專利名稱：倒裝芯片型半導體背面用薄膜、切割帶一體型半導體背面用薄膜、倒裝芯片型半導體背面 ...的制作方法
技術領域：
本發明涉及倒裝芯片型半導體背面用薄膜及切割帶一體型半導體背面用薄膜。倒裝芯片型半導體背面用薄膜用于半導體芯片等半導體元件的背面的保護以及強度提高等。 另外，本發明涉及倒裝芯片型半導體背面用薄膜的制造方法及倒裝芯片式安裝的半導體裝置。
背景技術：
近年來，半導體裝置及其封裝要求進一步薄型化、小型化。因此，作為半導體裝置及其封裝，廣泛使用通過倒裝芯片式接合將半導體芯片等半導體元件安裝到襯底上(倒裝芯片式連接)的倒裝芯片型半導體裝置。該倒裝芯片式連接以半導體芯片的電路面與襯底的電極形成面相對的形態進行固定。這樣的半導體裝置等中，有時利用保護薄膜保護半導體芯片的背面，防止半導體芯片的損傷等(例如，參考專利文獻1 10)。另外，近年來，為了應對半導體裝置的微細化、高功能化的要求，在半導體元件的電路面的整個區域上配置的電源線的布線寬度或信號線間的間隔正在逐漸變窄。因此，阻抗增加、異構節點的信號線間產生信號干涉，在半導體芯片的操作速度、工作電壓容限、耐靜電擊穿能力等方面，成為阻礙充分發揮性能的原因。以往，為了解決上述問題，提出了層疊半導體的封裝結構(例如，參考專利文獻11 和專利文獻12)。另一方面，伴隨近年來的電子部件的多樣化，從半導體芯片釋放的電磁波(噪聲)的頻域也變得多樣，在如所所述的封裝結構那樣層疊半導體芯片的情況下，從一個半導體芯片釋放的電磁波有可能會對另一個半導體芯片、襯底、相鄰的器件、封裝等產生不利影響。在專利文獻13中，公開了在由電絕緣層和鐵氧體層構成的層疊體的最外的兩個面上具有粘合層的半導體元件膠粘用電磁波屏蔽片。另外，專利文獻3中，記載了利用該半導體元件膠粘用電磁波屏蔽片，通過鐵氧體層的磁損耗特性而使電信號漏泄衰減。另外，在專利文獻14中，公開了在芯片焊盤與半導體芯片的背面之間配置有第一磁屏蔽材料，在所述半導體芯片的電路面上配置有第二磁屏蔽材料的半導體裝置。另外，在專利文獻4中，記載了所述半導體裝置提高了對于外部磁場的耐受性。現有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特開2008-166451號公報專利文獻2 日本特開2008-006386號公報專利文獻3 日本特開2007-261035號公報專利文獻4 日本特開2007-250970號公報
專利文獻5 日本特開2007-158026號公報專利文獻6 日本特開2004-221169號公報專利文獻7 日本特開2004-214288號公報專利文獻8 日本特開2004-142430號公報專利文獻9 日本特開2004-072108號公報專利文獻10 日本特開2004-063551號公報專利文獻11 日本特開昭55-111151號公報專利文獻12 日本特開2002-261233號公報專利文獻13 日本專利第4133637號公報專利文獻14 日本特開2010-15760號公報

發明內容
但是，專利文獻13的半導體元件膠粘用電磁波屏蔽片，設置在半導體元件與襯底之間，而不是設置到與半導體元件的襯底相反側的面上。因此，不能減少從半導體元件的基板的相反側的面釋放的電磁波。另外，專利文獻14的半導體裝置，通過在半導體晶片的背面粘貼具有膠粘性的第一薄膜材料，然后通過所述第一薄膜材料粘貼第一磁屏蔽材料，然后在所述第一磁屏蔽材料的背面粘貼具有膠粘性的第二薄膜材料的工序來制造。但是，這樣的制造工序，與現有的半導體裝置的制造相比，增加了粘貼第一磁屏蔽材料的工序和粘貼第二薄膜材料的工序， 因此制造工序數增多，從而存在生產率不足的問題。本發明人等為了解決所述的現有問題，對倒裝芯片型半導體背面用薄膜、切割帶一體型半導體背面用薄膜、以及倒裝芯片型半導體背面用薄膜的制造方法進行了研究。結果發現，通過采用以下的構成，可以在倒裝芯片式連接到被粘物上的半導體元件的背面設置電磁波屏蔽層，并且可以在不使生產率下降的情況下制造具有該電磁波屏蔽層的半導體裝置，從而完成了本發明。S卩，本發明的倒裝芯片型半導體背面用薄膜，用于在倒裝芯片式連接到被粘物上的半導體元件的背面上形成，其特征在于，具有膠粘劑層和電磁波屏蔽層。倒裝芯片型半導體背面用薄膜，粘貼到倒裝芯片式連接到被粘物上的半導體元件的背面。因此，根據所述構成，能夠在倒裝芯片型半導體裝置所具有的半導體元件的背面 (與被粘物相反側的面)設置電磁波屏蔽層。結果，可以減少從半導體元件的背面(與被粘物相反側的面)釋放的電磁波對另一個半導體元件、襯底、相鄰的器件、封裝等產生的影響。另外，本發明的倒裝芯片型半導體背面用薄膜，具有膠粘劑層和電磁波屏蔽層，將其粘貼到半導體元件的背面即可。即，無需在半導體元件的背面形成膠粘劑層、然后形成電磁波屏蔽層這樣的多階段工序，通過一階段的工序就可以在半導體元件的背面設置電磁波屏蔽層。結果，可以盡量抑制制造工序的擴大。另外，本發明的切割帶一體型半導體背面用薄膜，其中，在切割帶上層疊有所述的倒裝芯片型半導體背面用薄膜，其特征在于，所述切割帶具有在基材上層疊有粘合劑層的結構，所述倒裝芯片型半導體背面用薄膜層疊在所述切割帶的粘合劑層上。所述構成的切割帶一體型半導體背面用薄膜中，切割帶與倒裝芯片型半導體背面用薄膜一體地形成，因此可以供給切割半導體晶片以制作半導體元件的切割工序或者此后的拾取工序。即，在切割工序前將切割帶往半導體晶片背面粘貼時，也可以粘貼所述半導體背面用薄膜，因此無需僅粘貼半導體背面用薄膜的工序(半導體背面用薄膜粘貼工序)。結果，可以減少工序數。而且，半導體背面用薄膜保護半導體晶片、通過切割形成的半導體元件的背面，因此在切割工序或此后的工序(拾取工序等)中，可以減少或防止該半導體元件的損傷。結果，可以提高倒裝芯片型半導體裝置的制造成品率。另外，本發明的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的制造方法，用于制造所述的倒裝芯片型半導體背面用薄膜，其特征在于，包括以下步驟形成膠粘劑層的步驟，和在所述膠粘劑層上形成電磁波屏蔽層的步驟。通過所述構成制造的倒裝芯片型半導體背面用薄膜，具有電磁波屏蔽層，因此在制造半導體裝置時，無需追加形成電磁波屏蔽層的工序。即，無需在半導體元件的背面形成膠粘劑層、然后形成電磁波屏蔽層這樣的多階段工序，通過一階段的工序就可以在半導體元件的背面設置電磁波屏蔽層。結果，可以盡量抑制制造工序的擴大。另外，本發明的半導體裝置，為了解決所述問題，具有所述的倒裝芯片型半導體背面用薄膜。


圖1是表示本發明的一個實施方式的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的示意剖視圖。圖2是表示本發明的另一個實施方式的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的示意剖視圖。圖3是表示本發明的一個實施方式的切割帶一體型半導體背面用薄膜的一例的示意剖視圖。圖4是表示使用本發明的一個實施方式的切割帶一體型半導體背面用薄膜制造半導體裝置的方法的一例的示意剖視圖。圖5是表示實施例1的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結果的圖線。圖6是表示實施例2的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結果的圖線。圖7是表示實施例3的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結果的圖線。圖8是表示實施例4的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結果的圖線。圖9是表示實施例5的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結果的圖線。圖10是表示實施例6的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結果的圖線。圖11是表示比較例1的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結果的圖線。
圖12是表示比較例2的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的電磁波衰減量(dB)的測定結果的圖線。標號說明1切割帶一體型半導體背面用薄膜
2切割薄膜
21基材
22粘合劑層
23與半導體晶片的粘貼部分對應的部分
40,41半導體背面用薄膜(倒裝芯片型半導體背面用薄膜)
4半導體晶片
5半導體芯片
51在半導體芯片5的電路面一側形成的凸塊
6被粘物
61被粘到被粘物6的連接焊盤上的接合用導電材料
具體實施例方式(倒裝芯片型半導體背面用薄膜)首先，以下對于本發明的一個實施方式的倒裝芯片型半導體背面用薄膜(以下有時稱為“半導體背面用薄膜”)進行說明。圖1是表示本發明的一個實施方式的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的示意剖視圖，圖2是表示另一個實施方式的倒裝芯片型半導體背面用薄膜的示意剖視圖。如圖1所示，半導體背面用薄膜40具有在膠粘劑層30上層疊有電磁波屏蔽層31的構成。另外，本發明的半導體背面用薄膜，如圖2所示的半導體背面用薄膜 41所示，可以具有在電磁波屏蔽層31上進一步層疊有膠粘劑層32的構成。另外，本發明的半導體背面用薄膜，如果具有膠粘劑層和電磁波屏蔽層，則不限于半導體背面用薄膜40、半導體背面用薄膜41，也可以是例如具有除膠粘劑層和電磁波屏蔽層以外的其它層的半導體背面用薄膜。作為電磁波屏蔽層31，可以列舉導電層、電介質電介質層、磁性體層。作為所述導電層，可以列舉具有無機導電材料或有機導電材料的層。作為前述無機導電材料，可以列舉選自由 Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Ra、Be、Mg、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Y、La、Ce、Pr、Nd、 Sm、Eu、Ti、Zr、Sn、Hf、Pb、Th、Fe、Co、N、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、U、Mn、Re、Cu、Ag、Au、Ru、Rh、 Pd、0s、Ir、Pt構成的組中的至少一種以上金屬元素、所述金屬元素的氧化物、所述金屬元素的合金等。作為前述有機導電材料，可以列舉聚乙炔、聚對亞苯基、聚苯胺、聚噻吩、聚對亞苯基亞乙烯基、聚吡咯等。所述有機導電材料可以單獨使用或者兩種以上組合使用。另外， 可以將所述無機導電材料與所述有機導電材料組合使用。所述導電層可以是僅由金屬箔或蒸鍍膜這樣的導電材料構成的層，也可以是所述無機導電材料或有機導電材料配合到樹脂中形成的層。所述導電層中，優選電導率在10X101 IOX 107S/m范圍內的導電層，更優選電導率在5 X IO2 5 X 107S/m范圍內的導電層，特別優選電導率在10 X IO2 1 X 107S/m范圍內的導電層。對于所述導電層而言，可以通過反射損耗使電磁波衰減。金屬箔是指由所述無機導電材料制成的材料，例如，是指將所述無機導電材料變薄(例如到約0. Iym 約100 μ m)拉伸而制造的材料。作為所述電介質層中使用的材料，沒有特別限制，可以列舉聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚酰胺、聚砜、聚醚砜、聚氯乙烯、環氧樹脂等合成樹脂，聚異戊二烯橡膠、聚苯乙烯-丁二烯橡膠、聚丁二烯橡膠、氯丁橡膠、丙烯腈-丁二烯橡膠(NBR)、丁基橡膠、丙烯酸類橡膠、乙烯-丙烯橡膠、硅橡膠等各種合成橡膠材料。另外，可以列舉在這些樹脂中添加有碳、氧化鈦、氧化鋁、鈦酸鋇、羅謝爾鹽等無機材料的材料。所述電介質層中， 優選介電常數在1. 0 4000范圍內的電介質層，更優選1. 0 1000范圍內的電介質層，進一步優選1. 0 100范圍內的電介質層。所述電介質層可以通過介質損耗使電磁波衰減。作為所述磁性體層中使用的磁性粒子，沒有特別限制，可以使用赤鐵礦(Fe52O3)、磁鐵礦(Fii3O4)、以及通式MFi5204、M0 ·η ^203(兩式中，M為二價的金屬粒子，可以列舉Mn、Co、 Ni、Cu、Zn、Ba、Mg等，另外，η為正數，而且M重復時可以相同也可以不同)表示的各種鐵氧體、硅鋼粉、坡莫合金O^e-Ni合金),Co基非晶合金、鐵硅鋁磁合金O^e-Al-Si合金)、高導磁合金、超透磁合金、鎳鐵高導磁合金、帕門德鐵鈷磁性合金(〃一 J >夕一)、波尼瓦爾鐵鎳鈷合金(〃一 $ > 〃一)等的各種金屬粉或其合金粉、磁性粉等。另外，可以使用日立金屬株式會社制造的finemet (注冊商標)。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。所述磁性體層可以是在樹脂中配合有所述磁性粒子的層。所述磁性體層可以通過磁損耗使電磁波衰減。另外，通過將導電材料(所述有機導電材料、所述無機導電材料)與所述磁性粒子配合而得到的層作為電磁波屏蔽層31，可以進一步發揮電磁波阻斷效果。電磁波屏蔽層31的厚度沒有特別限制，可以從0.001 μ m IOOOOym的范圍內選擇，優選0. 005 900 μ m,更優選0. 01 800 μ m。但是，在通過電介質層或磁性體層而具有電磁波屏蔽特性的情況下，電磁波屏蔽層31的厚度根據要屏蔽的電磁波的頻率而不同。 一般而言，優選為要屏蔽的電磁波的波長(λ)的1/4以上。對于半導體背面用薄膜40、41而言，優選透過半導體背面用薄膜40、41的電磁波的衰減量，對于50MHz 20GHz范圍的頻域的至少一部分而言，為3dB以上。所述頻域優選為80MHz 19GHz的范圍，更優選IOOMHz 18GHz的范圍。另外，所述衰減量優選為4dB以上，更優選5dB以上。由于透過半導體背面用薄膜40、41的電磁波的衰減量對于50MHz 20GHz這樣的較高頻域的至少一部分而言為3dB以上，因此可以有效阻斷電磁波。因此，可以減少從一個半導體元件釋放的電磁波對另一個半導體元件、襯底、相鄰的器件、封裝等產生的影響。膠粘劑層30與電磁波屏蔽層31的180度剝離強度、以及膠粘劑層32與電磁波屏蔽層31的180度剝離強度，優選為0. 5N/10mm以上，更優選0. 8N/10mm以上，進一步優選 1. 0N/10mm以上。通過將所述180度剝離強度設定為0. 5N/10mm以上，不容易引起層間剝離，可以提高成品率。所述180度剝離強度，可以如下所述進行測定。首先，用粘合帶(日東電工株式會社制造，BT-315)對膠粘劑層進行加襯，并切割為lOXlOOmm。然后，用粘合帶(日東電工株式會社制造，BT-315)對電磁波屏蔽層進行加襯，并切割為10X 100mm。然后，使用層壓機 (MCK制造，MRK-600)，在50°C、0. 5MPa、IOmm/秒的條件下將切出的膠粘劑層與電磁波屏蔽層粘貼。之后，在常溫(25°C)的環境下放置20分鐘，得到試驗片。然后，使用拉伸試驗機 (島津制作所制造，AGS-J)測定膠粘劑層與電磁波屏蔽層的180度剝離力。
膠粘劑層30、32至少由熱固性樹脂形成，優選至少由熱固性樹脂和熱塑性樹脂形成。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉例如天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6，6等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)或PBT(聚對苯二甲酸丁二醇酯)等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或者氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優選離子性雜質少、耐熱性高、能夠確保半導體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。作為所述丙烯酸類樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數30以下(優選碳原子數4 18、更優選碳原子數6 10、特別優選碳原子數8或9)的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物等。即，本發明中，丙烯酸類樹脂是包含甲基丙烯酸類樹脂的廣義含義。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、 異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八焼基等ο另外，作為用于形成所述丙烯酸類樹脂的其它單體(烷基的碳原子數30以下的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)，沒有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、 (甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。另外，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本發明的“(甲基)”全部具有同樣的含義。另外，作為所述熱固性樹脂，可以列舉環氧樹脂、酚醛樹脂、以及氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚硅氧烷樹脂、熱固性聚酰亞胺樹脂等。熱固性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。特別適合的是腐蝕半導體元件的離子性雜質等的含量少的環氧樹脂作為熱固性樹脂。另外，作為環氧樹脂的固化劑，適合使用酚醛樹脂。作為環氧樹脂，沒有特別限制，可以使用例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、芴型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三(羥苯基)甲烷型環氧樹脂、四(羥苯基)乙烷型環氧樹脂等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內酰脲型環氧樹脂、異氰脲酸三縮水甘油酯型環氧樹脂或縮水甘油胺型環氧樹脂等環氧樹脂。作為環氧樹脂，特別優選前面例示中的酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三 (羥苯基)甲烷型環氧樹脂或四(羥苯基)乙烷型環氧樹脂。這是因為這些環氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性好，并且耐熱性等優良。
另外，所述酚醛樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂(>)型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。酚醛樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中特別優選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。環氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如，以相對于所述環氧樹脂成分中的環氧基 1當量酚醛樹脂中的羥基為0. 5 2. 0當量的方式進行配合是適當的。另外，更合適的是 0.8 1.2當量。S卩，這是因為兩者的配合比例在所述范圍以外時，不能進行充分的固化反應，從而環氧樹脂固化物的特性容易劣化。本發明中，可以使用環氧樹脂與酚醛樹脂的熱固化促進催化劑。作為熱固化促進催化劑，沒有特別限制，可以從公知的熱固化促進催化劑中適當選擇使用。熱固化促進催化劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為熱固化促進催化劑，可以使用例如胺類固化促進劑、含磷固化促進劑、咪唑類固化促進劑、含硼固化促進劑、含磷硼固化促進劑等。作為膠粘劑層30、32，適合由含有環氧樹脂和酚醛樹脂的樹脂組合物、或者含有環氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂的樹脂組合物形成。這些樹脂中的離子性雜質少，耐熱性高，因此可以確保半導體的可靠性。另外，作為構成膠粘劑層30、32的膠粘劑組合物，如上所述，可以將聚酰亞胺樹脂作為熱固性聚酰亞胺樹脂、或者作為熱塑性聚酰亞胺樹脂與其它樹脂共同使用、也可以單獨使用。聚酰亞胺樹脂一般是將作為其前體的聚酰胺酸脫水縮合(酰亞胺化)而得到的耐熱性樹脂。聚酰胺酸可以通過將二胺成分與酸酐成分以實質上等摩爾比在適當的有機溶劑中反應來得到。作為上述二胺，可以列舉例如脂肪族二胺或芳香族二胺。作為脂肪族二胺，可以列舉例如乙二胺、1，6-己二胺、1，8- 二氨基辛烷、1，10- 二氨基癸烷、1,12- 二氨基十二烷、 4，9-二氧雜-1，12-二氨基十二烷、1，3-雙(3-氨基丙基)-1，1，3，3_四甲基二硅氧烷(α， ω -雙氨丙基四甲基二硅氧烷)等。脂肪族二胺的分子量通常為50 1000000，優選100 30000。作為上述二胺，可以列舉例如脂肪族二胺或芳香族二胺。作為脂肪族二胺，可以列舉例如乙二胺、1，6-己二胺、1，8- 二氨基辛烷、1，10- 二氨基癸烷、1,12- 二氨基十二烷、 4，9_ 二氧雜-1，12-二氨基癸烷、1，3-雙(3-氨基丙基)-1，1，3，3_四甲基二硅氧烷(α， ω -雙氨丙基四甲基二硅氧烷)等。脂肪族二胺的分子量通常為50 1000000，優選100 30000。作為上述芳香族二胺，可以列舉例如4，4’ - 二氨基二苯醚、3，4’ - 二氨基二苯醚、 3，3’ - 二氨基二苯醚、間苯二胺、對苯二胺、4，4’ - 二氨基二苯基丙烷、3，3’ - 二氨基二苯基甲烷、4，4’ - 二氨基二苯硫醚、3，3’ - 二氨基二苯硫醚、4，4’ - 二氨基二苯砜、3，3’ - 二氨基二苯砜、1，4_雙(4-氨基苯氧基)苯、1，3-雙(4-氨基苯氧基)苯、1，3-雙(3-氨基苯氧基)苯、1，3_雙(4-氨基苯氧基)-2，2_ 二甲基丙烷、4，4’ - 二氨基二苯甲酮等。作為上述酸酐，可以使用各種酸酐，可以列舉例如四元羧酸二酐。作為上述四元羧酸二酐，可以列舉例如3，3’，4，4’ -聯苯四甲酸二酐、2，2’，3，3’ -聯苯四甲酸二酐、3， 3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐、2，2’，3，3’-二苯甲酮四甲酸二酐、4，4’-氧雙(鄰苯二甲酸)二酐、2，2_雙(2，3_ 二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2，2_雙(3，4_ 二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、雙(2，3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3，4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2， 3-二羧基苯基)砜二酐、雙(3，4-二羧基苯基)砜二酐、均苯四酸二酐、乙二醇雙偏苯三酸二酐等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為使上述二胺與上述酸酐反應的溶劑，沒有特別限制，可以列舉例如N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、環己酮等。為了調節原材料或樹脂的溶解性，這些溶劑可以與甲苯、二甲苯等非極性溶劑適當地混合使用。作為使聚酰胺酸酰亞胺化的方法，可以列舉例如加熱酰亞胺化法、共沸脫水法、 化學酰亞胺化法等。其中，優選加熱酰亞胺化法，優選加熱溫度為150°C以上。另外，在加熱酰亞胺化法中，為了防止樹脂的氧化降解，優選在氮氣氛下或真空中等惰性氣氛下進行處理。由此，可以完全除去樹脂中殘留的揮發成分。使上述四元羧酸二酐與上述二胺反應的情況下，特別是使用含有丁二烯丙烯腈共聚物骨架的二胺的情況下，優選在100°c以上的溫度下進行反應。由此，可以防止凝膠化。對于膠粘劑層30而言，重要的是對半導體芯片的背面(非電路形成面)具有膠粘性(密合性)。膠粘劑層30例如可以由含有作為熱固性樹脂的環氧樹脂的樹脂組合物形成。為了使膠粘劑層30預先進行某種程度的交聯，在制作時優選添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，可以提高高溫下的膠粘特性，改善耐熱性。作為所述交聯劑，沒有特別限制，可以使用公知的交聯劑。具體而言，可以列舉例如異氰酸酯類交聯劑、環氧類交聯劑、三聚氰胺類交聯劑、過氧化物類交聯劑、以及脲類交聯劑、金屬醇鹽類交聯劑、金屬螯合物類交聯劑、金屬鹽類交聯劑、碳二亞胺類交聯劑、_ 唑啉類交聯劑、氮丙啶類交聯劑、胺類交聯劑等。作為交聯劑，優選異氰酸酯類交聯劑或環氧類交聯劑。另外，所述交聯劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述異氰酸酯類交聯劑，可以列舉例如1，2_乙二異氰酸酯、1，4_ 丁二異氰酸酯、1，6_己二異氰酸酯等低級脂肪族多異氰酸酯類；環戊二異氰酸酯、環己二異氰酸酯、 異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族多異氰酸酯類；2，4_甲苯二異氰酸酯、2，6_甲苯二異氰酸酯、4，4’ - 二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯等芳香族多異氰酸酯類等，此外，可以使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(日本聚氨酯工業公司制造，商品名“二口彳、一卜L”)、三羥甲基丙烷/1,6-己二異氰酸酯三聚物加成物(日本聚氨酯工業公司制造，商品名“二口彳、一卜HL”)等。作為所述環氧類交聯劑，可以列舉例如Ν，N, N’，N’ -四縮水甘油基間苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_ 二(N，N-二縮水甘油基氨基甲基)環己烷、1，6_己二醇二縮水甘油基醚、新戊二醇二縮水甘油基醚、乙二醇二縮水甘油基醚、丙二醇二縮水甘油基醚、聚乙二醇二縮水甘油基醚、聚丙二醇二縮水甘油基醚、山梨醇多縮水甘油基醚、甘油多縮水甘油基醚、季戊四醇多縮水甘油基醚、聚甘油多縮水甘油基醚、失水山梨醇多縮水甘油基醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油基醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三(2-羥基乙基)異氰脲酸三縮水甘油酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚S 二縮水甘油基醚、以及分子內具有兩個以上環氧基的環氧類樹脂等。另外，交聯劑的使用量沒有特別限制，可以根據想交聯的程度適當選擇。具體而言，作為交聯劑的使用量，例如，相對于聚合物成分(特別是具有分子鏈末端的官能團的聚合物)100重量份，通常優選設定為7重量份以下(例如，0. 05重量份 7重量份)。交聯劑的使用量相對于聚合物100重量份超過7重量份時，膠粘力下降，因此不優選。另外，從提高凝聚力的觀點考慮，交聯劑的使用量相對于聚合物成分100重量份優選為0. 05重量份以上。另外，本發明中，代替使用交聯劑、或者在使用交聯劑的同時，可以利用電子射線或紫外線等的照射進行交聯處理。在半導體背面用薄膜40中，優選將膠粘劑層30著色。另外，半導體背面用薄膜 40中，優選將膠粘劑層30和膠粘劑層32中的至少一個著色。由此，半導體背面用薄膜40、 41可以發揮優良的標記性和外觀性，可以得到外觀具有附加價值的半導體裝置。這樣，著色的半導體背面用薄膜具有優良的標記性，因此在半導體元件或使用該半導體元件的半導體裝置的非電路一側的面上，經由半導體背面用薄膜，通過利用印刷方法或者激光標記方法等各種標記方法實施標記，可以賦予文字信息、圖形信息等各種信息。特別是通過控制著色的顏色，能夠以優良的可視性看到通過標記而賦予的信息(文字信息、圖形信息等)。另外，半導體背面用薄膜被著色，因此可以容易地區別切割帶和半導體背面用薄膜，可以提高作業性等。另外，例如作為半導體裝置，可以對各制品用不同彩色進行區別。使半導體背面用薄膜有色的情況(非無色、透明的情況)下，作為通過著色而呈現的顏色，沒有特別限制， 例如，優選黑色、藍色、紅色等深色，特別優選為黑色。本實施方式中，深色基本上是指由L*a*b*表色系規定的L*為60以下(0 60) [優選50以下(0 50)、進一步優選40以下(0 40)]的深色。另外，黑色基本上是指由L*a*b*表色系規定的L*為35以下(0 35)[優選30 以下(0 30)、進一步優選25以下(0 25)]的黑色系顏色。另外，對于黑色而言，作為由 L*a*b*表色系規定的a*、b*，可以分別根據L*的值進行適當選擇。作為a*、b*，例如，優選雙方為-10 10，更優選雙方為-5 5，特別優選雙方為-3 3的范圍(其中，0或者基本為0)。另外，本實施方式中，由L*a*b*表色系規定的L*、a*、b*通過使用色差計(商品名 “CR-200”，Minolta公司制；色差計)測定而求出。另外，表色系是國際照明委員會 (CIE)于1976年推薦的色彩空間，是指稱為CIE1976(L*a*b*)表色系的色彩空間。另外， L*a*b*表色系在日本工業標準中由JIS Z 87 規定。將膠粘劑層30、32著色時，根據目標顏色，可以使用各種色料(著色劑)。作為這樣的色料，可以適合使用黑系色料、藍系色料、紅系色料等各種深色系色料，特別適合的是黑系色料。作為色料，可以是顏料、染料等的任意一種。色料可以單獨使用或者兩種以上組合使用。另外，作為染料，可以使用酸性染料、反應染料、直接染料、分散染料、陽離子染料等任意一種形態的染料。另外，顏料的形態沒有特別限制，可以從公知的顏料中適當選擇使用。特別是使用染料作為色料時，由于在膠粘劑層30、32中染料通過溶解可以成為均勻地或者基本均勻地分散的狀態，因此可以容易地制造著色濃度均勻或者基本均勻的半導體背面用薄膜40、41 (進而切割帶一體型半導體背面用薄膜1)。因此，使用染料作為色料時，可以使切割帶一體型半導體背面用薄膜中的半導體背面用薄膜的著色濃度均勻或者基本均勻，可以提高標記性或外觀性。作為黑系色料，沒有特別限制，可以從無機的黑系顏料、黑系染料中適當選擇。另外，作為黑系色料，可以是混合有青色系色料(藍綠系色料)、洋紅色系色料(紫紅系色料) 和黃色系色料(黃系色料)的色料混合物。黑系色料可以單獨使用或者兩種以上組合使用。 當然，黑系色料可以與黑色以外的顏色的色料組合使用。具體而言，作為黑系色料，可以列舉例如炭黑(爐黑、槽法炭黑、乙炔黑、熱裂法炭黑、燈黑等)、石墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮類顏料(偶氮次甲基偶氮黑等)、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、活性炭、鐵氧體(非磁性鐵氧體、磁性鐵氧體等)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻絡合物、復合氧化物類黑色色素、蒽醌類有機黑色色素等。本發明中，作為黑系色料，也可以使用C. I.溶劑黑3、7、22、27、四、34、43、70、 C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71、C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、 154、C. I.分散黑1、3、10、24等黑系染料；C. I.顏料黑1、7等黑系顏料等。作為這樣的黑系色料，市售有例如商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名 “Oil Black HBB”、商品名 “Oil Black 803”、商品名 “Oil Black 860”、商品名 "Oil Black 5970”、商品名“Oil Black5906”、商品名“Oil Black 5905” (才'J 工 > 卜化學工業株式會社制造)等。作為黑系色料以外的色料，可以列舉例如青系色料、洋紅系色料、黃系色料等。作為青系色料，可以列舉例如:C. I.溶劑藍25、36、60、70、93、95 ；C. I.酸性藍6、45等青系染料；C. I.顏料藍 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、 60、63、65、66 ；C. I.還原藍4、60 ；C. I.顏料綠7等青系顏料等。另外，在洋紅系色料中，作為洋紅系染料，可以列舉例如:C. I.溶劑紅1、3、8、23、 24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、 29、32、34、35、36、37、38、39、40 ；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27、28 等。在洋紅系色料中，作為洋紅系顏料，可以列舉例如:C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、 8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、 48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、 63:2、64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、 139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、 185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、 32、33、36、38、43、50 ；C. I.還原紅 1、2、10、13、15、23、29、35 等。另外，作為黃系色料，可以列舉例如:C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、98、 103、104、112、162 等黃系染料；C. I.顏料橙 31、43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、 13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、 101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、 154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.還原黃 1、3、20 等黃系顏料等。青系色料、洋紅系色料、黃系色料等的各種色料，各自可以單獨使用或者兩種以上組合使用。另外，使用青系色料、洋紅系色料、黃系色料等的各種色料的兩種以上的情況下， 這些色料的混合比例(或者配合比例)沒有特別限制，可以根據各色料的種類或目標顏色等適當選擇。使膠粘劑層30、32著色的情況下，其著色形態沒有特別限制。例如，膠粘劑層30、 32可以為添加有著色劑的單層薄膜狀物。另外，可以是至少由熱固性樹脂形成的樹脂層與著色劑層至少進行層疊而得到的層疊薄膜。另外，膠粘劑層30、32為樹脂層與著色劑層的層疊薄膜的情況下，作為層疊形態的膠粘劑層30、32，優選具有樹脂層/著色劑層/樹脂層的層疊形態。此時，著色劑層兩側的兩個樹脂層可以為相同組成的樹脂層，也可以是不同組成的樹脂層。膠粘劑層30、32中根據需要可以適當配合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如填充劑(填料)、阻燃劑、硅烷偶聯劑、離子捕獲劑、以及增量劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑等。作為所述填充劑，可以為無機填充劑、有機填充劑中的任意一種，優選無機填充劑。通過配合無機填充劑等填充劑，可以對膠粘劑層30、32賦予導電性、提高導熱性、調節彈性模量等。另外，膠粘劑層30、32既可以為導電性的，也可以為非導電性的。作為所述無機填充劑，可以列舉例如包含二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化硅、氮化硅等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等金屬或合金類，以及碳等的各種無機粉末等。填充劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為填充劑，其中，優選二氧化硅、特別是熔融二氧化硅、另外，無機填充劑的平均粒徑優選在0. 1 μ m 80 μ m的范圍內。無機填充劑的平均粒徑例如可以通過激光衍射型粒度分布測定裝置來測定。所述填充劑(特別是無機填充劑)的配合量，相對于有機樹脂成分100重量份優選為80重量份以下(0重量份 80重量份)，特別地0重量份 70重量份是適當的。另外，作為所述阻燃劑，可以列舉例如三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。阻燃劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述硅烷偶聯劑，可以列舉例如 β-(3，4_環氧環己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環氧丙氧基甲基二乙氧基硅烷等。硅烷偶聯劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。離子捕獲劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。膠粘劑層30、32例如可以應用將環氧樹脂等熱固性樹脂和根據需要的丙烯酸類樹脂等熱塑性樹脂以及根據需要的溶劑或其它添加劑等混合以制備樹脂組合物，并形成為薄膜狀的層的慣用方法來形成。另外，膠粘劑層30、32通過含有環氧樹脂等熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，膠粘劑層30、32中，在應用于半導體晶片前的階段，熱固性樹脂處于未固化或部分固化的狀態。此時，應用于半導體晶片后(具體而言，通常在倒裝芯片式接合工序中將密封材料固化時)，使膠粘劑層30、32中的熱固性樹脂完全或者基本完全固化。可見，膠粘劑層30、32雖然含有熱固性樹脂，但是，由于該熱固性樹脂為未固化或部分固化的狀態，因此作為膠粘劑層30、32的凝膠分數，沒有特別限制，例如，可以從50重量％以下(0重量％ 50重量％ )的范圍內適當選擇，優選30重量％以下(0重量％ 30 重量％)，特別優選10重量％以下(0重量％ 10重量％)。膠粘劑層的凝膠分數的測定方法可以通過以下的測定方法來測定。〈凝膠分數的測定方法〉
從膠粘劑層上取樣約0. Ig并精確稱量(試樣的重量)，將該試樣用網狀片包裹后， 在約50ml的甲苯中在室溫下浸漬1周。之后，從甲苯中取出溶劑不溶成分(網狀片的內容物)，在130°C下干燥約2小時，稱量干燥后的溶劑不溶成分(浸漬/干燥后的重量)，由下式(a)計算凝膠分數(重量％ )。凝膠分數(重量％)=[(浸漬/干燥后的重量)/(試樣的重量)]X100(a)另外，膠粘劑層的凝膠分數，可以通過樹脂成分的種類或其含量、交聯劑的種類或其含量、以及加熱溫度、加熱時間等進行控制。本發明中，膠粘劑層為由含有環氧樹脂等熱固性樹脂的樹脂組合物形成的薄膜狀物的情況下，可以對半導體晶片有效地發揮密合性。半導體背用面薄膜40、41的未固化狀態下的23°C下的拉伸儲能彈性模量優選為 IGPa (例如，IGPa 50GPa)，更優選2GPa以上，特別優選3GPa以上。所述拉伸儲能彈性模量為IGPa以上時，將半導體芯片與半導體背面用薄膜40、41 一起從切割帶的粘合劑層22 上剝離后，將半導體背面用薄膜40、41載置于支撐體上進行運輸等時，可有效地抑制或防止半導體背面用薄膜粘貼在支撐體上。另外，所述支撐體例如是指載帶中的上膠帶或下膠帶等。半導體背面用薄膜的未固化狀態下的所述拉伸儲能彈性模量(23°C )可以通過樹脂成分(熱塑性樹脂、熱固性樹脂)的種類或其含量、二氧化硅等填充材料的種類等進行控制。另外，膠粘劑層30、32為多個層層疊而成的層疊薄膜的情況(半導體背面用薄膜具有層疊的形態的情況)下，作為其層疊形態，可以例示例如包含晶片膠粘層和激光標記層的層疊形態等。另外，在這樣的晶片膠粘層與激光標記層之間，可以設置其它層(中間層、光線阻斷層、增強層、著色層、基材層、電磁波阻斷層、導熱層、粘合層等)。另外，晶片膠粘層是對晶片發揮優良的密合性(膠粘性)的層，是與晶片的背面接觸的層。另一方面， 激光標記層是發揮優良的激光標記性的層，是在半導體芯片的背面進行激光標記時使用的層。另外，所述拉伸儲能彈性模量，為通過制作不層疊在切割帶2上的、未固化狀態的半導體背面用薄膜40、41，使用Geometric公司制造的動態粘彈性測定裝置(Solid Analyzer RS A2)，以拉伸模式，在試樣寬度:10mm、試樣長度:22. 5mm、試樣厚度0. 2mm、頻率1Hz、升溫速度10°C /分鐘、氮氣氣氛下、規定的溫度(23°C )下進行測定而得到的拉伸儲能彈性模量的值。對于半導體背面用薄膜40、41而言，優選至少一個面由隔片(剝離襯墊)保護(未圖示)。例如，在切割帶一體型半導體背面用薄膜1(參考圖3)的情況下，可以僅在半導體背面用薄膜的一個面設置隔片，另一方面，在未與切割帶一體化的半導體背面用薄膜的情況下，可以在半導體背面用薄膜的單面或兩面設置隔片。隔片具有在供給實際應用之前作為保護半導體背面用薄膜的保護材料的功能。另外，在切割帶一體型半導體背面用薄膜1 的情況下，隔片還可以作為在切割帶的基材上的粘合劑層22上轉印半導體背面用薄膜40 時的支撐基材使用。隔片在向半導體背面用薄膜上粘貼半導體晶片時剝離。作為隔片，可以使用聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行了表面涂敷的塑料薄膜(聚對苯二甲酸乙二醇酯等)或紙等。另外，隔片可以通過現有公知的方法形成。另外，隔片的厚度等也沒有特別限制。半導體背面用薄膜40、41未層疊到切割帶2上的情況下，半導體背面用薄膜40、 41可以使用一片兩面具有剝離層的隔片以卷繞為卷筒狀的形態由兩面具有剝離層的隔片保護，也可以由至少一個面具有剝離層的隔片保護。另外，半導體背面用薄膜40、41的可見光(波長400nm SOOnm)的光線透射率 (可見光透射率)，沒有特別限制，例如，優選為20 %以下(0 % 20 % )的范圍，更優選10 % 以下(0% 10%)，特別優選5%以下(0% 5%)。半導體背面用薄膜40、41的可見光透射率超過20%時，由于光線透過，有可能會對半導體元件產生不利影響。另外，所述可見光透射率(％ )可以通過半導體背面用薄膜40、41的樹脂成分的種類或其含量、著色劑(顏料或染料等)的種類或其含量、無機填充材料的含量等進行控制。半導體背面用薄膜的可見光透射率(％ )可以通過如下方式測定。即，制作厚度 (平均厚度)20 μ m的半導體背面用薄膜單體。然后，對半導體背面用薄膜，以規定的強度照射波長400nm SOOnm的可見光線[裝置島津制作所制造的可見光發生裝置(商品名 “ABSORPT10NSPECTR0 PH0T0METR，，)]，并測定透射的可見光線的強度。另外，由可見光線透過半導體背面用薄膜前后的強度變化，可以求出可見光透射率的值。另外，也可以由厚度不為20 μ m的半導體背面用薄膜的可見光透射率(％ ；波長400nm SOOnm)的值，推導出厚度20 μ m的半導體背面用薄膜的可見光透射率(％ ；波長400nm 800nm)。另外，本發明中，求出厚度20 μ m的半導體背面用薄膜的情況下的可見光透射率(％ )，但是，本發明的半導體背面用薄膜不限于厚度20 μ m的半導體背面用薄膜。另外，作為半導體背面用薄膜40、41，優選其吸濕率低。具體而言，優選所述吸濕率為1重量％以下，更優選0.8重量％以下。通過將所述吸濕率設定為1重量％以下，可以提高激光標記性。另外，例如，在回流焊接工序中，可以抑制或防止在半導體背面用薄膜40、41 與半導體元件之間產生空隙等。另外，所述吸濕率為通過將半導體背面用薄膜40、41在溫度85°C、相對濕度85% RH的氣氛下放置168小時前后的重量變化而求出的值。半導體背面用薄膜由含有熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，所述吸濕率是指對于熱固化后的半導體背面用薄膜而言，在溫度85°C、相對濕度85% RH的氣氛下放置168小時時的值。另外，所述吸濕率例如可以通過改變無機填料的添加量進行控制。另外，作為半導體背面用薄膜40、41，優選揮發成分的比例低。具體而言，加熱處理后的半導體背面用薄膜40、41的重量減少率(重量減少量的比例)優選為1重量％以下， 更優選0.8重量％以下。加熱處理的條件例如為加熱溫度250°C、加熱時間1小時。通過將所述重量減少率設定為1重量％以下，可以提高激光標記性。另外，例如，在回流焊接工序中，可以抑制或防止倒裝芯片型的半導體裝置產生裂紋。所述重量減少率例如可以通過添加能夠減少無鉛回流焊接時的裂紋產生的無機物來進行調節。另外，半導體背面用薄膜40、 41由含有熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，所述重量減少率是指對于熱固化后的半導體背面用薄膜而言，在加熱溫度250°C、加熱時間1小時的條件下加熱時的值。半導體背面用薄膜40、41的厚度(包含電磁波屏蔽層以及膠粘劑層的總厚度) 沒有特別限制，例如，可以從ι 10000 μ m的范圍內選擇，優選2 900 μ m，更優選3 800 μ m0膠粘劑層30、32的厚度沒有特別限制，可以通過使半導體背面用薄膜40、41的厚度落入上述范圍內的方式進行選擇，例如，為1 200 μ m，優選2 150 μ m，更優選3 100 μ m0本實施方式的倒裝芯片型半導體背面用薄膜，通過層疊在切割帶上可以作為切割帶一體型半導體背面用薄膜使用。作為所述切割帶，沒有特別限制，例如，可以采用在基材上層疊有粘合劑層的切割帶。以下，以層疊在切割帶上的切割帶一體型半導體背面用薄膜對上述實施方式的倒裝芯片型半導體背面用薄膜進行說明。(切割帶一體型半導體背面用薄膜)圖3是表示本實施方式的切割帶一體型半導體背面用薄膜的一例的示意剖視圖。 如圖3所示，切割帶一體型半導體背面用薄膜1，為具有在基材21上設置有粘合劑層22的切割帶2和半導體背面用薄膜40的構成。另外，本發明的切割帶一體型半導體背面用薄膜， 如圖3所示，可以是在切割帶2的粘合劑層22上，僅在與半導體晶片的粘貼部分對應的部分23上形成有膠粘劑層30的構成，也可以是在整個粘合劑層22上形成有半導體背面用薄膜的構成，另外，也可以是在大于與半導體晶片的粘貼部分對應的部分23并且比整個粘合劑層22小的部分形成有半導體背面用薄膜的構成。另外，半導體背面用薄膜40的表面 (與晶片背面粘貼的一側的表面)在直到粘貼到晶片背面的期間內，可以由隔片等保護。(切割帶)切割帶2，具有在基材21上形成有粘合劑層22的構成。可見，切割帶2具有基材 21與粘合劑層22層疊的構成即可。基材(支撐基材)可以作為粘合劑層等的支撐母體使用。所述基材21優選具有輻射線透射性。作為所述基材21，可以使用例如紙等紙類基材； 布、無紡布、氈、網等纖維類基材；金屬箔、金屬板等金屬類基材；塑料的薄膜或片等塑料類基材；橡膠片等橡膠類基材；發泡片等發泡體；以及它們的層疊體[特別是塑料類基材與其它基材的層疊體、塑料薄膜(或片)相互之間的層疊體等]等適當的薄紙狀物。本發明中， 作為基材，可以適合使用塑料的薄膜或片等塑料類基材。作為這樣的塑料材料中的材質，可以列舉例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烴類樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規、 交替)共聚物等以乙烯為單體成分的共聚物；聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸類樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPQ ；聚酰胺(尼龍)、全芳香族聚酰胺(芳族聚酰胺)等酰胺類樹脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類樹脂；聚硅氧烷樹脂；含氟樹脂等。另外，作為基材21的材料，可以列舉所述樹脂的交聯物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，也可以根據需要進行單軸或雙軸拉伸處理后使用。根據通過拉伸處理而具有熱收縮性的樹脂片，切割后通過使其基材21熱收縮而降低粘合劑層22與膠粘層劑 30的膠粘面積，可以容易地回收半導體芯片。為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，基材21的表面可以進行慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電壓暴露、離子化射線處理等化學或物理處理、底涂劑(例如，后述的粘合物質)的涂布處理等。所述基材21，可以適當選擇使用同種或異種材料，根據需要也可以將多種混合使用。另外，為了使基材21具有防靜電性能，可以在所述基材21上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度約30A 約500A的導電物質的蒸鍍層。基材21可以是單層也可以是 2種以上的多層。基材21的厚度(層疊體情況下的總厚度)沒有特別限制，可以根據強度、柔軟性、 使用目的等適當設定，例如，一般為約1000 μ m以下(例如約1 μ m 約1000 μ m)，優選約 10 μ m 約500 μ m,進一步優選約20 μ m 約300 μ m,特別是約30 μ m 約200 μ m,但是不
限于此。另外，在不損害本發明效果的范圍內，基材21中可以含有各種添加劑(著色劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。所述粘合劑層22由粘合劑形成，具有粘合性。作為這樣的粘合劑，沒有特別限制， 可以從公知的粘合劑中適當選擇。具體而言，作為粘合劑，可以從例如丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑、乙烯基烷基醚類粘合劑、聚硅氧烷類粘合劑、聚酯類粘合劑、聚酰胺類粘合劑、 聚氨酯類粘合劑、含氟型粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類粘合劑、在這些粘合劑中配合有熔點約200°C以下的熱熔性樹脂的蠕變特性改良型粘合劑等公知的粘合劑(例如，參考日本特開昭56-61468號公報、日本特開昭61-174857號公報、日本特開昭63-17981號公報、日本特開昭56-13040號公報等)中適當選擇使用具有所述特性的粘合劑。另外，作為粘合劑，也可以使用輻射線固化型粘合劑(或者能量射線固化型粘合劑)、熱膨脹性粘合劑。粘合劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述粘合劑，可以適合使用丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑，特別地，丙烯酸類粘合劑是適合的。作為丙烯酸類粘合劑，可以列舉以使用一種或兩種以上(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體成分的丙烯酸類聚合物(均聚物或共聚物)為基礎聚合物的丙烯酸類粘合劑。作為所述丙烯酸類粘合劑中的(甲基)丙烯酸烷基酯，可以列舉例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基) 丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基) 丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯、(甲基)丙烯酸二十烷酯等(甲基)丙烯酸烷基酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，優選烷基的碳原子數4 18的(甲基)丙烯酸烷基酯。另外，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可以為直鏈狀或支鏈狀。另外，為了改善凝集力、耐熱性、交聯性等，所述丙烯酸類聚合物中根據需要可以含有與能夠與所述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥十二烷酯、(甲基) 丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代的)酰胺類單體；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸-N，N-二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯類單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯類單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基丙烯酸類單體；苯乙烯、α -甲基苯乙烯等苯乙烯類單體；乙酸乙烯酯、 丙酸乙烯酯等乙烯酯類單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴類單體；乙烯基醚等乙烯醚類單體；N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基U惡唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酰胺類、N-乙烯基己內酰胺等含氮單體；N-環己基馬來酰亞胺、N-異丙基馬來酰亞胺、 N-月桂基馬來酰亞胺、N-苯基馬來酰亞胺等馬來酰亞胺類單體；N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N- 丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、Ν-2-乙基己基衣康酰亞胺、N-環己基衣康酰亞胺、N-月桂基衣康酰亞胺等衣康酰亞胺類單體；Ν-(甲基)丙烯酰氧亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯酰-6-氧六亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯酰-8-氧八亞甲基琥珀酰亞胺等琥珀酰亞胺類單體；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇類丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯、聚硅氧烷(甲基)丙烯酸酯等具有雜環、鹵素原子、硅原子等的丙烯酸酯類單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、 季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧基丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等多官能單體等。 這些可共聚單體可以使用一種或兩種以上。使用輻射線固化型粘合劑(或者能量射線固化型粘合劑)作為粘合劑的情況下， 作為輻射線固化型粘合劑(組合物)，可以列舉例如使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有自由基反應性的碳碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的輻射線固化型粘合劑、或者在粘合劑中配合有紫外線固化性單體成分或低聚物成分的輻射線固化型粘合劑等。另外，使用熱膨脹性粘合劑作為粘合劑的情況下，作為熱膨脹性粘合劑，可以列舉例如 含有粘合劑和發泡劑(特別是熱膨脹性微球)的熱膨脹性粘合劑等。本發明中，在不損害本發明效果的范圍內，粘合劑層22中可以含有各種添加劑 (例如增粘樹脂、著色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯劑等)。作為所述交聯劑，沒有特別限制，可以使用公知的交聯劑。作為所述交聯劑，沒有特別限制，可以使用公知的交聯劑。具體而言，可以列舉例如異氰酸酯類交聯劑、環氧類交聯劑、三聚氰胺類交聯劑、過氧化物類交聯劑、以及脲類交聯劑、金屬醇鹽類交聯劑、金屬螯合物類交聯劑、金屬鹽類交聯劑、碳二亞胺類交聯劑、(i 唑啉類交聯劑、氮丙啶類交聯劑、胺類交聯劑等，優選異氰酸酯類交聯劑或環氧類交聯劑。交聯劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。另外，交聯劑的使用量沒有特別限制。作為所述異氰酸酯類交聯劑，可以列舉例如1，2_乙二異氰酸酯、1，4_ 丁二異氰酸酯、1，6_己二異氰酸酯等低級脂肪族多異氰酸酯類；環戊二異氰酸酯、環己二異氰酸酯、 異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族多異氰酸酯類；2，4_甲苯二異氰酸酯、2，6_甲苯二異氰酸酯、4，4’_ 二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯等芳香族多異氰酸酯類等，此外，可以使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(日本聚氨酯工業公司制造，商品名“二口彳、一卜L”)、三羥甲基丙烷/1,6-己二異氰酸酯三聚物加成物(日本聚氨酯工業公司制造，商品名“二口彳、一卜HL”)等。作為所述環氧類交聯劑，可以列舉例如Ν，N, N’，N’ -四縮水甘油基間苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_ 二(N，N-二縮水甘油基氨基甲基)環己烷、1，6_己二醇二縮水甘油基醚、新戊二醇二縮水甘油基醚、乙二醇二縮水甘油基醚、丙二醇二縮水甘油基醚、聚乙二醇二縮水甘油基醚、聚丙二醇二縮水甘油基醚、山梨醇多縮水甘油基醚、甘油多縮水甘油基醚、季戊四醇多縮水甘油基醚、聚甘油多縮水甘油基醚、失水山梨醇多縮水甘油基醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油基醚、己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三(2-羥基乙基)異氰脲酸三縮水甘油酯、間苯二酚二縮水甘油醚、雙酚S 二縮水甘油基醚、以及分子內具有兩個以上環氧基的環氧類樹脂等。另外，本發明中，代替使用交聯劑、或者在使用交聯劑的同時，可以利用電子射線或紫外線等的照射進行交聯處理。粘合劑層22例如可以利用將粘合劑(壓敏膠粘劑)和根據需要的溶劑或者其它添加劑等進行混合并形成為片狀的層的慣用方法來形成。具體而言，例如，可以通過將含有粘合劑以及根據需要的溶劑或其它添加劑的混合物涂布到基材21上的方法、將所述混合物涂布到適當的隔片(剝離紙等)上形成粘合劑層22并將其轉印(轉移)到基材21上的方法等來形成粘合劑層22。粘合劑層22的厚度沒有特別限制，例如，為約5 μ m 約300 ym(優選約5 μ m 約200 μ m,進一步優選約5 約100 μ m,特別優選約7 μ m 約50 μ m)。粘合劑層22的厚度在所述范圍內時，可以發揮適度的粘合力。另外，粘合劑層22可以為單層或多層。另外，本發明中，可以使倒裝芯片型半導體背面用薄膜40、41或切割帶一體型半導體背面用薄膜1具有防靜電能力。由此，可以防止其膠粘時及剝離時等情況下產生靜電或者由此而導致半導體晶片等帶電從而破壞電路等。防靜電能力的賦予，可以通過在基材 21、粘合劑層22或者倒裝芯片型半導體背面用薄膜40、41中添加防靜電劑或導電性物質的方法、在基材21上設置包含電荷移動絡合物或金屬膜等的導電層的方法等適當的方式進行。作為這些方式，優選不容易產生有可能使半導體晶片變質的雜質離子的方式。以導電性的賦予、導熱性的提高等為目的而配合的導電性物質(導電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、 鎳、導電性合金等的球狀、針狀、薄片狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、非晶炭黑、石墨等。但是，所述倒裝芯片型半導體背面用薄膜40、41為非導電性，這從可以不產生漏電的觀點考慮是優選的。另外，倒裝芯片型半導體背面用薄膜40、41、切割帶一體型半導體背面用薄膜1， 可以以卷繞為卷筒狀的形態形成，也可以以片(薄膜)層疊的形態形成。例如，具有卷繞為卷筒狀的形態的情況下，將倒裝芯片型半導體背面用薄膜或者倒裝芯片型半導體背面用薄
19膜與切割帶的層疊體在根據需要由隔片保護的狀態下卷繞為卷筒狀，而以卷繞為卷筒狀的狀態或形態的倒裝芯片型半導體背面用薄膜或切割帶一體型半導體背面用薄膜的形式來制作。另外，作為卷繞為卷筒狀的狀態或形態的切割帶一體型半導體背面用薄膜1，可以由基材21、在所述基材21的一個面上形成的粘合劑層22、在所述粘合劑層22上形成的半導體背面用薄膜、和在所述基材21的另一個面上形成的剝離處理層(背面處理層)構成。另外，切割帶一體型半導體背面用薄膜1的厚度(半導體背面用薄膜的厚度與包含基材21和粘合劑層22的切割帶的厚度的總厚度)，例如，可以從7 μ m 11300 μ m的范圍內選擇，優選17μπι 1600 μ m(進一步優選28 μ m 1200 μ m)。另外，切割帶一體型半導體背面用薄膜中，通過控制倒裝芯片型半導體背面用薄膜的厚度與切割帶的粘合劑層的厚度之比、或者倒裝芯片型半導體背面用薄膜的厚度與切割帶的厚度(基材與粘合劑層的總厚度)之比，可以提高切割工序時的切割性、拾取工序時的拾取性等，可以在從半導體晶片的切割工序 半導體芯片的倒裝芯片式接合工序中有效地使用切割帶一體型半導體背面用薄膜。(半導體背面用薄膜的制造方法)對半導體背面用薄膜40、41的制造方法進行說明。首先，制作作為膠粘劑層30的形成材料的膠粘劑組合物溶液。該膠粘劑組合物溶液中，除了所述膠粘劑組合物以外，根據需要也可以配合填料、各種添加劑等。然后，以達到規定厚度的方式將膠粘劑組合物溶液涂布到基材隔片上形成涂膜后，在規定條件下干燥該涂膜，形成膠粘劑層30。作為涂布方法，沒有特別限制，可以列舉例如輥涂、絲網涂布、凹版涂布等。另外，作為干燥條件，可以列舉例如在干燥溫度70 160°C、干燥時間1 5分鐘的范圍內進行。然后，在膠粘劑層30上形成電磁波屏蔽層31。電磁波屏蔽層31可以使用所述的材料，通過濺射法、CVD法、真空蒸鍍法等蒸鍍法、鍍敷法、浸漬法、涂布法等形成。另外，例如通過預先將所述材料形成為薄膜狀(例如，金屬箔)并壓接到膠粘劑層30上，由此可以形成電磁波屏蔽層31。通過以上操作，可以半導體背面用薄膜40。另外，通過在電磁波屏蔽層31上進一步形成膠粘劑層32，可以得到半導體背面用薄膜41。膠粘劑層32通過將用于形成膠粘劑層32的形成材料(膠粘劑組合物)以達到規定厚度的方式涂布到剝離紙上，并且在規定條件下形成涂層來形成。通過將該涂層轉印到電磁波屏蔽層31上，形成半導體背面用薄膜41。另外，通過將形成材料直接涂布到電磁波屏蔽層31上后在規定條件下進行干燥，也可以形成膠粘劑層32。(切割帶一體型半導體背面用薄膜的制造方法)以下，對切割帶一體型半導體背面用薄膜的制造方法，以圖3所示的切割帶一體型半導體背面用薄膜1為例進行說明。首先，基材21可以通過現有公知的制膜方法制膜。 作為該制膜方法，可以例示例如壓延制膜法、有機溶劑中的澆注法、密閉體系中的吹脹擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、干式層壓法等。接著，在基材21上涂布粘合劑組合物溶液形成涂膜，然后干燥(根據需要加熱交聯)而形成粘合劑層22。作為涂布方法，可以列舉例如輥涂、絲網涂布、凹版涂布等。另外，可以直接將粘合劑層組合物涂布到基材21上而在基材21上形成粘合劑層22，或者，也可以將粘合劑組合物涂布到表面進行剝離處理后的剝離紙等上形成粘合劑層22，然后將該粘合劑層22轉印到基材21上。由此，可以制作在基材21上形成有粘合劑層22的切割帶 2。然后，以預先制造的半導體背面用薄膜40的膠粘劑層30與粘合劑層22為粘貼面的方式將兩者粘貼。粘貼例如可以通過壓接來進行。此時，層壓溫度沒有特別限制，例如優選30 50°C，更優選35 45°C。另外，線壓沒有特別限制，例如優選0. 1 20kgf/cm，更優選1 lOkgf/cm。然后，將膠粘劑層上的基材隔片剝離，得到本實施方式的切割帶一體型半導體背面用薄膜1。另外，通過在粘合劑層22上依次直接形成膠粘劑層30、電磁波屏蔽層31，也可以得到切割帶一體型半導體背面用薄膜1。此時，膠粘劑層30、電磁波屏蔽層 31的形成方法可以與所述的半導體背面用薄膜的制造方法同樣。另外，在形成半導體背面用薄膜40時進行熱固化的情況下，以達到部分固化的狀態的程度進行熱固化是重要的，優選不進行熱固化。本發明的切割帶一體型半導體背面用薄膜1，可以適合在具備倒裝芯片式接合工序的半導體裝置的制造時使用。即，本發明的切割帶一體型半導體背面用薄膜1，在制造倒裝芯片式安裝的半導體裝置時使用，在半導體芯片的背面粘貼有切割帶一體型半導體背面用薄膜1的半導體背面用薄膜40的狀態下或形態下制造倒裝芯片式安裝的半導體裝置。因此，本發明的切割帶一體型半導體背面用薄膜1，可以對倒裝芯片式安裝的半導體裝置(半導體芯片以倒裝芯片式接合方式固定到襯底等被粘物上的狀態或形態的半導體裝置)使用。另外，半導體背面用薄膜40與切割帶一體型半導體背面用薄膜1同樣，可以對倒裝芯片式安裝的半導體裝置(半導體芯片以倒裝芯片式接合方式固定到襯底等被粘物上的狀態或形態的半導體裝置)使用。(半導體晶片)作為半導體晶片，只要是公知或慣用的半導體晶片則沒有特別限制，可以從各種材質的半導體晶片中適當選擇使用。本發明中，可以適合使用硅晶片作為半導體晶片。(半導體裝置的制造方法)以下，參考圖4對本實施方式的半導體裝置的制造方法進行說明。圖4是表示使用所述的切割帶一體型半導體背面用薄膜1的情況的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。關于所述半導體裝置的制造方法，可以使用所述切割帶一體型半導體背面用薄膜 1制造半導體裝置。具體而言，至少具備以下工序將半導體晶片粘貼到所述切割帶一體型半導體背面用薄膜上的工序、切割所述半導體晶片的工序、拾取通過切割而得到的半導體元件的工序、和將所述半導體元件倒裝芯片式連接到被粘物上的工序。另外，半導體背面用薄膜40的情況下，可以通過基于使用切割帶一體型半導體背面用薄膜1的情況的半導體裝置的制造方法的方法制造半導體裝置。例如，通過將半導體背面用薄膜40以與切割帶粘貼而與切割帶一體化的切割帶一體型半導體背面用薄膜的形式使用，可以制造半導體裝置。此時，使用半導體背面用薄膜40的半導體裝置的制造方法， 成為在所述切割帶一體型半導體背面用薄膜的制造方法的工序中，還具備將半導體背面用薄膜與切割帶以半導體背面用薄膜與切割帶的粘合劑層接觸的形態粘貼的工序的制造方法。另外，半導體背面用薄膜40也可以在不與切割帶一體化的情況下粘貼到半導體晶片上使用。此時，使用半導體背面用薄膜40的半導體裝置的制造方法，成為把所述切割帶一體型半導體背面用薄膜的制造方法中的將半導體晶片粘貼到切割帶一體型半導體背面用薄膜上的工序改變為，將半導體背面用薄膜粘貼到半導體晶片的工序、在粘貼到半導體晶片上的半導體背面用薄膜上將切割帶以半導體背面用薄膜與切割帶的粘合劑層接觸的形態粘貼的工序的制造方法。另外，半導體背面用薄膜40，可以粘貼到將半導體晶片小片化而得到的半導體芯片上使用。此時，使用半導體背用面薄膜40的制造方法，可以為至少包括例如將切割帶粘貼到半導體晶片上的工序、切割所述半導體晶片的工序、拾取通過切割而得到的半導體元件的工序、將所述半導體元件倒裝芯片式連接到被粘物上的工序、和將半導體背面用薄膜粘貼到半導體元件上的工序的制造方法。[安裝工序]首先，如圖4(a)中所示，將在切割帶一體型半導體背面用薄膜1的半導體背面用薄膜40上任選設置的隔片適當地剝離，將半導體晶片4粘貼到該半導體背面用薄膜40上， 使其膠粘保持而固定(安裝工序)。此時，所述半導體背面用薄膜40為未固化狀態(包括半固化狀態)。另外，切割帶一體型半導體背面用薄膜1粘貼到半導體晶片的背面。半導體晶片4的背面，是指與電路面相反側的面(也稱為非電路面、非電極形成面等)。粘貼方法沒有特別限制，優選通過壓接的方法。壓接通常在利用壓接輥等擠壓手段擠壓的同時進行。[切割工序]然后，如圖4(b)中所示，進行半導體晶片4的切割。由此，將半導體晶片4切割為規定尺寸而小片化，制作半導體芯片5。切割例如按照常規方法從半導體晶片4的電路面一側進行。另外，本工序中，例如，可以采用切入到切割帶一體型半導體背面用薄膜1的、稱為全切割的切割方式等。本工序中使用的切割裝置沒有特別限制，可以采用現有公知的切割裝置。另外，半導體晶片4由具有半導體背面用薄膜的切割帶一體型半導體背面用薄膜1 以優良的密合性膠粘固定，因此可以抑制芯片缺損或芯片飛散，并且可以抑制半導體晶片4 的破損。此時，在構成半導體背面用薄膜40的電磁波屏蔽層31為通過蒸鍍法形成的蒸鍍膜的情況下，在刀片切割時不容易產生切削碎屑，可以防止半導體芯片的污染。另外，也可以抑制刀片的損傷。另外，進行切割帶一體型半導體背面用薄膜1的擴張的情況下，可以使用現有公知的擴張裝置進行該擴張。擴張裝置具有可以通過切割環將切割帶一體型半導體背面用薄膜1下壓的圓環狀外環和直徑小于外環并且用于支撐切割帶一體型半導體背面用薄膜的內環。通過該擴張工序，在后述的拾取工序中，可以防止相鄰半導體芯片相互接觸而破損。[拾取工序]為了回收由切割帶一體型半導體背面用薄膜1膠粘固定的半導體芯片5，如圖 4(c)中所示，進行半導體芯片5的拾取。半導體芯片5與半導體背面用薄膜40—起從切割帶2上剝離。拾取方法沒有特別限制，可以采用現有公知的各種方法。例如，可以列舉用針將各個半導體芯片5從切割帶一體型半導體背面用薄膜1的基材21 —側上推，利用拾取裝置拾取上推的半導體芯片5的方法等。另外，拾取的半導體芯片5其背面由半導體背面用薄膜40保護。
[倒裝芯片式連接工序]拾取的半導體芯片5，如圖4(d)中所示，通過倒裝芯片式接合方式(倒裝芯片式安裝方式)固定到襯底等被粘物上。具體而言，將半導體芯片5以半導體芯片5的電路面 (也稱為表面、電路圖案形成面、電極形成面等)面對被粘物5的形態通過常規方法固定到被粘物6上。例如，將在半導體芯片5的電路面一側形成的凸塊51與被粘在被粘物6的連接焊盤上的接合用導電材料(焊料等)61接觸，并在將其進行按壓的同時使導電材料熔融， 由此，可以確保半導體芯片5與被粘物6的電導通，并將半導體芯片5固定在被粘物6上 (倒裝芯片式接合工序)。此時，半導體芯片5與被粘物6之間形成空隙，該空隙間距一般為約30μπι 約300μπι。另外，將半導體芯片5倒裝芯片式接合(倒裝芯片式連接)到被粘物6上后，清洗半導體芯片5與被粘物6的相對面和間隙并用密封材料(密封樹脂等) 填充該間隙進行密封是重要的。作為被粘物6，可以使用引線框、電路板(布線電路板等)等各種襯底。作為這樣的襯底的材料，沒有特別限制，可列舉陶瓷襯底、塑料襯底。作為塑料襯底，可以列舉例如 環氧樹脂襯底、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂襯底、聚酰亞胺襯底等。在倒裝芯片式接合工序中，作為凸塊或導電材料的材質，沒有特別限制，可以列舉例如錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、 錫-鋅-鉍系金屬材料等焊料類(合金)、以及金系金屬材料、銅系金屬材料等。另外，在倒裝芯片式接合工序中，使導電材料熔融，將半導體芯片5的電路面一側的凸塊與被粘物6表面的導電材料連接，作為該導電材料的熔融時的溫度，通常為約 260 0C (例如，250°C 300°C)。本發明的切割帶一體型半導體背面用薄膜，利用環氧樹脂等形成半導體背面用薄膜，由此，可以得到能夠耐受該倒裝芯片式接合工序中的高溫的具有耐熱性的切割帶一體型半導體背面用薄膜。本工序中，優選進行半導體芯片5與被粘物6的相對面(電極形成面)或間隙的清洗。作為該清洗中使用的清洗液，沒有特別限制，可以列舉例如有機型清洗液、水性清洗液。本發明的切割帶一體型半導體背面用薄膜中的半導體背面用薄膜，對清洗液具有耐溶劑性，在這些清洗液中實質上不具有溶解性。因此，如前所述，作為清洗液，可以使用各種清洗液，不必使用特別的清洗液，可以通過現有的方法進行清洗。然后，進行用于將倒裝芯片式接合后的半導體芯片5與被粘物6間的間隙密封的密封工序。密封工序使用密封樹脂進行。此時的密封條件沒有特別限制，通常在175°C下進行60秒 90秒，由此進行密封樹脂的熱固化(回流焊接)，但是，本發明不限于此，例如，也可以在165 185°C下固化幾分鐘。該工序中的熱處理中，不僅將密封樹脂、而且將半導體背面用薄膜40的膠粘劑層30的熱固化也同時進行。由此，密封樹脂和膠粘劑層30雙方隨著熱固化的進行而產生固化收縮。結果，起因于密封樹脂的固化收縮而對半導體芯片5施加的應力，可以通過膠粘劑層30的固化收縮而抵消或緩和。另外，通過該工序，可以使膠粘劑層30完全或者基本完全地熱固化，可以以優良的密合性粘貼到半導體元件的背面上。另外，本發明中的膠粘劑層30即使處于未固化狀態，在該密封工序時也可以與密封材料一起固化，因此不必增加使膠粘劑層30熱固化的新工序。作為所述密封樹脂，只要是具有絕緣性的樹脂(絕緣樹脂)則沒有特別限制，可以從公知的密封樹脂等密封材料中適當選擇使用，更優選具有彈性的絕緣樹脂。作為密封樹脂，例如，可以列舉包含環氧樹脂的樹脂組合物等。作為環氧樹脂，可以列舉前面例示的環氧樹脂等。另外，作為基于包含環氧樹脂的樹脂組合物的密封樹脂，除環氧樹脂以外，還可以含有環氧樹脂以外的熱固性樹脂(酚醛樹脂等)、熱塑性樹脂等作為樹脂成分。另外，作為酚醛樹脂，也可以作為環氧樹脂的固化劑使用，作為這樣的酚醛樹脂，可以列舉前面例示的酚醛樹脂等。使用所述切割帶一體型半導體背面用薄膜1或半導體背面用薄膜40制造的半導體裝置(倒裝芯片式安裝的半導體裝置)中，半導體背面用薄膜粘貼到半導體芯片的背面， 因此可以以優良的可視性實施各種標記。特別地，即使標記方法是激光標記方法，也能夠以優良的對比度實施標記，從而能夠良好地辨識通過激光標記施加的各種信息(文字信息、 圖形信息等)。另外，進行激光標記時，可以使用公知的激光標記裝置。另外，作為激光，可以使用氣體激光、固體激光、液體激光等各種激光。具體而言，作為氣體激光，沒有特別限制，可以使用公知的各種氣體激光，優選二氧化碳激光(CO2激光)、準分子激光(ArF激光、 KrF激光、XeCl激光、XeF激光等)。另外，作為固體激光，沒有特別限制，可以使用公知的固體激光，優選YAG激光(Nd YAG激光等)、YV04激光。另外，在半導體背面用薄膜40上進行激光標記后，根據需要，可以進行熱處理(激光標記后進行的回流焊接工序)。該熱處理條件沒有特別限制，可以根據日本半導體技術協會(JEDEC)的標準進行。例如，可以在溫度(上限)為210°C 270°C的范圍內，在時間為 5秒 50秒的條件下進行。通過該工序，可以將半導體封裝安裝到襯底(底板等)上。使用本發明的切割帶一體型半導體背面用薄膜或半導體背面用薄膜制造的半導體裝置，為通過倒裝芯片式安裝方式安裝的半導體裝置，因此可以成為比通過芯片接合式安裝方式安裝的半導體裝置更薄型化、小型化的形狀。因此，可以適合作為各種電子設備、 電子部件或它們的材料、構件使用。具體而言，作為使用本發明的倒裝芯片式安裝的半導體裝置的電子設備，可以列舉所謂的“便攜電話”或“PHS”、小型計算機(例如，所謂的 “PDA” (便攜式信息末端)、所謂的“筆記本”、所謂的“彳、,卜寸,”、注冊商標)、所謂的
^ 7 7“工一夕”等)、“便攜電話”及計算機一體化的小型電子設備、所謂的
“ r 7夕 > 力乂，(商標)”、所謂的“數字攝像機”、小型電視機、小型游戲機、小型數字音頻播放器、所謂的“電子記事本”、所謂的“電子書”用電子設備末端、小型數字式鐘表等可移動型的電子設備(可以拿著移動的電子設備)等，當然，也可以是可移動型以外(設置型等) 的電子設備(例如，所謂的“桌面計算機”、薄型電視機、錄像播放用電子設備(硬盤式錄放機、DVD播放器等)、投影儀、微型機器等)。另外，作為電子部件或電子設備、電子部件的材料、構件，可以列舉例如所謂的“CPU”的構件、各種存儲裝置(所謂的“內存”、硬盤等)的構件等。上述的實施方式中，對電磁波屏蔽層31為一層的情況進行了說明。但是，在本發明中，電磁波屏蔽層并不限于一層，也可以為兩層以上。電磁波屏蔽層為兩層以上時，其層結構沒有特別限制。例如，多個電磁波屏蔽層可以在不隔著其它層的情況下進行層疊，多個電磁波屏蔽層也可以在隔著其它層(例如，膠粘劑層)的情況下進行層疊。電磁波屏蔽層為兩層以上時，首先可以通過一個電磁波屏蔽層使電磁波衰減，然后可以通過另一個電磁波屏蔽層使電磁波衰減實施例
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以下，例示本發明的優選實施例進行詳細說明，但是，該實施例中記載的材料或配合量等只要沒有特別限定的記載，則本發明的主旨并不限于此。另外，下文中，“份”是指重量份。(實施例1)〈膠粘劑層A的制作〉使下述(a) (f)溶解于甲乙酮中，得到濃度23. 6重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工業株式會社制造，"，夕π > W-197CM)100份(b)環氧樹脂1 (JER株式會社制造，Epicoat 1004)242份(c)環氧樹脂2 (JER株式會社制造，Epicoat 827)220份(d)酚醛樹脂(三井化學株式會社制造，戈V、”卞XLC-4L) 489份(e)球狀二氧化硅(7 “虧、”卞株式會社制造，S0-25R) 660份(f)熱固化催化劑(四國化成株式會社制造，C11-Z)3份將該膠粘劑組合物溶液涂布到由經聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度60 μ m的膠粘劑層A。<膠粘劑層B的制作>使下述(a) (d)溶解于甲乙酮中，得到濃度23. 6重量％的膠粘劑組合物溶液。(a)丙烯酸酯類聚合物(f力 A歹ν夕公司制造，SG-80H) 100份(b)環氧樹脂(DIC株式會社制造，HP-7200H)10份(c)酚醛樹脂(三井化學株式會社制造，”； XLC-4L) 10份(d)球狀二氧化硅、 Y m > 卞株式會社制造，S0-25R) 63份將該膠粘劑組合物溶液涂布到由經聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上之后，在130°C干燥2分鐘。由此，制作厚度10 μ m的膠粘劑層B。<半導體背面用薄膜的制作>在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/秒的條件下粘貼厚度20 μ m的鋁箔(東洋鋁株式會社制造)，制作厚度90 μ m的半導體背面用薄膜。另外，鋁箔具有作為電磁波屏蔽層的功能。(實施例2)<半導體背面用薄膜的制作>在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/秒的條件下粘貼厚度38μπι的SUS304(不銹鋼)箔，制作厚度108 μ m的半導體背面用薄膜。另外，SUS304箔具有作為電磁波屏蔽層的功能。(實施例3)<半導體背面用薄膜的制作>使用濺射裝置(ULVAC公司制造，SH-550)，通過濺射法在膠粘劑層A上形成厚度 500nm的鋁層。濺射條件如下所述。(濺射條件)靶鋁
放電輸出功率DC 600ff(輸出功率密度3. 4ff/cm2)體系內壓力0.56PaAr 流量40sccm襯底溫度未加熱成膜速度20nm/分鐘然后，在鋁層上，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/秒的條件下粘貼膠粘劑層B，制作厚度70.5 μ m的半導體背面用薄膜。另外，鋁層具有作為電磁波屏蔽層的功能。(實施例4)<半導體背面用薄膜的制作>在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/秒的條件下粘貼厚度20 μ m的鎳箔，制作厚度90 μ m的半導體背面用薄膜。另外，鎳箔具有作為電磁波屏蔽層的功能。(實施例5)<半導體背面用薄膜的制作>在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/秒的條件下粘貼厚度12 μ m的銅箔，制作厚度82 μ m的半導體背面用薄膜。另外，銅箔具有作為電磁波屏蔽層的功能。(實施例6)<半導體背面用薄膜的制作>準備在兩側具有厚度50 μ m的PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)薄膜、且形成有厚度 18μπι的finemet層的薄膜(日立金屬株式會社制造，FP-FT-5M)(以下，也稱為“f inemet 薄膜”)。另外，finemet層是將以狗為主成分，并在其中添加有Si(硅)和B(硼)以及微量Cu (銅)和Nb (鈮)的組成的高溫熔液以約100萬。C /秒的冷卻速度驟冷固化而得到的無定形(非晶)薄帶。然后，在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/ 秒的條件下粘貼所述finemet薄膜，制作厚度188 μ m的半導體裝置用膠粘薄膜。此時，以膠粘劑層A與PET薄膜面對，膠粘劑層B與finemet層面對的方式進行粘貼。另外，finemet 層具有作為電磁波屏蔽層的功能。(比較例1)除了未使用鋁箔以外，與實施例1同樣操作，將膠粘劑層A和膠粘劑層B粘貼，制作本比較例的半導體背面用薄膜。(比較例2)<半導體背面用薄膜的制作>準備在厚度38 μ m的PET薄膜上形成有厚度3 μ m的鐵氧體層的薄膜。比較例2 中的鐵氧體層，為通過鍍鐵氧體法制作的由mai鐵氧體構成的層。然后，在膠粘劑層A與膠粘劑層B之間，在80°C、粘貼壓力0. 3MPa、粘貼速度IOmm/ 秒的條件下粘貼所述鐵氧體薄膜，制作厚度Illym的半導體背面用薄膜。此時，以膠粘劑層A與PET薄膜面對，膠粘劑層B與鐵氧體層面對的方式進行粘貼。<電磁波衰減量(dB)的測定>
使用磁場探針法進行實施例和比較例的半導體背面用薄膜的電磁波衰減量(dB) 測定。具體而言，首先，使用光譜分析儀(Advantest制造，R3172)，向特性阻抗為50 Ω的 MSL線路中輸入頻率13MHz 3GHz的數字信號，使用磁場探針(NEC工程公司制造，CP-2S) 測定線路上Imm內產生的磁場強度(dB)。然后，將實施例和比較例的半導體背面用薄膜置于MSL線路上，測定磁場強度(dB)。而且，將MSL線路上為無物狀態的測定值與在MSL線路上放置有半導體背面用薄膜的狀態的測定值進行比較，將其差值作為13MHz 3GHz范圍內的電磁波衰減量(dB)。測定結果如表1所示。另外，將表1所示的測定結果作圖如圖5 圖12所示。圖5 圖10分別為表示實施例1 實施例6的結果的圖線，圖11、圖12分別為表示比較例1、比較例2的測定結果的圖線。表 權利要求
1.一種倒裝芯片型半導體背面用薄膜，用于在倒裝芯片式連接到被粘物上的半導體元件的背面上形成，其特征在于，具有膠粘劑層和電磁波屏蔽層。
2.一種切割帶一體型半導體背面用薄膜，其中，在切割帶上層疊有權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用薄膜，其特征在于，所述切割帶具有在基材上層疊有粘合劑層的結構，所述倒裝芯片型半導體背面用薄膜層疊在所述切割帶的粘合劑層上。
3.一種倒裝芯片型半導體背面用薄膜的制造方法，用于制造權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用薄膜，其特征在于，包括以下步驟形成膠粘劑層的步驟，和在所述膠粘劑層上形成電磁波屏蔽層的步驟。
4.一種半導體裝置，其具有權利要求1所述的倒裝芯片型半導體背面用薄膜。
全文摘要
本發明涉及倒裝芯片型半導體背面用薄膜、切割帶一體型半導體背面用薄膜、倒裝芯片型半導體背面用薄膜的制造方法以及半導體裝置。本發明的課題在于可以在倒裝芯片式連接到被粘物上的半導體元件的背面設置電磁波屏蔽層，并且可以在不降低生產率的情況下制造具有該電磁波屏蔽層的半導體裝置。一種倒裝芯片型半導體背面用薄膜，用于在倒裝芯片式連接到被粘物上的半導體元件的背面上形成，其具有膠粘劑層和電磁波屏蔽層。
文檔編號H01L23/29GK102559085SQ20111036740
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月18日 優先權日2010年11月18日
發明者井上剛一, 宇圓田大介, 松村健, 盛田美希 申請人:日東電工株式會社