一種有機電致發光器件及其制備方法
【專利摘要】本發明實施例公開了一種有機電致發光器件，包括：陽極、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，該有機電致發光器件還包括形成于陽極及發光層之間的量子阱層，該量子阱層包括依次層疊的至少兩層有機材料層及設置于相鄰的兩層有機材料層之間的p摻雜層，p摻雜層的材質為空穴傳輸材料摻雜金屬氧化物形成的混合材料，p摻雜層的材質中，金屬氧化物的摻雜質量分數為10~40%，有機材料層的材質為HOMO能級為－6.5eV~－5.5eV的有機材料。另，本發明實施例還公開了一種有機電致發光器件的制備方法。本發明提供的有機電致發光器件，通過調控空穴傳輸速率，有效提高了空穴和電子的復合幾率，最終達到了提高發光效率的目的。
【專利說明】一種有機電致發光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子器件相關領域，尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。【背景技術】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。他們利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發光器件(0LED)。在該雙層結構的器件中，IOV下亮度達到lOOOcd/m2，其發光效率為1.511m/W、壽命大于100小時。
[0003]OLED的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機材料化合物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機材料化合物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光倉泛。
[0004]在傳統的發光器件中，空穴傳輸速率一般比電子傳輸速率要高兩個數量級以上，這就使得空穴在發光區域大量積累，而電子數目較少，最終導致空穴和電子的復合幾率大大降低，復合區域發生變化，使色坐標發生改變，顯色性較差。因此，為了有效提高空穴和電子的復合幾率，提高發光器件的發光效率，提供一種具有可有效調控傳輸速率空穴傳輸層的有機電致發光器件變得很重要。

【發明內容】

[0005]本發明實施例所要解決的技術問題在于，提供一種有機電致發光器件及其制備方法，通過P摻雜空穴傳輸層調控 空穴傳輸速率，有效提高空穴和電子的復合幾率，最終達到提聞發光效率的目的。
[0006]本發明實施例提供了一種有機電致發光器件，包括:陽極、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述有機電致發光器件還包括形成于所述陽極及所述發光層之間的量子阱層，所述量子阱層包括依次層疊的至少兩層有機材料層及設置于相鄰的兩層有機材料層之間的P摻雜層，所述P摻雜層的材質為空穴傳輸材料摻雜金屬氧化物形成的混合材料，所述P摻雜層的材質中，所述金屬氧化物的摻雜質量分數為1(Γ40%，所述有機材料層的材質為Η0Μ0能級為一 6.5e疒一 5.5eV的有機材料。
[0007]優選地，P摻雜層的層數為大于等于I且小于等于6的整數。
[0008]量子阱層是由P摻雜層與有機材料層交替設置形成的具有n+1個有機材料層和η個P摻雜層的結構，其中，I ^ n ^ 6, η為整數。在量子阱結構中，P摻雜層為勢阱，有機材料層為勢壘，P摻雜層與有機材料層交替設置，第一低有機材料層設置在陽極基底上，第n+1有機材料層上設置發光層，P摻雜層設置在相鄰兩個有機材料層之間。
[0009]當n=l時，量子阱層的結構為:有機材料層/p摻雜層/有機材料層。
[0010]當n=2時，量子阱層的結構為:有機材料層/p摻雜層/有機材料層/p摻雜層/有機材料層。
[0011]當η的取值過大，則會使得量子阱層的厚度過大，從而影響空穴傳輸的效果，不利于提高發光器件的發光效率，因此η應該取合適的值，本發明中，I ^η^6,η為整數。
[0012]在P摻雜層的材質中，空穴傳輸材料為主體，金屬氧化物為客體。
[0013]優選地，空穴傳輸材料為1，1-二 [4-[Ν,Ν' -二(ρ_甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1_萘基)州州，-二苯基-4，4’ -聯苯二胺(NPB)。
[0014]優選地，所述金屬氧化物為氧化鑰(Mo03)、五氧化二釩(V2O5)或氧化鎢(W03))。
[0015]優選地，有機材料層的有機材料為八羥基喹啉鋁(Alq3)、2- (4-聯苯基)_5_ (4_叔丁基)苯基-1, 3，4-噁二唑(PBD)或2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1, 10-菲啰啉(BCP)。
[0016]優選地，P摻雜層的厚度為5?40nm/層，低HOMO能級有機材料層的厚度為5?40nm/層。
[0017]其中，有機材料層為低HOMO能級(一 6.5e疒一 5.5eV)的有機材料，作為量子阱的勢壘，可以對空穴進行有效阻擋(空穴經過HOMO能級進行傳輸)，通過結構單元的變化，可有效對空穴傳輸速率進行調控；而P摻雜層，作為量子阱的勢阱，可以提高空穴傳輸速率，當空穴傳輸到此層時，傳輸速率明顯提高，降低了空穴在量子阱里的淬滅幾率，同時，也有效降低了空穴與電子在量子阱中復合發光的幾率，P摻雜可以使量子阱在阻擋空穴的同時，也加快了未被阻擋空穴的傳輸速率，使量子阱調控空穴傳輸速率的作用更明顯，從而通過調控空穴傳輸速率，有效提聞了空穴和電子的復合幾率，最終達到提聞發光效率的目的。
[0018]優選地，所述陽 極基底為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(IZO)。
[0019]優選地,所述發光層的材質為空穴傳輸材料摻雜發光材料。
[0020]優選地，發光材料的摻雜質量分數為19Γ20% ;更優選地，發光材料的摻雜質量分
數為5%。
[0021]優選地，發光層的厚度為2?30nm ;更優選地，發光層厚度為10nm。
[0022]優選地，發光材料為(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(PPy)3);更優選地，發光材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))。
[0023]優選地，電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);更優選地，電子傳輸層的材料為N-芳基苯并咪唑(TPBI)0
[0024]優選地，電子傳輸層的厚度為4(T80nm ;更優選地，電子傳輸層的厚度為50nm。
[0025]優選地，電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF);更優選地，電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2CO3X
[0026]優選地，電子注入層的厚度為0.5?IOnm ;更優選地，電子注入層的厚度為2nm。
[0027]優選地，陰極為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優選地，陰極為銀(Ag)。
[0028]優選地，陰極的厚度為8(T300nm ;更優選地，陰極的厚度為150nm。
[0029]其中，發光層設置在量子阱層的第n+1有機材料層上，電子傳輸層設置在發光層上，電子注入層設置在電子傳輸層上，陰極設置在電子注入層上。
[0030]當n=l時，本發明有機電致發光器件的結構為:陽極/有機材料層/p摻雜層/有機材料層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極。
[0031]相應地，本發明實施例還提供了一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0032]提供清潔的陽極基底；
[0033]在經處理過的導電基底上進行量子阱層的蒸鍍，先在所述陽極基底上蒸鍍有機材料層，在所述有機材料層上蒸鍍P摻雜層，再在所述P摻雜層上蒸鍍有機材料層，依此交替蒸鍍得到包括依次層疊的至少兩層有機材料層及設置于相鄰的兩層有機材料層之間的P摻雜層的量子阱層，所述P摻雜層的材質為空穴傳輸材料摻雜金屬氧化物形成的混合材料，所述P摻雜層的材質中，所述金屬氧化物的摻雜質量分數為1(Γ40%，所述有機材料層的材質為HOMO能級為一 6.5e疒一 5.5eV的有機材料；
[0034]在所述量子阱層上依次蒸鍍發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極。
[0035]具體地，陽極基底的清潔操作為:將陽極基底進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min。去除玻璃表面的有機污染物，另外，還可對清洗干凈后的陽極基底進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W。氧等離子處理可以平滑陽極基底表面，使陽極基底平整度加強，提高功函數(約提高0.Γ0.3eV)，使空穴注入能力加強，降低啟動電壓。
[0036]優選地，陽極基底為銦錫氧化物玻璃(IT0)、摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(IZO)。
[0037]優選地，P摻雜層的層數為大于等于I且小于等于6的整數。
[0038]量子阱層是由n+1個有機材料層和η個P摻雜層構成，I ^ n ^ 6, η為整數，ρ摻雜層為勢講，有機材料層為勢魚，P摻雜層與有機材料層交替設置，第一有機材料層蒸鍍在陽極導電基底上，第n+1有機材料層上蒸鍍發光層，ρ摻雜層蒸鍍在相鄰兩個有機材料層之間。
[0039]當n=l時，量子阱層的結構為:有機材料層/p摻雜層/有機材料層。
[0040]當n=2時，量子阱層的結構為:有機材料層/p摻雜層/有機材料層/p摻雜層/有機材料層。
[0041]在ρ摻雜層的材質中，空穴傳輸材料為主體，金屬氧化物為客體。
[0042]優選地，空穴傳輸材料為1，1_ 二 [4-[N,N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1_萘基)州州，-二苯基-4，4’ -聯苯二胺(NPB)。
[0043]優選地，所述金屬氧化物為氧化鑰(Mo03)、五氧化二釩(V2O5)或氧化鎢(WO3))
[0044]優選地，有機材料層的有機材料為八羥基喹啉鋁(Alq3)、2_ (4-聯苯基)_5_ (4_叔丁基)苯基-1, 3，4-噁二唑(PBD)或2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1, 10-菲啰啉(BCP)。
[0045]優選地，ρ摻雜層的厚度為5?40nm/層,有機材料層的厚度為5?40nm/層。
[0046]優選地，ρ摻雜層與有機材料層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為10(T500°C，真空度為 1Χ1(Γ3 ?lXl(T5Pa。
[0047]在量子阱層上依次蒸鍍發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極。具體地，在第n+1有機材料層上蒸鍍發光層，再在發光層上蒸鍍電子傳輸層，在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層，在電子注入層上蒸鍍陰極。
[0048]當n=l時，本發明有機電致發光器件的結構為:陽極/有機材料層/p摻雜層/有機材料層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極。
[0049]優選地，步驟(3)中所述發光層的材質為空穴傳輸材料摻雜發光材料。
[0050]優選地，發光材料的摻雜質量分數為19Γ20% ;更優選地，發光材料的摻雜質量分數為5%。
[0051]優選地，發光層的厚度為2?30nm ;更優選地,發光層厚度為10nm。
[0052]優選地，發光材料為(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(PPy)3);更優選地，發光材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))。
[0053]優選地，電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);更優選地，電子傳輸層的材料為N-芳基苯并咪唑(TPBI)0
[0054]優選地，電子傳輸層的厚度為4(T80nm ;更優選地，電子傳輸層的厚度為50nm。
[0055]優選地，電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF);更優選地，電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2CO3X
[0056]優選地，電子注入層的厚度為0.5?10nm ;更優選地，電子注入層的厚度為2nm。
[0057]優選地，發光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為100^5000C，真空度為 I X I(T3 ?I X l(T5Pa。
[0058]優選地，陰極為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優選地，陰極為銀(Ag)。
[0059]優選地，陰極的厚度為8(T300nm ;更優選地，陰極的厚度為150nm。
[0060]優選地，陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為50(Tl00(rC，真空度為1X10—3?
IX KT5Pa。
[0061]實施本發明實施例，具有如下有益效果:
[0062](I)本發明提供的ρ摻雜量子阱有機電致發光器件，其量子阱的勢壘低HOMO能級(-6.5e疒-5.5eV)的有機材料，可以對空穴進行有效阻擋(空穴經過HOMO能級進行傳輸)，通過結構單元的變化，可有效對空穴傳輸速率進行調控；
[0063](2)量子阱的勢阱ρ摻雜層，可以提高空穴傳輸速率，降低空穴在量子阱中的淬滅，同時，也降低了空穴與電子在量子阱中復合發光的幾率，使量子阱調控空穴傳輸速率的作用更明顯，從而有效提高了空穴和電子的復合幾率，最終達到提高發光效率的目的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0064]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0065]圖1是本發明實施例1提供的有機電致發光器件的結構圖；[0066]圖2是本發明實施例1提供的有機電致發光器件與現有有機電致發光器件的電流密度與電流效率的關系圖。
【具體實施方式】
[0067]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0068]實施例1
[0069]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0070]( I)將ITO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，對清洗干凈后的陽極基底進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ；
[0071](2)在經(I)處理的陽極基底上進行量子阱層的蒸鍍，在陽極基底上蒸鍍第一有機材料層，在第一有機材料層上蒸鍍第一 P摻雜層，在第一 P摻雜層上蒸鍍第有機材料層，在第二有機材料層上蒸鍍第二 P摻雜層，在第二 P摻雜層上蒸鍍第三有機材料層，量子阱層包括第一、第二、第三有機材料層和第一、第二 P摻雜層。
[0072]具體地，在本實施例中，ρ摻雜層的材質為NPB摻雜MoO3形成的混合材料(NPBiMoO3), MoO3的摻雜質量分數為20%，有機材料層的材質為低HOMO能級(一 6.0eV)有機材料Alq3,量子阱層包括三層有機材料Alq3層和兩層ρ摻雜層(ΝΡΒ:Μο03)，具體結構為:Alq3/NPB:Mo03 (20wt%)/Alq3/NPB:Mo03 (20wt%)3/Alq3 (n=2)，Alq3 層的單層厚度為 IOnm,P摻雜層(NPB = MoO3)層的單層厚度為15nm。ρ摻雜層和有機材料層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為I X 1 0_5Pa。
[0073](3)在量子阱層上依次蒸鍍發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發光器件。發光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為lX10_4Pa。
[0074]其中，發光層的材質為NPB摻雜Ir (MDQ) 2 (acac)形成的混合材料(NPB:1r (MDQ)2 (acac) ), Ir (MDQ)2 (acac)的摻雜質量分數為5%,發光層厚度為IOnm ;電子傳輸層的材料為TPBi，厚度為50nm ;電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2CO3),厚度為2nm ;陰極為銀(Ag)，厚度為150nm。
[0075]圖1是本實施例的有機電致發光器件的結構示意圖。如圖1所示，該有機電致發光器件的結構包括，陽極導電基底10,量子講層20,發光層30,電子傳輸層40,電子注入層50和陰極60。其中，量子阱層20，包括三層低HOMO能級有機材料Alq3層21和兩層ρ摻雜層(ΝΡΒ:Μο03)22，其結構為 Alq3/NPB:Mo03 (20wt%)/Alq3/NPB:Mo03 (20wt%)/Alq3。該有機電致發光器件的結構為:ITO 玻璃/Alq3/NPB = MoO3 (20wt%)/Alq3/NPB:Mo03 (20wt%)/Alq3/NPB:1r (MDQ) 2 (acac) (5wt%) /TPBi/Cs2CO3Ag?
[0076]圖2是本實施例的有機電致發光器件與現有發光器件的電流密度與電流效率的關系圖。其中，曲線I為本實施例有機電致發光器件的電流密度與電流效率的關系圖；曲線2為現有有機電致發光器件的電流密度與電流效率的關系圖。其中，現有發光器件的結構為:ITO 玻璃 /NPB/NPB:1r (MDQ) 2 (acac) /TPBi/Cs2CO3Ag?
[0077]從圖2中可以看到，在不同電流密度下，本實施例有機電致發光器件的電流效率都比現有有機電致發光器件的要大，其最大的電流效率為45.6cd/A，而現有有機電致發光器件的僅為32.5cd/A。這說明，由ρ摻雜層與低HOMO能級的有機材料層組成的ρ摻雜量子阱結構，可對空穴傳輸速率進行調控，P摻雜的空穴傳輸層，降低了空穴在量子阱里的淬滅幾率，使量子阱調控空穴傳輸速率的作用更明顯，而通過調控空穴傳輸速率，有效提高了空穴和電子的復合幾率，從而提高了發光器件的發光效率。
[0078]實施例2
[0079]—種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0080]( I)將IZO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，對清洗干凈后的陽極導電基底進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ；
[0081](2)在經(I)處理的陽極導電基底上進行量子阱層蒸鍍，在陽極導電基底上蒸鍍第一有機材料層，在第一有機材料層上蒸鍍一層P摻雜層，隨后在P摻雜層上蒸鍍第二有機材料層，量子阱層包括·第一、第二有機材料層和P摻雜層。
[0082]其中，在本實施例中，ρ摻雜層的材質為TAPC摻雜WO3形成的混合材料(TAPCiffO3),WO3的摻雜質量分數為10%，有機材料層的材質為低HOMO能級(一5.7eV)有機材料BCP，量子阱層包括兩層有機材料BCP層和兩層ρ摻雜層(TAPC: WO3),具體結構為:BCP/TAPCiffO3 (10wt%)/BCP (n=l)，BCP層的單層厚度為40nm，p摻雜層TAPC = WO3的單層厚度為40nm。ρ摻雜層和有機材料層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為I X 10_5Pa。
[0083](3)在量子阱層上依次蒸鍍發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發光器件。發光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為lX10_4Pa。
[0084]其中，發光層的材質為NPB摻雜Firpic形成的混合材料(NPB:Firpic),Firpic的摻雜質量分數為20%，發光層厚度為30nm ;電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為80nm ;電子注入層的材料為氟化銫CsF，厚度為0.5nm ;陰極為Al，厚度為300nm。
[0085]本實施例提供的有機電致發光器件的結構為:ΙΖ0玻璃/BCP/TAPC:W03 (10wt%) /BCP/NPB: Firpic (20wt%) /TAZ/CsF/Al，其最大的電流效率為 35.4cd/A。
[0086]實施例3
[0087]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0088]( I)將ITO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，對清洗干凈后的陽極基底進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ；
[0089](2)在經(2)處理的陽極基底上進行量子阱層蒸鍍，在陽極導電基底上蒸鍍第一有機材料層，在第一有機材料層上蒸鍍第一 P摻雜層，在第一 P摻雜層上蒸鍍第二有機材料層，在第二有機材料層上蒸鍍第二 P摻雜層，在第二 P摻雜層上蒸鍍第三有機材料層，在第三有機材料層上蒸鍍第三P摻雜層，在第三P摻雜層上蒸鍍第四有機材料層，在第四有機材料層上蒸鍍第四P摻雜層，在第四P摻雜層上蒸鍍第五有機材料層，在第五有機材料層上蒸鍍第五P摻雜層，在第五P摻雜層上蒸鍍第六有機材料層，量子講層包括第一、第二、第三、第四、第五、第六有機材料層和第一、第二、第三、第四、第五P摻雜層。
[0090]其中，在本實施例中，ρ摻雜層的材質為TAPC摻雜V2O5形成的混合材料(TAPCiV2O5), V2O5的摻雜質量分數為40%，有機材料層的材質為低HOMO能級(一5.6eV)有機材料PBD，量子阱層包括六層有機材料PBD層和五層ρ摻雜層(TAPC = V2O5),具體結構為:PBD/ (TAPCiV2O5) (40wt%)/PBD/ (TAPCiV2O5) (40wt%)/PBD/ (TAPCiV2O5) (40wt%)/PBD/(TAPCiV2O5) (40wt%) /PBD/ (TAPCiV2O5) (40wt%) /PBD (n=5)，PBD 層的單層厚度為 5nm，p摻雜層TAPC = V2O5的單層厚度為5nm。ρ摻雜層和有機材料層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為4000C，真空度為I X l(T5Pa。
[0091](3)在量子阱層上依次蒸鍍發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發光器件。發光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為lX10_4Pa。
[0092]其中，發光層的材質為TCTA摻雜Ir (MDQ) 2 (acac)形成的混合材料(TCTAiIr (MDQ) 2 (acac) )，Ir (MDQ) 2 (acac)的摻雜質量分數為1%，發光層厚度為2nm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ;電子注入層的材料為氟化鋰LiF,厚度為Inm ;陰極為Au,厚度為300nm。
[0093]本實施例提供的有機電致發光器件的結構為:ΙΤ0玻璃/PBD八TAPC:V205)(40wt%)/PBD/ (TAPCiV2O5) (40wt%)/PBD/ (TAPCiV2O5) (40wt%)/PBD/ (TAPCiV2O5) (40wt%)/PBD/(TAPC: V2O5) (40wt%)/PBD/TCTA:1r (MDQ) 2 (acac) (lwt%)/Bphen/LiF/Au,其最大的電流效率為 40.8cd/A。
[0094]實施例4
[0095]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0096]( I)將AZO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，對清洗干凈后的陽極基底進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ；
[0097](2)在經(I)處理的陽極基底上進行量子阱層蒸鍍，在陽極導電基底上蒸鍍第一有機材料層，在第一有機材料層上蒸鍍第一 P摻雜層，在第一 P摻雜層上蒸鍍第二有機材料層，在第二有機材料層上蒸鍍第二 P摻雜層，在第二 P摻雜層上蒸鍍第三有機材料層，量子講層包括第一、第二、第三有機材料層和第一、第二 P摻雜層。
[0098]具體地，在本實施例中，ρ摻雜層的材質為NPB摻雜WO3形成的混合材料(NPBiffO3), WO3的摻雜質量分數為25%，有機材料層的材質為低HOMO能級(一 5.6eV)有機材料PBD，量子阱層包括三層有機材料PBD層和兩層ρ摻雜層(NPB:W03)，具體結構為:PBD/NPBiffO3 (25wt%) /Alq3/NPB:W03 (25wt%) 3/PBD (n=2)，PBD 層的單層厚度為 15nm, p 摻雜層(NPB:WO3)層的單層厚度為10nm。ρ摻雜層和有機材料層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為 lXl(T5Pa。
[0099](3)在量子阱層上依次蒸鍍發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到有機電致發光器件。發光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為lX10_4Pa。
[0100]其中，發光層的材質為TAPC摻雜Ir(PPy)3形成的混合材料(TAPC:1r (ppy) 3),Ir(ppy)3的摻雜質量分數為15%，發光層厚度為15nm ;電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為70nm ;電子注入層的材料為疊氮銫CsN3,厚度為2nm ;陰極為Pt,厚度為80nm。
[0101]本實施例提供的有機電致發光器件的結構為:ΑΖ0玻璃/PBD/NPB:W03 (25wt%) /Alq3/NPB:W03 (25wt%) 3/PBD/TAPC:1r (ppy) 3 (15wt%) /TAZ/CsN3/Pt，其最大的電流效率為38.9cd/A。
[0102]以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括:陽極、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述有機電致發光器件還包括形成于所述陽極及所述發光層之間的量子阱層，所述量子阱層包括依次層疊的至少兩層有機材料層及設置于相鄰的兩層有機材料層之間的P摻雜層，所述P摻雜層的材質為空穴傳輸材料摻雜金屬氧化物形成的混合材料，所述P摻雜層的材質中，所述金屬氧化物的摻雜質量分數為1(Γ40%，所述有機材料層的材質為HOMO能級為一6.5eV?-5.5eV的有機材料。
2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鑰、五氧化二釩或氧化鎢；所述空穴傳輸材料為1，1-二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’_ (1-萘基)州4’-二苯基-4，4’-聯苯二胺。
3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述P摻雜層的層數為大于等于I且小于等于6的整數。
4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述有機材料為八羥基喹啉鋁、2- (4-聯苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1,3，4-噁二唑或2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲啰啉。
5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述P摻雜層的厚度為5?40nm/層,所述有機材料層的厚度為5?40nm/層。
6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的陽極基底； 在經處理過的陽極基底上進行量子阱層的蒸鍍，先在所述陽極基底上蒸鍍有機材料層，在所述有機材料層上蒸鍍P摻雜層，再在所述P摻雜層上蒸鍍有機材料層，依此交替蒸鍍得到包括依次層疊的至少兩 層有機材料層及設置于相鄰的兩層有機材料層之間的P摻雜層的量子阱層，所述P摻雜層的材質為空穴傳輸材料摻雜金屬氧化物形成的混合材料，所述P摻雜層的材質中，所述金屬氧化物的摻雜質量分數為1(Γ40%，所述有機材料層的材質為HOMO能級為一 6.5e疒一 5.5eV的有機材料； 在所述量子阱層上依次蒸鍍發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極。
7.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述P摻雜層的層數為大于等于I且小于等于6的整數。
8.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鑰、五氧化二釩或氧化鎢；所述空穴傳輸材料為1，1-二 [4-[N，f -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)4，^-二苯基_4，4’ -聯苯二胺。
9.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述有機材料為八羥基喹啉鋁、2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑或2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲啰啉。
10.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述P摻雜層的厚度為5?40nm/層，所述有機材料層的厚度為5?40nm/層。
【文檔編號】H01L51/56GK103427031SQ201210147380
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2012年5月14日 優先權日:2012年5月14日
【發明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司