本發明涉及可縮小抗蝕劑圖案的寬度或直徑的抗蝕劑圖案被覆用涂布液。還涉及使用了該涂布液的、抗蝕劑圖案的形成方法、及反轉圖案的形成方法。
背景技術：
：半導體裝置的制造中，進行了基于使用了抗蝕劑組合物的光刻法的微細加工。上述微細加工是下述的加工方法：在硅晶片等半導體基板上形成光致抗蝕劑組合物的薄膜，經由繪制有設備的圖案(pattern)的掩模圖案向其上照射紫外線等活性光線并進行顯影，將得到的光致抗蝕劑圖案作為保護膜而對基板進行蝕刻處理，由此，在基板表面上形成與上述圖案對應的微細凹凸。近年來，半導體設備的高集成化進展，使用的活性光線也短波長化，從i線(波長365nm)、KrF準分子激光(波長248nm)向ArF準分子激光(波長193nm)轉換。而且，現在，研究了作為進一步的微細加工技術的采用了EUV(超紫外線的簡稱，波長13.5nm)曝光的光刻法。然而，由于高輸出功率的EUV光源的開發滯后等原因，采用了EUV曝光的光刻法尚未實用化(量產化)。另一方面，已知將用于使抗蝕劑圖案縮小化的材料涂布于抗蝕劑圖案上、使該抗蝕劑圖案微細化(縮小化)的方法、及為此而使用的上述涂布材料(例如，專利文獻1～專利文獻4)。通過采用該方法，可使利用已經實用化的采用了基于ArF準分子激光的曝光的光刻法制作的抗蝕劑圖案進一步微細化。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2001-281886號公報專利文獻2：日本特開2010-49247號公報專利文獻3：日本特開2011-257499號公報專利文獻4：日本特開2013-145290號公報技術實現要素：發明所要解決的課題對于專利文獻1中記載的含有水溶性樹脂的水溶液(抗蝕劑圖案縮小化材料)而言，由于使用與有機溶劑相比表面張力高的水作為溶劑，因而對抗蝕劑圖案的涂布存在困難。因此，需要添加表面活性劑、或將水溶性的醇類與水混合而使用。對于專利文獻2中記載的抗蝕劑圖案微細化組合物而言，由于是不含有聚合物的溶液，因此，依賴于微細化對象的抗蝕劑圖案的形狀，微細化的比例容易發生偏差。專利文獻3中記載的圖案微細化處理劑含有產酸劑成分，要求于130℃以上的高的溫度進行在涂布該圖案微細化處理劑之后進行的烘烤處理，或在涂布該圖案微細化處理劑后追加進行曝光的工序。專利文獻4中記載的微細圖案的形成方法的目的在于，使通過負型顯影工藝形成的抗蝕劑圖案狹小化，即，在該抗蝕劑圖案上形成被覆膜，然后進行加熱，由此，縮小作為抗蝕劑圖案間的間隔的間隙寬度。因此，該文獻中公開的上述微細圖案的形成方法不以縮小抗蝕劑圖案的寬度或直徑為目的。本發明是為了解決上述課題而完成的，目的在于提供可縮小抗蝕劑圖案的寬度的抗蝕劑圖案被覆用涂布液、使用了該涂布液的抗蝕劑圖案的形成方法、及使用了該涂布液的反轉圖案的形成方法。用于解決課題的手段本發明的第1方式是一種抗蝕劑圖案被覆用涂布液，其包含：A成分：含有至少1個羥基或羧基的聚合物，B成分：A-SO3H(式中，A表示碳原子數1～16的直鏈狀或支鏈狀的烷基或氟代烷基、具有至少1個該烷基或氟代烷基作為取代基的芳香族基團、或可以具有取代基的碳原子數4～16的脂環式基團。)表示的磺酸，以及，C成分：包含R1-O-R2及/或R1-C(＝O)-R2(式中，R1表示碳原子數3～16的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基或氟代烷基，R2表示碳原子數1～16的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基或氟代烷基。)表示的化合物的、可溶解上述聚合物的有機溶劑。上述作為A成分的聚合物還可含有碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，所述碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基的至少1個氫原子可被鹵素原子取代。本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的上述作為A成分的聚合物可以是具有下述式(A)表示的結構單元的聚合物。(式中，R0表示氫原子或甲基，L表示可具有至少1個取代基的二價的芳香族基團、-C(＝O)-O-基或-C(＝O)-NH-基，該-C(＝O)-O-基或-C(＝O)-NH-基的碳原子與聚合物的主鏈鍵合，X表示氫原子、或碳原子數1～10的直鏈狀或支鏈狀的烷基或烷氧基，該烷基中的至少1個氫原子可被鹵素原子或羥基取代。)其中，具有上述式(A)表示的結構單元的聚合物含有至少1個羥基或羧基，還可含有碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，所述碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基的至少1個氫原子可被鹵素原子取代。上述作為A成分的聚合物優選為具有至少2種上述式(A)表示的結構單元的共聚物，例如，可以是具有L表示可具有至少1個取代基的二價的芳香族基團的結構單元、和L表示-C(＝O)-O-基的結構單元及/或表示-C(＝O)-NH-基的結構單元的共聚物。另外，上述式(A)中，上述L中的二價的芳香族基團可以是亞苯基或亞萘基。本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的上述作為A成分的聚合物還可以是具有下述式(1-1)～式(1-4)中任一式表示的結構單元的聚合物。(式中，Ar1表示包含至少1個碳原子數6～18的芳香族環的二價、四價、六價或八價的有機基團，Ar2表示介由亞甲基或叔碳原子與Ar1鍵合的包含碳原子數6～18的芳香族環的二價的有機基團，上述芳香族環中的至少1個具有羥基及/或羧基作為取代基。)具有上述式(1-1)～(1-4)中任一式表示的結構單元的聚合物還可含有碳原子數1～10的直鏈狀或支鏈狀的烷基，該碳原子數1～10的直鏈狀或支鏈狀的烷基的至少1個氫原子可被鹵素原子取代。可使上述Ar1表示的二價、四價、六價或八價的有機基團例如為源自下述式(2-1)～式(2-5)中任一式表示的化合物且結合端來自芳香族環上的任意的2處、4處、6處或8處的基團，該結合端與上述Ar2表示的二價的有機基團鍵合，該Ar2表示亞甲基、下述式(3-1)表示的二價的有機基團或下述式(3-2)表示的二價的有機基團。〔式中，R3～R14、R16及R17各自獨立地表示碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、碳原子數1～9的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基、鹵素原子、硝基、氰基、乙酰氧基、甲基硫基、或氨基，該烷基的至少1個氫原子可被羥基或鹵素原子取代，該氨基的至少1個氫原子可被碳原子數1～3的直鏈狀或支鏈狀的烷基取代，T3～T14、T16及T17各自獨立地表示羥基或羧基，T15表示氫原子或甲基，Q1及Q2各自獨立地表示單鍵、氧原子、硫原子、磺酰基、羰基、亞氨基、碳原子數6～40的亞芳基、或碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的亞烷基，該亞烷基的至少1個氫原子可被鹵素原子取代，m1～m4各自獨立地表示0～2的整數，r4、r5及r8～r14各自獨立地表示0～2的整數，t4、t5及t8～t14各自獨立地表示0～2的整數，r3、r6、r7及r17各自獨立地表示0～8的整數，t3、t6、t7及t17各自獨立地表示0～8的整數，r16表示0～9的整數，t16表示0～9的整數，r3與t3的合計、r4與t4的合計、r5與t5的合計、r6與t6的合計、r7與t7的合計、r8與t8的合計、r9與t9的合計、r10與t10的合計、r11與t11的合計、r12與t12的合計、r13與t13的合計、r14與t14的合計、r16與t16的合計、及r17與t17的合計各自獨立地為1～10的整數。〕本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的上述作為A成分的聚合物的重均分子量按照標準聚苯乙烯換算為1000以上。上述作為A成分的聚合物為具有上述式(A)表示的結構單元的聚合物時，其重均分子量例如為1000～2000。另外，作為A成分的聚合物為具有上述式(1-1)～式(1-4)中任一式表示的結構單元的聚合物時，其重均分子量例如為1000～20000、或1000～4000。對于本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的作為上述B成分的磺酸而言，其式中，A中的芳香族基團例如為苯基或萘基，優選為苯基。另外，上述表示磺酸的式中，A所示的基團優選表示碳原子數4～12的直鏈狀或支鏈狀的烷基或氟代烷基、或具有至少1個該烷基或氟代烷基作為取代基的苯基，而且，對于該磺酸的含有比例而言，相對于上述作為A成分的聚合物，優選為0.5質量％～60質量％。本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液可含有1質量ppm～1質量％、優選1質量ppm～0.5質量％的水。本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液含有超過1質量％的水時，該涂布液中包含的有機溶劑不易溶于水，因而難以制備均勻的溶液。另一方面，本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的水的濃度的下限值是為了測定水分濃度而通常使用的裝置、例如卡爾費休水分計的測定極限值。本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的水可以是有意添加的水，也可以是作為雜質而無意地含有的水。本發明的第2方式是一種抗蝕劑圖案的形成方法，所述方法包括下述工序：在形成有下層膜的基板上形成抗蝕劑圖案的工序；以被覆上述抗蝕劑圖案的方式，涂布本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液的工序；于50℃～130℃對涂布了上述抗蝕劑圖案被覆用涂布液的基板進行加熱，從而在上述抗蝕劑圖案的表面形成被覆膜的工序；將上述經加熱的基板冷卻后，用顯影液對上述被覆膜進行顯影的工序；以及針對用顯影液對上述被覆膜進行顯影后的抗蝕劑圖案，用漂洗液進行漂洗處理的工序。本發明中，進行漂洗處理的工序是指通過將在上述基板上殘留的顯影液置換成漂洗液、從而將上述顯影液除去的工序。本發明的第3方式是一種反轉圖案的形成方法，所述方法包括下述工序：在形成有下層膜的基板上形成抗蝕劑圖案的工序；以被覆上述抗蝕劑圖案的方式，涂布本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液的工序；于50℃～130℃對涂布了上述抗蝕劑圖案被覆用涂布液的基板進行加熱，從而在上述抗蝕劑圖案的表面形成被覆膜的工序；將上述經加熱的基板冷卻后，用顯影液對上述被覆膜進行顯影的工序；以填充用顯影液對上述被覆膜進行顯影后的抗蝕劑圖案的圖案間隙的方式，涂布包含聚硅氧烷和含有水及/或醇類的溶劑的第2涂布液的工序；除去或減少上述第2涂布液中包含的聚硅氧烷以外的成分及上述顯影液而形成涂膜的工序；對上述涂膜進行回蝕，使利用上述顯影液進行了顯影后的抗蝕劑圖案的上表面露出的工序；以及將露出了上表面的上述抗蝕劑圖案除去的工序。本發明的反轉圖案的形成方法中，也可在上述用顯影液進行顯影的工序之后，設置用漂洗液進行漂洗處理的工序。即，一種反轉圖案的形成方法，所述方法包括下述工序：在形成有下層膜的基板上形成抗蝕劑圖案的工序；以被覆上述抗蝕劑圖案的方式，涂布本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液的工序；于50℃～130℃對涂布了上述抗蝕劑圖案被覆用涂布液的基板進行加熱，從而在上述抗蝕劑圖案的表面形成被覆膜的工序；將上述經加熱的基板冷卻后，用顯影液對上述被覆膜進行顯影的工序；針對用顯影液對上述被覆膜進行顯影后的抗蝕劑圖案，用漂洗液進行漂洗處理的工序；以填充利用上述漂洗液進行了漂洗處理后的抗蝕劑圖案的圖案間隙的方式，涂布包含聚硅氧烷和含有水及/或醇類的溶劑的第2涂布液的工序；除去或減少上述第2涂布液中包含的聚硅氧烷以外的成分及上述漂洗液而形成涂膜的工序；對上述涂膜進行回蝕，使利用上述漂洗液進行了漂洗處理后的抗蝕劑圖案的上表面露出的工序；以及將露出了上表面的上述抗蝕劑圖案除去的工序。上述反轉圖案的形成方法中，在包含用上述漂洗液進行漂洗處理的工序的情況下，在該漂洗液殘留于上述基板上的狀態下(不除去該漂洗液)，實施涂布上述第2涂布液的工序。另一方面，在不包含進行漂洗處理的工序的情況下，在上述顯影液殘留于上述基板上的狀態下(不除去上述顯影液)，實施涂布上述第2涂布液的工序。發明的效果對于本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液而言，不需要表面活性劑，可均勻地涂布于在基板上形成的線狀及/或柱狀的抗蝕劑圖案。通過使用本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液，即使對于線圖案的寬度與間隙圖案的寬度的比率不同的線和間隙圖案(lineandspacepattern)，也可均勻地縮小線圖案的寬度。另外，對于本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液而言，通過選擇含有的聚合物，可改變抗蝕劑圖案的寬度或直徑的縮小率。另外，未來EUV曝光實用化時，可將使用EUV曝光制作的抗蝕劑圖案進一步微細化。附圖說明圖1為表示實施例6中利用第2涂布液填埋硅晶片上的縮小抗蝕劑圖案時的截面形狀的截面SEM圖像。圖2為表示實施例7中利用第2涂布液填埋縮小抗蝕劑圖案后、利用干式蝕刻形成反轉圖案時的圖案形狀的截面SEM圖像。具體實施方式＜A成分：聚合物＞本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的聚合物是含有至少1個羥基或羧基的聚合物。通過使上述聚合物含有羥基或羧基，從而使形成于抗蝕劑圖案的表面的被覆膜顯現出對于顯影液的溶解性。另外，上述聚合物還可含有碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，所述碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基的至少1個氫原子可被鹵素原子取代。從上述聚合物在后述的C成分的有機溶劑中的溶解性的觀點考慮，上述烷基中，例如優選叔丁基及三氟甲基。[具有式(A)表示的結構單元的聚合物(聚合物1)]作為上述A成分的聚合物，可優選使用具有上述式(A)表示的結構單元的聚合物(以下，稱為聚合物1)(其中，具有上述式(A)表示的結構單元的聚合物含有至少1個羥基或羧基，還可含有碳原子數1～10的直鏈狀或支鏈狀的烷基，所述碳原子數1～10的直鏈狀或支鏈狀的烷基的至少1個氫原子可被鹵素原子取代)。聚合物1可以是包含單獨1種式(A)表示的結構單元的聚合物，另外，也可以是包含2種以上該結構單元的聚合物(即共聚物)。上述式(A)中，X表示碳原子數1～10的直鏈狀或支鏈狀的烷基時，作為該烷基，例如，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、己基、辛基及癸基，作為將該烷基的至少1個氫原子取代的鹵素原子，可舉出氟、氯、溴及碘。上述X表示碳原子數1～10的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基時，作為該烷氧基，例如，可舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、己基氧基、辛基氧基及癸基氧基。上述聚合物1為共聚物時，上述式(A)表示的至少2種的結構單元可形成無規共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物中的任意種結構。作為這樣的共聚物，例如，可舉出具有下述式(a-1)～式(a-122)所示的2種以上的結構單元的共聚物(copolymer)。作為具有上述式(A)表示的結構單元的聚合物1，優選為包含選自來源于叔丁基苯乙烯的結構單元、來源于叔丁氧基苯乙烯的結構單元、及來源于2-乙烯基萘的結構單元中的至少1種結構單元、和選自來源于(甲基)丙烯酸的結構單元、來源于(甲基)丙烯酸羥基乙酯的結構單元、及來源于(甲基)丙烯酸羥基丙酯的結構單元中的至少1種結構單元的聚合物。[具有式(1-1)～式(1-4)中任一式表示的結構單元的聚合物(聚合物2)]作為上述A成分的聚合物，可優選使用具有上述式(1-1)～式(1-4)中任一式表示的結構單元的聚合物(以下，稱為聚合物2)。具有上述式(1-1)～(1-4)中任一式表示的結構單元的聚合物可以進一步含有碳原子數1～10的直鏈狀或支鏈狀的烷基，所述碳原子數1～10的直鏈狀或支鏈狀的烷基的至少1個氫原子可被鹵素原子取代。聚合物2可以是僅包含上述式(1-1)～式(1-4)表示的結構單元中的任意1種(單獨1種)的聚合物，另外，也可以是包含多種式(1-1)～式(1-4)表示的結構單元中的任意1種或2種以上的聚合物。聚合物2中包含的上述式(1-1)～式(1-4)表示的結構單元中，特別優選式(1-1)表示的結構單元。另外，上述聚合物2所具有的結構單元的種類優選為2種～5種，進一步優選為2種～4種，最優選為2種或3種。上述式(1-1)～式(1-4)中，Ar1表示的二價、四價、六價或八價的有機基團或Ar2表示的二價的有機基團中包含的碳原子數6～18的芳香族環例如為芳香族烴環或芳香族雜環。作為芳香族烴環，例如，可舉出苯、萘、蒽、菲、并四苯、苯并[9，10]菲(triphenylene)、芘及優選為苯、萘、蒽及芘。作為芳香族雜環，例如，可舉出呋喃、噻吩、吡咯、咪唑、吡喃、吡啶、嘧啶、吡嗪、吲哚、嘌呤、喹啉、異喹啉、奎寧環、苯并吡喃、噻蒽、吩噻嗪、吩噁嗪、氧雜蒽、吖啶、吩嗪及咔唑，優選為咔唑。上述式(2-1)～式(2-5)、式(3-1)及式(3-2)中，R3～R14、R16及R17各自獨立地表示碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、碳原子數1～9的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基、鹵素原子、硝基、氰基、乙酰氧基、甲基硫基、或氨基。此處，作為碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，例如，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、正戊基、1-甲基正丁基、2-甲基正丁基、3-甲基正丁基、1,1-二甲基正丙基、1,2-二甲基正丙基、2,2-二甲基正丙基、1-乙基正丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-二甲基-環丙基、1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、正己基、1-甲基正戊基、2-甲基正戊基、3-甲基正戊基、4-甲基正戊基、1,1-二甲基正丁基、1,2-二甲基正丁基、1,3-二甲基正丁基、2,2-二甲基正丁基、2,3-二甲基正丁基、3,3-二甲基正丁基、1-乙基正丁基、2-乙基正丁基、1,1,2-三甲基正丙基、1,2,2-三甲基正丙基、1-乙基-1-甲基正丙基、1-乙基-2-甲基正丙基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-正丙基-環丙基、2-正丙基-環丙基、1-異丙基-環丙基、2-異丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-3-甲基-環丙基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、降冰片基、金剛烷基、雙環[2.1.0]戊基、雙環[3.2.1]辛基及三環[3.2.1.02,7]辛基。上述碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基的至少1個氫原子可被鹵素原子取代。作為鹵素原子，例如，可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。作為上述至少1個氫原子被鹵素原子的烷基，優選為至少1個氫原子被氟原子取代的甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基及叔丁基，最優選的是三氟甲基。作為上述碳原子數1～9的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基，例如，可舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、1-甲基正丁氧基、2-甲基正丁氧基、3-甲基正丁氧基、1,1-二甲基正丙氧基、1,2-二甲基正丙氧基、2,2-二甲基正丙氧基、1-乙基正丙氧基、正己基氧基、1-甲基正戊基氧基、2-甲基正戊基氧基、3-甲基正戊基氧基、4-甲基正戊基氧基、1,1-二甲基正丁氧基、1,2-二甲基正丁氧基、1,3-二甲基正丁氧基、2,2-二甲基正丁氧基、2,3-二甲基正丁氧基、3,3-二甲基正丁氧基、1-乙基正丁氧基、2-乙基正丁氧基、1,1,2-三甲基正丙氧基、1,2,2，-三甲基正丙氧基、1-乙基-1-甲基正丙氧基、1-乙基-2-甲基正丙氧基、正庚基氧基、正辛基氧基及正壬基氧基。上述式(2-1)～式(2-5)、式(3-1)及式(3-2)中，r3～r14、r16及r17、以及t3～t14、t16及t17表示取代基的數目，m1～m4表示0時，表示苯環；表示1時，表示萘環；表示3時，表示蒽環；作為m1～m4，優選為0或1。對于上述取代基的數目而言，根據Ar1表示的二價的有機基團或Ar2表示的二價的有機基團所包含的芳香族環的種類，最大數目發生變化。對于上述取代基的數目而言，r3、r6、r7、r16、r17、t3、t6、t7、t16及t17優選為1～4的整數。r3與t3的合計、r4與t4的合計、r5與t5的合計、r6與t6的合計、r7與t7的合計、r8與t8的合計、r9與t9的合計、r10與t10的合計、r11與t11的合計、r12與t12的合計、r13與t13的合計、r14與t14的合計、r16與t16的合計、及r17與t17的合計優選為1～5的整數。上述式(2-3)及式(2-4)中，Q1及Q2各自獨立地表示單鍵、氧原子、硫原子、磺酰基、羰基、亞氨基、碳原子數6～40的亞芳基、或碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的亞烷基，作為上述Q1及Q2，優選為單鍵。作為上述碳原子數6～40的亞芳基，例如，可舉出亞苯基、鄰甲基亞苯基、間甲基亞苯基、對甲基亞苯基、鄰氯亞苯基、間氯亞苯基、對氯亞苯基、鄰氟亞苯基、對氟亞苯基、鄰甲氧基亞苯基、對甲氧基亞苯基、對硝基亞苯基、對氰基亞苯基、α-亞萘基、β-亞萘基、鄰亞聯苯基、間亞聯苯基、對亞聯苯基、1-亞蒽基、2-亞蒽基、9-亞蒽基、1-亞菲基、2-亞菲基、3-亞菲基、4-亞菲基及9-亞菲基。作為上述碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的亞烷基，例如，可舉出亞甲基、亞乙基、亞正丙基、亞異丙基、亞環丙基、亞正丁基、亞異丁基、亞仲丁基、亞叔丁基、亞環丁基、1-甲基亞環丙基、2-甲基亞環丙基、亞正戊基、1-甲基亞正丁基、2-甲基亞正丁基、3-甲基亞正丁基、1,1-二甲基亞正丙基、1,2-二甲基亞正丙基、2,2-二甲基亞正丙基、1-乙基亞正丙基、亞環戊基、1-甲基亞環丁基、2-甲基亞環丁基、3-甲基亞環丁基、1,2-二甲基亞環丙基、2,3-二甲基亞環丙基、1-乙基亞環丙基、2-乙基亞環丙基、亞正己基、1-甲基亞正戊基、2-甲基亞正戊基、3-甲基亞正戊基、4-甲基亞正戊基、1,1-二甲基亞正丁基、1,2-二甲基亞正丁基、1,3-二甲基亞正丁基、2,2-二甲基亞正丁基、2,3-二甲基亞正丁基、3,3-二甲基亞正丁基、1-乙基亞正丁基、2-乙基亞正丁基、1,1,2-三甲基亞正丙基、1,2,2-三甲基亞正丙基、1-乙基-1-甲基亞正丙基、1-乙基-2-甲基亞正丙基、亞環己基、1-甲基亞環戊基、2-甲基亞環戊基、3-甲基亞環戊基、1-乙基亞環丁基、2-乙基亞環丁基、3-乙基亞環丁基、1,2-二甲基亞環丁基、1,3-二甲基亞環丁基、2,2-二甲基亞環丁基、2,3-二甲基亞環丁基、2,4-二甲基亞環丁基、3,3-二甲基亞環丁基、1-正丙基亞環丙基、2-正丙基亞環丙基、1-異丙基亞環丙基、2-異丙基亞環丙基、1,2,2-三甲基亞環丙基、1,2,3-三甲基亞環丙基、2,2,3-三甲基亞環丙基、1-乙基-2-甲基亞環丙基、2-乙基-1-甲基亞環丙基、2-乙基-2-甲基亞環丙基、2-乙基-3-甲基亞環丙基、亞正庚基、亞正辛基、亞正壬基、亞正癸基、1,2-亞環戊基、1,3-亞環戊基、1,2-亞環己基、1,3-亞環己基、1,4-亞環己基等。上述碳原子數1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的亞烷基的至少1個氫原子可被鹵素原子取代。作為鹵素原子，例如，可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。上述式(3-1)中與芳香族環鍵合的叔碳原子、及上述式(3-2)中與芳香族環鍵合的2個亞甲基分別是與同上述Ar1表示的二價、四價、六價或八價的有機基團的鍵合相關的部分。上述聚合物2可通過用于構成上述Ar1表示的二價、四價、六價或八價的有機基團的單體與用于構成上述Ar2表示的二價的有機基團的單體的反應而合適地得到。作為用于構成上述Ar1表示的二價、四價、六價或八價的有機基團的單體的具體例，可舉出如下所示的(式3-1-1)～(式3-1-26)、(式4-1-1)～(式4-1-10)、(式4-13)～(式4-39)及(式5-1)～(式5-19)表示的化合物。作為用于構成上述Ar2表示的二價的有機基團的單體的具體例，可舉出如下所示的具有醛基的(式6-1)～(式6-37)表示的化合物、具有羥甲基的(式7-1)～(式7-15)表示的化合物。其中，優選用于構成上述Ar1表示的二價的有機基團的單體是具有酚式羥基的單體，用于構成上述Ar2表示的二價的有機基團的單體是具有醛基的單體。作為上述聚合物2中包含的上述式(1-1)～式(1-4)中任一式表示的結構單元的具體例，例如，可舉出如下所示的(式10-1)～(式10-36)表示的結構單元，但不受它們的限制。作為本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的上述聚合物2的合成方法，通常，在酸催化劑存在下，使上述構成Ar1的單體組“單體A組”、與上述構成Ar2的單體組“單體B組”進行縮合聚合。單體A組或單體B組分別為1種或2種以上，優選分別為3種以內，更優選分別為2種以內。另外，可使聚合物2合成時的單體A組相對于單體B組的裝料摩爾比(單體A組/單體B組)例如為20/100～80/20，更優選為20/80～70/30。另外，該單體A組或單體B組中優選包含含有至少1個氫原子被氟原子取代的烷基或亞烷基的單體。單體A組或單體B組包含2種以上的單體時，該單體A組或單體B組中包含的含有至少1個氫原子被氟原子取代的烷基或亞烷基的單體的裝料摩爾比例如為1/10～1，更優選為1/5～1。此外，單體A組或單體B組包含2種以上單體時，相對于單體A組整體或單體B組整體，可使2種以上的單體的各單體的裝料摩爾比為1/20以上，更優選為1/10以上。上述單體A組與單體B組的反應優選在氮氣氣氛下進行。反應溫度可選擇50℃～200℃、優選選擇80℃～180℃中的任意的溫度，能以1小時～48小時的反應時間得到高分子量的聚合物。為了得到低分子量且保存穩定性高的聚合物，更優選于80℃～150℃的反應溫度、以1小時～24小時的反應時間進行反應。＜B成分：磺酸＞本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的磺酸是A-SO3H(式中，A表示碳原子數1～16的直鏈狀或支鏈狀的烷基或氟代烷基、具有至少1個該烷基或氟代烷基作為取代基的芳香族基團、或可以具有甲基、乙基這樣的取代基的碳原子數4～16的脂環式基團。)表示的化合物。作為這樣的磺酸，例如，可舉出辛基苯磺酸、壬基苯磺酸、癸基苯磺酸、十一烷基苯磺酸、十二烷基苯磺酸(別名：月桂基苯磺酸)、(1,3,5,7-四甲基辛基)苯磺酸、十三烷基苯磺酸、(1R)-(-)-10-樟腦磺酸、(1S)-(+)-10-樟腦磺酸、三氟甲磺酸、全氟丁磺酸、全氟辛磺酸、九氟-1-丁磺酸。這些磺酸中，作為本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的成分，優選上述表示磺酸的式中A所示的基團表示碳原子數4～12的直鏈狀或支鏈狀的烷基或氟代烷基、或具有至少1個該烷基或氟代烷基作為取代基的苯基的磺酸，可優選使用十二烷基苯磺酸及九氟-1-丁磺酸。對于上述磺酸的含有比例而言，相對于上述(A)成分的聚合物，例如為0.5質量％～80質量％，優選為0.5質量％～60質量％、或20質量％～60質量％。＜C成分：有機溶劑＞本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的有機溶劑需要含有R1-O-R2及/或R1-C(＝O)-R2(式中，R1表示碳原子數3～16的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基或氟代烷基，R2表示碳原子數1～16的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基或氟代烷基。)表示的化合物，且能溶解上述A成分的聚合物(聚合物1、聚合物2)。作為這樣的有機溶劑，例如，可舉出異丙基醚(別名：二異丙基醚)、丙基醚(別名：二丙基醚)、異戊基醚(別名：二異戊基醚)、戊基醚(別名：二戊基醚)、二丁基醚(別名：丁基醚)、二異丁基醚(別名：異丁基醚)、仲丁基醚(別名：二仲丁基醚)、己基醚(別名：二己基醚)、雙(2-乙基己基)醚、癸基醚(別名：二癸基醚)、十一烷基醚(別名：雙十一烷基醚)、十二烷基醚(別名：雙十二烷基醚)、十四烷基醚(別名：雙十四烷基醚)、十六烷基醚、丁基甲基醚、丁基乙基醚、丁基丙基醚、叔丁基甲基醚、叔丁基乙基醚、叔丁基丙基醚、二叔丁基醚、環戊基甲基醚、環己基甲基醚、環戊基乙基醚、環己基乙基醚、環戊基丙基醚、環戊基-2-丙基醚、環己基丙基醚、環己基-2-丙基醚、環戊基丁基醚、環戊基-叔丁基醚、環己基丁基醚、環己基-叔丁基醚、2-辛酮及4-庚酮。這些有機溶劑中，作為本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的成分，可優選使用異戊基醚及2-辛酮。對于從本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中除去上述有機溶劑及任選地含有的水而得到的固態成分的含有比例而言，相對于該涂布液，例如為0.5質量％～30質量％，優選為2質量％～15質量％。[抗蝕劑圖案的形成方法]本發明也將使用了上述抗蝕劑圖案被覆液的抗蝕劑圖案的形成方法作為其對象。本發明的抗蝕劑圖案的形成方法包括下述工序：在形成有下層膜的基板上形成抗蝕劑圖案的工序；以被覆上述抗蝕劑圖案的方式，涂布本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液的工序；于50℃～130℃對涂布了上述抗蝕劑圖案被覆用涂布液的基板進行加熱，從而在上述抗蝕劑圖案的表面形成被覆膜的工序；將上述經加熱的基板冷卻后，用顯影液對上述被覆膜進行顯影的工序；以及針對用顯影液對上述被覆膜進行顯影后的抗蝕劑圖案，用漂洗液進行漂洗處理的工序，通過該方法，可形成與基板上最初形成的抗蝕劑圖案相比，進行了微細化(縮小化)的抗蝕劑圖案。此處，作為上述基板，可舉出精密集成電路元件的制造中可使用的基板(例如，用氧化硅膜、氮化硅膜或氧化氮化硅膜被覆的硅基板等半導體基板、氮化硅基板、石英基板、無堿玻璃基板、低堿玻璃基板、結晶化玻璃基板、形成有ITO膜的玻璃基板)。而且，在上述基板上形成具有防反射能力的有機膜及/或無機膜作為下層膜。作為上述抗蝕劑圖案的形狀，例如，可舉出線狀及柱狀(pillar)，可形成孤立線圖案、線和間隙圖案、孤立點圖案、密集點圖案中的任意種。線狀的抗蝕劑圖案的形狀不限于直線，也可以是彎曲的形狀，上述柱狀的抗蝕劑圖案的形狀只要是柱狀即可，可以是棱柱和圓柱中的任意種。這樣的形狀的抗蝕劑圖案可使用公知的正型抗蝕劑溶液(例如，住友化學(株)制PAR710、PAR855、及JSR(株)制AR2772JN)，利用公知的光刻工藝形成。作為使用的曝光裝置的光源，例如，可采用i線、KrF準分子激光、ArF準分子激光及EUV。在涂布本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液的工序中，可利用旋涂器(spinner)、涂布機(coater)等適當的涂布方法，將該涂布液涂布于形成上述抗蝕劑圖案后的基板上。在對涂布了上述抗蝕劑圖案被覆用涂布液的基板進行加熱而在上述抗蝕劑圖案的表面形成被覆膜的工序中，對基板進行加熱的工序是為了使本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液中包含的磺酸向上述抗蝕劑圖案的表面擴散而進行的。因此，上述加熱溫度只要是磺酸擴散所需要的溫度即可，但必須是不使抗蝕劑圖案的形狀顯著變形(例如熔融流動)的溫度。因此，上述加熱溫度更優選為低于130℃的溫度，例如為不超過100℃的溫度。需要說明的是，本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液不會通過上述加熱溫度下的加熱而發生固化。作為在上述加熱、形成被覆膜的工序之后、對上述被覆膜進行顯影的工序中使用的上述顯影液，例如，可舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、硅酸鈉、偏硅酸鈉、氨水等無機堿類、乙基胺、正丙基胺等伯胺類、二乙基胺、二正丁基胺等仲胺類、三乙基胺、甲基二乙基胺等叔胺類、二甲基乙醇胺、三乙醇胺等醇胺類、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、膽堿等季銨鹽、吡咯、哌啶等環狀胺類等堿類的水溶液。此外，也可在上述堿類的水溶液中添加適當量的異丙醇等醇類、非離子系等的表面活性劑而使用。這些中優選的顯影液為季銨鹽的水溶液，進一步優選為四甲基氫氧化銨的水溶液。另外，作為在上述顯影工序之后、進行漂洗處理的工序中使用的上述漂洗液，例如，可舉出純水、及表面活性劑的水溶液。[反轉圖案的形成方法]本發明也將使用了上述抗蝕劑圖案被覆液的反轉圖案的形成方法作為其對象。對于本發明的反轉圖案的形成方法而言，直至形成抗蝕劑圖案的工序、涂布抗蝕劑圖案被覆用涂布液的工序、對涂布了該涂布液的基板進行加熱而在上述抗蝕劑圖案的表面形成被覆膜的工序、在該加熱后利用顯影液對上述被覆膜進行顯影的工序為止，或進一步直至利用漂洗液進行漂洗處理的工序為止，按照上述[抗蝕劑圖案的形成方法]中的各工序進行實施，然后，進行下述工序而形成反轉圖案：以填充抗蝕劑圖案的圖案間隙的方式，涂布包含聚硅氧烷和含有水及/或醇類的溶劑的第2涂布液的工序；除去或減少上述第2涂布液中包含的聚硅氧烷以外的成分及上述顯影液或上述漂洗液而形成涂膜的工序；對上述涂膜進行回蝕，使上述利用顯影液進行顯影后或利用漂洗液進行漂洗處理后的抗蝕劑圖案的上表面露出的工序；及將露出了上表面的上述抗蝕劑圖案除去的工序。此處，上述第2涂布液中包含的聚硅氧烷沒有特別限制，例如，可舉出向下述式(11)表示的化合物及下述式(12)表示的化合物的共水解縮合物中混合下述式(13)表示的化合物而得到的生成物。R18Si(OY)3(11)Si(OZ)4(12)(式中，R18表示碳原子數1～12的有機基團，Y及Z各自獨立地表示甲基或乙基，R19及R20各自獨立地表示直鏈狀或支鏈狀的碳原子數1～3的亞烷基，R21表示碳原子數1～4的烷氧基、烯丙基氧基或羥基，p表示0、1或2。)另外，上述第2涂布液中包含的醇類例如為上述式(13)表示的化合物，作為該式(13)表示的化合物，例如，可舉出丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、乙二醇單烯丙基醚、二丙二醇單甲基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單丁基醚、三乙二醇單甲基醚、三乙二醇單乙基醚、三乙二醇單丙基醚、三乙二醇單丁基醚、乙二醇、1,2-丙二醇或1,3-丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、二異丙二醇及三乙二醇。上述的形成涂膜的工序中，所謂除去或減少上述第2涂布液中包含的聚硅氧烷以外的成分及上述顯影液(或漂洗液)的操作例如可通過對涂布了上述第2涂布液的上述形成有下層膜的基板進行旋轉脫水(spindry)、或旋轉脫水后加熱而實施。此處，旋轉脫水是指一邊使基板旋轉一邊使其干燥。另外，上述第2涂布液中包含的聚硅氧烷以外的成分是指含有水及/或醇類的溶劑、及根據需要添加的添加劑。在使上述抗蝕劑圖案的上表面露出的工序中進行的針對上述涂膜的回蝕例如可通過使用CF4等氟系氣體的干式蝕刻、使用有機酸或有機堿的水溶液的濕式蝕刻、使用有機溶劑的濕式蝕刻、或CMP法進行，處理條件可適當調整。上述將露出了上表面的上述抗蝕劑圖案除去的工序例如可利用使用了O2與N2的混合氣體或O2氣體的干式蝕刻、或研磨加工(ashing)進行。在利用研磨加工進行時，需要在僅將上述抗蝕劑圖案選擇性地除去的條件下實施。實施例本說明書的下述合成例1～合成例4中得到的聚合物、合成例5中得到的共水解縮合物、以及合成例6～合成例8中得到的聚合物的重均分子量(Mw)是基于凝膠滲透色譜法(GelPermeationChromatography，以下簡稱為GPC。)的測定結果。測定中使用東ソー株式會社制GPC裝置，測定條件如下所述。測定裝置：HLC-8020GPC〔商品名〕(東ソー(株)制)GPC柱：TSKgel〔注冊商標〕G2000HXL：2根，TSKgelG3000HXL：1根，以及，TSKgelG4000HXL：1根(以上為東ソー(株)制)柱溫：40℃溶劑：四氫呋喃(THF)流量：1.0mL/分鐘標準試樣：聚苯乙烯(東ソー(株)制)＜合成例1＞將叔丁基苯乙烯11.0g(東京化成工業(株)制)、甲基丙烯酸4.0g(東京化成工業(株)制)及偶氮雙異丁腈1.71g(東京化成工業(株)制)溶解于乳酸乙酯43.0g中。將該溶液緩緩滴加至已加熱回流的乳酸乙酯100.4g中，滴加后，于160℃進行加熱回流，進行24小時反應，得到含有聚合物的溶液。使該反應溶液在水/甲醇混合溶劑2,000g中進行沉淀，過濾得到的白色固體，然后于60℃進行一夜減壓干燥，得到白色的聚合物。對該聚合物進行GPC分析，結果，按照標準聚苯乙烯換算，重均分子量為1,965。推定得到的聚合物為具有下述式表示的結構單元的共聚物(copolymer)。＜合成例2＞將叔丁基苯乙烯9.5g(東京化成工業(株)制)、甲基丙烯酸4.1g(東京化成工業(株)制)、N-異丙基丙烯酰胺1.3g(東京化成工業(株)制)及偶氮雙異丁腈0.98g(東京化成工業(株)制)溶解于乳酸乙酯43.1g中。將該溶液緩緩滴加至已加熱回流的乳酸乙酯100.7g中，滴加后，于160℃進行加熱回流，進行24小時反應，得到含有聚合物的溶液。使該反應溶液在水/甲醇混合溶劑2,000g中進行沉淀，過濾得到的白色固體，然后于60℃進行一夜減壓干燥，得到白色的聚合物。對該聚合物進行GPC分析，結果，按照標準聚苯乙烯換算，重均分子量為1,809。推定得到的聚合物為具有下述式表示的結構單元的共聚物(copolymer)。＜合成例3＞將叔丁基苯乙烯9.1g(東京化成工業(株)制)、甲基丙烯酸3.9g(東京化成工業(株)制)、甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯1.9g(東京化成工業(株)制)及偶氮雙異丁腈1.71g(東京化成工業(株)制)溶解于乳酸乙酯43.0g中。將該溶液緩緩滴加至已加熱回流的乳酸乙酯100.4g中，滴加后，于160℃進行加熱回流，進行24小時反應，得到含有聚合物的溶液。使該反應溶液在水/甲醇混合溶劑2,000g中進行沉淀，過濾得到的白色固體，然后于60℃進行一夜減壓干燥，得到白色的聚合物。對該聚合物進行GPC分析，結果，按照標準聚苯乙烯換算，重均分子量為1,550。推定得到的聚合物為具有下述式表示的結構單元的共聚物(copolymer)。＜合成例4＞將叔丁基苯乙烯8.7g(東京化成工業(株)制)、甲基丙烯酸3.7g(東京化成工業(株)制)、甲基丙烯酸1,1,1,3,3,3-六氟異丙酯2.6g(東京化成工業(株)制)及偶氮雙異丁腈0.98g(東京化成工業(株)制)溶解于乳酸乙酯43.1g中。將該溶液緩緩滴加至已加熱回流的乳酸乙酯100.11g中，滴加后，于160℃進行加熱回流，進行24小時反應，得到含有聚合物的溶液。使該反應溶液在水/甲醇混合溶劑2,000g中進行沉淀，過濾得到的白色固體，然后于60℃進行一夜減壓干燥，得到白色的聚合物。對該聚合物進行GPC分析，結果，按照標準聚苯乙烯換算，重均分子量為1,847。推定得到的聚合物為具有下述式表示的結構單元的共聚物(copolymer)。＜合成例5＞將四乙氧基硅烷5.8g(30mol％)、甲基三乙氧基硅烷6.7g(40mol％)、下述式表示的化合物5-(三乙氧基甲硅烷基)降冰片烷-2,3-二甲酸酐9.2g(30mol％)、丙酮43g及超純水43g放入到200ml的燒瓶中，一邊用磁力攪拌器攪拌該燒瓶內的混合溶液一邊向該混合溶液中滴加0.01mol/L的鹽酸1.7g。滴加后，將燒瓶移至已調節為40℃的油浴中，在加熱回流下進行240分鐘反應。然后，將反應溶液冷卻至室溫，向該反應溶液中添加丙二醇單甲基醚24.0g，將丙酮、水及鹽酸、以及作為反應副產物的乙醇從反應溶液中減壓餾去而進行濃縮，得到共水解縮合物(聚硅氧烷)的丙二醇單甲基醚溶液。將固態成分濃度調節為以140℃時的固態殘余物換算計為15質量％。利用GPC得到的重均分子量按照標準聚苯乙烯換算為1,000。＜合成例6＞向三(4-羥基苯基)乙烷(東京化成工業(株)制)45.00g、3,5-雙(三氟甲基)苯甲醛(東京化成工業(株)制)53.35g及甲磺酸(東京化成工業(株)制)2.12g中，添加丙二醇單甲基醚150.70g，在氮氣氣氛下，進行6小時回流攪拌。反應結束后，將反應液滴加至水中，使其再沉淀。過濾得到的沉淀物并進行洗滌，于60℃進行減壓干燥，由此，得到聚合物66.06g。該聚合物的利用GPC并按照標準聚苯乙烯換算而測得的重均分子量為2100。推定得到的聚合物為具有下述式表示的結構單元的酚醛清漆樹脂(novolac樹脂)。＜合成例7＞向間苯三酚(東京化成工業(株)制)50.00g、3,4-二羥基苯甲醛(東京化成工業(株)制)16.43g、3,5-雙(三氟甲基)苯甲醛(東京化成工業(株)制)67.20g及甲磺酸(東京化成工業(株)制)3.81g中，添加丙二醇單甲基醚206.15g，在氮氣氣氛下，進行4小時回流攪拌。反應結束后，將反應液滴加至水中，使其再沉淀。過濾得到的沉淀物并進行洗滌，于60℃進行減壓干燥，由此，得到聚合物102.83g。該聚合物的利用GPC并按照標準聚苯乙烯換算而測得的重均分子量為2400。推定得到的聚合物為具有下述式表示的2種結構單元的酚醛清漆樹脂。＜合成例8＞向三(4-羥基苯基)乙烷(東京化成工業(株)制)40.00g、3,4-二羥基苯甲醛(東京化成工業(株)制)3.61g、3,5-雙(三氟甲基)苯甲醛(東京化成工業(株)制)56.90g及甲磺酸(東京化成工業(株)制)2.51g中，添加丙二醇單甲基醚154.53g，在氮氣氣氛下，進行6小時回流攪拌。反應結束后，將反應液滴加至水中，使其再沉淀。過濾得到的沉淀物并進行洗滌，于60℃進行減壓干燥，由此，得到聚合物63.01g。該聚合物的利用GPC并按照標準聚苯乙烯換算而測得的重均分子量為2600。推定得到的聚合物為具有下述式表示的2種結構單元的酚醛清漆樹脂。＜實施例1＞向上述合成例1中得到的聚合物1.33g中添加十二烷基苯磺酸(純正化學(株)制)0.67g及異戊基醚18.0g并使其溶解。然后，使用孔徑為0.05μm的聚乙烯制微濾器進行過濾，制備抗蝕劑圖案被覆用涂布液。＜實施例2＞向上述合成例2中得到的聚合物1.33g中添加十二烷基苯磺酸(純正化學(株)制)0.67g及異戊基醚18.0g并使其溶解。然后，使用孔徑為0.05μm的聚乙烯制微濾器進行過濾，制備抗蝕劑圖案被覆用涂布液。＜實施例3＞向上述合成例3中得到的聚合物1.33g中添加十二烷基苯磺酸(純正化學(株)制)0.67g及異戊基醚18.0g并使其溶解。然后，使用孔徑為0.05μm的聚乙烯制微濾器進行過濾，制備抗蝕劑圖案被覆用涂布液。＜實施例4＞向上述合成例4中得到的聚合物1.00g中添加十二烷基苯磺酸(純正化學(株)制)0.50g及異戊基醚13.50g并使其溶解。然后，使用孔徑為0.05μm的聚乙烯制微濾器進行過濾，制備抗蝕劑圖案被覆用涂布液。＜比較例1＞向上述合成例4中得到的聚合物1.5g中添加異戊基醚13.5g并使其溶解。然后，使用孔徑為0.05μm的聚乙烯制微濾器進行過濾，制備抗蝕劑圖案被覆用涂布液。＜實施例8＞向上述合成例6中得到的聚合物1.0g中添加十二烷基苯磺酸(純正化學(株)制)0.50g及異戊基醚13.5g并使其溶解。然后，使用孔徑為0.05μm的聚乙烯制微濾器進行過濾，制備抗蝕劑圖案被覆用涂布液。＜實施例9＞向上述合成例7中得到的聚合物1.0g中添加十二烷基苯磺酸(純正化學(株)制)0.50g及異戊基醚13.5g并使其溶解。然后，使用孔徑為0.05μm的聚乙烯制微濾器進行過濾，制備抗蝕劑圖案被覆用涂布液。＜實施例10＞向上述合成例8中得到的聚合物1.0g中添加十二烷基苯磺酸(純正化學(株)(制))0.50g及異戊基醚13.5g并使其溶解。然后，使用孔徑為0.05μm的聚乙烯制微濾器進行過濾，制備抗蝕劑圖案被覆用涂布液。＜比較例2＞向上述合成例8中得到的聚合物1.5g中添加異戊基醚13.5g并使其溶解。然后，使用孔徑為0.05μm的聚乙烯制微濾器進行過濾，制備抗蝕劑圖案被覆用涂布液。〔應用于正型抗蝕劑工藝的試驗〕使用旋涂器，將本發明的實施例1～實施例4、實施例8～實施例10、及比較例1及比較例2中制備的抗蝕劑圖案被覆用涂布液涂布于硅晶片上，在加熱板上，于75℃進行1分鐘加熱，測定得到的涂膜的膜厚(膜厚A：涂膜的膜厚)。在上述涂膜上，填加市售的堿性顯影液(東京應化工業(株)制，制品名：NMD-3)，放置60秒，一邊以3000rpm旋轉一邊用純水進行30秒漂洗。漂洗后，于100℃烘烤60秒，測定膜厚(膜厚B)。將其結果示于表1(表1-1及表1-2)。膜厚B為0nm時，可以說涂膜已被顯影液除去。這表明本發明的抗蝕劑圖案被覆用涂布液可應用于正型抗蝕劑工藝。【表1】表1-1膜厚A(nm)膜厚B(nm)實施例1120.30實施例2119.80實施例3123.50實施例4126.40比較例1123.80表1-2膜厚A(nm)膜厚B(nm)實施例8120.80實施例9121.20實施例10120.90比較例2119.80〔光致抗蝕劑圖案的形成〕利用旋涂器將ARC29A(日產化學工業(株)制)涂布于硅晶片上。將該硅晶片配置于加熱板上，于205℃加熱1分鐘，形成膜厚80nm的抗蝕劑下層膜。利用旋涂器，在該抗蝕劑下層膜上，涂布市售的光致抗蝕劑溶液(住友化學(株)制，商品名：PAR855)，在加熱板上，于105℃加熱60秒，形成光致抗蝕劑膜(膜厚0.10μm)。接下來，使用掃描器(scanner)((株)ニコン制，NSR-S307E(波長193nm，NA：0.85，σ：0.65/0.93))，通過光掩模而進行曝光。光掩模可根據要形成的抗蝕劑圖案進行選擇。曝光后，在加熱板上，于105℃進行60秒曝光后加熱(PEB)，冷卻后，利用工業規格的60秒單槳(singlepaddle)式工序，使用0.26當量的四甲基氫氧化銨水溶液作為顯影液而進行顯影。經過以上的工序，形成目標抗蝕劑圖案。對于形成的線和間隙圖案，測定線圖案的寬度。〔抗蝕劑圖案縮小工藝〕使用旋涂器，在形成于硅晶片上的抗蝕劑圖案(1：1的線和間隙圖案)上，分別涂布本發明的實施例1～實施例4、實施例8～實施例10、及比較例1及比較例2中制備的抗蝕劑圖案被覆用涂布液，于75℃進行烘烤，然后使用0.26當量的四甲基氫氧化銨水溶液作為顯影液而進行顯影。對于顯影后的線和間隙圖案，測定線圖案的寬度。將其結果示于表2(表2-1及表2-2)。【表2】表2-1表2-2接下來，使用旋涂器，在形成于硅晶片上的4種抗蝕劑圖案(孤立線圖案，1：3、1：2及1：1.25的線和間隙圖案)上，分別涂布本發明的實施例4或實施例10中制備的抗蝕劑圖案被覆用涂布液，于75℃烘烤后，使用0.26當量的四甲基氫氧化銨水溶液作為顯影液而進行顯影。對于顯影后的孤立線圖案及線和間隙圖案，測定線圖案的寬度。將其結果示于表3。【表3】表3-1(實施例4的抗蝕劑圖案被覆用涂布液)表3-2(實施例10的抗蝕劑圖案被覆用涂布液)＜實施例5＞〔抗蝕劑圖案縮小工藝〕使用旋涂器，在形成于硅晶片上的抗蝕劑圖案(1：1的線和間隙圖案)上，涂布本發明的實施例1中制備的抗蝕劑圖案被覆用涂布液，于85℃進行烘烤，然后使用0.26當量的四甲基氫氧化銨水溶液作為顯影液進行顯影，得到線圖案的寬度縮小了的抗蝕劑圖案(以下，本說明書中稱為縮小抗蝕劑圖案。)。利用截面SEM觀察得到的縮小抗蝕劑圖案的形狀。＜實施例6＞〔縮小抗蝕劑圖案的填埋工藝〕使用旋涂器，在形成于硅晶片上的抗蝕劑圖案(1：1的線和間隙圖案)上，涂布本發明的實施例1中制備的抗蝕劑圖案被覆用涂布液，于85℃進行烘烤，然后使用0.26當量的四甲基氫氧化銨水溶液作為顯影液而進行顯影，得到縮小抗蝕劑圖案。接下來，在該硅晶片上，涂布在上述合成例5中得到的聚硅氧烷溶液中以7比3(質量比)的比例分別添加超純水及丙二醇單甲基醚而制備的第2涂布液，將0.26當量的四甲基銨水溶液置換成該第2涂布液。然后，使上述硅晶片以1500rpm旋轉60秒，使涂布液中的溶劑干燥，然后，于100℃進行60秒加熱，形成涂膜，進行上述縮小抗蝕劑圖案的填埋。利用截面SEM觀察填埋后的形態。將其結果示于圖1。＜實施例7＞〔反轉圖案的形成工藝〕針對上述使用第2涂布液形成的涂膜，利用使用了CF4(流量50sccm)和Ar(流量200sccm)的混合氣體的干式蝕刻進行回蝕，使抗蝕劑圖案的上部露出。然后，利用使用了O2(流量10sccm)和N2(流量20sccm)的混合氣體的干式蝕刻將上述抗蝕劑圖案除去，得到反轉圖案。利用截面SEM觀察反轉圖案的形狀。將其結果示于圖2。下述表4中，歸納了圖案的填埋性及圖案形狀的評價結果。表4中，所謂“良好”，關于圖案填埋性，表示不產生空隙(空洞)地填埋抗蝕劑圖案，關于圖案形狀，表示不發生圖案倒塌及不產生浮渣(scum)地形成了圖案。【表4】表4當前第1頁1 2 3