核密度計非防爆法蘭盤的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及核儀表技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種核密度計非防爆法蘭盤。其包括環(huán)形的盤體，所述盤體的內(nèi)側(cè)形成外端直徑大而內(nèi)端直徑小的呈階梯形的安裝孔，所述盤體上沿圓周方向設置有若干個連接孔，所述盤體的內(nèi)側(cè)端面上凹陷設有可容置密封圈的環(huán)形凹槽。本實用新型能夠與非防爆探測器外殼連接法蘭快速實現(xiàn)緊密貼合，且相互貼合后有一個可以放密封圈的環(huán)形凹槽，不但可以很好地起到緩沖作用，使金屬面之間貼合地更加緊密，而且可以很好地起到防水的作用，結(jié)構(gòu)設計簡單合理，安裝快捷方便。
【專利說明】
核密度計非防爆法蘭盤
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及核輻射儀表技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種核密度計非防爆法蘭盤。
【背景技術(shù)】
[0002]核料位計由三大部分組成:變送器單元、探測器單元、放射源及源罐。探測器單元主要由外殼、碘化鈉晶體、光電倍增管、前置放大板及航空插座等組成。
[0003]核密度計非防爆探測器應用于一般場合，防爆探測器外殼與法蘭連接時必須要滿足一定的技術(shù)等級要求以及現(xiàn)場安裝的方便快捷性。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種連接緊密可靠、緩沖性能好且滿足防水等級要求的核密度計非防爆法蘭盤。
[0005]為實現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實用新型采用以下的技術(shù)方案:
[0006]核密度計非防爆法蘭盤，包括環(huán)形的盤體，所述盤體的內(nèi)側(cè)形成外端直徑大而內(nèi)端直徑小的呈階梯形的安裝孔，所述盤體上沿圓周方向設置有若干個連接孔，所述盤體的內(nèi)側(cè)端面上凹陷設有可容置密封圈的環(huán)形凹槽。
[0007]作為優(yōu)選，所述盤體的外側(cè)端面位于所述安裝孔的周緣處向外延伸形成環(huán)形凸緣。
[0008]作為優(yōu)選，所述環(huán)形凹槽的截面為半圓形。
[0009]作為優(yōu)選，所述連接孔設置有六個且沿圓周方向均勻分布。
[0010]本實用新型具有至少以下有益效果:非防爆探測器外殼連接法蘭與本非防爆法蘭盤能夠快速實現(xiàn)緊密貼合，且相互貼合后有一個可以放密封圈的環(huán)形凹槽，不但可以很好地起到緩沖作用，使金屬面之間貼合地更加緊密，而且可以很好地起到防水的作用，結(jié)構(gòu)設計簡單合理，安裝快捷方便。
【附圖說明】

[0011]以下附圖僅旨在于對本實用新型做示意性說明和解釋，并不限定本實用新型的范圍。其中:
[0012]圖1是本實用新型實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是本實用新型實施例的仰視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖中:1-盤體;2-安裝孔;3-連接孔;4-環(huán)形凹槽;5-環(huán)形凸緣。
【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和實施例，進一步闡述本實用新型。在下面的詳細描述中，只通過說明的方式描述了本實用新型的某些示范性實施例。毋庸置疑，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以認識到，在不偏離本實用新型的精神和范圍的情況下，可以用各種不同的方式對所描述的實施例進行修正。因此，附圖和描述在本質(zhì)上是說明性的，而不是用于限制權(quán)利要求的保護范圍。
[0016]如圖1和圖2所示，核密度計非防爆法蘭盤，包括環(huán)形的盤體I，所述盤體I的內(nèi)側(cè)形成外端直徑大而內(nèi)端直徑小的呈階梯形的安裝孔2，所述盤體I上沿圓周方向設置有若干個連接孔3，本實施例中連接孔6設置有六個且均勻分布，以便于安裝；
[0017]所述盤體I的內(nèi)側(cè)端面上凹陷設有可容置密封圈的環(huán)形凹槽4;所述盤體I的外側(cè)端面位于所述安裝孔2的周緣處向外延伸形成環(huán)形凸緣5。采用上述結(jié)構(gòu)設計，本非防爆法蘭盤與探測器外殼連接法蘭能夠快速實現(xiàn)緊密貼合，通過環(huán)形凹槽4及密封圈，不但可以很好地起到緩沖作用，使金屬面之間貼合地更加緊密，而且可以很好地起到防水的作用，利于提尚防水性能。
[0018]其中，所述環(huán)形凹槽4的截面最好設計為半圓形，不但加工方便，而且便于放置O型密封圈。
[0019]以上所述僅為本實用新型示意性的【具體實施方式】，并非用以限定本實用新型的范圍。任何本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型的構(gòu)思和原則的前提下所作出的等同變化與修改，均應屬于本實用新型保護的范圍。
【主權(quán)項】
1.核密度計非防爆法蘭盤，其特征在于:包括環(huán)形的盤體(I)，所述盤體(I)的內(nèi)側(cè)形成外端直徑大而內(nèi)端直徑小的呈階梯形的安裝孔(2)，所述盤體(I)上沿圓周方向設置有若干個連接孔(3)，所述盤體(I)的內(nèi)側(cè)端面上凹陷設有可容置密封圈的環(huán)形凹槽(4)。2.如權(quán)利要求1所述的核密度計非防爆法蘭盤，其特征在于:所述盤體(I)的外側(cè)端面位于所述安裝孔(2)的周緣處向外延伸形成環(huán)形凸緣(5)。3.如權(quán)利要求1所述的核密度計非防爆法蘭盤，其特征在于:所述環(huán)形凹槽(4)的截面為半圓形。4.如權(quán)利要求1、2或3所述的核密度計非防爆法蘭盤，其特征在于:所述連接孔(3)設置有六個且沿圓周方向均勻分布。
【文檔編號】F16B1/02GK205715094SQ201620607581
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月20日
【發(fā)明人】蔣漢中, 黃立立
【申請人】南京必福斯核技術(shù)有限公司