專利名稱：液晶顯示裝置及其像素修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)以及該液晶顯示裝置的像素修補(bǔ)方法。
背景技術(shù)：
目前，液晶顯示裝置作為平板顯示器的一種，已被廣泛的應(yīng)用在各個領(lǐng)域中，它具有低功耗、形薄質(zhì)輕等優(yōu)點。通常，液晶顯示裝置包括一液晶面板，液晶面板包括具有像素電極的薄膜晶體管陣列基板、具有公共電極的彩色濾光片基板以及填充在薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片基板之間的液晶層。像素電極和公共電極之間產(chǎn)生電場，并通過控制像素電極和公共電極之間的施加到液晶層的電場強(qiáng)度來控制入射光的透射率，從而實現(xiàn)對液晶面板中的像素亮與暗的控制。現(xiàn)有的邊緣電場切換(Fringe Field Switching,簡稱FFS)型液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板包括多條柵極線(gate line)、多條數(shù)據(jù)線(data line)、多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線交叉排列限定的多個像素區(qū)域(pixel area) 0像素區(qū)域中包含由銦錫氧化物 (Indium Tin Oxide,簡稱IT0)形成的像素電極及公共電極、以及設(shè)置在數(shù)據(jù)線和柵極線的交叉處附近的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)。薄膜晶體管作為是否施加電壓到像素電極的開關(guān)元件。但是，在液晶顯示裝置的生產(chǎn)過程中，常易受到制作工序污染或是靜電破壞，使得薄膜晶體管異常短路或斷路，或者由于導(dǎo)電微粒的影響而使得像素區(qū)域中的像素電極和公共電極之間短路，則像素不能正常顯示，從而造成像素的點缺陷。點缺陷可分為亮點和暗點，為了確保液晶面板的顯示品質(zhì)，通常在完成陣列基板及彩色濾光片基板的制作工序后會進(jìn)行全黑畫面檢查與全白畫面檢查來發(fā)現(xiàn)液晶面板的點缺陷。亮點在全黑畫面檢查時是亮的，因為人眼對亮點非常敏感而易于辨認(rèn)，所以在僅有可容忍數(shù)量亮點發(fā)生的時候常常會采用激光來進(jìn)行修補(bǔ)，以將亮點修復(fù)成不易被人眼識別的暗點。圖1所示為現(xiàn)有的一種FFS型液晶顯示裝置局部的剖面示意圖，圖2所示為該液晶顯示裝置中陣列基板的示意性俯視圖。請參閱圖1及圖2，在FFS型液晶顯示裝置10中的陣列基板12上，通常位于底層的像素電極122在像素區(qū)域內(nèi)整層設(shè)置，而上層的公共電極124則具有多個條形的開口 1240，薄膜晶體管18通過漏極182與像素電極122直接電連接，通常公共電極124和像素電極122均采用ITO材料形成。當(dāng)像素中因薄膜晶體管出現(xiàn)缺陷或者因其他缺陷導(dǎo)致該像素為亮點時，現(xiàn)有技術(shù)是通過先把薄膜晶體管18的漏極182 用激光在切斷處A-A砍斷，再把像素電極122與公共電極124用激光熔接，之間由通常為金屬材料的漏極182熔融而使得像素電極122與公共電極124電性連接。這樣像素電極122 與公共電極124電性相連而電位相等，此時該像素被修補(bǔ)成為一常黑點，不易被人眼察覺。由于這種FFS架構(gòu)中，需要在像素電極122上沉積很厚的一層鈍化層 (Passivation layer) 126，其主要成分為氮化硅(SiNx)，采用較大的厚度用來減小公共電極124與數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生的干擾電容，從而減小數(shù)據(jù)線的負(fù)載。鈍化層126其厚度一般在400nm-550nm,比扭曲向列(Twisted Nematic,簡稱TN)型液晶顯示裝置中的鈍化層要厚很多，TN型液晶顯示裝置中的鈍化層一般其厚度在200nm-250nm。因此對于FFS型的液晶顯示裝置10，其像素的點缺陷的修補(bǔ)比一般的TN型的修補(bǔ)成功率低，激光不容易使像素電極 122與公共電極IM通過薄膜晶體管18的漏極182熔融而電性連接。發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，從而提高液晶顯示裝置的修補(bǔ)成功率及/或?qū)崿F(xiàn)修補(bǔ)易操作特性。
本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置的像素修補(bǔ)方法，用于修補(bǔ)液晶顯示裝置中的缺陷像素。
具體地，本發(fā)明一實施例提供的一種液晶顯示裝置包括多個像素區(qū)域。其中，至少一個像素區(qū)域包括像素電極、與像素電極相對設(shè)置的公共電極、以及薄膜晶體管。薄膜晶體管包括柵極、源極以及漏極。漏極與像素電極電連接。漏極在像素電極與公共電極之間和像素電極及公共電極重疊形成共同重疊區(qū)域。上述至少一個像素區(qū)域進(jìn)一步包括修補(bǔ)輔助金屬層，此修補(bǔ)輔助金屬層設(shè)置于像素電極之遠(yuǎn)離公共電極的一側(cè)，且至少部分位于上述共同重疊區(qū)域內(nèi)。
在本發(fā)明實施例中，上述修補(bǔ)輔助金屬層與柵極例如位于同一層且相互電絕緣。
在本發(fā)明實施例中，上述至少一個像素區(qū)域例如進(jìn)一步包括柵極絕緣層以及鈍化層。柵極絕緣層例如覆蓋柵極及修補(bǔ)輔助金屬層。像素電極與源極、漏極例如形成于柵極絕緣層上、且像素電極例如通過鈍化層與公共電極間隔設(shè)置。
在本發(fā)明實施例中，上述鈍化層的厚度介于400nm至550nm之間。
在本發(fā)明實施例中，上述液晶顯示裝置是邊緣電場切換型液晶顯示裝置。
在本發(fā)明實施例中，上述薄膜晶體管例如進(jìn)一步包括半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域，部分源極、漏極分別形成于源極區(qū)域、漏極區(qū)域上。漏極例如包括連接部，此連接部位于共同重疊區(qū)域與薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的漏極區(qū)域之間。此連接部例如具有修補(bǔ)切斷部，修補(bǔ)切斷部未被公共電極遮蔽。
在本發(fā)明實施例中，上述公共電極上例如形成有多個條狀開口。
在本發(fā)明實施例中，上述像素電極與公共電極例如均為銦錫氧化物層。
本發(fā)明另一實施例提供的一種液晶顯示裝置的像素修補(bǔ)方法，用于修補(bǔ)液晶顯示裝置的缺陷像素。其中液晶顯示裝置的像素區(qū)域包括像素電極、公共電極、薄膜晶體管以及修補(bǔ)輔助金屬層。薄膜晶體管包括與像素電極電連接的漏極，漏極在像素電極與公共電極之間和像素電極及公共電極重疊形成共同重疊區(qū)域。修補(bǔ)輔助金屬層設(shè)置于像素電極之遠(yuǎn)離公共電極的一側(cè)，且至少部分位于共同重疊區(qū)域內(nèi)。本實施例中，像素修補(bǔ)方法包括切斷缺陷像素的薄膜晶體管的漏極與像素電極的連接；及連接修補(bǔ)輔助金屬層與共同重疊區(qū)域內(nèi)的像素電極、漏極及公共電極。
在本發(fā)明實施例中，上述連接修補(bǔ)輔助金屬層與共同重疊區(qū)域內(nèi)的像素電極、漏極及公共電極例如是通過激光熔接實現(xiàn)。
由上可知，本發(fā)明實施例通過在液晶顯示裝置的像素區(qū)域內(nèi)增設(shè)修補(bǔ)輔助金屬層 (或第一金屬層)，在進(jìn)行像素修補(bǔ)時，可以將修補(bǔ)輔助金屬層(第一金屬層)和部分漏極(或第二金屬層)兩層金屬層均進(jìn)行熔化，使熔融的金屬增多，從而增加像素電極(或第一透明導(dǎo)電層)與公共電極(或第二透明導(dǎo)電層)通過熔融金屬而電性連接的成功幾率，提高修補(bǔ)良率。此外，修補(bǔ)輔助金屬層的設(shè)置，還可以起到輔助作業(yè)人員快速查找修補(bǔ)區(qū)域， 提高修補(bǔ)的易操作性。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是現(xiàn)有邊緣電場切換型液晶顯示裝置局部的剖面示意圖2是現(xiàn)有邊緣電場切換型液晶顯示裝置中陣列基板的示意性俯視圖； 圖3是本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置局部的剖面示意圖； 圖4是本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置中陣列基板的示意性俯視圖；以及圖5所示為本發(fā)明實施例中液晶顯示裝置的像素修補(bǔ)方法步驟流程圖。
具體實施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的液晶顯示裝置以及液晶顯示裝置的像素修補(bǔ)方法的具體實施方式
、方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及功效詳細(xì)說明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參考圖式的較佳實施例詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。通過具體實施方式
的說明，當(dāng)可對本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效得以更加深入且具體的了解，然而所附圖示僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。本發(fā)明下述實施例主要是通過在液晶顯示裝置的像素區(qū)域內(nèi)依序?qū)盈B設(shè)置第一金屬層、第一絕緣層、第一透明導(dǎo)電層、第二金屬層、第二絕緣層以及第二透明導(dǎo)電層，由此，在進(jìn)行修補(bǔ)時，將第一金屬層和第二金屬層進(jìn)行熔化，使熔融的金屬增多，從而增加第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層通過熔融金屬而電性連接的成功幾率，提高修補(bǔ)良率。圖3是本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置局部的剖面示意圖，圖4是本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置中陣列基板的示意性俯視圖。整個陣列基板中通常有多條數(shù)據(jù)線與多條柵極線相互交叉并形成多個像素區(qū)域，為清楚起見，圖4中只示出了其中一個像素區(qū)域作為示例。請參照圖3及圖4，液晶顯示裝置20例如為邊緣電場切換型液晶顯示裝置，其陣列基板22包括由柵極線24及數(shù)據(jù)線26交叉而限定的像素區(qū)域。像素區(qū)域內(nèi)包括設(shè)置在基板220上的第一透明導(dǎo)電層222及第二透明導(dǎo)電層224以及位于數(shù)據(jù)線26和柵極線24交叉處附近的薄膜晶體管28。其中，第一透明導(dǎo)電層222作為像素電極，第二透明導(dǎo)電層224 作為公共電極。基板220可以為玻璃基板或其他透明基板。于本實施例中，第一絕緣層230 在像素區(qū)域內(nèi)并位于基板220與第一透明導(dǎo)電層222之間，第二絕緣層234在像素區(qū)域內(nèi)并位于第一透明導(dǎo)電層222與第二透明導(dǎo)電層224之間。薄膜晶體管28包括柵極280、漏極282以及源極284。薄膜晶體管28的柵極280連接至柵極線24，也可以說柵極280是柵極線M的一部分；漏極282連接至第一透明導(dǎo)電層222，源極284連接至數(shù)據(jù)線沈。其中， 漏極282在第一透明導(dǎo)電層222與第二透明導(dǎo)電層2M之間和第一及第二透明導(dǎo)電層222、 224重疊形成共同重疊區(qū)域，也就是說，在共同重疊區(qū)域內(nèi)至少依序?qū)盈B設(shè)置有部分第一透明導(dǎo)電層222、部分漏極282及部分第二透明導(dǎo)電層224。本實施例中的像素區(qū)域中還包括修補(bǔ)輔助金屬層226，修補(bǔ)輔助金屬層2 作為第一金屬層的舉例，設(shè)置于第一透明導(dǎo)電層 222遠(yuǎn)離第二透明導(dǎo)電層224的一側(cè)，且至少部分位于上述共同重疊區(qū)域中。
請再參照圖3，于本實施例中，液晶顯示裝置20的像素區(qū)域內(nèi)進(jìn)一步包括柵極絕緣層230、半導(dǎo)體層232、鈍化層234以及聚酰亞胺(Polyimide，簡稱PI)摩擦取向?qū)?36。 本實施例中，柵極絕緣層230作為第一絕緣層的舉例，鈍化層234作為第二絕緣層的舉例。
具體來說，柵極280及修補(bǔ)輔助金屬層2 形成在基板220上且相互電絕緣，柵極絕緣層230覆蓋柵極280及修補(bǔ)輔助金屬層226。柵極觀0以及修補(bǔ)輔助金屬層2 通過至少一個金屬層所構(gòu)成，該金屬層可以為鋁、銅、鉻、銀、金、鉬或者任何其他金屬層或者任何的金屬堆棧層。柵極觀0以及修補(bǔ)輔助金屬層2 可以透過濺鍍技術(shù)或者其他的技術(shù)同時沉積于基板220上，再通過光掩模圖案化而成，本發(fā)明具體實施例中柵極280和修補(bǔ)輔助金屬層226由同一制程中形成，不需要另外增加額外形成補(bǔ)輔助金屬層2 的制程，因此并不增大生產(chǎn)成本。柵極絕緣層230是通過至少一種絕緣材料所構(gòu)成，例如硅氮化物(SiNx)、 硅氧化物(SiOx)、或者任何其他的類似的材料，或者上述材料堆棧而成。
半導(dǎo)體層232及第一透明導(dǎo)電層222形成于柵極絕緣層230上。半導(dǎo)體層232包括漏極區(qū)域2320及源極區(qū)域2322。漏極282及源極284形成于柵極絕緣層230上。部分的漏極282位于半導(dǎo)體層232的漏極區(qū)域2320上并與之直接接觸，部分的源極284位于半導(dǎo)體層232的源極區(qū)域2322上并與之直接接觸，還有部分的漏極282位于第一透明導(dǎo)電層 222上與之直接接觸形成電連接。鈍化層234形成于柵極絕緣層230上并覆蓋漏極觀2、源極284及第一透明導(dǎo)電層222，鈍化層234的厚度介于400nm至550nm之間。第二透明導(dǎo)電層2M形成于鈍化層234上并與部分漏極282重疊。PI摩擦取向?qū)?36形成于鈍化層234 上并覆蓋第二透明導(dǎo)電層224。半導(dǎo)體層232可以通過半導(dǎo)體材料沉積及摻雜形成，例如為非晶硅(amorphous silicon)及η+非晶硅。漏極觀2以及源極284可以為鋁、銅、鉻、銀、 金、鉬或者任何其他金屬層或者任何的金屬堆棧層，通過濺鍍技術(shù)或者其他的技術(shù)沉積于柵極絕緣層230上，再通過光掩模圖案化而成。第一透明導(dǎo)電層222及第二透明導(dǎo)電層2Μ 可以通過至少一種透明導(dǎo)電材料沉積而成，例如銦錫氧化物(indium tin oxide, IT0)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, ΙΖ0)、氧化銦(indium oxide, 10)、或其他任何透明的導(dǎo)電層，或者上述任何透明導(dǎo)電層堆棧而成。鈍化層234的主要成分例如為氮化硅(SiNx)，鈍化層234采用較大的厚度用來減小第二透明導(dǎo)電層2M與數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生的干擾電容，從而減小數(shù)據(jù)線的負(fù)載。
更具體的，于本實施例中，漏極282包括第一部分觀20、第二部分觀22及連接第一部分觀20和第二部分觀22的連接部觀對，這里，第一部分觀20作為第二金屬層的舉例。 漏極282的第一部分觀20位于第一透明導(dǎo)電層222上并與第一透明導(dǎo)電層222直接接觸形成電連接，第二部分觀22位于半導(dǎo)體層232的漏極區(qū)域2320上并與之直接接觸，而第二透明導(dǎo)電層224與漏極觀2的第一部分觀20重疊形成上述共同重疊區(qū)域，也就是說漏極282 的連接部觀對位于共同重疊區(qū)域與半導(dǎo)體層232的漏極區(qū)域2320之間。于本實施例中，該連接部2824具有修補(bǔ)切斷部(圖4中以切斷線B-B表示)，用于修補(bǔ)缺陷像素時進(jìn)行切斷例如激光切斷。在像素?zé)o缺陷異常情況下，修補(bǔ)輔助金屬層226與周圍例如柵極線24、數(shù)據(jù)線26、薄膜晶體管28、第一透明導(dǎo)電層222及第二透明導(dǎo)電層224都無任何電性連接關(guān)系。 于本實施例中，第二透明導(dǎo)電層224包括多個條狀的開口 2240及限定多個條狀開口 2240的周邊部2242。多個條狀開口 2240用于使第一透明導(dǎo)電層222與第二透明導(dǎo)電層 224之間形成邊緣電場并作用于液晶分子30使其發(fā)生轉(zhuǎn)動。更進(jìn)一步的，第二透明導(dǎo)電層 224的周邊部2242還可以開設(shè)一個通孔2244 (參照圖4)，漏極282的修補(bǔ)切斷部位于該通孔2244的范圍內(nèi)，也就是說，修補(bǔ)切斷部未被第二透明導(dǎo)電層224遮蔽，在垂直于基板220 的方向上，修補(bǔ)切斷部的正上方不存在第二透明導(dǎo)電層224。這樣可以避免沿圖4所示的切斷線B-B切斷漏極282與第一透明導(dǎo)電層222之間的連接時因第二透明導(dǎo)電層224受激光照射而發(fā)生飛濺，飛濺的第二透明導(dǎo)電層224顆粒可能給其他區(qū)域帶來不利的污染或影響。可以理解的是，該通孔2244也可以變更為將第二透明導(dǎo)電層224鄰近切斷線B-B的一端的周邊部2242全部移除，使得條狀開口 2240在鄰近切斷線B-B的一側(cè)處于敞口狀態(tài)，其同樣可以避免第二透明導(dǎo)電層224遮蔽修補(bǔ)切斷部。當(dāng)液晶顯示裝置20進(jìn)行畫面顯示時，其通過柵極線24提供掃描信號以決定是否開啟薄膜晶體管28，并通過數(shù)據(jù)線26提供顯示數(shù)據(jù)至薄膜晶體管28的源極284 ；當(dāng)薄膜晶體管28被開啟后，顯示數(shù)據(jù)將會傳遞至薄膜晶體管28的漏極282并到達(dá)第一透明導(dǎo)電層 222，以在第一透明導(dǎo)電層222與第二透明導(dǎo)電層224之間產(chǎn)生電位差進(jìn)而形成電場，使得位于像素區(qū)域內(nèi)的液晶分子30產(chǎn)生轉(zhuǎn)動來獲得所預(yù)期的畫面。然而，當(dāng)某像素存在缺陷而成為一常亮點時，圖3中依序?qū)盈B設(shè)置在基板220上的修補(bǔ)輔助金屬層226 (或第一金屬層)、柵極絕緣層230 (第一絕緣層)、第一透明導(dǎo)電層 222 (或像素電極)、漏極282的第一部分2820 (或第二金屬層)、鈍化層234 (第二絕緣層) 及第二透明導(dǎo)電層224(或公共電極)就構(gòu)成缺陷像素修補(bǔ)結(jié)構(gòu)。當(dāng)像素修補(bǔ)結(jié)構(gòu)完成修補(bǔ)后，修補(bǔ)輔助金屬層226 (或第一金屬層)、第一透明導(dǎo)電層222 (或像素電極)、漏極282 的第一部分2820(或第二金屬層)及第二透明導(dǎo)電層224(或公共電極)短接，以提供第一透明導(dǎo)電層222與第二透明導(dǎo)電層224之間的電信號傳遞，從而將該常亮缺陷像素修補(bǔ)成一常暗點。而根據(jù)本發(fā)明實施例提出的像素修補(bǔ)方法以用于修補(bǔ)缺陷像素的步驟將于后加以詳述。首先，如步驟S501所述，切斷缺陷像素的薄膜晶體管28的漏極282與第一透明導(dǎo)電層222的連接，使得第一透明導(dǎo)電層222與漏極282電性分離。具體的，可以通過激光沿切割線B-B切斷漏極282的連接部2824，使得第一透明導(dǎo)電層222與薄膜晶體管28電性分離。在上述切斷步驟之后，如步驟S502所述，連接修補(bǔ)輔助金屬層226與共同重疊區(qū)域內(nèi)的第一透明導(dǎo)電層222(或像素電極)、漏極282的第一部分2820及第二透明導(dǎo)電層224(或公共電極)，使得第一透明導(dǎo)電層222與第二透明導(dǎo)電層224短接。具體的，可以通過激光從背面照射基板220來連接修補(bǔ)輔助金屬層226與該共同重疊區(qū)域內(nèi)的第一透明導(dǎo)電層 222、漏極282的第一部分2820及第二透明導(dǎo)電層224。綜上所述，本發(fā)明實施例在像素修補(bǔ)的熔接處(薄膜晶體管28的漏極282與第一透明導(dǎo)電層222直接接觸處)增設(shè)修補(bǔ)輔助金屬層226 (第一金屬層)，在進(jìn)行修補(bǔ)時，熔接處由于可以將修補(bǔ)輔助金屬層2 (第一金屬層)和漏極觀2的第一部分觀20 (第二金屬層)兩層金屬層均進(jìn)行熔化，使熔融的金屬增多，從而增加第一透明導(dǎo)電層222與第二透明導(dǎo)電層2M通過熔融金屬而電性連接的成功幾率，提高修補(bǔ)良率。
此外，由于修補(bǔ)時在陣列基板22背部進(jìn)行激光照射，熔接處增加修補(bǔ)輔助金屬層 226，可起到輔助作業(yè)人員快速找到熔接位置，提高了修補(bǔ)的易操作性。
另外，本發(fā)明實施例中熔接處所增加的修補(bǔ)輔助金屬層226，可以依據(jù)不同的像素設(shè)計出不同的形狀，不局限于圖4所示的方形，也可以為圓形或其他任意形狀，只要能滿足該修補(bǔ)輔助金屬層226同時與第一、第二透明導(dǎo)電層222、224以及薄膜晶體管觀的部分漏極282具有重疊的區(qū)域從而能夠在修補(bǔ)時被激光同時熔接即可。
另外，需要說明的是，本發(fā)明實施例上述描述的像素修補(bǔ)方法僅以邊緣電場切換型液晶顯示裝置為例進(jìn)行了詳細(xì)描述，因邊緣電場切換型液晶顯示裝置中其鈍化層需要具有較大的厚度，在進(jìn)行激光修補(bǔ)將亮點修補(bǔ)為暗點的過程中，因公共電極和像素電極之間此具有第二金屬層這一層金屬，激光修補(bǔ)時僅能通過第二金屬層這一層金屬的熔融使得公共電極與像素電極電性連接，但熔融的金屬需要跨過具有較大厚度的鈍化層，因此現(xiàn)有技術(shù)中的邊緣電場切換型液晶顯示裝置由于自身結(jié)構(gòu)特點會導(dǎo)致該修補(bǔ)的成功率低，本發(fā)明可以實現(xiàn)在不增加現(xiàn)有邊緣電場切換型液晶顯示裝置的制程的情況下通過設(shè)置由第一金屬層形成的輔助金屬層來大大增加修補(bǔ)的成功率，同時，本發(fā)明并不僅限于邊緣電場切換型液晶顯示裝置，其可應(yīng)用于其他類型的液晶顯示裝置，只要其不脫離本發(fā)明的增設(shè)修補(bǔ)輔助金屬層提升修補(bǔ)良率的主要發(fā)明構(gòu)思均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括多個像素區(qū)域，至少一個像素區(qū)域包括像素電極；公共電極，與該像素電極相對設(shè)置；以及薄膜晶體管，包括柵極、源極以及漏極，該漏極與該像素電極電連接，該漏極在該像素電極與該公共電極之間和該像素電極及該公共電極重疊形成共同重疊區(qū)域；其特征在于該至少一個像素區(qū)域進(jìn)一步包括修補(bǔ)輔助金屬層，設(shè)置于該像素電極之遠(yuǎn)離該公共電極的一側(cè)，且至少部分位于該共同重疊區(qū)域內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該修補(bǔ)輔助金屬層與該柵極位于同一層且相互電絕緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于該至少一個像素區(qū)域進(jìn)一步包括柵極絕緣層以及鈍化層，該柵極絕緣層覆蓋該柵極及該修補(bǔ)輔助金屬層，該像素電極與該源極及該漏極形成于該柵極絕緣層上，且該像素電極通過該鈍化層與該公共電極間隔設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述鈍化層的厚度介于400nm 至550nm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述的液晶顯示裝置是邊緣電場切換型液晶顯示裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該薄膜晶體管進(jìn)一步包括半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域，部分該源極、漏極分別形成于該源極區(qū)域、漏極區(qū)域上；該漏極包括連接部，位于該共同重疊區(qū)域與該薄膜晶體管的該半導(dǎo)體層的該漏極區(qū)域之間，該連接部具有修補(bǔ)切斷部，該修補(bǔ)切斷部未被該公共電極遮蔽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該公共電極上形成有多個條狀開口。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該像素電極與該公共電極均為銦錫氧化物層。
9.一種液晶顯示裝置的像素修補(bǔ)方法，其特征在于該液晶顯示裝置的像素區(qū)域包括像素電極、公共電極、薄膜晶體管以及修補(bǔ)輔助金屬層，該薄膜晶體管包括與該像素電極電連接的漏極，該漏極在該像素電極與該公共電極之間和該像素電極及該公共電極重疊形成共同重疊區(qū)域，該修補(bǔ)輔助金屬層設(shè)置于該像素電極之遠(yuǎn)離該公共電極的一側(cè)且至少部分位于該共同重疊區(qū)域內(nèi)；該像素修補(bǔ)方法包括切斷缺陷像素的薄膜晶體管的該漏極與該像素電極之間的連接；以及連接該修補(bǔ)輔助金屬層與該共同重疊區(qū)域內(nèi)的像素電極、漏極及公共電極。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置的像素修補(bǔ)方法，其特征在于連接該修補(bǔ)輔助金屬層與該共同重疊區(qū)域內(nèi)的像素電極、漏極及公共電極是通過激光熔接實現(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，具有多個像素區(qū)域，至少一個像素區(qū)域包括像素電極、與像素電極相對設(shè)置的公共電極以及薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵極、源極以及漏極，漏極與像素電極電連接，漏極在像素電極與公共電極之間和像素電極及公共電極重疊形成共同重疊區(qū)域，上述液晶顯示裝置的至少一個像素區(qū)域內(nèi)進(jìn)一步包括修補(bǔ)輔助金屬層，此修補(bǔ)輔助金屬層設(shè)置于像素電極之遠(yuǎn)離公共電極的一側(cè)，且至少部分位于上述共同重疊區(qū)域內(nèi)。本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置的像素修補(bǔ)方法。
文檔編號H01L27/02GK102495502SQ20111036671
公開日2012年6月13日 申請日期2011年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月18日
發(fā)明者廖家德, 戴文君, 李永謙, 鐘德鎮(zhèn) 申請人:昆山龍騰光電有限公司