專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，更具體地涉及能夠防止光補(bǔ)償層破裂的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
實(shí)現(xiàn)各種信息的圖像顯示裝置是信息和通信時(shí)代的核心技術(shù)，并且朝著性能高并且同時(shí)更輕薄和便攜的方向發(fā)展。最近，隨著由于追求空間便利性而需要可彎曲的柔性顯示器，其有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光量被平板顯示裝置控制的有機(jī)發(fā)光顯示裝置被關(guān)注。
有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有位于基板上的薄膜晶體管陣列、位于薄膜晶體管陣列上的有機(jī)發(fā)光顯示元件以及用于將有機(jī)發(fā)光顯示裝置與外部環(huán)境隔離的玻璃蓋子。有機(jī)發(fā)光顯示裝置使用通過電子和空穴的耦合能量而發(fā)射光的電致發(fā)光。如果將電場(chǎng)施加到形成在有機(jī)發(fā)光層的兩端的陰極和陽(yáng)極，則電子和空穴被注入并且傳遞到有機(jī)發(fā)光層，并且在有機(jī)發(fā)光層中成對(duì)的電子和空穴從激發(fā)態(tài)落到基態(tài)以發(fā)射光。
具體地，有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有被布置在由選通線GL和數(shù)據(jù)線DL的交叉所定義的每一個(gè)區(qū)域處的子像素。每當(dāng)選通脈沖被供應(yīng)至選通線GL時(shí)，各子像素接收通過數(shù)據(jù)線 DL所供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)以發(fā)射與數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的光。
圖1例示了相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的電路圖，并且圖2例示了其中發(fā)生了破裂的光補(bǔ)償層的照片。
參照?qǐng)D1，各子像素具有有機(jī)發(fā)光元件EL，其陰極連接至地電壓源GND ;以及單元驅(qū)動(dòng)單元152，其連接到選通線GL、數(shù)據(jù)線DL和電源電壓源VDD以及有機(jī)發(fā)光元件EL的陽(yáng)極，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件EL。單元驅(qū)動(dòng)單元152具有開關(guān)薄膜晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管 T2和電容器C。
當(dāng)掃描脈沖被供應(yīng)至選通線GL時(shí)，開關(guān)薄膜晶體管Tl導(dǎo)通，以將供應(yīng)至數(shù)據(jù)線DL 的數(shù)據(jù)信號(hào)供應(yīng)至第一節(jié)點(diǎn)NI。供應(yīng)至第一節(jié)點(diǎn)NI的數(shù)據(jù)信號(hào)被充電到電容器C，并且供應(yīng)至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的柵極端子。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2響應(yīng)于供應(yīng)至柵極端子的數(shù)據(jù)信號(hào)控制從電源電壓源VDD供應(yīng)至有機(jī)發(fā)光元件EL的電流以控制有機(jī)發(fā)光元件EL的發(fā)光量。
并且，由于電容器C釋放數(shù)據(jù)信號(hào)，所以即使開關(guān)薄膜晶體管Tl被關(guān)斷，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2也將來(lái)自電源電壓源VDD的電流供應(yīng)至有機(jī)發(fā)光元件EL以維持從有機(jī)發(fā)光元件 EL發(fā)光直至提供下一幀數(shù)據(jù)信號(hào)為止。
驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管具有有源層，該有源層具有源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)；柵極，其與有源層的溝道區(qū)交疊，并且在這兩者之間布置有柵絕緣膜；源極，其連接到源區(qū)，通過與柵極之間的層間絕緣膜與柵極絕緣；以及漏極，其連接到漏區(qū)。在包括源極和漏極的層間絕緣膜上形成有保護(hù)層，并且在保護(hù)層上形成有濾色器。在包括濾色器的保護(hù)層上形成有平坦化層，并且形成在平坦化層上的有機(jī)發(fā)光元件與通 過選擇性地去除保護(hù)層和平坦化層而露出的漏極相接觸。
同時(shí)，如果有機(jī)發(fā)光顯示裝置是發(fā)射白色光的白色有機(jī)發(fā)光顯示裝置，則由于白光是通過混合紅色、綠色和藍(lán)色RGB濾色器而產(chǎn)生的，所以紅色、綠色和藍(lán)色RGB的發(fā)光量隨視角而變化，造成色偏以至于降低顯示質(zhì)量。
因此，為了防止發(fā)生色偏，白色有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有在平坦化層上的由無(wú)機(jī)材料形成的光補(bǔ)償層。然而，由于光補(bǔ)償層和平坦化層的熱膨脹系數(shù)之間的差異，在光補(bǔ)償層和平坦化層的邊界處產(chǎn)生應(yīng)力，以至于在光補(bǔ)償層處產(chǎn)生如圖2所示的破裂。在這種情況下，形成在光補(bǔ)償層上的陽(yáng)極損壞，降低了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可靠性。發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其中，在光補(bǔ)償層中形成虛設(shè)孔以緩和在光補(bǔ)償層和平坦化層的邊界處的應(yīng)力。
本公開的其它優(yōu)點(diǎn)、目的及特征將在以下描述中部分地闡述，并且對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說將在研讀以下內(nèi)容后部分地變得清楚，或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐獲知。本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過在所撰寫的說明書及其權(quán)利要求書及附圖中所具體指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文所具體實(shí)施和廣泛描述的，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括形成在基板上的多個(gè)子像素，其中，具有發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的各子像素包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管在所述非發(fā)光區(qū)域處的所述基板上；保護(hù)層，所述保護(hù)層在包括所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述基板上；濾色器，所述濾色器在所述發(fā)光區(qū)域處的所·述保護(hù)層上；平坦化層，所述平坦化層在包括所述濾色器的所述保護(hù)層上；第一漏極接觸孔，所述第一漏極接觸孔在所述保護(hù)層和所述平坦化層中以露出所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極；光補(bǔ)償層，所述光補(bǔ)償層在所述平坦化層上，所述光補(bǔ)償層具有露出所述第一漏極接觸孔的第二漏極接觸孔以及露出所述平坦化層的一個(gè)或多個(gè)虛設(shè)孔；以及有機(jī)發(fā)光元件，所述有機(jī)發(fā)光元件在所述光補(bǔ)償層上，所述有機(jī)發(fā)光元件要通過所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相接觸，并且所述有機(jī)發(fā)光元件包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極。
所述虛設(shè)孔具有與第二漏極接觸孔的面積相同的總面積。
所述光補(bǔ)償層是諸如SiNx和SiO2的娃族材料的無(wú)機(jī)膜。
在本發(fā)明的另一方面，公開了一種制造具有多個(gè)子像素的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，各子像素具有發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，所述方法包括以下步驟在非發(fā)光區(qū)域處的基板上形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；在包括所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述基板上形成保護(hù)層；在所述保護(hù)層上形成濾色器；在包括所述濾色器的所述保護(hù)層上形成平坦化層；選擇性地去除所述保護(hù)層和所述光補(bǔ)償層，以形成將所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極露出的第一漏極接觸孔；在所述平坦化層上形成光補(bǔ)償層，以具有露出所述第一漏極接觸孔的第二漏極接觸孔以及露出所述平坦化層的至少一個(gè)虛設(shè)孔；以及在所述光補(bǔ)償層上形成有機(jī)發(fā)光元件，以通過所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相接觸。
通過干法刻蝕形成所述第二漏極接觸孔和所述至少一個(gè)虛設(shè)孔。
所述虛設(shè)孔具有與所述第二漏極接觸孔的面積相同的總面積。
所述光補(bǔ)償層是諸如SiNx和SiO2的娃族材料的無(wú)機(jī)膜。
因此，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法通過利用光補(bǔ)償層(用于防止發(fā)生色偏而形成在平坦化層190上)中的虛設(shè)孔來(lái)緩解平坦化層的熱膨脹力以將傳遞到光補(bǔ)償層的應(yīng)力最小化。最終，防止了光補(bǔ)償層破裂，因而改進(jìn)了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可靠性。
應(yīng)該理解，對(duì)本發(fā)明的以上概述和以下詳述都是示例性和解釋性的，并旨在對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖被并入且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中
圖1例不了相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯不裝置的電路圖。
圖2例示了其中發(fā)生了破裂的光補(bǔ)償層的照片。
圖3A例示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。
圖3B例示了沿著圖3A的Ι-Γ線的截面。
圖4例示根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。
圖5A到圖5G例示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的步驟的截面圖。
具體實(shí)施方式
下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，在附圖中例示出了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
的示例。將盡可能地貫穿附圖使用相同的標(biāo)號(hào)代表相同的或類似的構(gòu)件。
作為白色有機(jī)發(fā)光顯示裝置的本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以僅用紅色、綠色和藍(lán)色子像素生成白色，或者為了獲得高的白色亮度，可以將生成白光的白色子像素添加到紅色、綠色和藍(lán)色子像素以形成由紅色、綠色、藍(lán)色和白色子像素形成的一個(gè)像素。
將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
圖3A例示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖，圖3B例示了沿圖3A的1-Γ線的截面，并且圖4例示了根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。
參照?qǐng)D3A，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有形成在基板100上的多個(gè)紅色R、綠色 G、藍(lán)色B和白色W子像素，以形成由紅色R、綠色G、藍(lán)色B和白色W子像素形成的一個(gè)像素。 紅色R、綠色G、藍(lán)色B和白色W子像素的排列不限于附圖中所示的排列。
紅色R、綠色G、藍(lán)色B和白色W子像素各自包括形成在基板100上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和連接到該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光元件。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管具有有源層1 20、柵極 140以及源極160a和漏極160b。
首先，如圖3B所示，在基板上100形成緩沖層110，并且在緩沖層110上形成具有源區(qū)120a、漏區(qū)120c和位于源區(qū)120a和漏區(qū)120c之間的溝道區(qū)的有源層120。在包括有源層120的基板上形成柵絕緣膜130。接著，在柵絕緣膜130上形成柵極140以與有源區(qū) 120的溝道區(qū)120c交疊。
在包括柵極140的柵絕緣膜130上形成層間絕緣膜150。在層間絕緣膜150上形成與柵極140絕緣的源極160a和漏極160b。源極160a和漏極160b分別通過穿過層間絕緣膜150和柵絕緣膜130的接觸孔與有源層120的源區(qū)120a和漏區(qū)120c相接觸。
在包括源極160a和漏極160b的層間絕緣膜150上形成保護(hù)層170。保護(hù)層170 由無(wú)機(jī)絕緣材料或者有機(jī)絕緣材料形成。在保護(hù)層170上的發(fā)光區(qū)域處形成濾色器180。 在包括濾色器180的保護(hù)層170的整個(gè)表面上形成有機(jī)材料的平坦化層。并且，通過選擇性地去除保護(hù)層170和平坦化層190形成第一漏極接觸孔(未標(biāo)記)，該第一漏極接觸孔露出驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極160b。
在平坦化層190上形成光補(bǔ)償層200。光補(bǔ)償層200由諸如SiNx和SiO2的硅族無(wú)機(jī)材料形成，用于防止發(fā)生依賴于視角的、由于紅色R、綠色G和藍(lán)色B的光發(fā)射量的差異所引起的色偏。具體地，光補(bǔ)償層200優(yōu)選地由具有50%到100%的透射率的透明無(wú)機(jī)膜形成，從而透過基板100發(fā)射來(lái)自以下將要描述的有機(jī)發(fā)光層的光。
光補(bǔ)償層形成在具有第一漏極接觸孔的平坦化層的整個(gè)表面上。光補(bǔ)償層具有通過去除與第一漏極接觸孔相對(duì)應(yīng)的部分區(qū)域而形成的第二漏極接觸孔200a，以將形成在光補(bǔ)償層上的有機(jī)發(fā)光顯示元件連接到漏極160b。然而，如上所述，作為無(wú)機(jī)層的光補(bǔ)償層 200和作為有機(jī)層的平坦化層190的熱膨脹系數(shù)之間的差異造成光補(bǔ)償層200和平坦化層 190的邊界處的應(yīng)力以至于造成光補(bǔ)償層200處的破裂。
無(wú)機(jī)物通常具有不同于有機(jī)物的熱膨脹系數(shù)。當(dāng)在平坦化層190上形成光補(bǔ)償層 200時(shí)，或者進(jìn)行在光補(bǔ)償層上附加地形成薄膜的工序時(shí)，伴隨有熱處理工序。然而，由于平坦化層190的熱膨脹系數(shù)高于光補(bǔ)償層的熱膨脹系數(shù)，所以在熱處理時(shí)由于熱膨脹系數(shù)之間的差異而造成應(yīng)力，這會(huì)在光補(bǔ)償層200中造成不規(guī)則彎曲或細(xì)小裂紋的缺陷。
因此，形成在光補(bǔ)償層200上的陽(yáng)極300損壞，降低了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可靠性。另外，由于通過低溫工序形成光補(bǔ)償層200以防止在平坦化層190處發(fā)生諸如熱分解的損壞，所以光補(bǔ)償層的密度低以至于增加了造成彎曲缺陷或破裂的可能性。
因此，為了通過緩解在平坦化層190和光補(bǔ)償層200處的應(yīng)力來(lái)防止在光補(bǔ)償層 200處發(fā)生破裂，光補(bǔ)償層200被選擇性地去除以形成露出平坦化層190的一個(gè)或更多個(gè)虛設(shè)孔200b。如圖4所示，如果虛設(shè)孔200b是一個(gè)，則可以以條形形狀形成虛設(shè)孔200b。
最終，當(dāng)平坦化層190隨其溫度 升高而熱膨脹時(shí)，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置使得在光補(bǔ)償層200和平坦化層190彼此接觸的邊界處的膨脹力集中在虛設(shè)孔200b。并且， 虛設(shè)孔200b緩解了平坦化層190的膨脹力，將平坦化層190和光補(bǔ)償層200之間的應(yīng)力最小化，這使得對(duì)光補(bǔ)償層200的應(yīng)力最小化，最終防止在光補(bǔ)償層200處發(fā)生破裂。
特別地，虛設(shè)孔200b形成在濾色器180的一側(cè)。由于有機(jī)發(fā)光層320形成在濾色器180上，所以虛設(shè)孔200b最好形成在不朝向紅色R、綠色G、藍(lán)色B和白色W子像素的非發(fā)光區(qū)域，以防止開口區(qū)域變得更小。虛設(shè)孔200b可以是單個(gè)或者多個(gè)，并且由于在與第二漏極接觸孔200a相同的時(shí)間形成虛設(shè)孔200b，虛設(shè)孔200b的總面積最好與第二漏極接觸孔200a的面積相同以平衡刻蝕速率。這是為了當(dāng)通過干法刻蝕選擇性地去除用于在平坦化層190的整個(gè)表面上形成光補(bǔ)償層200而形成的無(wú)機(jī)膜以形成虛設(shè)孔200b和第二漏極接觸孔200a時(shí)，防止平坦化層190或者漏極160b被刻蝕氣體所刻蝕。如果虛設(shè)孔200b 的面積不同于第二漏極接觸孔200a的面積，則平坦化層190或者漏極160b會(huì)被刻蝕氣體所刻蝕。具體地，如果漏極160b被刻蝕，則可能發(fā)生第一電極300和漏極160b的有缺陷的接觸。
第一電極300形成在光補(bǔ)償層200上以通過第一漏極接觸孔190a和第二漏極接觸孔200a與漏極160b接觸。在包括第一電極300的光補(bǔ)償層200上形成具有堤岸孔的堤岸400以限定發(fā)光區(qū)域。堤岸400的堤岸孔露出在發(fā)光區(qū)域的第一電極300。
接著，在第一電極300上形成有機(jī)發(fā)光顯示元件。有機(jī)發(fā)光顯示元件包括第一電極300、空穴注入層(HIL)(未示出)、空穴傳輸層(HTL) 310、有機(jī)發(fā)光層320、電子傳輸層 (ETL) 330、電子注入層(EIL)(未示出)和第二電極340。
具體地，第一電極300形成在光補(bǔ)償層200上以通過第一漏極接觸孔和第二漏極接觸孔200a連接到漏極160。由諸如ITO (銦錫氧化物)和IZO (銦鋅氧化物)的透明導(dǎo)電材料形成作為陽(yáng)極的第一電極300。據(jù)此,從有機(jī)發(fā)光層320透過第一電極300向基板100發(fā)射光。
在堤岸孔中的第一電極300上相繼形成空穴注入層(未示出)和空穴傳輸層310。 在空穴傳輸層310上形成有機(jī)發(fā)光層320，并且在有機(jī)發(fā)光層320上形成電子傳輸層330、 電子注入層(未示出)和第二電極340。作為陰極的第二電極340是由諸如鋁Al的反光金屬形成的，用于將來(lái)自有機(jī)發(fā)光層320的光向第一電極300反射。
如果在第一電極300和第二電極340之間施加電壓，隨著從第一電極300向有機(jī)發(fā)光層320注入的空穴與從第二電極340向有機(jī)發(fā)光層320注入的電子在有機(jī)發(fā)光層320 再次耦合，有機(jī)發(fā)光顯示裝置產(chǎn)生激子。并且，隨著激子降落到基態(tài)，發(fā)射光，并且當(dāng)光穿過有機(jī)發(fā)光顯示裝置下方的濾色器時(shí)發(fā)出與濾色器180相對(duì)應(yīng)的顏色的光。
圖5A到圖5G例示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的步驟的截面圖。
參照?qǐng)D5A，在基板100上形成緩沖層110，并且在緩沖層110上形成包括有源層 120、柵極140、源極160a和漏極160b的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。通過以下方法形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
在緩沖層110上沉積了非晶硅之后，通過激光束或者熱處理將非晶硅結(jié)晶為多晶硅。通過光刻和刻蝕對(duì)多晶硅進(jìn)行構(gòu)圖，以形成有源層120。在包括有源層120的緩沖層 110的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜130，并且在柵絕緣膜130上形成柵極140。
并且，通過使用柵極140作為掩模將N+雜質(zhì)注入到有源層120的兩邊，以形成彼此相對(duì)的源區(qū)120a和漏區(qū)120c，并且在源區(qū)120a和漏區(qū)120c之間布置有有源層120的溝道區(qū)120b。在其上形成了柵極140的柵絕緣膜130上形成層間絕緣膜150，并且選擇性地去除層間絕緣膜150和柵絕緣膜130，以形成將有源層120的源區(qū)120a和漏區(qū)120c露出的第一接觸孔和第二接觸孔。
在其中形成了第一接觸孔和第二接觸孔(未標(biāo)記)并且經(jīng)構(gòu)圖的層間絕緣膜150上形成源/漏金屬層(未示出)，以形成源極160a和漏極160b。在該示例中，源極160a通過第一接觸孔與源區(qū)120a接觸，并且漏極160b通過第二接觸孔與漏區(qū)120c接觸。
接著，參照?qǐng)D5B，在包括源極160a和漏極160b的層間絕緣膜160的整個(gè)表面上形成有機(jī)絕緣材料或者無(wú)機(jī)絕緣材料的保護(hù)層170。在保護(hù)層170上形成濾色器180，并且濾色器180被選擇性地去除以在發(fā)光區(qū)域處進(jìn)行保留。接著，如圖5C所示，在包括濾色器 180的保護(hù)層170的整個(gè)表面上形成平坦化層190，并且保護(hù)層170和平坦化層190被選擇性地去除，以形成露出漏極160b的第一漏極接觸孔190a。
接著，參照?qǐng)D在平坦化層190的整個(gè)表面上沉積諸如SiNx和SiO2的硅族的無(wú)機(jī)膜(未示出)。無(wú)機(jī)膜最好是具有50%到100%的透射率的透明無(wú)機(jī)膜，從而透過基板100 發(fā)射來(lái)自以下將要描述的有機(jī)發(fā)光層的光。接著，通過光刻和刻蝕選擇性地去除無(wú)機(jī)膜，以形成光補(bǔ)償層200。
光補(bǔ)償層200包括露出漏極160b的第二漏極接觸孔200a，第二漏極接觸孔200a 位于與第一漏極接觸孔190a相對(duì)應(yīng)的區(qū)域，同時(shí)，光補(bǔ)償層200還包括在濾色器180的一側(cè)上的露出平坦化層190的一個(gè)或者更多個(gè)虛設(shè)孔200b。形成虛設(shè)孔200b是為了防止由于由無(wú)機(jī)膜形成的光補(bǔ)償層200和由有機(jī)膜形成的平坦化層190之間的熱膨脹系數(shù)的差異造成的在光補(bǔ)償層200和平坦化層190的邊界處的應(yīng)力而引起光補(bǔ)償層破裂。
無(wú)機(jī)物通常具有不同于有機(jī)物的熱膨脹系數(shù)。當(dāng)在平坦化層190上形成光補(bǔ)償層 200時(shí)，或者進(jìn)行在光補(bǔ)償層上附加地形成薄膜的工序時(shí)，伴隨有熱處理工序。然而，由于平坦化層190的熱膨脹系數(shù)高于光補(bǔ)償層的熱膨脹系數(shù)，所以在熱處理時(shí)由于熱膨脹系數(shù)之間的差異會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，這會(huì)在光補(bǔ)償層200處造成不規(guī)則彎曲或者細(xì)小裂紋的缺陷。
因此，本發(fā)明提出通過選擇性地去除光補(bǔ)償層200來(lái)形成露出平坦化層190的一個(gè)或者更多個(gè)虛設(shè)孔200b，以緩解在平坦化層190和光補(bǔ)償層200處的應(yīng)力，以防止光補(bǔ)償層200破裂。據(jù)此，如果平坦化層190隨其溫度升高而熱膨脹，則在光補(bǔ)償層200和平坦化層190相接觸的邊界處的膨脹力集中在虛設(shè)孔200b以緩解平坦化層190的膨脹力。
特別地，由于在與第二漏極接觸孔200a相同的時(shí)間形成虛設(shè)孔200b，虛設(shè)孔200b 的總面積最好與第二漏極接觸孔200a的面積相同，以平衡刻蝕速率。
接著，參照?qǐng)D5E，第一電極300形成在光補(bǔ)償層200上，通過第一漏極接觸孔190a 和第二漏極接觸孔200a與漏極160b相接觸。通過諸如濺射的沉積形成第一電極300。并且，如圖5F所示，在包括第一電極300的光補(bǔ)償層200上形成堤岸400。堤岸400具有用于選擇性地露出在發(fā)光區(qū)域的第一電極300的堤岸孔。
參照?qǐng)D5G，在堤岸孔中在第一電極300上形成空穴注入層(未示出)和空穴傳輸層 310，并且通過諸如噴墨、噴嘴涂覆、噴灑涂覆和輥印的溶解工藝在空穴傳輸層310上形成有機(jī)發(fā)光層320。接著，在有機(jī)發(fā)光層320上形成電子傳輸層330、電子注入層(未示出)和第二電極340。
據(jù)此，注入到有機(jī)發(fā)光層320的空穴和電子再次耦合以形成激子，激子降落到基態(tài)以發(fā)射光，并且隨著光透過有機(jī)發(fā)光顯示元件下方的濾色器180，對(duì)應(yīng)于濾色器180的顏色的光被發(fā)射。
因此，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法通過利用光補(bǔ)償層(用于防止發(fā)生色偏而形成在平坦化層190上)中的虛設(shè)孔來(lái)緩解平坦化層 的熱膨脹力以將傳遞到光補(bǔ)償層的應(yīng)力最小化。最終，防止了光補(bǔ)償層破裂，因而改進(jìn)了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可靠性。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可以對(duì)本發(fā)明做出各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋本發(fā)明的落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的修改和變化。
本申請(qǐng)要求2011年9月30日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2011-0099986號(hào)的優(yōu)選權(quán)，將其通過引用并入于此，如同在此進(jìn)行了完整闡述一樣。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括形成在基板上的多個(gè)子像素， 其中，具有發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的各子像素包括 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管在所述非發(fā)光區(qū)域處的所述基板上； 保護(hù)層，所述保護(hù)層在包括所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述基板上； 濾色器，所述濾色器在所述發(fā)光區(qū)域處的所述保護(hù)層上； 平坦化層，所述平坦化層在包括所述濾色器的所述保護(hù)層上； 第一漏極接觸孔，所述第一漏極接觸孔在所述保護(hù)層和所述平坦化層中，露出所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極； 光補(bǔ)償層，所述光補(bǔ)償層在所述平坦化層上，所述光補(bǔ)償層具有露出所述第一漏極接觸孔的第二漏極接觸孔以及露出所述平坦化層的至少一個(gè)虛設(shè)孔；以及 有機(jī)發(fā)光元件，所述有機(jī)發(fā)光元件在所述光補(bǔ)償層上，所述有機(jī)發(fā)光元件通過所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相接觸，并且所述有機(jī)發(fā)光元件包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔具有與所述第二漏極接觸孔的面積相同的總面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述光補(bǔ)償層是諸如SiNx和SiO2的硅族材料的無(wú)機(jī)膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述多個(gè)子像素具有紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素和白色子像素。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔形成在所述非發(fā)光區(qū)域處。
6.一種制造具有多個(gè)子像素的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，各子像素具有發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，所述方法包括以下步驟 在非發(fā)光區(qū)域處的基板上形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管； 在包括所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述基板上形成保護(hù)層； 在所述保護(hù)層上形成濾色器； 在包括所述濾色器的所述保護(hù)層上形成平坦化層； 選擇性地去除所述保護(hù)層和所述光補(bǔ)償層，以形成將所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極露出的第一漏極接觸孔； 在所述平坦化層上形成光補(bǔ)償層，以具有露出所述第一漏極接觸孔的第二漏極接觸孔以及露出所述平坦化層的至少一個(gè)虛設(shè)孔；以及 在所述光補(bǔ)償層上形成有機(jī)發(fā)光元件，以通過所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，通過干法刻蝕形成所述第二漏極接觸孔和所述至少一個(gè)虛設(shè)孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔具有與所述第二漏極接觸孔的面積相同的總面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述光補(bǔ)償層是諸如SiNx和SiO2的硅族材料的無(wú)機(jī)膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述多個(gè)子像素具有紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素和白色子像素。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔形成在所述非發(fā)光區(qū)域處。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括形成在基板上的多個(gè)子像素，具有發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的各子像素包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其在非發(fā)光區(qū)域處的基板上；保護(hù)層，其在包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的該基板上；濾色器，其在發(fā)光區(qū)域處的保護(hù)層上；平坦化層，其在包括濾色器的保護(hù)層上；第一漏極接觸孔，其在保護(hù)層和平坦化層中，露出驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極；光補(bǔ)償層，其在該平坦化層上，具有露出第一漏極接觸孔的第二漏極接觸孔以及露出平坦化層的至少一個(gè)虛設(shè)孔；及有機(jī)發(fā)光元件，其在光補(bǔ)償層上，通過第一漏極接觸孔和第二漏極接觸孔與漏極相接觸，并且該有機(jī)發(fā)光元件包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極。
文檔編號(hào)H01L51/52GK103035848SQ20121036388
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者金俊中, 方熙皙 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司