本技術涉及蝕刻機，具體是蝕刻機均氣嘴。

背景技術：

1、在半導體制造業中，蝕刻(etch)是指在薄膜上雕刻圖案。圖案使用等離子體噴涂而成，形成每個工藝步驟的最終輪廓。它的主要目的是根據布局完美呈現精確圖案，在任何條件下都保持統一一致的結果。而現有的氣嘴大都是從氣嘴的后端進氣前端出氣，氣體壓力較大，且在供氣系統出現波動時，也會影響出氣的穩定性。

技術實現思路

1、本實用新型的目的在于解決現有技術中存在的問題，提供一種蝕刻機均氣嘴，能夠減少壓力并形成方向氣旋，經由氣嘴軸向方向均勻流出，增加穩定性。

2、本實用新型為實現上述目的，通過以下技術方案實現：

3、蝕刻機均氣嘴，包括氣嘴本體及設置于氣嘴本體內的均氣柱，所述氣嘴本體內設有與均氣柱相適應的內腔，且在內腔的內壁與均氣柱的外壁之間設有環狀空腔，所述環狀空腔的后端封閉，前端與外界連通，所述氣嘴本體的外壁上沿著氣嘴本體的周向均勻設有若干個與環狀空腔連通的進氣孔。

4、優選的，所述內腔為設置于氣嘴本體內的階梯孔，階梯孔的兩端均與外界連通，所述均氣柱呈階梯狀，所述均氣柱包括與內腔的后端連接的連接部以及用于與內腔的內壁之間形成環狀空腔的功能部，通過連接部封閉內腔的后端。

5、優選的，所述連接部與內腔的后端可拆卸連接。

6、優選的，所述階梯孔自前向后依次為第一孔、第二孔、第三孔，所述第一孔、第二孔、第三孔的內徑依次增大，所述均氣柱自前向后依次為第一柱、第二柱、第三柱，且所述第一柱、第二柱、第三柱的外徑依次增大，第三柱與第三孔相配合，第二柱與第二孔相配合，第一柱自后向前依次經過第二孔和第一孔，進氣孔位于第一柱與第二孔之間的環狀空間的外側且與第一柱與第二孔之間的環狀空間連通。

7、優選的，所述氣嘴本體為回轉體，所述氣嘴本體的外壁上設有環狀凹槽，進氣孔位于環狀凹槽內。

8、優選的，所述進氣孔的數量為四個。

9、對比現有技術，本實用新型的有益效果在于：

10、本實用新型在氣嘴本體的外壁上沿著氣嘴本體的周向均勻設有若干個進氣孔，氣體從氣嘴本體的外周壁的進氣孔中進入后，吹向均氣柱，從多個方向進氣，使氣體互相作用，減少壓力并形成方向氣旋，經由氣嘴本體的軸線方向均勻流出，增加穩定性。

技術特征：

1.蝕刻機均氣嘴，其特征在于：包括氣嘴本體(1)及設置于氣嘴本體(1)內的均氣柱(2)，所述氣嘴本體(1)內設有與均氣柱(2)相適應的內腔，且在內腔的內壁與均氣柱(2)的外壁之間設有環狀空腔(3)，所述環狀空腔(3)的后端封閉，前端與外界連通，所述氣嘴本體(1)的外壁上沿著氣嘴本體(1)的周向均勻設有若干個與環狀空腔(3)連通的進氣孔(4)。

2.根據權利要求1所述的蝕刻機均氣嘴，其特征在于：所述內腔為設置于氣嘴本體(1)內的階梯孔，階梯孔的兩端均與外界連通，所述均氣柱(2)呈階梯狀，所述均氣柱(2)包括與內腔的后端連接的連接部(21)以及用于與內腔的內壁之間形成環狀空腔(3)的功能部(22)，通過連接部(21)封閉內腔的后端。

3.根據權利要求2所述的蝕刻機均氣嘴，其特征在于：所述連接部(21)與內腔的后端可拆卸連接。

4.根據權利要求2所述的蝕刻機均氣嘴，其特征在于：所述階梯孔自前向后依次為第一孔(11)、第二孔(12)、第三孔(13)，所述第一孔(11)、第二孔(12)、第三孔(13)的內徑依次增大，所述均氣柱(2)自前向后依次為第一柱(23)、第二柱(24)、第三柱(25)，且所述第一柱(23)、第二柱(24)、第三柱(25)的外徑依次增大，第三柱(25)與第三孔(13)相配合，第二柱(24)與第二孔(12)相配合，第一柱(23)自后向前依次經過第二孔(12)和第一孔(11)，進氣孔(4)位于第一柱(23)與第二孔(12)之間的環狀空間的外側且與第一柱(23)與第二孔(12)之間的環狀空間連通。

5.根據權利要求1所述的蝕刻機均氣嘴，其特征在于：所述氣嘴本體(1)為回轉體，所述氣嘴本體(1)的外壁上設有環狀凹槽(5)，進氣孔(4)位于環狀凹槽(5)內。

6.根據權利要求1所述的蝕刻機均氣嘴，其特征在于：所述進氣孔(4)的數量為四個。

技術總結
本技術公開了蝕刻機均氣嘴，主要涉及蝕刻機技術領域；包括氣嘴本體及設置于氣嘴本體內的均氣柱，所述氣嘴本體內設有與均氣柱相適應的內腔，且在內腔的內壁與均氣柱的外壁之間設有環狀空腔，所述環狀空腔的后端封閉，前端與外界連通，所述氣嘴本體的外壁上沿著氣嘴本體的周向均勻設有若干個與環狀空腔連通的進氣孔；本技術能夠減少壓力并形成方向氣旋，經由氣嘴軸向方向均勻流出，增加穩定性。

技術研發人員：吳黎明,樂天貴,代志雄,花文璐,陳怡
受保護的技術使用者：啟閎半導體科技（江蘇）有限公司
技術研發日：20240705
技術公布日：2025/4/28