的方法對(duì)裸露光致抗蝕劑的襯底區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻或電鍍。合適的蝕刻劑包括氫氟酸蝕刻溶液和等離子體氣體蝕刻劑，例如氧等離子體蝕刻劑。等離子體氣體蝕刻劑移除下層涂層。以下非限制性實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明。一般性評(píng)論：具有緊接在命名名稱下的結(jié)構(gòu)(例如，緊接在名稱“聚合物1”下面的是其結(jié)構(gòu))的以下聚合物在隨后的實(shí)例中提及：實(shí)例1-5：聚合物合成實(shí)例1：聚合物1的合成(theic-tceic-dbndc)將39.8g三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、17.5三(2-羧乙基)異氰脲酸酯、0.73g對(duì)甲苯磺酸一水合物、32.1g萘二羧酸二丁酯、67g苯甲醚和100g1-丁醇加入250ml圓底燒瓶中。然后將混合物加熱至140-160℃，并劇烈攪拌內(nèi)容物。將丁醇與苯甲醚一起從反應(yīng)燒瓶中緩慢地蒸餾出。通過(guò)控制餾出物的量合成具有不同mw的聚合物。然后通過(guò)加入thf100g來(lái)稀釋聚合物溶液。混合物從mtbe/ipa(50/50)中沉淀出。收集上述聚合物并在40-60℃真空干燥過(guò)夜。gpc重均分子量mw為3000，多分散性為1.30。實(shí)例2：聚合物2的合成(theic-tceic-dbndc-dd)將37.8g三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、16.6三(2-羧乙基)異氰脲酸酯、0.71g對(duì)甲苯磺酸一水合物、30.5g萘二羧酸二丁酯、14.9g1,10-癸二醇、80g苯甲醚和100g1-丁醇加入250ml圓底燒瓶中。然后將混合物加熱至140-160℃，并劇烈攪拌內(nèi)容物。將丁醇與苯甲醚一起從反應(yīng)燒瓶中緩慢地蒸餾出。通過(guò)控制餾出物的量合成具有不同mw的聚合物。然后通過(guò)加入thf100g來(lái)稀釋聚合物溶液?；旌衔飶膇pa中沉淀出。收集上述聚合物并在40-60℃下真空干燥過(guò)夜。gpc重均mw為6570，多分散性為1.60。實(shí)例3：聚合物3的合成(theic-tceic-dbndc-ofhd)將49.2g三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、21.6三(2-羧乙基)異氰脲酸酯、0.92g對(duì)甲苯磺酸一水合物、29.12g2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1,6-己二醇、100g苯甲醚和100g1-丁醇加入250ml圓底燒瓶中。然后將混合物加熱至140-150℃，并劇烈攪拌內(nèi)容物。將丁醇與苯甲醚一起從反應(yīng)燒瓶中緩慢地蒸餾出。通過(guò)控制餾出物的量合成具有不同mw的聚合物。然后通過(guò)加入thf100g來(lái)稀釋聚合物溶液?；旌衔飶膇pa中沉淀出。收集上述聚合物并在40-60℃下真空干燥過(guò)夜。gpc重均mw為4560，多分散性為1.70。實(shí)例4：聚合物4的合成(theic-dmt)將46.09g三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、21.6三(2-羧乙基)異氰脲酸酯、1.35g對(duì)甲苯磺酸一水合物、31.15g對(duì)苯二甲酸二甲酯、52g苯甲醚加入250ml圓底燒瓶中。然后將混合物加熱至140-150℃，并劇烈攪拌內(nèi)容物。將甲醇與苯甲醚一起從反應(yīng)燒瓶中緩慢地蒸餾出。通過(guò)控制餾出物的量合成具有不同mw的聚合物。然后通過(guò)加入hbm100g將聚合物溶液稀釋?；旌衔飶膇pa中沉淀出。收集上述聚合物并在40-60℃下真空干燥過(guò)夜。gpc重均mw為3000，多分散性為1.4。實(shí)例5：聚合物7的合成(mma-hema-va)將31.81g甲基丙烯酸2-羥基乙酯、24.47g甲基丙烯酸甲酯和43.72g乙烯基苯甲醚溶解在250ml三頸圓底燒瓶中的150g丙二醇單甲醚中，該燒瓶裝有頂置式攪拌器、冷凝器和氮?dú)馊肟?。將反?yīng)溶液用氮?dú)饬髅摎?0分鐘并加熱至100℃。以超過(guò)4小時(shí)的時(shí)間將4.98gv-67引發(fā)劑加入反應(yīng)溶液中。將反應(yīng)溶液在100℃下保持8小時(shí)，并冷卻至室溫。然后通過(guò)加入hbm100g將聚合物溶液稀釋。將混合物沉淀到ipe中。通過(guò)真空過(guò)濾收集聚合物，并在60℃下真空干燥24小時(shí)。gpc重均mw為11400，多分散性為1.98。實(shí)例6-12：抗反射涂層組合物實(shí)例6：barc組合物1(比較)將3.198g酯型聚合物1、0.570g作為交聯(lián)劑的四甲氧基甲基甘脲、0.030g對(duì)甲苯磺酸銨鹽和0.002g作為流平劑的polyfox656溶解在96.2g混合溶劑(hbm/gbl90/10wt/wt)中，得到溶液。將所有制備的溶液通過(guò)超高分子量聚乙烯膜過(guò)濾器過(guò)濾。使用旋轉(zhuǎn)器將溶液涂覆在硅晶片上，并將晶片在205℃下在熱板上加熱1分鐘以形成抗反射涂層。通過(guò)光譜橢偏儀對(duì)抗反射涂層的測(cè)量表明折射率n為1.74，消光系數(shù)k為在248nm下0.18。實(shí)例7：barc組合物2將2.186g酯型聚合物1、1.457g聚甲基丙烯酸縮水甘油酯(聚合物10)、0.056gn-芐基-n,n-二甲基苯銨三氟甲磺酸鹽、0.002g作為流平劑的polyfox656溶解在96.3g混合溶劑(hbm/pgmea70/30wt/wt)中，得到溶液。將所有制備的溶液通過(guò)超高分子量聚乙烯膜過(guò)濾器過(guò)濾。使用旋轉(zhuǎn)器將溶液涂覆在硅晶片上，并將晶片在205℃下在熱板上加熱1分鐘以形成抗反射涂層。通過(guò)光譜橢偏儀對(duì)抗反射涂層的測(cè)量表明折射率n為1.71，光消光系數(shù)k在248nm下為0.16。實(shí)例8：barc組合物3將2.186g酯型聚合物2、1.457g聚甲基丙烯酸縮水甘油酯(聚合物10)、0.056gn-芐基-n,n-二甲基苯銨三氟甲磺酸鹽和0.002g作為流平劑的polyfox656溶解在96.3g混合溶劑(hbm/pgmea/gbl60/30/10wt/wt)中，得到溶液。將所有制備的溶液通過(guò)超高分子量聚乙烯膜過(guò)濾器過(guò)濾。使用旋轉(zhuǎn)器將溶液涂覆在硅晶片上，并將晶片在205℃下在熱板上加熱1分鐘以形成抗反射涂層。通過(guò)光譜橢偏儀對(duì)抗反射涂層的測(cè)量表明折射率n為1.72，光消光系數(shù)k在248nm下為0.18。實(shí)例9：barc組合物4將4.018g乙烯基類聚合物5、1.339g聚甲基丙烯酸縮水甘油酯(聚合物10)和0.003g作為流平劑的polyfox656溶解在94.6g混合溶劑(hbm/pgmea70/30wt/wt)中，得到溶液。將所有制備的溶液通過(guò)超高分子量聚乙烯膜過(guò)濾器過(guò)濾。使用旋轉(zhuǎn)器將溶液涂覆在硅晶片上，并將晶片在215℃下在熱板上加熱1分鐘以形成抗反射涂層。通過(guò)光譜橢偏儀對(duì)抗反射涂層的測(cè)量表明折射率n為1.79，光消光系數(shù)k在248nm下為0.01。實(shí)例10：barc組合物5將3.148g乙烯基類聚合物6、1.349g聚甲基丙烯酸縮水甘油酯(聚合物10)和0.002g作為流平劑的polyfox656溶解在95.5gpgmea中，得到溶液。將所有制備的溶液通過(guò)超高分子量聚乙烯膜過(guò)濾器過(guò)濾。使用旋轉(zhuǎn)器將溶液涂覆在硅晶片上，并將晶片在215℃下在熱板上加熱1分鐘以形成抗反射涂層。通過(guò)光譜橢偏儀對(duì)抗反射涂層的測(cè)量表明折射率n為1.77，消光系數(shù)k在248nm下為0.04。實(shí)例11：barc組合物6將2.215g甲基丙烯酸酯類聚合物7、2.215g聚甲基丙烯酸縮水甘油酯(聚合物10)、0.068gn-芐基-n,n-二甲基苯銨三氟甲磺酸鹽和0.002g作為流平劑的polyfox656溶解在95.5gpgmea中，得到溶液。將所有制備的溶液通過(guò)超高分子量聚乙烯膜過(guò)濾器過(guò)濾。使用旋轉(zhuǎn)器將溶液涂覆在硅晶片上，并將晶片在215℃下在熱板上加熱1分鐘以形成抗反射涂層。通過(guò)光譜橢偏儀對(duì)抗反射涂層的測(cè)量表明折射率n為1.65，光消光系數(shù)k在248nm下為0.002。實(shí)例12：barc組合物7將2.249g酚醛清漆型聚合物9、2.249g聚甲基丙烯酸縮水甘油酯(聚合物10)和0.002g作為流平劑的polyfox656溶解在95.5gpgmea中，得到溶液。將所有制備的溶液通過(guò)超高分子量聚乙烯膜過(guò)濾器過(guò)濾。使用旋轉(zhuǎn)器將溶液涂覆在硅晶片上，并將晶片在215℃下在熱板上加熱1分鐘以形成抗反射涂層。通過(guò)光譜橢偏儀對(duì)抗反射涂層的測(cè)量表明折射率n為1.82，光消光系數(shù)k在248nm下為0.05。實(shí)施例13：通過(guò)涂層組合物的耐溶劑性測(cè)試進(jìn)行的交聯(lián)溫度分析通過(guò)旋轉(zhuǎn)器分別將在比較實(shí)例6和實(shí)例7和8中獲得的、形成barc的組合物的溶液涂覆在硅晶片襯底上。將涂覆的硅晶片襯底在60℃至215℃的溫度下烘烤60秒。然后測(cè)量樣品的厚度。將70％丙二醇甲醚(pgme)和30％丙二醇甲醚乙酸酯(pgmea)的混合溶劑分配在其上涂覆有ul材料的硅晶片上，然后保持90秒，隨后在1500rpm下旋轉(zhuǎn)干燥15s以及在5000rpm下旋轉(zhuǎn)干燥30s，以除去溶劑。然后將該膜在熱板上在110℃下烘烤60秒。再次測(cè)量膜的厚度。剝離量被確定為初始厚度與最終厚度之間的差。實(shí)例14：膜收縮分析通過(guò)旋轉(zhuǎn)器分別將在比較實(shí)例6和實(shí)例7和8中獲得的、形成barc的組合物的溶液涂覆在硅晶片襯底上。然后在固化前測(cè)量樣品的厚度。將經(jīng)涂覆的硅晶片襯底在205℃或215℃下烘烤60s，然后再次測(cè)量膜的厚度。表1交聯(lián)溫度(℃)和膜收縮率(a)交聯(lián)溫度(℃)膜收縮率(a)比較實(shí)例6100120實(shí)例718052實(shí)例817081實(shí)例15光刻以1500rpm將比較實(shí)例6和實(shí)例7的barc組合物旋涂在150-mm的硅晶片上，然后使用telmark8晶片涂布流水線機(jī)器在205℃下烘烤60秒。烘烤后的barc涂層厚度適宜地為約將dowuvtm1610duv光致抗蝕劑旋涂在barc涂層的頂部，并在100℃下烘烤60秒。接著使用具有0.65na的248nmkrf晶片分檔器通過(guò)目標(biāo)掩模曝光光致抗蝕劑層。接著在120℃下對(duì)光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光后烘烤60秒，然后使用dowmftmcd-26tmah顯影劑在標(biāo)準(zhǔn)60秒單一攪拌過(guò)程中顯影。進(jìn)行采用80k放大率的掃描電子顯微術(shù)(sem)以檢查光致抗蝕劑圖案輪廓(120nm線和240nm空間圖案)的質(zhì)量，所得的sem顯微照片如圖1a(說(shuō)明比較實(shí)例6的組合物)和圖1b(說(shuō)明實(shí)例7的組合物)所示。實(shí)例6和7的兩種組合物顯示出良好的光刻性能，與交聯(lián)劑樹(shù)脂沒(méi)有區(qū)別。實(shí)例16間隙填充法提供12英寸圖案化的、100nm高的lpcvdtinon硅晶片。圖案包括具有40nm空間和120nm間距的溝槽。在1500rpm下將比較實(shí)例6和實(shí)例8的barc組合物各自旋涂在相應(yīng)晶片的圖案化表面上，得到約100nm的膜厚度。將組合物在熱板上在215℃下加熱1分鐘以促進(jìn)交聯(lián)。交聯(lián)后的溝槽圖案顯示在圖2a-b的sem顯微照片中。通過(guò)實(shí)例8的組合物(圖2b所示的sem)填充溝槽而不形成空隙，而比較實(shí)例6的組合物(圖2a所示的sem)顯示出空隙。當(dāng)前第1頁(yè)12