專(zhuān)利名稱(chēng)：一種顯示裝置、薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示裝置、薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。由于非晶硅(a-Si)易于在低溫下大面積制備，技術(shù)成熟，成為在TFT-LCD中最廣泛使用的有源層材料。但非晶硅材料帶隙只有I. 7V，對(duì)可見(jiàn)光不透明，并且在可見(jiàn)光范圍內(nèi)具有光敏性，需要增加黑矩陣來(lái)阻擋光線，這增加了 TFT-LCD的工藝復(fù)雜性，提高了成本，降低了可靠性和開(kāi)口率。另外，隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅(qū)動(dòng)電路的頻率在不斷提高，由于非晶硅薄膜晶體管的遷移率一般在0. 5cm2/vs左右，而液晶顯示器尺寸超過(guò)SOin時(shí)，驅(qū)動(dòng)頻率超過(guò)120Hz，需要IcmVVS以上的遷移率，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足需求。氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管以其諸多優(yōu)勢(shì)受到研究人員的青睞，最近幾年發(fā)展迅速。它遷移率高，均一性好，透明，可以更好地滿足大尺寸液晶顯示器和OLED的需求。但現(xiàn)有氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，利用底柵型至少需要四次構(gòu)圖工藝完成，并且需要阻擋層(ESL)及保護(hù)層(PVX)多層保護(hù)才能保證薄膜晶體性能的穩(wěn)定，其工藝復(fù)雜，制造成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種顯示裝置、薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法，采用三次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)陣列基板的制造，從而縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括步驟A、形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形；步驟B、形成有源層和柵絕緣層，以及用于數(shù)據(jù)線與外部電路連接的過(guò)孔；步驟C、形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，或者，形成柵電極、柵線和公共電極的圖形。上述的制造方法，其中所述步驟A包括在基板上形成第一層透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形；所述步驟B包括形成有源層和柵絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成用于數(shù)據(jù)線與外部電路連接的過(guò)孔；所述步驟C包括形成第二層透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，或者，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極的圖形。上述的制造方法，其中，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形，包括在第一層透明導(dǎo)電薄膜上形成一層光刻膠；
采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域；進(jìn)行顯影處理；刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的第一層透明導(dǎo)電薄膜，形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形；通過(guò)灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠保留區(qū)域的光刻膠；對(duì)光刻膠部分保留區(qū)域的第一層透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕，使得該部分的第一層透明導(dǎo)電薄膜變薄，形成像素電極的圖形；剝離剩余的光刻膠。上述的制造方法，其中，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝形成用于數(shù)據(jù)線與外部電路連接的過(guò)孔，包括在柵絕緣層上形成一層光刻膠；采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域；進(jìn)行顯影處理；刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵絕緣層和有源層，形成過(guò)孔的圖形；剝離剩余的光刻膠。上述的制造方法，其中，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，包括在第二層透明導(dǎo)電薄膜上形成一層光刻膠；采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域；進(jìn)行顯影處理；刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的第二層透明導(dǎo)電薄膜，形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形；剝離剩余的光刻膠。上述的制造方法，其中，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極的圖形，包括在第二層透明導(dǎo)電薄膜上形成一層光刻膠；采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域；進(jìn)行顯影處理；刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的第二層透明導(dǎo)電薄膜，形成柵電極、柵線和公共電極的圖形；剝離剩余的光刻膠。上述的制造方法，其中，所述公共電極為狹縫狀。 上述的制造方法，其中，所述有源層的材料為氧化物。一種薄膜晶體管，包括
透明導(dǎo)電薄膜，形成在基板上，作為源電極與漏電極，所述源電極和所述漏電極之間形成有溝道區(qū)；氧化物作為有源層，形成在源電極、漏電極和溝道區(qū)上；依次形成在有源層上的柵絕緣層和柵電極，所述柵電極的材料為透明導(dǎo)電薄膜。—種陣列基板,包括形成在基板上的源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極，所述源電極和所述漏電極之 間形成有溝道區(qū)，所述漏電極和所述像素電極電性連接，所述數(shù)據(jù)線通過(guò)過(guò)孔與外部電路連接，所述像素電極的形狀覆蓋整個(gè)像素區(qū)；形成在源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極上的有源層；形成在有源層上的柵絕緣層；形成在柵絕緣層上的柵電極、柵線和公共電極線，或者，形成在柵絕緣層上的柵電極、柵線和公共電極，所述公共電極為狹縫狀。上述的陣列基板，其中，所述有源層的材料為氧化物。一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。本發(fā)明提供的上述技術(shù)方案，利用頂柵型薄膜晶體管簡(jiǎn)化了工藝，采用三次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)了陣列基板的制造，從而能夠縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的截面圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制造方法流程圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例在形成第一層導(dǎo)電薄膜后的截面圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例在第一次構(gòu)圖工藝中經(jīng)過(guò)灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影后的截面圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例在完成第一次構(gòu)圖工藝后的截面圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例在完成第二次構(gòu)圖工藝后的截面圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例在形成第二層導(dǎo)電薄膜后的截面圖；圖8為本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的截面圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。圖I為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的截面圖，參照?qǐng)D1，該陣列基板包括形成在基板I上的源電極21、漏電極22、數(shù)據(jù)線和像素電極3，所述源電極21和所述漏電極22之間形成有溝通區(qū)，所述漏電極22和所述像素電極3電性連接，所述數(shù)據(jù)線通過(guò)過(guò)孔與外部電路連接，所述外部電路是指對(duì)陣列基板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電路；形成在源電極21、漏電極22、數(shù)據(jù)線和像素電極3上的有源層4 ；形成在有源層4上的柵絕緣層5 ；形成在柵絕緣層5上的柵電極6、柵線和公共電極線7。氧化物薄膜晶體管的遷移率高、均一性好、透明，可以更好地滿足大尺寸液晶顯示器和有源有機(jī)電致發(fā)光的需求。因此，作為一個(gè)優(yōu)選方案，本發(fā)明實(shí)施例的上述陣列基板中的所述有源層4的材料為氧化物，例如，IGZO、IZO, ZnO, ln203、InZO等。采用氧化物作為有源層，使得該陣列基板能夠在大尺寸TFT-LCD中得到廣泛的應(yīng)用，并同時(shí)具備高開(kāi)口率、高遷移率和寬視角等優(yōu)點(diǎn)。其中，所述有源層4可以為一層氧化物構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，也可以是包括至少兩層氧化物的多層結(jié)構(gòu)。特別地，可以采用非晶氧化物IGZ0，Zn0或IZO作為有源層，遷移率高，并且制作IGZO TFT與現(xiàn)有的IXD生產(chǎn)線匹配性好，容易轉(zhuǎn)型。形成上述陣列基板各層圖形的方法可以為先進(jìn)行金屬的沉積，然后采用包括掩膜、刻蝕等的構(gòu)圖工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，還可以為不進(jìn) 行金屬的沉積而直接進(jìn)行絲網(wǎng)印刷、打印等常用構(gòu)圖工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體的需求進(jìn)行選擇。另外，對(duì)于此種頂柵結(jié)構(gòu)的陣列基板，柵絕緣層可以對(duì)有源層進(jìn)行保護(hù)，因此能夠省略保護(hù)層與阻擋層，這樣通過(guò)三次構(gòu)圖工藝就能實(shí)現(xiàn)陣列基板的制造，如此，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制造工藝，降低生產(chǎn)成本。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制造方法流程圖，參照?qǐng)D2，該制造方法包括如下步驟步驟100 :在基板上形成第一層導(dǎo)電薄膜，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形；首先提供一基板，并將其清洗干凈，基板可以選用玻璃基板或者石英基板；然后，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法在基板上形成厚度為150nm-250nm的第一層導(dǎo)電薄膜8(如圖3所示)，第一層導(dǎo)電薄膜8優(yōu)選為透明的ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)薄膜，透過(guò)率高，導(dǎo)電性好；最后，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形(如圖5所示)。步驟200 :在完成步驟100的基板上形成有源層和柵絕緣層，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成用于數(shù)據(jù)線與外部電路連接的過(guò)孔；首先，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或磁控濺射方法，在完成步驟100的基板上依次形成厚度為40nm-60nm的有源層和厚度為300nm-500nm的柵絕緣層，其中，有源層的材料優(yōu)選為氧化物，所述氧化物可以為IGZ0、Zn0、In203、InZ0或IZO等，柵絕緣層的材料可以選用氧化物或者氮化物，例如Si02、Al2O3或AlN等；然后，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成過(guò)孔的圖形(如圖6所示)。步驟300 :在完成步驟200的基板上形成第二層導(dǎo)電薄膜，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形。然后，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法在基板上形成厚度為150nm-250nm的第二層導(dǎo)電薄膜10，第二層導(dǎo)電薄膜10優(yōu)選為透明的ITO薄膜(如圖7所示)，這樣透過(guò)率高，導(dǎo)電性好；然后，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形(如圖I所示)。其中，像素電極與公共電極線之間形成了儲(chǔ)存電容。以下給出上述制造方法中構(gòu)圖工藝的詳細(xì)流程。在步驟100中，所述通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形，具體包括步驟Sll :在第一層導(dǎo)電薄膜上形成一層光刻膠9 ；步驟S12 :采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；步驟S13 :進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；顯影得到的圖形如圖4所示，圖中，WP為光刻膠未保留區(qū)域，HP為光刻膠部分保留區(qū)域，NP為光刻膠保留區(qū)域。步驟S14:刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的第一層導(dǎo)電薄膜，形成源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形；步驟S15 :通過(guò)灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠保留區(qū)域的光刻膠；步驟S16 :對(duì)光刻膠部分保留區(qū)域的第一層導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕，使得該部分的第一層導(dǎo)電薄膜變薄，形成像素電極的圖形；假設(shè)第一層導(dǎo)電薄膜的厚度為200nm，本步驟中可以將其刻蝕掉150nm，剩余50nm,得到的像素電極的厚度即為50nm。步驟S17 :剝離剩余的光刻膠。在步驟200中，所述通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成用于數(shù)據(jù)線與外部電路連接的過(guò)孔，具體包括步驟S21 :在柵絕緣層上形成一層光刻膠；步驟S22 :采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，其中，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于過(guò)孔的圖形所在區(qū)域，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；步驟S23 :進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；步驟S24 :刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵絕緣層和有源層，形成過(guò)孔的圖形；步驟S25 :剝離剩余的光刻膠。在步驟300中，所述通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，具體包括步驟S31 :在第二層導(dǎo)電薄膜上涂敷一層光刻膠；步驟S32 :采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵電極、柵線和公共電極線的圖形所在區(qū)域，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；步驟S33 :進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；步驟S34 :刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的第二層導(dǎo)電薄膜，形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形；
步驟S35 :剝離剩余的光刻膠。本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管、陣列基板的結(jié)構(gòu)及制作方法和上述實(shí)施例類(lèi)似。所不同的地方在于步驟300中，原來(lái)的通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，現(xiàn)在變?yōu)橥ㄟ^(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成柵電極、柵線和公共電極11的圖形。這樣采用不同的掩模板，即可在一次構(gòu)圖工藝中，制備出柵電極、柵線和公共電極11的圖形，所述公共電極11為狹縫狀。陣列基板上采用如下結(jié)構(gòu)陣列基板上設(shè)置有像素電極和公共電極11，像素電極和所述公共電極設(shè)置在陣列基板的不同層，像素電極和公共電極之間設(shè)置有柵絕緣層，公共電極為狹縫狀，像素電極的形狀覆蓋整個(gè)像素區(qū)。如圖8所示。通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫狀的公共電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及公共電極層與像素電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。這種結(jié)構(gòu)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率 、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(pushMura)等優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例還提供包含上述任一種類(lèi)的陣列基板的顯示裝置。所述顯示裝置可以包括液晶面板、電視、液晶顯示器件、OLED顯示器件、數(shù)碼相框、電子紙、手機(jī)等等終端產(chǎn)品。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例采用三次構(gòu)圖工藝制備出氧化物薄膜晶體管以及包含這種氧化物薄膜晶體管的陣列基板，利用頂柵型很好的簡(jiǎn)化了工藝，減少了曝光工藝和保護(hù)層的沉積，降低了成本，大大縮短了 TFT制造時(shí)間、顯著的提高了 TFT的特性，解決了開(kāi)口率的問(wèn)題。最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 步驟A、形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形； 步驟B、形成有源層和柵絕緣層，以及用于數(shù)據(jù)線與外部電路連接的過(guò)孔； 步驟C、形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，或者，形成柵電極、柵線和公共電極的圖形。
2.如權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在干 所述步驟A包括在基板上形成第一層透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖エ藝形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形； 所述步驟B包括形成有源層和柵絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖エ藝形成用于數(shù)據(jù)線與外部電路連接的過(guò)孔； 所述步驟C包括形成第二層透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖エ藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，或者，通過(guò)構(gòu)圖エ藝形成柵電極、柵線和公共電極的圖形。
3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在干，所述通過(guò)構(gòu)圖エ藝形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形，包括 在第一層透明導(dǎo)電薄膜上形成ー層光刻膠； 采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域； 進(jìn)行顯影處理； 刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的第一層透明導(dǎo)電薄膜，形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形； 通過(guò)灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠保留區(qū)域的光刻膠； 對(duì)光刻膠部分保留區(qū)域的第一層透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕，使得該部分的第一層透明導(dǎo)電薄膜變薄，形成像素電極的圖形； 剝離剩余的光刻膠。
4.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)構(gòu)圖エ藝形成用于數(shù)據(jù)線與外部電路連接的過(guò)孔，包括 在柵絕緣層上形成ー層光刻膠； 采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域； 進(jìn)行顯影處理； 刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵絕緣層和有源層，形成過(guò)孔的圖形； 剝離剩余的光刻膠。
5.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)構(gòu)圖エ藝形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，包括 在第二層透明導(dǎo)電薄膜上形成ー層光刻膠； 采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域； 進(jìn)行顯影處理； 刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的第二層透明導(dǎo)電薄膜，形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形； 剝離剩余的光刻膠。
6.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)構(gòu)圖エ藝形成柵電極、柵線和公共電極的圖形，包括 在第二層透明導(dǎo)電薄膜上形成ー層光刻膠； 采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域； 進(jìn)行顯影處理； 刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的第二層透明導(dǎo)電薄膜，形成柵電極、柵線和公共電極的圖形； 剝離剩余的光刻膠。
7.如權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于 所述公共電極為狹縫狀。
8.如權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于 所述有源層的材料為氧化物。
9.ー種薄膜晶體管，其特征在于，包括 透明導(dǎo)電薄膜，形成在基板上，作為源電極與漏電極，所述源電極和所述漏電極之間形成有溝道區(qū)； 氧化物作為有源層，形成在源電極、漏電極和溝道區(qū)上； 依次形成在有源層上的柵絕緣層和柵電極，所述柵電極的材料為透明導(dǎo)電薄膜。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括 形成在基板上的源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極，所述源電極和所述漏電極之間形成有溝道區(qū)，所述漏電極和所述像素電極電性連接，所述數(shù)據(jù)線通過(guò)過(guò)孔與外部電路連接，所述像素電極的形狀覆蓋整個(gè)像素區(qū)； 形成在源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極上的有源層； 形成在有源層上的柵絕緣層； 形成在柵絕緣層上的柵電極、柵線和公共電極線，或者，形成在柵絕緣層上的柵電扱、柵線和公共電極，所述公共電極為狹縫狀。
11.如權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在干 所述有源層的材料為氧化物。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10或11所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置、薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法。所述制造方法包括步驟A、形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形；步驟B、形成有源層和柵絕緣層，以及用于數(shù)據(jù)線與外部電路連接的過(guò)孔；步驟C、形成柵電極、柵線和公共電極線的圖形，或者，形成柵電極、柵線和公共電極的圖形。本發(fā)明采用三次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)了陣列基板的制造，從而能夠縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102629585SQ20111036651
公開(kāi)日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日
發(fā)明者寧策, 張學(xué)輝, 楊靜 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司