本申請涉及熒光成像領域，具體涉及一種熒光靶標以及熒光靶標的制備與標定方法。

背景技術：

1、熒光成像是一種基于熒光現象的高靈敏度成像技術，其中，熒光現象是指熒光物質受到激發后釋放出光能，產生熒光的現象。在熒光成像技術中，熒光現象是指樣品中的熒光標記物被激發后發出的熒光信號，這些信號被檢測器捕獲，并轉化為圖像。

2、隨著技術的發展，熒光成像設備的內部光路越發復雜，其應用場景與成像對象也越發多樣化。由此，在實際成像時，可能產生誤差(如鏡頭畸變)，為保證熒光成像設備的成像精度，在使用前可以對熒光成像設備的部分參數進行標定。由此，如何實現對熒光成像設備的標定是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

技術實現思路

1、有鑒于此，本申請實施例提供了一種熒光靶標以及熒光靶標的制備與標定方法，以解決熒光成像設備的標定問題。

2、第一方面，本申請提供一種熒光靶標應用于基于弱光熒光成像技術的接觸式成像設備，熒光靶標包括基板，基板包括：第一表面，用于與成像設備的成像窗片接觸式配合。與第一表面相對的第二表面。以及多個凹槽，多個凹槽設置在第一表面且朝第二表面延伸。其中，多個凹槽的排布情況與預設標定圖像匹配，用于容納熒光材料以釋放與預設標定圖像對應的熒光信號，預設標定圖像用于標定成像設備的成像視野。

3、第二方面，本申請提供一種熒光靶標的制備方法，方法包括：確定透光基板。基于預設標定圖像采用圖像轉移技術在透光基板表面生成遮光掩膜，其中，遮光掩膜與預設標定圖像匹配。基于遮光掩膜對透光基板依次執行曝光工藝、顯影工藝以及刻蝕工藝，以在透光基板中第一表面形成與預設標定圖像對應的多個凹槽。清除遮光掩膜。

4、第三方面，本申請提供一種基于熒光靶標的成像設備標定方法，應用于基于弱光熒光成像技術的接觸式成像設備，方法包括：確定熒光材料以及熒光靶標，其中，熒光靶標為第一方面的熒光靶標，熒光材料用于填充熒光靶標。響應于熒光靶標與成像設備的成像窗片接觸式配合，調整成像設備的焦平面位置至目標聚焦深度，執行熒光成像，確定目標聚焦深度的熒光標定圖像，其中，目標聚焦深度與熒光靶標的多個凹槽匹配。以及基于熒光標定圖像標定成像設備的視野成像視野，以確定成像設備的成像視野和/或成像畸變。

5、本申請實施例提供了一種熒光靶標以及熒光靶標的制備與標定方法。本申請提供的熒光靶標制備簡單，成本較低，降低了標定的成本。基于本申請提供的熒光靶標進行標定時可以選取與成像設備對應的熒光材料，以實現不同類型熒光成像設備的標定。此外，在進行標定時，熒光材料可以直接呈現在成像設備與熒光靶標的接觸界面，降低了對成像范圍的要求，并且可以在測試中測定其他參數，從而提高了標定方法的泛用性與復用性。

技術特征：

1.一種熒光靶標，其特征在于，應用于基于弱光熒光成像技術的接觸式成像設備，所述熒光靶標包括基板，所述基板包括：

2.根據權利要求1所述的熒光靶標，其特征在于，所述基板的形狀與所述成像窗片匹配。

3.根據權利要求2所述的熒光靶標，其特征在于，所述熒光靶標還包括遮光層，所述遮光層設置在所述第二表面，用于當所述成像設備的成像窗片接觸式配合時，阻擋外部光線，以形成弱光環境。

4.根據權利要求1所述的熒光靶標，其特征在于，所述熒光靶標還包括物理引導結構，所述物理引導結構用于基于物理結構與所述成像設備可拆卸連接，以使所述第一表面與所述成像窗片接觸式配合。

5.根據權利要求4所述的熒光靶標，其特征在于，所述物理引導結構環設于所述基板，由遮光材料構成，還用于當所述成像設備的成像窗片接觸式配合時，阻擋外部光線，以形成弱光環境。

6.根據權利要求4所述的熒光靶標，其特征在于，所述物理引導結構還用于將所述多個凹槽可拆卸地裝配到所述成像設備的視野中心。

7.根據權利要求1所述的熒光靶標，其特征在于，所述多個凹槽相對于所述基板表面的高度差為預設深度，所述預設深度與所述成像設備的成像深度范圍匹配。

8.根據權利要求1所述的熒光靶標，其特征在于，所述多個凹槽的區域范圍不小于所述成像設備的成像區域。

9.一種熒光靶標的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

10.一種基于熒光靶標的成像設備標定方法，其特征在于，應用于基于弱光熒光成像技術的接觸式成像設備，所述方法包括：

技術總結
本申請提供一種熒光靶標以及熒光靶標的制備與標定方法，涉及熒光成像領域。熒光靶標在表面設置有容納熒光材料的多個凹槽。其中，凹槽可以基于預設標定圖像設置。由此，當熒光靶標裝配在成像設備時，可以通過凹槽使熒光材料以釋放與預設標定圖像對應的熒光信號，以對成像設備的成像視野進行標定。本申請提供的熒光靶標制備簡單，成本較低，降低了標定的成本。基于本申請提供的熒光靶標進行標定時可以選取與成像設備對應的熒光材料，以實現不同類型熒光成像設備的標定。此外，在進行標定時，熒光材料可以直接呈現在成像設備與熒光靶標的接觸界面，降低了對成像范圍的要求，并且可以在測試中測定其他參數，從而提高了標定方法的泛用性與復用性。

技術研發人員：王俊杰,李林霜,林楓,王愛民,程和平
受保護的技術使用者：北京大學
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28