專利名稱：多功能集成的納米線陣列制備方法
技術領域：
本發明涉及一種納米線陣列的制備工藝，尤其涉及一種多功能集成的納米線陣列制備方法，屬于材料的制備與功能化修飾領域。
背景技術：
隨著科技的進步，以一維納米線為代表的納米材料在生物傳感、化學傳感、太陽電池、生物載藥及靶向治療等領域逐漸發揮著生力軍的作用。通常一維納米線在應用于上述領域時需要針對不同的應用需求進行表面修飾，以提高工作效率以及特異性。而在修飾方面，納米線表面的多功能集成具有重要的科學研究價值和產業化應用前景，例如分別將發光材料和磁性材料集成于納米線表面，一方面可以進行成像或靶向定位，另外還可以通過磁場誘導的方式實現目標分子的分離，同時藉由納米線巨大的比表面積，有效地提高了工作效率。近來納米線表面的多功能集成已成為本領域的研究熱點和前沿發展方向之一。針對納米線的多功能集成，目前科學界已有初步的探索，主要集中在合成多段納米線方面，即單根納米線由多段不同種類的材料構成，然后針對各段材料分別進行修飾，其工藝制備較為復雜，對材料的選擇及其本身性質的要求較高。因此，如何發展出一種工藝簡單，且對不同種類納米線具有一定普適性的多功能集成方法，一直都是本領域的技術難題。

發明內容
本發明的目的在于提出一種利用有機高分子及干法去膠工藝結合的多功能納米線陣列制備方法，其工藝簡單，對不同類型的納米線陣列具有普適性，適用于基因藥物載體、生物/化學傳感以及復合材料等領域。為實現上述發明目的，本發明采用了如下技術方案 一種多功能集成的納米線陣列制備方法
利用有機高分子溶液覆蓋納米線陣列，并在真空環境下靜置使有機高分子溶液均勻填充各納米線之間的間隙，形成一整體結構；
其后，去除該整體結構局部表面上的有機高分子材料，使納米線陣列上的至少一選定區域暴露在外，再在該至少一選定區域中的各納米線表面修飾至少一種功能性材料；
而后，以有機溶劑去除該整體結構的其它局部表面的有機高分子材料，使納米線陣列上的至少另一選定區域暴露在外，再在該至少另一選定區域中的各納米線表面修飾至少另一種功能性材料，從而獲得目標產物。該方法具體為
利用有機高分子溶液覆蓋納米線陣列，并在真空環境下靜置使有機高分子溶液均勻填充各納米線之間的間隙，形成一整體結構，繼而利用勻膠方法處理該整體結構使其表面平整；
其后，以干法去膠工藝去除該整體結構局部表面上的有機高分子材料，使納米線陣列上的一選定區域暴露在外，再在該選定區域中的各納米線表面修飾至少一種功能性材料；而后，以有機溶劑去除該整體結構表面上的其余有機高分子材料，使納米線陣列上的其余區域均暴露在外，再在該其余區域中的各納米線表面修飾至少另一種功能性材料，從而獲得目標產物。該方法包括如下步驟
a、首先將有機高分子溶液滴加至垂直納米線形成的納米線陣列表面，再于真空度為 10_2 IO4 Pa的真空環境中靜置5min 30min，使有機高分子溶液逐漸擴散滲透入各納米線之間；
b、在真空或大氣環境中，利用勻膠方法處理覆蓋在納米線陣列上的有機高分子材料， 形成表面平整的有機高分子膜，其中勻膠速率為1000 4000轉/分鐘，持續時間30 90 秒；
C、使用干法去膠工藝去除部分有機高分子膜，使納米線陣列表面的局部區域暴露在外，再以物理吸附或化學共價鍵結合的方式將功能性材料修飾到暴露在外的納米線陣列表面上；
d、利用有機溶劑溶解去除有機高分子膜的殘余部分，并以其它功能性材料修飾納米線陣列表面的其余部分。所述納米線陣列至少選自Si納米線陣列、ZnO納米線陣列、TW2納米線陣列、In2O3 納米線陣列和碳納米管陣列中的任意一種；
所述有機高分子材料至少選自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚乙烯醇和紫外光刻膠中的任意一種；
所述功能性材料至少選自納米顆粒、有機小分子和生物大分子中的任意一種。所述納米顆粒至少選自半導體納米顆粒、金屬納米顆粒和磁性納米顆粒中的任意一種；
所述有機小分子至少選自硅烷分子、羧酸分子和有機磷酸分子中的任意一種； 所述生物大分子至少選自核酸分子、蛋白質和細胞中的任意一種。所述納米線陣列高度為100 nm 30 μ m，納米線陣列襯底的直徑為IOmm 150mmo所述有機高分子溶液的黏度為1 IO7 mPa · S。所述紫外光刻膠至少選自酚醛樹脂型、聚異戊二烯型和聚乙烯樹脂型光刻膠中的
任意一種。所述干法去膠工藝至少選自A等離子去膠、Ar等離子體去膠、離子束刻蝕工藝中的任意一種，通過控制干法去膠工藝的反應時間，可以實現在納米線特定長度內進行修飾。所述有機溶劑至少選自甲苯、丙酮、己烷、氯仿、四氫呋喃中的任意一種。與現有技術相比，本發明的優點在于
(1)實現了在單根納米線表面集成包括發光、磁性、生物標記以及表面改性等多功能；
(2)能夠對納米線陣列可控、高度重復且一致性進行多功能集成，制備過程不破壞納米線的表面結構，且對不同類型的納米線陣列具有普適性，可以很好地滿足基因藥物載體、生物/化學傳感以及復合材料等領域的應用需求。


圖1是本發明一較佳實施方式中初始納米線陣列的結構示意圖2是本發明一較佳實施方式中經真空靜置和勻膠處理的納米線陣列的結構示意圖； 圖3是本發明一較佳實施方式中利用去膠工藝獲得的納米線陣列的結構示意圖； 圖4是本發明本發明一較佳實施方式中修飾有一種功能團的納米線陣列的結構示意
圖5是本發明本發明一較佳實施方式中修飾有多種功能團的納米線陣列的結構示意
圖中各附圖標記含義分別為1-納米線襯底、2-納米線陣列、3-有機高分子溶液、4、 4’ -修飾功能團。
具體實施例方式針對現有技術中的諸多缺陷，本案發明人特提出了一種制備多功能納米線的方法，其工藝簡單、可控性好，能夠將各種不同功能的分子集成在單根納米線表面以實現不同應用需求，且對不同種類的納米線陣列具有普適性等優點。參閱圖1-5，該方法可包含以下步驟
(1)納米線陣列形貌如圖1所示，首先使用移液的方法將有機高分子溶液滴加至納米線陣列表面，然后將納米線陣列置于真空干燥器內，抽真空后靜置，其條件優選為真空環境的真空度為10_2 IO4帕，靜置時間5min 30min，使有機高分子溶液逐漸擴散滲透入納米線之間；
(2)利用勻膠方法處理步驟(1)獲得的納米線陣列，得到表面平整的有機高分子膜(如圖2所示)，勻膠工藝可選在真空或大氣環境中，其工藝條件優選為勻膠速率1000 4000 轉/分鐘，持續時間30 90秒；
(3)使用干法去膠工藝處理納米線陣列，通過調節干法去膠工藝的反應時間可以去除部分有機高分子膜，同時暴露出部分納米線陣列(如圖3所示)；
(4)使用物理吸附或化學共價鍵結合等方式對暴露出的納米線陣列進行功能化修飾與改性(如圖4所示)；
(5)使用有機溶劑溶解殘余有機高分子，并對剩余納米線陣列實施進一步的修飾，從而獲得修飾有不同功能基團的納米線陣列(如圖5所示)。該方法適用于包括Si、aiO、TiO2、In2O3及碳納米管在內的任意一種納米線陣列。前述納米線陣列長度優選為100 nm 30 μ m。前述有機高分子溶液至少選自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亞胺(PI)、聚乙烯醇(PVA)或紫外光刻膠，包括酚醛樹脂型、聚異戊二烯型或聚乙烯樹脂型光刻膠中的任意一種以上，黏度為1 IO7 mPa. S。前述干法去膠工藝至少選自A等離子去膠、Ar等離子體去膠、離子束刻蝕中的任
意一種。前述表面修飾可選用納米顆粒，包括半導體納米顆粒、金屬納米顆粒、磁性納米顆粒，或有機小分子，如硅烷分子、羧酸分子、有機磷酸分子，或生物大分子，包括核酸分子、蛋白質、細胞中的任意一種以上。前述有機溶劑至少選自甲苯、丙酮、己烷、氯仿、四氫呋喃中的任意一種以上。
下面結合若干較佳實施例對本發明的技術方案作進一步描述，但不應以此限制本發明的保護范圍
實施例1本實施例涉及半導體納米顆粒與核酸分子在Si納米線表面的集成，其工藝包括如下步驟
(1)Si納米線的制備采用金屬輔助腐蝕的方法使用的腐蝕液包含0.02mol/L AgNO3 及5 mol/L HF溶液，取直徑150mm的η型(100)硅片置于腐蝕液中，常溫反應10分鐘后取出，HNO3及去離子水清洗后得到Si納米線陣列，長度經掃描電子顯微鏡測量后為100 nm；
(2)取5mL黏度為1 mPa. s的PMMA滴加于硅片表面，置于真空干燥器內，抽取真空度至IO4 Pa,靜置5min，使PMMA高分子均勻滲透入Si納米線之間；
(3)在空氣中使用勻膠機對Si片進行勻膠工藝，轉速為4000轉/分，時間60s，可以得到約150nm厚的PMMA膜；
(4)使用&等離子去膠機對Si片進行處理，去膠條件為300sccm O2,功率200W，處理 15分鐘后去除75nm PMMA,因此暴露出25nm Si納米線；
(5)將Si片置于直徑為IOnm的半導體CdSe納米顆粒溶液中，通過物理吸附的方法將 CdSe納米顆粒修飾在Si納米線表面；
(6)將上述Si片置于丙酮中，振蕩15min，去除剩余PMMA膜，此時暴露出未修飾的Si 納米線長度為75nm ；再依次使用3-氨丙基三乙氧基硅烷、戊二醛處理Si片，在Si納米線表面引入活性醛基，最后將Si片置于3ng/mL末端修飾有氨基的DNA磷酸鹽緩沖液中，常溫4 小時反應后取出，去離子水洗凈后獲得半導體納米顆粒與核酸分子集成的Si納米線陣列。
實施例2本實施例涉及磁性納米顆粒與蛋白質在ZnO納米線陣列表面的集成，其工藝包括如下步驟
(1)ZnO納米線的制備采用CVD方法首先按1 1摩爾比稱取加0、C粉并充分混合均勻，放入石英管的一端作為反應源料；將直徑IOmm的GaN (0001)襯底置于石英管另一端， 與原料的間距保持為IOcm;然后將石英管推入高溫管式爐中，控制原料端溫度為950°C， 50sccm O2和50sCCm Ar分別作為反應氣和載氣，反應1小時后得到SiO納米線陣列，納米線長度經掃描電子顯微鏡測量后為ΙΟμπι ；
(2)取500μ L黏度為10 mPa. s的聚酰亞胺(PI)滴加于ZnO納米線陣列表面，置于真空干燥器內，抽取真空度至100 Pa，靜置lOmin，使PI高分子均勻滲透入ZnO納米線之間；
(3)在真空中使用勻膠機對ZnO片進行勻膠工藝，轉速為2000轉/分，時間90s，可以得到12 μ m厚的PI膜；
(4)使用Ar等離子去膠機對ZnO片進行處理，去膠條件為400sccm Ar,功率400W，處理10分鐘后去除約3 μ m PI，因此暴露出1 μ m ZnO納米線；
(5)將ZnO片置于直徑為15nm的磁性狗304納米顆粒溶液中，通過物理吸附的方法將 Fe3O4納米顆粒修飾在ZnO納米線表面；
(6)將上述ZnO片置于甲苯中，振蕩15min，去除剩余PI膜，此時暴露出未修飾的Si納米線長度為9 μ m ；再依次使用3-氨丙基三乙氧基硅烷、戊二醛處理ZnO片，在ZnO納米線表面引入活性醛基，最后將ZnO片置于lOng/mL牛血清白蛋白(BSA)磷酸鹽緩沖液中，常溫 4小時反應后取出，去離子水洗凈后獲得磁性納米顆粒與蛋白質集成的ZnO納米線陣列。實施例3本實施例涉及金屬納米顆粒與細胞在Ti02納米線陣列表面的集成，其工藝包括如下步驟
(1)TiO2納米線的制備采用模版法首先將IOmL鈦酸四丁酯加入50mL無水乙醇中， 冰浴條件下攪拌5min后再向其中緩慢加入包含ImL去離子水、0. 05mL鹽酸與30mL乙醇的混合溶液，將直徑20mm、平均孔徑lOOnm、高度30 μ m的多孔氧化鋁模版置入上述溶液中 30min，取出干燥后置于500°C馬弗爐中煅燒4小時，使TW2納米線晶化；煅燒結束后將模版置于鹽酸中去除氧化鋁以得到長度為30 μ m TiO2納米線陣列；
(2)取500μ L黏度為IO7 mPa. s的聚乙烯醇(PVA)滴加于TiO2納米線陣列表面，置于真空干燥器內，抽取真空度至10_2 Pa,靜置30min，使PVA高分子均勻滲透入TW2納米線之間；
(3)在真空中使用勻膠機對TW2片進行勻膠工藝，轉速為1000轉/分，時間30s，可以得到35 μ m厚的PVA膜；
(4)使用Ar等離子去膠機對TW2片進行處理，去膠條件為400sccm Ar,功率400W，處理30分鐘后去除約15 μ m PVA,因此暴露出10 μ m TiO2納米線；
(6)將TW2片置于直徑為20nm的金屬Au納米顆粒溶液中，通過物理吸附的方法將Au 納米顆粒修飾在T^2納米線表面；
(7)將上述TW2片置于己烷中，振蕩15min，去除剩余PVA膜，此時暴露出未修飾的TW2 納米線長度為20 μ m;再依次使用3-氨丙基三乙氧基硅烷、戊二醛及葉酸受體處理TiO2片， 在TW2納米線表面引入靶向葉酸受體，最后將TW2片置于濃度為3000個/mL MCF-7人乳腺癌細胞溶液中，37°孵育2小時后取出，磷酸鹽緩沖液沖洗表面，獲得金納米顆粒與細胞集成的TW2納米線陣列。 實施例4本實施例涉及金屬納米顆粒與有機硅烷分子在In2O3納米線陣列表面的集成，其工藝包括如下步驟
(IMn2O3納米線的制備采用模版法在液池內加入IOmL包含8. 5 mg/mL InCl3及 25 mg/mL Na3C6H5O7溶液作為反應液，多孔氧化鋁模版作為襯底，襯底直徑20mm，平均孔徑lOOnm，高度15 μ m ；以該氧化鋁模版為電化學工作電極、玻碳電極作為對電極、Ag/AgCl 作為參比電極，施加工作電壓-IV，反應1小時并700°下煅燒12小時后可以得到長度為 15 μ m In2O3納米線陣列；
(2)取500μ L黏度為IO6 mPa. s的酚醛樹脂紫外光刻膠滴加In2O3納米線陣列表面，置于真空干燥器內，抽取真空度至100 Pa,靜置30min，使光刻膠高分子均勻滲透入M2O3納米線之間；
(3)在真空中使用勻膠機對M2O3片進行勻膠工藝，轉速為1000轉/分，時間60s，可以得到15 μ m厚的光刻膠膜；
(4)使用離子束刻蝕機對M2O3片進行處理，去膠條件為能量300eV、束流80mA/cm2Ar 離子，處理30分鐘后去除約3 μ m光刻膠，因此暴露出3 μ m In2O3納米線；
(5)將In2O3片置于直徑為20nm的金屬Au納米顆粒溶液中，通過物理吸附的方法將Au 納米顆粒修飾在^2O3納米線表面；
(6)將上述^i2O3片置于氯仿中，振蕩15min，去除剩余光刻膠，此時暴露出未修飾的 ^i2O3納米線長度為12 μ m;再將^i2O3納米線陣列置于5% 3-氨丙基三乙氧基硅烷中反應 30分鐘，反應結束后用去離子水沖洗干凈，獲得金納米顆粒與有機硅烷分子集成的^2O3納米線陣列。實施例5本實施例涉及磁性納米顆粒與有機磷酸分子在ZnO納米線陣列表面的集成，其工藝包括如下步驟
(1)ZnO納米線的制備采用水熱法首先在高壓釜反應容器內加入IOmL等摩爾濃度 (20mmol/L)的SiNO3與六亞甲基四胺(HMT)混合溶液，放入直徑為IOmm Si片作為襯底，將高壓釜置于90°C烘箱內反應2小時后取出Si片，用去離子水清洗表面得到ZnO納米線陣列，其長度經掃描電子顯微鏡測量后為5 μ m ；
(2)取100μ L黏度為106 mPa. s的聚異戊二烯紫外光刻膠滴加于ZnO納米線陣列表面，置于真空干燥器內，抽取真空度至10_2 Pa，靜置30min，使光刻膠高分子均勻滲透入ZnO 納米線之間；
(3)在真空中使用勻膠機對ZnO片進行勻膠工藝，轉速為4000轉/分，時間60s，可以得到6 μm厚的光刻膠膜；
(4)使用Ar等離子去膠機對ZnO片進行處理，去膠條件為400sccm Ar,功率350W，處理20分鐘后去除 3 μ m光刻膠，因此暴露出2 μ m ZnO納米線；
(5)將ZnO片置于直徑為15nm的磁性!^e3O4納米顆粒溶液中，通過物理吸附的方法將 Fe3O4納米顆粒修飾在ZnO納米線表面；
(6)將上述ZnO片置于丙酮中，振蕩15min，去除剩余光刻膠，此時暴露出未修飾的SiO 納米線長度為3 μ m ；再將ZnO置于5mmol/L辛基磷酸甲醇溶液中，常溫反應4小時后取出并用大量甲醇沖洗表面，此時可以獲得磁性納米顆粒與有機磷酸分子集成的ZnO納米線陣列。實施例6本實施例涉及了半導體納米顆粒與有機羧酸分子在碳納米管陣列表面的集成，其工藝包括如下步驟
(1)碳納米管陣列的制備采用CVD方法以直徑15mmSi片作為襯底，溶解有二茂鐵的二甲苯的溶液作為反應液；首先將Si襯底置于石英管式爐中加熱至800°C，同時通入 IOOsccm Ar作為載氣，然后在石英管載氣入口處滴加反應液，30分鐘后停止加熱并降溫至室溫；最后再升溫至550°C并保持30分鐘，反應結束后取出生長有碳納米管陣列的Si片， 碳納米管長度經掃描電子顯微鏡測量后為6 μ m ；
(2)取100μ L黏度為106 mPa-s的聚乙烯樹脂紫外光刻膠滴加于碳納米管陣列表面， 置于真空干燥器內，抽取真空度至10_2 Pa，靜置30min，使光刻膠高分子均勻滲透入碳納米管之間；
(3)在真空中使用勻膠機對碳納米管陣列進行勻膠工藝，轉速為1000轉/分，時間30s， 可以得到6μπι厚的光刻膠膜；
(4)使用Ar等離子去膠機對碳納米管陣列進行處理，去膠條件為200sccm Ar，功率 200W，處理30分鐘后去除約1 μ m光刻膠，因此暴露出1 μ m碳納米管；
(5)將碳納米管陣列置于直徑為IOnm的半導體Cdk納米顆粒溶液中，通過物理吸附的方法將CcKe納米顆粒修飾在碳納米管表面；
(6)將上述碳納米管片置于四氫呋喃中，振蕩15min，去除剩余光刻膠，此時暴露出未修飾的碳納米管長度為5μπι;再將碳納米管置入0. lmol/L羧基吡啶的乙醇溶液中，室溫下充分振蕩反應4小時，使吡啶分子通過π-π相互作用結合在碳納米管表面，此時獲得半導體納米顆粒與有機羧酸分子集成的碳納米管陣列。 上述實施例僅為說明本發明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發明的內容并據以實施，并不能以此限制本發明的保護范圍。凡根據本發明精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種多功能集成的納米線陣列制備方法，其特征在于，該方法為利用有機高分子溶液覆蓋納米線陣列，并在真空環境下靜置使有機高分子溶液均勻填充各納米線之間的間隙，形成一整體結構；其后，去除該整體結構局部表面上的有機高分子材料，使納米線陣列上的至少一選定區域暴露在外，再在該至少一選定區域中的各納米線表面修飾至少一種功能性材料；而后，以有機溶劑去除該整體結構的其它局部表面的有機高分子材料，使納米線陣列上的至少另一選定區域暴露在外，再在該至少另一選定區域中的各納米線表面修飾至少另一種功能性材料，從而獲得目標產物。
2.根據權利要求1所述的多功能集成的納米線陣列制備方法，其特征在于，該方法具體為利用有機高分子溶液覆蓋納米線陣列，并在真空環境下靜置使有機高分子溶液均勻填充各納米線之間的間隙，形成一整體結構，繼而利用勻膠方法處理該整體結構使其表面平整；其后，以干法去膠工藝去除該整體結構局部表面上的有機高分子材料，使納米線陣列上的一選定區域暴露在外，再在該選定區域中的各納米線表面修飾至少一種功能性材料；而后，以有機溶劑去除該整體結構表面上的其余有機高分子材料，使納米線陣列上的其余區域均暴露在外，再在該其余區域中的各納米線表面修飾至少另一種功能性材料，從而獲得目標產物。
3.根據權利要求2所述的多功能集成的納米線陣列制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟a、首先將有機高分子溶液滴加至垂直納米線形成的納米線陣列表面，再于真空度為 10_2 IO4 Pa的真空環境中靜置5min 30min，使有機高分子溶液逐漸擴散滲透入各納米線之間；b、在真空或大氣環境中，利用勻膠方法處理覆蓋在納米線陣列上的有機高分子材料， 形成表面平整的有機高分子膜，其中勻膠速率為1000 4000轉/分鐘，持續時間30 90 秒；C、使用干法去膠工藝去除部分有機高分子膜，使納米線陣列表面的局部區域暴露在外，再以物理吸附或化學共價鍵結合的方式將功能性材料修飾到暴露在外的納米線陣列表面上；d、利用有機溶劑溶解去除有機高分子膜的殘余部分，并以其它功能性材料修飾納米線陣列表面的其余部分。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的多功能集成的納米線陣列制備方法，其特征在于所述納米線陣列至少選自Si納米線陣列、ZnO納米線陣列、TiO2納米線陣列、In2O3納米線陣列和碳納米管陣列中的任意一種；所述有機高分子材料至少選自聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚乙烯醇和紫外光刻膠中的任意一種；所述功能性材料至少選自納米顆粒、有機小分子和生物大分子中的任意一種。
5.根據權利要求4所述的多功能集成的納米線陣列制備方法，其特征在于所述納米顆粒至少選自半導體納米顆粒、金屬納米顆粒和磁性納米顆粒中的任意一種；所述有機小分子至少選自硅烷分子、羧酸分子和有機磷酸分子中的任意一種； 所述生物大分子至少選自核酸分子、蛋白質和細胞中的任意一種。
6.根據權利要求1-3中任一項所述的多功能集成的納米線陣列制備方法，其特征在于，所述納米線陣列高度為100 nm 30 μ m，納米線陣列襯底的直徑為IOmm 150mm。
7.根據權利要求1-3中任一項所述的多功能集成的納米線陣列制備方法，其特征在于，所述有機高分子溶液的黏度為1 IO7 mPa · S。
8.根據權利要求4所述的多功能集成的納米線陣列制備方法，其特征在于，所述紫外光刻膠至少選自酚醛樹脂型、聚異戊二烯型和聚乙烯樹脂型光刻膠中的任意一種。
9.根據權利要求2-3中任一項所述的多功能集成的納米線陣列制備方法，其特征在于，所述干法去膠工藝至少選自O2等離子去膠、Ar等離子體去膠、離子束刻蝕工藝中的任意一種。
10.根據權利要求1-3中任一項所述的多功能集成的納米線陣列制備方法，其特征在于，所述有機溶劑至少選自甲苯、丙酮、己烷、氯仿、四氫呋喃中的任意一種。
全文摘要
本發明公開了一種多功能集成的納米線陣列制備方法。該方法為首先在納米線陣列表面覆蓋一層有機高分子溶液，真空環境下靜置使有機高分子均勻滲透入納米線之間，繼而利用勻膠的方法得到平整的表面；然后使用干法去膠工藝處理表面，暴露部分納米線陣列并對這一部分納米線進行表面修飾；繼而利用有機溶劑去除剩余有機高分子并對因此暴露出的納米線部分做進一步修飾。本發明能夠在單根納米線表面可控、可重復且一致地集成多種功能，如發光、磁性、生物標記等，制備工藝簡單，對不同類型的納米線陣列具有普適性，適用于基因藥物載體、生物/化學傳感以及復合材料等新材料領域。
文檔編號B81C1/00GK102358615SQ20111034785
公開日2012年2月22日 申請日期2011年11月7日 優先權日2011年11月7日
發明者劉永萍, 衛芬芬, 孔濤, 張 杰, 張琦, 程國勝, 蘇瑞鞏, 黃榮 申請人:中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所