信息記錄介質用玻璃基板以及信息記錄介質的制作方法
【專利摘要】該信息記錄介質用玻璃基板和信息記錄介質設置成第1滾降變化量（S1）和第2滾降變化量（S2）處于≤第1滾降變化量（S1）（條件1）和≤第2滾降變化量（S2）（條件2）的范圍內。
【專利說明】信息記錄介質用玻璃基板以及信息記錄介質
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及信息記錄介質用玻璃基板以及信息記錄介質。
【背景技術】
[0002]在HDD (Hard Disk Drive:硬盤驅動器)等信息記錄裝置中，內置有磁盤或磁光盤等圓板狀的信息記錄介質。信息記錄介質中采用了圓板狀的信息記錄介質用玻璃基板。在信息記錄介質用玻璃基板的主表面上，形成有包含利用了磁、光、或光磁等的性質的記錄層的磁薄膜層。磁薄膜層通過磁頭被磁化，由此將規定的信息記錄到信息記錄介質中。
[0003]信息記錄介質在HDD等信息記錄裝置的內部高速旋轉。為了向信息記錄介質進行信息的記錄和信息記錄介質中的信息的再現，磁頭在形成于信息記錄介質用玻璃基板的主表面上的磁薄膜層上飛行。為了提高記錄密度，信息記錄裝置中采用了 DHl (DynamicFlying Height:動態飛行高度)機構。
[0004]磁頭與信息記錄介質的最表面(磁薄膜層的表面)之間的距離(以下稱作“懸浮高度”。)為超過IOnm的間隔。在將信息記錄介質的中心到半徑方向的外端部的半徑長度設為了 100%的情況下，即使將磁頭行進區域擴展到從中心超過97%的區域，利用磁頭進行的向信息記錄介質的信息寫入和讀出也不會產生問題。
[0005]近年來，伴隨記錄密度的增加，懸浮高度處于減小的趨勢。通過降低懸浮高度，磁頭中的接收信號的S/N比提高，能夠提高向信息記錄介質中的記錄密度。
[0006]在懸浮高度為5nm以下的情況下,為了抑制信息記錄介質的最表面與磁頭的接觸(所謂的磁頭撞擊(head clash)現象)，對信息記錄介質用玻璃基板的主表面的平滑度和平坦度的要求日益增高。此外，認為在磁頭從退避位置朝向信息記錄介質的記錄面突入時，容易受到由于信息記錄介質的外周端面的形狀引起的空氣流的紊亂的影響，從而磁頭的懸浮變得不穩定(滑行雪崩(glide avalanche))。
[0007]由此，在從退避位置向信息記錄介質的記錄面上行進位置的移動中，當磁頭的懸浮變得不穩定時，會對記錄面上行進中的磁頭的懸浮產生不良影響。其結果，無法高效地提高向信息記錄介質中的記錄密度。
[0008]在日本特開2011 - 000704號公報(專利文獻I)和日本特開2007 — 257811號公報(專利文獻2)中記載了如下技術:為了增大可存儲在I張信息記錄介質中的信息量，與要求信息記錄介質的表面的平坦性同樣，在信息記錄介質的外緣附近，也同樣要求平坦性。
[0009]現有技術文獻
[0010]專利文獻
[0011]專利文獻1:日本特開2011-000704號公報
[0012]專利文獻2:日本特開2007-257811號公報

【發明內容】

[0013]發明所要解決的問題[0014]本發明所要解決的問題是以下方面:在磁頭從退避位置朝向信息記錄介質的記錄面突入時，容易受到由于信息記錄介質的外周端面附近區域的形狀引起的空氣流的紊亂的影響，從而磁頭的懸浮變得不穩定。
[0015]本發明就是鑒于上述實際情況而完成的，其目的在于提供一種具有如下結構的信息記錄介質用玻璃基板以及信息記錄介質，即在磁頭從退避位置朝向信息記錄介質的記錄面突入時，該結構使得難以產生由于信息記錄介質的外周端面附近區域的形狀引起的空氣流的紊亂。
[0016]用于解決問題的手段
[0017]基于本發明的信息記錄介質用玻璃基板被用于信息存儲裝置的信息記錄介質，具有旋轉中心，且為圓板狀，在該信息記錄介質用玻璃基板中，包含形成有上述磁薄膜層的主表面、和位于上述信息記錄介質用玻璃基板的緣部的外周端面。
[0018]在上述主表面的從所述外周端面朝向所述旋轉中心的半徑方向距離中，在將連接所述主表面上的距離所述外周端面的所述半徑方向距離為1.2mm的位置的點和距離所述外周端面的所述半徑方向距離為0.75mm的位置的點的延長線設為基準位置，將在穿過上述旋轉中心的旋轉軸延伸的方向上上述基準位置與上述主表面上的所選擇的任意位置之間的偏離量設為滾降(roll off)值的情況下，將距離上述外周端面的上述半徑方向距離為
0.55mm的第I半徑位置處的上述滾降值設為第I滾降值，將距離上述外周端面的上述半徑方向距離為0.45mm的第2半徑位置處的上述滾降值設為第2滾降值，將距離上述外周端面的上述半徑方向距離為0. 30mm的第3半徑位置處的上述滾降值設為第3滾降值，在將上述第I滾降值與上述第2滾降值之差設為第I滾降變化量，將上述第2滾降值與上述第3滾降值之差設為第2滾降變化量的情況下，上述第I滾降變化量和上述第2滾降變化量滿足下述條件I和條件2。
[0019]180,4≤第I滾降變化量空)90 A..?條件I
[0020]650人≤第2滾降變化量勺700入..?條件2
[0021]在其他方式中，上述條件I為180Λ≤第I滾降變化量≤450 A，上述條件2為810 A≤第2滾降變化量≤2480 A。
[0022]在其他方式中，上述條件I為250A≤第I滾降變化量≤450A，上述條件2為950 AS第2滾降變化量S1S70A。
[0023]在其他方式中，上述信息記錄介質用玻璃基板在上述主表面與上述外周端面相交的區域中，具有從上述外周端面起的上述半徑方向上的寬度為0.1mm的傾斜面。
[0024]在其他方式中，從上述外周端面至上述旋轉中心軸的上述半徑方向距離為32.5mm0
[0025]基于本發明的信息記錄介質是用于信息存儲裝置的信息記錄介質，其具有上述信息記錄介質用玻璃基板、和設置在上述信息記錄介質用玻璃基板的主表面上的磁薄膜層。
[0026]在其他方式中，上述主表面的單面側的記錄密度為500G比特/平方英寸以上。
[0027]發明的效果
[0028]根據基于本發明的信息記錄介質用玻璃基板和信息記錄介質，能夠提供一種具有如下結構的信息記錄介質用玻璃基板以及信息記錄介質，即在磁頭從退避位置朝向信息記錄介質的記錄面突入時，該結構使得難以產生由于信息記錄介質的外周端面附近區域的形狀引起的空氣流的紊亂。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1是示出實施方式中的信息記錄裝置的概略結構的圖。
[0030]圖2是實施方式中的信息記錄介質用玻璃基板的立體圖。
[0031]圖3是實施方式中的信息記錄介質的立體圖。
[0032]圖4是圖2中的IV線箭頭部分放大剖視圖。
[0033]圖5是示出實施例1至實施例6以及比較例I的信息記錄介質各自的第I半徑位置Pl處的第I滾降值R01、第2半徑位置P2處的第2滾降值R02、和第3半徑位置P3處的第3滾降值R03的測定值的圖。
[0034]圖6是示出實施例1至實施例6以及比較例I中的各自的第I滾降值(R01 )、第2滾降值(R02 )、第3滾降值(R03 )、第I滾降變化量(SI)、第2滾降變化量(S2 )、磁頭撞擊的有無(LU)、距外周端面1.3mm位置處的懸浮測試評價(GAl )、距外周端面1.1mm位置處的懸浮測試評價(GA2)、和距外周端面0.9mm位置處的懸浮測試評價(GA3)的圖。
【具體實施方式】
[0035]以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】基于本發明的實施方式和實施例。在實施方式和實施例的說明中，在提及個數、量等的情況下，除了有特別記載的情況以外，本發明的范圍不一定限于該個數、量等。在實施方式和實施例的說明中，有時對相同的部件和對應部件標注相同的參考標號，并不重復進行重復的說明。
[0036](信息記錄裝置2的概略結構)
[0037]參照圖1，對信息記錄裝置2的概略結構的一例進行說明。圖1是示出實施方式中的信息記錄裝置2的概略結構的圖。
[0038]如圖1所示，信息記錄裝置2將磁頭2D與沿箭頭DRl方向被旋轉驅動的信息記錄介質I相對配置。之后將使用圖2和圖3敘述信息記錄介質I的形狀。信息記錄介質I以旋轉中心CP為中心高速旋轉。
[0039]磁頭2D被搭載到懸架2C的前端部。懸架2C被設置成能夠以支軸2A為支點沿箭頭DR2方向(跟蹤方向)轉動。在支軸2A上安裝有跟蹤用致動器2B。
[0040]在平面視圖中，磁頭2D在從信息記錄介質I偏離的退避位置與在信息記錄介質I上方懸浮行進的跟蹤(記錄面)位置之間移動。
[0041](信息記錄介質I的結構)
[0042]參照圖2和圖3，對信息記錄介質用玻璃基板IG和信息記錄介質I的結構進行說明。圖2是信息記錄介質用玻璃基板IG的立體圖，圖3是信息記錄介質I的立體圖。
[0043]如圖2所示，用于信息記錄介質I的信息記錄介質用玻璃基板IG(以下稱作“玻璃基板1G”。)呈在中心形成有孔11的環狀的圓板形狀。玻璃基板IG具有外周端面12、內周端面13、正主表面14和背主表面15。作為玻璃基板1G，使用無定形玻璃，外徑為大約65mm、內徑大約20mm、厚度大約0.8mm。[0044]如圖3所示，信息記錄介質I在上述玻璃基板IG的正主表面14上形成有磁薄膜層23。在圖示中，僅在正主表面14上形成有磁薄膜層23，但還能夠在背主表面15上設置磁薄膜層23。
[0045]作為磁薄膜層23的形成方法，能夠使用以往公知的方法，例如可列舉將使磁性粒子分散的熱固化性樹脂旋涂到基板上而形成的方法、通過濺射形成的方法、通過化學鍍形成的方法。
[0046]利用旋涂法的膜厚為大約0.3?1.2μπι左右，利用濺射法的膜厚為0.04?
0.08 μ m左右，利用化學鍍法的膜厚為0.05?0.1 μ m左右，從薄膜化和高密度化的觀點出發，利用濺射法和化學鍍法形成膜較好。
[0047]作為用于磁薄膜層23的磁性材料，沒有特別限定而能夠使用以往公知的磁性材料，但為了得到較高的保持力，適合的是Co系合金等，該Co系合金以晶態各向異性高的Co為基本，并以調整剩余磁通密度為目的而添加了 N1、Cr。近年來，作為適合于熱輔助記錄用的磁性層材料，使用了 FePt類的材料。
[0048]為了優化磁頭的光滑性，可以在磁薄膜層23的表面薄薄地涂敷潤滑劑。作為潤滑齊U，例如可列舉利用氟利昂類等的溶劑稀釋作為液體潤滑劑的全氟聚醚(PFPE)而得到的潤滑劑。
[0049]可以根據需要設置基底層、保護層。信息記錄介質I中的基底層根據磁性膜進行選擇。作為基底層的材料，例如可列舉從Cr、Mo、Ta、T1、W、V、B、Al、Ni等非磁性金屬中選擇的至少一種以上的材料。
[0050]基底層不限于單層，也可以采用將相同種類或不同種類的層層疊而得到的多層結構。例如可以采用 Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV, NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV 等的多層基底層。
[0051]作為防止磁薄膜層23的磨耗、腐蝕的保護層，例如可列舉Cr層、Cr合金層、碳層、氫化碳(hydrogenated carbon )層、氧化錯層、二氧化娃層等。能夠利用直列式派射裝置將保護層與基底層、磁性膜等一起連續形成。保護層可以為單層，或者還可以采用由相同種類或不同種類的層構成的多層結構。
[0052]可以在上述保護層上形成其他保護層，或者替代上述保護層而形成其他保護層。例如，可以替代上述保護層，而在Cr層上用酒精類的溶劑對四烷氧硅烷進行了稀釋過程中，分散涂覆膠體二氧化硅微粒，并進一步進行燒結而形成二氧化硅(Si02 )層。
[0053]接著，參照圖4說明玻璃基板IG的外周端面12側的形狀和滾降值R0。滾降值RO是指穿過旋轉中心CP的旋轉軸CL延伸的方向上的基準位置BP與所選擇的任意的主表面位置之間的偏離量，將連接正主表面14上的距離外周端面12的半徑方向距離為1.2mm的位置的點B1、和距離外周端面12的半徑方向距離為0.75mm的位置的點B2的延長線設為基準位置BP。另外，在背主表面15上進行測定的情況也與正主表面14的情況相同。
[0054]本實施方式中的玻璃基板IG具有圓板狀的形狀，為半徑(R)大約32.5mm、厚度(W)大約0.8mmο在外周端面12側,在正主表面14與外周端面12相交的區域中，設置有從外周端面12起的半徑方向上的寬度(R2)為0.1mm的傾斜面U。在背主表面15與外周端面12相交的區域中，也設置有相同的傾斜面U。在圖中，Rl為大約32.4_。
[0055]滾降值RO主要在玻璃基板IG的制造工序的研磨工序中形成。如果該滾降值RO過大，則在磁頭2D從退避位置朝向信息記錄介質的跟蹤(記錄面)位置突入時，產生空氣流的紊亂，從而成為使磁頭2D的懸浮不穩定(滑行雪崩)的主要原因。
[0056]因此，在本實施方式中，關于滾降值RO與空氣流的紊亂的產生之間的關系，進行了磁頭2D的懸浮測試。以下將懸浮測試的結果作為實施例示出。
[0057](實施例)
[0058]作為玻璃基板1G，使用了上述尺寸的玻璃基板。在研磨工序中將I批100張作為單位，從用雙面研磨裝置對10批進行加工后的玻璃基板中選擇形狀而得到了 7種(實施例1、實施例2、比較例I至比較例5)玻璃基板。
[0059]作為信息記錄介質1，在玻璃基板IG的主表面14上形成了磁薄膜層23。滾降值RO的測定(形狀評價)采用了 KLA-Tencor公司制的0SA6300。記錄方式采用垂直磁記錄方式，使用了圖1所示的、具有DFH機構的信息記錄裝置2。
[0060]信息記錄裝置2中的信息記錄介質I的旋轉速度為7200rpm。對各信息記錄介質I進行了滾降值RO的測定。具體而言，在距離外周端面12的半徑方向距離rl為0.55mm(與旋轉中心CP的距離為31.95mm)的第I半徑位置P1、距離外周端面12的半徑方向距離r2為0.45mm(與旋轉中心CP的距離為32.05mm)的第2半徑位置P2、以及距離外周端面12的半徑方向距離r3為0.30mm (與旋轉中心CP的距離為32.20mm)的第3半徑位置P3處，進行了滾降值RO的測定。
[0061]將第I半徑位置Pl處的滾降值RO設為了第I滾降值ROl。將第2半徑位置P2處的滾降值RO設為了第2滾降值R02。將第3半徑位置P3處的滾降值RO設為了第3滾降值R03。在滾降值為正值的情況下，是指主表面相比基準位置BP位于磁頭2D側，基準位置BP是連接正主表面14上的距離外周端面12為1.2mm的位置的點和距離外周端面12為
0.75mm的位置的點的延長線。
[0062]圖5示出將實施例1至實施例6以及比較例I的信息記錄介質I各自的第I半徑位置Pl處的第I滾降值R01、第2半徑位置P2處的第2滾降值R02、和第3半徑位置P3處的第3滾降值R03的測定值進行圖形化后的圖。圖6示出測定的數值數據。
[0063]在從進行測試的信息記錄介質I的主表面的外周端面朝向旋轉中心CP的半徑方向距離中，在穿過旋轉中心CP的垂直4個方向上測定各滾降值，將4個滾降值RO的平均值設為該半徑方向距離的滾降值R0。
[0064]在懸浮測試之前，對各信息記錄介質I進行了加載/卸載測試(LU)。反復進行1000次的加載/卸載并比較第I次和第1000次的磁頭加載時的讀輸出，在輸出降低了 20%以上的情況下，認為發生了磁頭撞擊(損傷)，確認了有無磁頭撞擊。
[0065]使磁頭2D行進，在3個半徑方向距離位置處各進行了兩次磁頭2D的懸浮測試。在距離外周端面12的半徑方向距離為1.3mm (與旋轉中心CP的距離為31.2mm)的第I測試位置GAl、距離外周端面12的半徑方向距離為1.1mm (與旋轉中心CP的距離為31.4mm)的第2測試位置GA2、以及距離外周端面12的半徑方向距離為0.9mm (與旋轉中心CP的距離為31.6mm)的第3半徑位置GA3處進行了懸浮測試。圖6示出其結果。在懸浮測試中，將磁頭2D離磁薄膜層23的最表面的懸浮高度設為了 5nm。對于懸浮測試，在日立〃八”)口夕一* (日立高新公司)制的RQ7800評價裝置中使用搭載了皮米滑橇(pico slider)的滑行測試頭進行了測試。[0066]懸浮測試合格是指如下情況:在第I至第3半徑位置上不產生空氣流的紊亂，磁頭2D在不與磁盤表面的突起碰撞或刮擦的情況下通過。
[0067]圖6中，“A”是指懸浮測試兩次均合格的情況，“B”是指在兩次懸浮測試中I次合格、I次不合格的情況，“C”是指懸浮測試兩次均不合格的情況，“一”是指不實施懸浮測試。
[0068]根據圖6所示的表，在實施例1和實施例2中使用的玻璃基板的加載/卸載測試(LU)合格，在GA1、GA2、GA3中的任意一個測試位置處，懸浮測試的評價均為“A”。
[0069]在實施例3中使用的信息記錄介質I的加載/卸載測試(LU)合格，在GAl和GA2的部位，懸浮測試的評價為“A”，但GA3的評價為“C”。
[0070]在實施例4中使用的信息記錄介質I的加載/卸載測試(LU)合格，GAl的評價為“A”，GA2的評價為“B”，GA3的評價為“C”。
[0071]在實施例5中使用的信息記錄介質I的加載/卸載測試(LU)合格，GAl的評價為“A”，GA2和GA3的評價為“C”。
[0072]在實施例6中使用的信息記錄介質I的加載/卸載測試(LU)合格，GAl的評價為“A”，GA2和GA3的評價為“C”。
[0073]在比較例I中使用的信息記錄介質I的加載/卸載測試(LU)不合格，因此不實施懸浮測試。
[0074]參照圖6，考察上述評價結果、與實施例1至實施例6以及比較例I的信息記錄介質I的滾降值之間的關系。將第I滾降值ROl與第2滾降值R02之差(R01 — R02)設為第I滾降變化量SI，將第2滾降值R02與第3滾降值R03之差(R02 — R03)設為第2滾降變化量(S2)。
[0075]根據實施例1和實施例2的評價結果，認為第I滾降變化量SI的最優選范圍是250 A <S I<450 A ,第2滾降變化量S2的最優選范圍是950 A切2^1870 A。
[0076]在排除了與旋轉中心CP最遠的GA3的位置處的評價的情況下，根據實施例1至實施例4的評價結果，認為第I滾降變化量SI的優選范圍是180 A；￡Slfi450A，第2滾降變化量S2的優選范圍是810 k <S2<2480 A。
[0077]在排除了與旋轉中心CP距離GA2、GA3的位置處的評價的情況下，根據實施例1至實施例6的評價結果，認為第I滾降變化量SI的優選范圍是ISO A^SG450 A ,第2滾降變化量S2的優選范圍是810 A ；^2夕480 A。
[0078]在上述實施例的說明中，對于信息記錄介質I，對在玻璃基板IG上形成了磁薄膜層23的信息記錄介質I進行了評價，但由于磁薄膜層23的膜厚度相對于玻璃基板IG的厚度而言很薄，因此能夠將通過各信息記錄介質I得到的滾降值RO的測定信息和評價與玻璃基板IG的滾降值RO的測定信息和評價同樣看待。
[0079]對于上述信息記錄介質1，說明了直徑為65mm (2.5英寸)的情況，但即使是其他尺寸(1.8英寸、3.5英寸、5.25英寸)，也能夠得到相同的采用效果。
[0080]以上，根據本實施方式中的玻璃基板和信息記錄介質，通過著眼于滾降值RO和滾降變化量，實現信息記錄介質的外周端面附近區域的形狀的最優化，在磁頭從退避位置朝向信息記錄介質的記錄面突入時，能夠抑制由于信息記錄介質的外周端面附近區域的形狀引起的空氣流的紊亂。[0081]由此，在采用了磁頭的懸浮量為5nm以下的DHl機構的信息記錄裝置中，即使是單面側的記錄密度為500G比特/平方英寸以上的高密度的信息記錄介質，也能夠執行利用磁頭的穩定的信息寫入和讀出。
[0082]應該認為此次公開的實施方式和實施例在所有方面都是例示，而不是限制性內容。本發明的范圍不通過上述說明來表示，而通過權利要求來表示，是指包含與權利要求同等的意思和范圍內的所有變更。
[0083]標號說明
[0084]1:信息記錄介質；1G:信息記錄介質用玻璃基板；lt:傾斜面；2:信息記錄裝置；2A:支軸；2B:跟S示用致動器；2C:懸架；2D:磁頭；11:孔；12:外周端面；13:內周端面；14:正主表面；15:背主表面；23:磁薄膜層。
【權利要求】
1.一種信息記錄介質用玻璃基板，其為圓板狀，被用于信息存儲裝置的信息記錄介質(1)，該信息記錄介質用玻璃基板具有旋轉中心(CP)，其中，該信息記錄介質用玻璃基板包含: 形成有所述磁薄膜層(23)的主表面(14、15);以及 外周端面(12)，其位于所述信息記錄介質用玻璃基板(1G)的緣部， 在所述主表面(14、15)的從所述外周端面(12)朝向所述旋轉中心(CP)的半徑方向距離中， 在設連接所述主表面(14、15)上的距離所述外周端面(12)的所述半徑方向距離為1.2mm的位置的點(BI)和距離所述外周端面(12)的所述半徑方向距離為0.75mm的位置的點(B2)的延長線為基準位置(BP)，設在穿過所述旋轉中心(CP)的旋轉軸(CL)延伸的方向上所述基準位置(BP)與所述主表面上的所選擇的任意位置之間的偏離量為滾降值(RO)的情況下， 在設距離所述外周端面(12)的所述半徑方向距離為0.55mm的第1半徑位置(Pl)處的所述滾降值(RO)為第1滾降值(R01)， 設距離所述外周端面(12)的所述半徑方向距離為0.45mm的第2半徑位置(P2)處的所述滾降值(RO)為第2滾降值(R02)， 設距離所述外周端面(12)的所述半徑方向距離為0.30mm的第3半徑位置(P3)處的所述滾降值(RO)為第3滾降值(R03)， 設所述第1滾降值(ROl)與所述第2滾降值(R02)之差(R01 — R02)為第I滾降變化量(SI)， 設所述第2滾降值(R02)與所述第3滾降值(R03)之差(R02 — R03)為第2滾降變化量(S2)時， 所述第I滾降變化量(SI)和所述第2滾降變化量(S2)滿足下述條件I和條件2: 180A≤第I滾降變化量(SI) ^99OA..?條件I 650A≤第2滾降變化量(S2) S3700A..?條件2。
2.根據權利要求1所述的信息記錄介質用玻璃基板，其中， 所述條件I為.180 A≤第I滾降變化量(SI) <450 A , 所述條件2力810八≤第2滾降變化量(52)^2480入。
3.根據權利要求2所述的信息記錄介質用玻璃基板，其中， 所述條件I為250 A≤第I滾降變化量(SI) <450 A , 所述條件2為950 A≤第2滾降變化量(S2 ) SI 870 A。
4.根據權利要求1~3中的任意一項所述的信息記錄介質用玻璃基板，其中， 所述信息記錄介質用玻璃基板(IG)在所述主表面(14、15)與所述外周端面(12)相交的區域中，具有從所述外周端面(12)起的所述半徑方向上的寬度為0.1mm的傾斜面(U)。
5.根據權利要求1~4中的任意一項所述的信息記錄介質用玻璃基板，其中， 從所述外周端面(12)至所述旋轉中心軸(CL)的所述半徑方向距離為32.5mm。
6.一種信息記錄介質(1)，其用于信息存儲裝置，其中，該信息記錄介質(I)具有:具有旋轉中心(CP)的圓板狀的信息記錄介質用玻璃基板(IG);以及 磁薄膜層(23)，其設置在所述信息記錄介質用玻璃基板(IG)的主表面上， 所述信息記錄介質用玻璃基板(1G)包含: 形成有所述磁薄膜層(23)的主表面(14、15);以及 外周端面(12)，其位于所述信息記錄介質用玻璃基板(1G)的緣部， 在所述主表面(14、15)的從 所述外周端面(12)朝向所述旋轉中心(CP)的半徑方向距離中， 在設連接所述主表面(14、15)上的距離所述外周端面(12)的所述半徑方向距離為1.2mm的位置的點(BI)和距離所述外周端面(12)的所述半徑方向距離為0.75mm的位置的點(B2)的延長線為基準位置(BP)，設在穿過所述旋轉中心(CP)的旋轉軸(CL)延伸的方向上所述基準位置(BP)與所述主表面上的所選擇的任意位置之間的偏離量為滾降值(RO)的情況下， 在設距離所述外周端面(12)的所述半徑方向距離為0.55mm的第I半徑位置(Pl)處的所述滾降值(RO)為第I滾降值(R01)， 設距離所述外周端面(12)的所述半徑方向距離為0.45mm的第2半徑位置(P2)處的所述滾降值(RO)為第2滾降值(R02)， 設距離所述外周端面(12)的所述半徑方向距離為0.30mm的第3半徑位置(P3)處的所述滾降值(RO)為第3滾降值(R03)， 設所述第I滾降值(ROl)與所述第2滾降值(R02)之差(R01 — R02)為第I滾降變化量(SI)， 設所述第2滾降值(R02)與所述第3滾降值(R03)之差(R02 — R03)為第2滾降變化量(S2)時， 所述第I滾降變化量(SI)和所述第2滾降變化量(S2)滿足下述條件I和條件2: 180A≤第I滾降變化量(SI) S990A..?條件I 650A≤第2滾降變化量(52)幻700人..?條件2。
7.根據權利要求6所述的信息記錄介質，其中， 所述主表面的單面側的記錄密度為500G比特/平方英寸以上。
【文檔編號】G11B5/73GK103930947SQ201280048022
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2012年9月11日 優先權日:2011年9月30日
【發明者】遠藤毅 申請人:Hoya株式會社