專利名稱：觸控面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種觸控面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
觸控接口由于可讓使用者輕松輸入數(shù)據(jù)及點選功能，因此相關(guān)的觸控技術(shù)也越來越多元化。觸控面板依照感應(yīng)原理的不同，可分為電阻式(Resistive)、電容式 (Capacitive)、超音波式(Surface Acoustic Wave)及光學式(Optics)。上述電容式觸控面板又可分為表面電容式(Surface Capacitive)及投射電容式(Projected Capacitive)。 近年來，以具有多點觸控(Multi-Touch)功能的投射電容式觸控技術(shù)最為受到矚目。一般的投射電容式技術(shù)是利用電極與觸控物間的產(chǎn)生電容耦合，并量測電極的電容變化來確定觸控位置。這是因為投射式電容觸控面板中可采用單層或多層圖案化的透明電極來作為感測單元，因此可得到精確的觸控位置。上述投射式電容面板若采用單層圖案化的透明電極，其制造流程通常需要四道光罩制程。四道光罩制程分別用以形成圖案化的金屬線、絕緣層、透明電極以及保護層。若采用雙層圖案化的透明電極，則需要五道光罩制程。若制程所需光罩越多，則制造時間越長。因此，需要一種新穎的制造方法，期能減少制程步驟，以降低制程時間及降低制程成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一態(tài)樣是在提供一種觸控面板的制造方法，其包含下列步驟。形成金屬層于基板上。形成圖案化光阻層于金屬層上，并露出一部分的金屬層。上述圖案化光阻層具有第一區(qū)及第二區(qū)，且第一區(qū)的圖案化光阻層的厚度大于第二區(qū)的圖案化光阻層的厚度。 移除露出部分的金屬層，以形成金屬導線并露出一部分的基板。薄化圖案化光阻層，以移除第二區(qū)的圖案化光阻層，使其下方的金屬導線露出。形成絕緣層于露出的金屬導線、露出部分的基板及第一區(qū)的圖案化光阻層上。移除第一區(qū)的圖案化光阻層及位于其上的絕緣層， 以于絕緣層中形成接觸窗。形成圖案化透明導電層于接觸窗中及絕緣層上。形成保護層于圖案化透明導電層上。在一實施方式中，形成圖案化光阻層步驟包含使用一灰階光罩。在一實施方式中，圖案化光阻層用以定義金屬導線。在一實施方式中，第一區(qū)的圖案化光阻層用以定義接觸窗。在一實施方式中，在薄化圖案化光阻層后，第一區(qū)的圖案化光阻層的厚度大于絕緣層的厚度。在一實施方式中，第一區(qū)的圖案化光阻層的厚度對絕緣層的厚度的比為約3 1至 5 :1。在一實施方式中，移除第一區(qū)的圖案化光阻層及位于其上的絕緣層步驟包含使用一溶液溶解第一區(qū)的圖案化光阻層。
在一實施方式中，上述透明導電層包含氧化銦錫。在一實施方式中，薄化圖案化光阻層的步驟包含以氧氣等離子處理圖案化光阻層。在一實施方式中，形成保護層的步驟包含于保護層形成一開口，以露出圖案化透明導電層。由上述可知，本制造方法可利用三道光罩制程制作觸控面板，因此可縮短制程時間及減少生產(chǎn)成本。上述發(fā)明內(nèi)容旨在提供本揭示內(nèi)容的簡化摘要，以使閱讀者對本揭示內(nèi)容具備基本的理解。此發(fā)明內(nèi)容并非本揭示內(nèi)容的完整概述，且其用意并非在指出本發(fā)明實施例的重要/關(guān)鍵組件或界定本發(fā)明的范圍。在參閱下文實施方式后，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者當可輕易了解本發(fā)明的基本精神及其它發(fā)明目的，以及本發(fā)明所采用的技術(shù)手段與實施態(tài)樣。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附圖式的說明如下
圖1是繪示依照本發(fā)明一實施方式的觸控面板的俯視示意圖。圖2A-圖2F是繪示依照本發(fā)明一實施方式的觸控面板的制造方法的各制程階段剖面示意圖。
具體實施例方式以下將以圖式公開本發(fā)明的復數(shù)個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見， 一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與組件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。圖1是繪示依照本發(fā)明一實施方式的觸控面板的俯視示意圖。圖2A-2F圖繪示本發(fā)明一實施方式的觸控面板的制造方法中各制程階段的剖面示意圖，其為沿著圖1中A-A’ 的剖面線段。以下將詳細說明各個制程步驟。首先，形成金屬層120于基板110上，如圖2A所示。基板的材質(zhì)例如可為玻璃。 金屬層 120 的材質(zhì)可為鋁(Aluminum)、鉻(Chromium)、鎳(Nickel)、· (Molybdenum)或釹 (Neodymium)。例如可使用濺鍍制程來制作金屬層120。然后，形成圖案化光阻層130于金屬層120上，并露出一部分的金屬層120，如圖 2A所示。上述圖案化光阻層130可分為第一區(qū)130a及第二區(qū)130b，且第一區(qū)130a的圖案化光阻層130的厚度大于第二區(qū)130b的圖案化光阻層130的厚度。在一實施方式中，可使用灰階光罩來形成圖案化光阻層130的第一區(qū)130a及第二區(qū)130b。舉例來說，可先形成一層光阻層，然后藉由灰階光罩來定義光阻層的的第一區(qū)130a及第二區(qū)130b的圖案。隨后，經(jīng)過顯影制程，而可得到不同位置具有不同厚度的圖案化光阻層130。上述光阻層可為正型光阻或負型光阻。這是因為在灰階光罩上各位置的光穿透率不同，使得微影后的圖案化光阻層130具有不同的厚度。可使用高對比的光阻劑來制作，而可在顯影制程后得到較陡側(cè)壁的圖案化光阻層130。然后，根據(jù)圖案化光阻層130來移除露出部分的金屬層120，以形成金屬導線122 并露出一部分的基板110，如圖2B所示。例如可使用濕式蝕刻制程來移除露出的金屬層 120。因此，圖案化光阻層130的第一區(qū)130a及第二區(qū)130b可用以定義金屬導線122的圖案。接著，薄化圖案化光阻層130而移除第二區(qū)130b的圖案化光阻層，以露出原本第二區(qū)130b的圖案化光阻層130下方的金屬導線122，如圖2B所示。例如可使用氧氣等離子來去除一定厚度的圖案化光阻層130，直至完全去除第二區(qū)130b的圖案化光阻層130。因此，可暴露出第二區(qū)130b的圖案化光阻層130下方的金屬導線122。并且，第一區(qū)130a的圖案化光阻層130的厚度也會變薄。留下的第一區(qū)130a的圖案化光阻層130的厚度可例如為1. 0至1. 5m。接下來，可根據(jù)剩余的第一區(qū)130a的圖案化光阻層130來設(shè)計相關(guān)制程以制造其它層的結(jié)構(gòu)。隨后，形成絕緣層140于露出的金屬導線122、露出部分的基板110及第一區(qū)130a 的圖案化光阻層130上，如圖2C所示。絕緣層140的材質(zhì)可為氧化硅。例如可使用化學氣相沉積法來形成絕緣層140。在沉積絕緣層140的制程中，第一區(qū)130a的圖案化光阻層130 側(cè)邊沉積的絕緣層140的厚度可能偏薄或露出部分圖案化光阻層130。在一實施方式中，第一區(qū)130a的圖案化光阻層130的厚度大于絕緣層140的厚度。舉例來說，在第一區(qū)130a的圖案化光阻層130上方的絕緣層140的厚度可例如為0. 2 至 0. 3 m。在一實施方式中，第一區(qū)130a的圖案化光阻層130的厚度對絕緣層140的厚度之比為約3 :1至5 :1。若上述厚度比越大，則可能露出的圖案化光阻層130的面積越大。然后，移除第一區(qū)130a的圖案化光阻層130及位于其上的絕緣層140，以于絕緣層 140中形成接觸窗140a，如圖2D所示。移除的方法可利用剝離法(lift-off method)。詳細來說，可先使用溶液來溶解光阻層。溶液例如可為堿性溶液。藉由溶液接觸暴露出的圖案化光阻層130，進而溶解整個圖案化光阻層130。因此，可連帶地將圖案化光阻層130上方的絕緣層140剝離，而可于絕緣層140中形成接觸窗140a。接觸窗140露出一部分的金屬導線122。由此可知，第一區(qū)130a的圖案化光阻層130可用以定義接觸窗140a。因此， 圖案化光阻層130除了可用以定義金屬導線122之外，在薄化后所留下的第一區(qū)130a的圖案化光阻層130還可用以定義絕緣層140中的接觸窗140a。綜合上述可知，可利用一道灰階光罩及剝離法來制作金屬導線122及絕緣層140的結(jié)構(gòu)。接著，形成圖案化透明導電層150于接觸窗140a中及絕緣層140上，如圖2E所示。 因此，可藉由接觸窗140a讓金屬導線122及圖案化透明導電層150接觸而可電性連接。圖案化透明導電層150可含有氧化銦錫。舉例來說，可先使用物理氣相沈積法或化學氣相沈積法來制作一層透明導電層。然后，以一道光罩來定義透明導電層的圖案，再進行微影蝕刻制程來形成圖案化透明導電層150。例如可形成如圖1繪示的圖案化透明導電層150。各個透明導電層區(qū)塊可用狹縫150a來區(qū)隔。然后，形成保護層160于圖案化透明導電層150上，如圖2F所示。在形成保護層 160之后，即形成圖1繪示的觸控面板。保護層160的材質(zhì)可為氧化硅。例如可使用化學氣相沈積法先形成一層保護層160。然后，以一道光罩來定義保護層160的圖案，再進行微影蝕刻制程來形成圖案化的保護層160。此外，圖案化的保護層160中可具有開口 160a，而露出一部分的圖案化透明導電層150。露出的圖案化透明導電層150可用以連接其它電子組件，或用以測試觸控面板的電性特性。由上述可知，可利用一道灰階光罩及剝離法來制作金屬導線及絕緣層的結(jié)構(gòu)。然后，再以兩道光罩及相關(guān)制程來分別形成圖案化透明導電層及保護層，而可完成觸控面板的制作。因此，本制造方法可利用三道光罩制程來制作觸控面板，而可縮短制程時間及減少生產(chǎn)成本。雖然本發(fā)明已以實施方式公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視前述的申請專利范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種觸控面板的制造方法，其特征在于，包含形成一金屬層于一基板上；形成一圖案化光阻層于該金屬層上，并露出一部分該金屬層，其中該圖案化光阻層具有一第一區(qū)及一第二區(qū)，且該第一區(qū)的圖案化光阻層的一厚度大于該第二區(qū)的圖案化光阻層的一厚度；移除該露出部分的金屬層，以形成一金屬導線并露出一部分該基板； 薄化該圖案化光阻層，以移除該第二區(qū)的圖案化光阻層，使其下方的該金屬導線露出；形成一絕緣層于該露出的金屬導線、該露出部分的基板及該第一區(qū)的圖案化光阻層上；移除該第一區(qū)的該圖案化光阻層及位于其上的該絕緣層，以于該絕緣層中形成一接觸窗；形成一圖案化透明導電層于該接觸窗中及該絕緣層上；以及形成一保護層于該圖案化透明導電層上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該圖案化光阻層步驟包含使用一灰階光罩。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該圖案化光阻層用以定義該金屬導線。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該第一區(qū)的該圖案化光阻層用以定義該接觸窗。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，薄化該圖案化光阻層后，該第一區(qū)的圖案化光阻層的一厚度大于該絕緣層的一厚度。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該第一區(qū)的圖案化光阻層的該厚度對該絕緣層的該厚度之比為約3 :1至5 :1。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，移除該第一區(qū)的該圖案化光阻層及位于其上的該絕緣層步驟包含使用一溶液溶解該第一區(qū)的該圖案化光阻層。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該透明導電層包含氧化銦錫。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，薄化該圖案化光阻層包含以氧氣等離子處理該圖案化光阻層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該保護層包含于該保護層形成一開口，以露出該圖案化透明導電層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種觸控面板的制造方法。此制造方法包括下列步驟。形成金屬層于基板上。形成圖案化光阻層于金屬層上，圖案化光阻層具有第一區(qū)及第二區(qū)，第一區(qū)的圖案化光阻層的厚度大于第二區(qū)的圖案化光阻層的厚度。移除露出的金屬層以形成金屬導線。薄化圖案化光阻層，以移除第二區(qū)的圖案化光阻層。形成絕緣層于金屬導線、基板及第一區(qū)的圖案化光阻層上。移除第一區(qū)的圖案化光阻層及其上方的絕緣層，以于絕緣層中形成接觸窗。形成圖案化透明導電層于接觸窗中及絕緣層上。形成保護層于圖案化透明導電層上。
文檔編號G06F3/044GK102411462SQ20111036795
公開日2012年4月11日 申請日期2011年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月18日
發(fā)明者蔡佑立, 邱維彥 申請人:中華映管股份有限公司, 華映視訊(吳江)有限公司