基板處理裝置制造方法

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基板處理裝置制造方法
【專利摘要】本發明提供基板處理裝置，本發明的基板處理裝置，其特征在于，包括：密閉腔室，其內部空間相對外部密閉，該密閉腔室包括具有開口的腔室主體、能旋轉地設置在所述腔室主體上并使所述開口閉塞的蓋部件、用液體密封所述蓋部件與所述腔室主體之間的第一液體密封結構；蓋部件旋轉單元，其用于使所述蓋部件旋轉；基板保持旋轉單元，其在所述密閉腔室的內部空間內，一邊保持基板一邊使該基板旋轉；和處理液供給單元，其向借助所述基板保持旋轉單元旋轉的基板供給處理液。
【專利說明】基板處理裝置
[0001] 本申請是申請號為201110072471. X、申請日為2011年3月22日、發明名稱為"基板處理裝置及基板處理方法"的專利申請的分案申請。

【技術領域】
[0002] 本發明涉及一種用于對基板進行處理的基板處理裝置。成為處理對象的基板例如包括半導體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板、等離子顯示器用基板、FED (Field Emission Display :場發射顯示器）用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、太陽能電池用基板等。

【背景技術】
[0003] 例如在半導體裝置的制造工序中，對半導體晶片以及液晶顯示面板用玻璃基板等基板實施使用藥液的處理。為進行該藥液處理，有時會對基板使用實施逐張處理的單張式基板處理裝置。單張式基板處理裝置包括：具有用于劃分內部空間的分隔壁的處理腔室、收容在處理腔室內且幾乎水平地保持基板并使其旋轉的旋轉卡盤、用來向基板供給藥液的藥液噴嘴以及使藥液噴嘴移動的噴嘴移動機構。
[0004] 例如在從基板表面除去聚合物的除去處理中，為了防止形成在基板上的配線的氧化，有時會采取從藥液噴嘴噴出氧濃度足夠低的藥液的方法（參考日本特開2004-158482 號公報）。在此情況下，優選將處理腔室內環境控制為低氧濃度以使氧不溶解于從藥液噴嘴噴出的處理液中。
[0005] 但是，處理腔室的內部空間中收容有各種部件，該內部空間比較寬敞。因此，難以充分進行處理腔室內的環境控制。

【發明內容】

[0006] 本申請的發明人等為了進行充分的處理腔室內環境控制，討論研究了在使處理腔室的內部空間密閉的同時使該內部空間狹小化。
[0007] 但是，處理腔室內匯集并配置了各種部件，因而不能有效地狹小化其內部空間。尤其是在具有干燥基板時接近配置在基板表面且以覆蓋基板表面的狀態旋轉的隔斷板的情況下，需要以包圍旋轉卡盤及隔斷板的方式構成處理腔室。因此，不能有效地減少處理腔室內部空間的容積，會導致處理腔室內的環境控制不充分。
[0008] 另外，根據對基板進行的處理內容，有時需要對基板實施移動噴嘴所進行的處理，艮P，一邊移動噴嘴一邊使處理液（藥液或者沖洗液）從該噴嘴噴出的處理。但是，移動噴嘴，伴隨用來使噴嘴移動的噴嘴移動機構，而該噴嘴移動機構配置在處理腔室內。因此，為了實現移動噴嘴所進行的處理，處理腔室的內部空間必定會變大，內部空間的環境控制變得不充分。
[0009] 因此，本發明的目的是提供一種基板處理裝置及基板處理方法，該基板處理裝置能夠在具有可降低內部空間容積的結構的密閉腔室內，對基板實施良好處理。
[0010] 另外，本發明的另一目的是提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置能夠一邊移動噴嘴一邊處理基板，并且，能夠實現密閉腔室的內部空間的狹小化。
[0011] 本發明第一技術方案的基板處理裝置包括：密閉腔室，其內部空間相對外部密閉，該密閉腔室包括具有開口的腔室主體、能旋轉地設置在所述腔室主體上并使所述開口閉塞的蓋部件、用液體密封所述蓋部件與所述腔室主體之間的第一液體密封結構；蓋部件旋轉單元，其用于使所述蓋部件旋轉；基板保持旋轉單元，其在所述密閉腔室的內部空間內，一邊保持基板一邊使該基板旋轉；和處理液供給單元，其向借助所述基板保持旋轉單元旋轉的基板供給處理液。
[0012] 根據此結構，能夠在密閉腔室的內部空間中，一邊由基板保持旋轉單元旋轉基板一邊向該基板供給處理液。因為蓋部件能夠旋轉，因而能夠使蓋部件與基板相對旋轉或者同步旋轉。因此，能夠使蓋部件與基板的處理相關聯地旋轉，由此，能夠進行良好的基板處理。
[0013] 并且，蓋部件與腔室主體之間用第一液體密封結構密封。因此，即使在蓋部件處于旋轉狀態下，也能夠保持密閉腔室內部空間的密閉狀態。因為將液體密封結構用作密封結構，因而與使用接觸式密封的情況相比，幾乎不會導致產生灰塵及密封性降低等。由此，能夠長期良好地保持蓋部件與腔室主體之間的密封。
[0014] 如此，在本發明中，通過能夠與腔室主體一起旋轉的蓋部件和密封此二者間的第一液體密封結構劃分出密閉空間。因為可旋轉的蓋部件能夠發揮所述隔斷板的功能，因而無需在密閉空間內另外設置隔斷部件。因此，能夠縮小密閉空間的容積，因而能夠充分控制內部環境。例如，能夠將內部空間的環境控制為充分的低氧環境。
[0015] 另外，優選的是，所述基板處理裝置還包括第一移動單元，該第一移動單元使所述基板保持旋轉單元及所述密閉腔室中至少一方移動，從而使所述基板保持旋轉單元所保持的基板與所述蓋部件接近/離開。
[0016] 根據該結構，能夠變換基板與蓋部件的相對位置。因此，在用由處理液供給單元供給的處理液處理基板的液體處理時和此外的情況下，都能夠變換基板與蓋部件的相對位置。由此，能夠分別以合適的條件進行液體處理及其他處理。
[0017] 另外，優選的是，所述第一移動單元使所述基板保持旋轉單元及所述密閉腔室中至少一方在液體處理位置與腔室清洗位置之間移動，所述液體處理位置是指，利用由所述處理液供給單元供給的處理液來對基板實施液體處理的位置，所述腔室清洗位置是指，與所述液體處理位置相比所述基板保持旋轉單元更接近所述蓋部件以便清洗所述密閉腔室的內部的位置。
[0018] 根據該結構，以基板保持旋轉單元處于與密閉腔室的相對位置和液體處理位置不同的腔室清洗位置的狀態下清洗密閉腔室內部。基板保持旋轉單元在腔室清洗位置比其位于液體處理位置時更接近蓋部件。在密閉腔室的內壁面上與配置于液體處理位置的基板保持旋轉單元所保持的基板周圍相對的區域附著有液體處理時從基板飛濺出的處理液。因此，清洗密閉腔室時，使基板保持旋轉單元比處于液體處理位置時便接近蓋部件。由此，例如與位于液體處理位置的基板保持旋轉單元所保持的基板的周圍相對的內壁面區域，比位于腔室清洗位置的基板保持旋轉單元位于更低的位置。因此，在清洗密閉腔室內壁面時，能夠抑制從密閉腔室內壁面被除去的處理液（液體處理時附著的處理液）撒向并附著于基板保持旋轉單元。由此，能夠抑制對基板保持旋轉單元的污染，因而能夠抑制對基板保持旋轉單元所保持的基板的污染。
[0019] 另外，優選的是，所述第一移動單元還使所述基板保持旋轉單元及所述密閉腔室中至少一方向干燥位置移動，所述干燥位置是指，與所述腔室清洗位置相比，所述基板保持旋轉單元更接近所述蓋部件的位置。
[0020] 根據該結構，將基板保持旋轉單元配置在相比腔室清洗位置基板更接近蓋部件的干燥位置，對基板實施干燥處理。因此，能夠在干燥處理時在基板與蓋部件之間形成微小的空間。由此，能夠一邊使基板與蓋部件之間的空間從其之外的環境隔斷，一邊對基板實施干燥處理。由此，能夠在精密地控制基板表面附近的環境的基礎上，控制異物在基板表面上的附著。
[0021] 另外，優選的是，所述第一移動單元使所述基板保持旋轉單元及所述密閉腔室中至少一方在液體處理位置與干燥位置之間移動，所述液體處理位置是利用由所述處理液供給單元供給的處理液對基板實施液體處理的位置，所述干燥位置是指，與所述液體處理位置相比基板更接近所述蓋部件以便對基板實施干燥處理的位置。
[0022] 根據該結構，在基板保持旋轉單元位于相對密閉腔室與液體處理位置不同的干燥位置的狀態下，對基板實施干燥處理。因此，在控制處理液所產生的影響的狀態下，能夠對基板實施干燥處理。
[0023] 另外，在對基板實施干燥處理，在相比液體處理位置基板更接近蓋部件的干燥位置上配置基板保持旋轉單元。因此，在干燥處理時，能夠在基板與蓋部件之間形成微小的空間。由此，能夠一邊使基板與蓋部件之間的空間從其周圍環境隔斷，一邊對基板實施干燥處理。由此，能夠在精密控制基板表面附近的環境的狀態下，實現良好的干燥處理，并且，能夠抑制干燥處理中異物在基板表面的附著。
[0024] 另外，所述基板處理裝置還包括用于向所述蓋部件噴出清洗液的清洗液噴出單元。這樣的結構中，從基板主面飛濺出的處理液附著在蓋部件及腔室主體上。該處理液在蓋部件表面及腔室主體內壁干燥并結晶化后有可能污染基板。該問題在處理液為藥液的情況下尤為突出。
[0025] 在此情況下，優選的是，所述基板處理裝置還包括腔室清洗控制單元，該腔室清洗控制單元控制所述蓋部件旋轉單元，使所述蓋部件以規定的蓋清洗轉速旋轉，并控制所述清洗液噴出單元，使所述清洗液噴出單元噴出清洗液。
[0026] 根據該結構，一邊使蓋部件旋轉一邊從清洗液噴出單元向蓋部件噴出清洗液，因而能夠用清洗液沖洗掉附著在蓋部件上的處理液。另外，供給至蓋部件的清洗液受到蓋部件旋轉所產生的離心力，向蓋部件的周緣部移動，因而供給至腔室主體內壁。因此，能夠沖洗掉附著在腔室主體內壁上的處理液。由此，能夠清洗整個密閉腔室的內壁。即使蓋部件處于旋轉狀態，也能夠通過第一液體密封結構的動作來保持密閉腔室內的密閉狀態。由此，能夠保持劃分成狹小內部空間的密閉腔室的內壁的清潔，因而能夠良好地進行該內部空間內的基板處理。
[0027] 優選的是，所述蓋部件所述蓋部件具有與所述基板保持旋轉單元所保持的基板的整個主面對置的基板對置面，所述基板處理裝置還包括干燥控制單元，該干燥控制單元控制所述基板保持旋轉單元及所述蓋部件旋轉單元，使所述基板保持旋轉單元所保持的基板及所述蓋部件分別以規定的干燥轉速向相同方向旋轉。
[0028] 根據該結構，通過使蓋部件與基板的旋轉同步旋轉，因而在基板主面與蓋部件的基板對置面之間形成穩定氣流。由此，能夠對基板實施良好的干燥處理。
[0029] 所述基板保持旋轉單元可以具有具有露出在所述密閉腔室的外部的露出部分。在此情況下，優選的是，所述基板處理裝置還包括：第二移動單元，其使所述基板保持旋轉單元及所述密閉腔室彼此相對移動；第二液體密封結構，其用液體來密封所述基板保持旋轉單元與所述腔室主體之間。
[0030] 根據該結構，基板保持旋轉單元及密閉腔室相對移動。第二液體密封結構與基板保持旋轉單元及密閉腔室的相對位置無關，用液體密封基板保持旋轉單元與密閉腔室之間。因此，無論基板保持旋轉單元及密閉腔室在哪一位置，都能夠維持密閉腔室的內部空間的密閉狀態。
[0031] 另外，優選的是，所述所述第一液體密封結構具有密封槽，該密封槽形成在所述腔室主體的所述開口的整個外周，而且能夠儲存密封用液體，所述蓋部件具有密封環，該密封環進入所述密封槽內并浸漬在所述密封用液體中，所述基板處理裝置還具有向所述密封槽供給所述密封用液體的密封液供給單元，在所述基板處理裝置的啟動狀態下，始終向所述密封槽供給來自所述密封液供給單元的所述密封用液體。
[0032] 根據該結構，在腔室主體上遍及開口整個外周形成有密封槽。在密封槽內儲存密封用液體的狀態下，蓋部件的密封環進入密封槽浸漬在密封用液體（純水）中。由此，密封環與密封槽之間用密封用液體密封。即使在蓋部件處于旋轉狀態時，該第一液體密封結構所形成的密封依舊能夠得以維持。
[0033] 并且，因為密封用液體始終供給至密封槽，因而密封用液體不會斷液。由此，能夠長時間維持蓋部件與腔室主體之間的密封。另外，因為能夠始終置換密封槽內的密封用液體，因而能夠抑制密封槽內密封用液體中污染的蓄積。
[0034] 另外，還可以包括向所述密閉腔室內供給非活性氣體的非活性氣體供給單元。
[0035] 本發明的基板處理方法包括：準備工序，準備密閉腔室，該密閉腔室的內部空間相對外部密閉，而且該密閉腔室包括具有開口的腔室主體、能旋轉地設置在所述腔室主體上并使所述開口閉塞的蓋部件、用液體密封所述蓋部件與所述腔室主體之間的第一液體密封結構；基板旋轉工序，在所述密閉腔室的內部空間配置基板，并在該內部空間使基板旋轉；處理液供給工序，在所述腔室的內部空間向基板供給處理液，該處理液供給工序與所述基板旋轉工序同時進行。
[0036] 根據本發明的方法，能夠在密閉腔室的內部空間中，一邊通過基板保持旋轉單元使基板旋轉，一邊對該基板供給處理液。因為蓋部件能夠旋轉，因而能夠使蓋部件與基板相對旋轉或同步旋轉。因此，能夠使蓋部件關于基板處理旋轉，由此，能夠進行良好的基板處理。
[0037] 并且，蓋部件與腔室主體之間用第一液體密封結構密封。因此，即使蓋部件處于旋轉狀態，也能夠保持密閉腔室的內部空間的密閉狀態。因為將液體密封結構用作密封結構，因而與使用接觸式密封的情況相比，幾乎不會產生灰塵及降低密封性。由此，能夠長期保持蓋部件與腔室主體之間的密封。
[0038] 如此，在本發明中利用密封腔室主體和可旋轉的蓋部件及二者之間的第一液體密封結構，劃分出密閉空間。因為可旋轉的蓋部件能夠發揮作為所述隔斷板的功能，因而不需要在密閉空間內另外設置隔斷部件。因此，因為能夠縮小密閉空間的容積，因而能夠充分控制其內部環境。例如能夠將內部空間的環境控制為足夠的低氧環境。
[0039] 優選的是，所述方法還還包括：第一配置工序，將基板與所述蓋部件配置在蓋清洗位置，所述蓋清洗位置是指，與所述處理液供給工序時相比，基板更接近所述蓋部件的位置，蓋部件清洗工序，使所述蓋部件在該蓋清洗位置以規定的蓋清洗轉速旋轉，并從清洗液噴出單元向所述蓋部件噴出清洗液。
[0040] 從基板主面飛濺出的處理液附著在蓋部件及腔室主體上。該處理液在蓋部件表面及腔室主體內壁干燥并結晶化后可能會污染基板。該問題在處理液為藥液的情況下尤為突出。
[0041] 根據本發明的方法，一邊使蓋部件旋轉，一邊從清洗液噴出單元向蓋部件噴出清洗液，因而能夠用清洗液沖洗掉附著在蓋部件上的處理液。另外，供給至蓋部件上的清洗液受到蓋部件旋轉所產生的離心力，因而向蓋部件的周緣部移動，供給至腔室主體內壁。因此，能夠沖洗掉附著在腔室主體內壁的處理液。由此，能夠清洗整個密閉腔室內壁。即使蓋部件處于旋轉狀態，也能夠通過第一液體密封結構的動作來保持密閉腔室內的密閉狀態。由此，因為能夠保持劃分成狹小的內部空間的密閉腔室內壁的清潔，因而能夠良好地進行其內部空間內的基板處理。
[0042] 另外，能夠在基板保持旋轉單元位于與密閉腔室對置的位置和液體處理位置不同的蓋清洗位置的狀態下，實施蓋部件的清洗，即，密閉腔室內的清洗。在蓋清洗位置，相比在液體處理位置時，基板保持旋轉單元更接近蓋部件。在密閉腔室的內壁面的與配置于液體處理位置的基板保持旋轉單元所保持的基板的周圍相對的區域上，附著有液體處理時從基板飛濺出的處理液。因此，在清洗蓋部件時，使基板保持旋轉單元比處于液體處理位置時更接近蓋部件。由此，例如與位于液體處理位置的基板保持旋轉單元所保持的基板的周圍相對的內壁面區域處于比位于蓋清洗位置的基板保持旋轉單元更低的位置。因此，在清洗密閉腔室內壁面時，能夠抑制從密閉腔室內壁面除去的處理液（液體處理時附著的處理液）撒向并附著在基板保持旋轉單元上。由此，因為能夠抑制對基板保持旋轉單元的污染，因而能夠抑制對基板保持旋轉單元所保持的基板的污染。
[0043] 另外，優選的是，所述方法還包括：第二配置工序，將基板與所述蓋部件配置在干燥位置，所述干燥位置是指，與所述蓋部件清洗工序時相比，基板更接近所述蓋部件的位置；干燥工序，使所述蓋部件及基板在所述干燥位置分別以規定的干燥轉速旋轉。
[0044] 根據該方法，能夠在相比蓋部件清洗工序基板更接近蓋部件的干燥位置實施干燥工序。因此，在干燥工序中，能夠在基板與蓋部件之間形成微小的空間。由此，能夠一邊使基板與蓋部件之間的空間從其周圍環境隔斷，一邊干燥基板。由此，能夠在精密控制基板表面附近的環境的狀態下，實現良好的基板干燥，并且，能夠在干燥工序的實施中抑制異物在基板表面的附著。
[0045] 這種情況下，進一步地使蓋部件與基板的旋轉同步旋轉，因而在基板的主面與蓋部件的基板對置面之間形成穩定氣流。由此，能夠良好地實施干燥工序。
[0046] 另外，本發明的第二技術方案的基板處理裝置包括：密閉腔室，其具有用于劃分密閉的內部空間的分隔壁；基板保持旋轉單元，其在所述密閉腔室的內部空間內，一邊保持基板一邊使該基板旋轉；噴嘴，其在所述密閉腔室的內部空間內，向所述基板保持旋轉單元所保持的基板的主面噴出處理液；噴嘴臂，其支撐所述噴嘴，而且，經由形成在所述密閉腔室的所述分隔壁上的貫通孔，在所述密閉腔室的內外延伸；驅動單元，其配置在所述密閉腔室夕卜，用于使所述噴嘴臂沿所述基板保持旋轉單元所保持的基板的主面移動。
[0047] 根據該結構，支撐噴嘴的噴嘴臂通過分隔壁的貫通孔跨密閉腔室內外延伸。并且，用于驅動噴嘴臂的驅動單元配置在密閉腔室外。該驅動單元向從噴嘴臂的密閉腔室露出的部分輸入驅動力，由此使噴嘴臂移動。由此，能夠通過來自密閉腔室外的驅動單元的驅動力，使噴嘴在密閉腔室內移動。因為將驅動單元配置在密閉腔室外，因而能夠使密閉腔室的內部空間狹小化。
[0048] 另外，優選的是，所述噴嘴臂呈沿著規定的基準線的形狀，所述規定的基準線沿著所述基板保持旋轉單元所保持的基板的主面延伸；所述貫通孔沿著所述密閉腔室的分隔壁上的所述基準線形成；所述驅動單元使所述噴嘴臂沿所述基準線移動。
[0049] 根據該結構，形成沿著基準線的形狀的噴嘴臂沿該基準線移動。即，在噴嘴臂移動時，噴嘴臂僅通過垂直基準線的面的一部分。因此，能夠使形成在分隔壁上的貫通孔的大小固定為最小限度。由此，易于保持密閉腔室內的空間的密閉狀態。
[0050] 所述基準線可以是直線，所述驅動單元包括使所述噴嘴臂沿所述基準線進行直線運動的直線驅動單元。
[0051] 并且，在此情況下，所述直線驅動單元包括：驅動臂，其連接在所述噴嘴臂上，并能夠變換連接位置；擺動驅動單元，其使所述驅動臂圍繞與所述基準線垂直的規定的擺動軸線擺動。
[0052] 進一步，所述基準線呈圓弧狀，所述驅動單元包括使所述噴嘴臂沿所述基準線進行圓弧運動的圓弧驅動單元。
[0053] 另外，所述基板處理裝置還可以包括用于密封所述噴嘴臂與所述密閉腔室的所述分隔壁之間的密封結構。在此情況下，與噴嘴臂的移動無關，能夠通過密封結構可靠地隔斷密閉腔室內的空間與密閉腔室外的空間。
[0054] 另外，優選的是，所述密封結構的結構與所述直線驅動單元組合。若與所述直線驅動單元組合，因為能夠固定貫通孔的大小為最小限度，因而能夠實現密封結構的小型化。
[0055] 所述密封結構包括：液體密封結構，其用液體密封所述噴嘴臂與所述密閉腔室的所述分隔壁之間；氣體密封結構，其用氣體密封所述噴嘴臂與所述密閉腔室的所述分隔壁之間。
[0056] 根據該結構，噴嘴臂與分隔壁之間通過液體密封結構及氣體密封結構密封。
[0057] 處理基板時，例如，一邊通過基板保持旋轉單兀旋轉基板，一邊從處理液噴嘴向旋轉中的基板的主面噴出處理液。但是，在其處理中，處理液飛濺至基板的外圍，該飛濺出的處理液有可能會附著在噴嘴臂外表面上。處理液在噴嘴臂外表面干燥并結晶化，該處理液干燥物變成顆粒，有可能會污染在基板保持旋轉單元上旋轉的基板。
[0058] 但是，因為液體密封結構用密封用液體密封噴嘴臂與分隔壁之間，因而密封用液體與噴嘴臂外表面接觸。因此，通過密封用液體，沖洗掉附著在噴嘴臂外表面的污染物質。艮P，通過密封用液體清洗噴嘴臂外表面。
[0059] 另外，氣體密封結構用氣體密封噴嘴臂與分隔壁之間。密封氣體通過噴嘴臂外表面。因此，能夠除去附著在噴嘴臂上的密封用液體并干燥噴嘴臂外表面。
[0060] 進而，所述氣體密封結構配置在與所述液體密封結構相比更靠近所述密閉腔室的內部空間一側的位置。根據該結構，當進入密閉腔室內時，噴嘴臂外表面的各位置在供給密封用氣體后進入密閉腔室。通過液體密封結構而附著在噴嘴臂外表面上的密封用液體被氣體密封結構的密封用氣體除去。由此，能夠可靠地防止密封用液體進入密閉腔室的內部空間。
[0061] 本發明的所述或者其他目、特征及效果通過參考附圖闡述的實施方式而變得更加明確。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0062] 圖1是表示本發明一實施方式基板處理裝置的結構的圖解式剖視圖。
[0063] 圖2是用于說明圖1所示基板處理裝置的結構的圖解式俯視圖。
[0064] 圖3是用于說明圖1所示第一液體密封結構及其外圍結構的圖解式剖視圖。
[0065] 圖4是用于說明圖1所示第二液體密封結構及其外圍結構的圖解式剖視圖。
[0066] 圖5是用于說明圖1所示第三密封結構的構成的圖解式剖視圖。
[0067] 圖6是從圖5的截斷面線VI-VI觀察到的剖視圖。
[0068] 圖7是圖5的截斷面線VII-VII觀察到的剖視圖。
[0069] 圖8是用于向圖2所示處理模塊供給處理液的結構的示意圖。
[0070] 圖9是圖1所示基板處理裝置所具備的配管的圖解圖。
[0071] 圖10是用于說明圖1所示基板處理裝置的電氣結構的框圖。
[0072] 圖11是用于說明由圖1所示基板處理裝置處理的晶片W的表面狀態一個例子的首1J視圖。
[0073] 圖12A是用于說明由圖1所示基板處理裝置進行處理的基板的例子的圖解式剖視圖。
[0074] 圖12B是表示圖12A的下一工序的圖解式剖視圖。
[0075] 圖12C是表示圖12B下一工序的圖解式剖視圖。
[0076] 圖12D是表示圖12C的下一工序的圖解式剖視圖。
[0077] 圖12E是表示圖12D的下一工序的圖解式剖視圖。
[0078] 圖12F是表示腔室清洗工序的圖解式剖視圖。
[0079] 圖13是表示非活性氣體溶解水中的氧濃度與銅的蝕刻量之間的關系的圖。
[0080] 圖14是表示晶片上方的氧濃度與供給給晶片上表面的純水中的氧濃度之間的關系的圖。
[0081] 圖15是表示純水中的氧濃度與純水中的氮濃度之間的關系的圖。
[0082] 圖16是用于說明本發明的另一實施方式的基板處理裝置的結構的圖解式俯視圖。
[0083] 圖17是用于說明本發明又一實施方式的基板處理裝置的結構的圖解式俯視圖。

【具體實施方式】
[0084] 圖1是表示基板處理裝置1的結構的圖解式剖視圖。圖2是用于說明基板處理裝置1的結構的圖解式俯視圖。在圖2中主要記載了基板處理裝置1中與處理液噴嘴（處理液供給單元）4及噴嘴臂15相關聯的結構，適當省略了與前述二者無直接關聯的結構。 [0085] 該基板處理裝置1是如下的單張型裝置：對作為基板的一個例子的圓形半導體晶片W(以下、簡稱為"晶片W"）的器件形成區域一側的表面（主面），實施作為藥液一個例子的稀氫氟酸所進行的晶片清洗處理（例如聚合物殘渣除去處理）。
[0086] 基板處理裝置1具有用于處理晶片W的處理模塊Ml。處理模塊Ml具有：密閉腔室2、在密閉腔室2的內部空間內水平保持1張晶片W并使晶片W圍繞通過其中心的鉛垂軸線旋轉的旋轉卡盤（基板保持旋轉單元）3、在密閉腔室2的內部空間內用于向旋轉卡盤3 所保持的晶片W的表面供給處理液（作為藥液或者沖洗液的非活性氣體溶解水）的處理液噴嘴4。在該處理模塊Ml中，在密閉腔室2的內部空間內僅收容旋轉卡盤3的一部分（旋轉基座43、夾持部件44等）而非整體，旋轉卡盤3的罩部件45的外壁從密閉腔室2露出。另外，用于對支撐處理液噴嘴4的噴嘴臂15進行驅動的直線驅動機構（直線驅動單元）36 配置在密閉腔室2外。因此，有效地減少了密閉腔室2的內部空間并使其狹小化，設定該內部空間的容積為對晶片W實施規定處理（晶片清洗處理及干燥處理等）的最小限度。
[0087] 密閉腔室2包括：具有上部開口（開口）5及下部開口 200的大致圓筒狀的腔室主體6以及用來開閉上部開口 5的蓋部件7(圖2表示了從密閉腔室2除去蓋部件7的狀態）。蓋部件7設置為能夠相對腔室主體6旋轉。密閉腔室2還具有密封腔室主體6與蓋部件7之間的第一液體密封結構8。該第一液體密封結構8利用作為密封用液體的一個例子的純水（去離子水）密封腔室主體6上端部與蓋部件7下表面周緣部之間，從密閉腔室2 外的環境隔斷密閉腔室2的內部空間。腔室主體6的下部開口 200被旋轉卡盤3 (的罩部件45)閉塞。
[0088] 腔室主體6具有劃分密閉腔室2的內部空間的分隔壁9。分隔壁9相對旋轉卡盤 3所形成的晶片W的旋轉軸線C(以下簡稱為"旋轉軸線C"）呈大致旋轉對稱的形狀。分隔壁9具有以旋轉軸線C為中心的大致圓筒狀的圓筒部10、從圓筒部10上端向中心一側 (靠近旋轉軸線C的方向）向斜上方延伸的傾斜部11、連接在圓筒部10的下端部的俯視為環狀的底部12。圓筒部10的上端部之外的部分越向下方越形成厚壁。底部12與旋轉卡盤3 (的罩部件45的上端部）之間用第二液體密封結構13密封。在傾斜部11上形成有貫穿其內外表面的貫通孔14。該貫通孔14是噴嘴臂15(后述）插入用部件，設置在基準線 L1 (后述,參考圖2)上。
[0089] 傾斜部11的內表面具有第一圓錐面17,該第一圓錐面17以旋轉軸線C為中心，呈越向上方越接近旋轉軸線C的圓錐狀。圓筒部10的內表面具有以旋轉軸線C為中心的圓筒面18和以旋轉軸線C為中心且越向下方越接近旋轉軸線C的圓錐狀的廢液引導面19。當對晶片W進行藥液處理時或者沖洗處理時，從處于旋轉狀態的晶片W周緣飛濺出的處理液（藥液或者沖洗液）主要被圓筒面18及廢液引導面19擋住。于是，被圓筒面18擋住且向廢液引導面19流下的處理液以及被廢液引導面19擋住的處理液被從廢液引導面19導向（引導）脫氣液槽20(后述）。
[0090] 蓋部件7形成為比晶片W直徑略大的大致圓板狀。如上所述，蓋部件7下表面外周部與腔室主體6的分隔壁9的上端部之間用第一液體密封結構8密封。蓋部件7上周緣部之外的部分形成圓形的平板部21。平板部21的下表面具有與由旋轉卡盤3保持的晶片 W的表面對置的由水平平坦面形成的基板對置面23。
[0091] 在蓋部件7的上表面固定有沿著與旋轉軸線C共同的軸線的上部旋轉軸24。該上部旋轉軸24形成為中空，其內部插入有用來向晶片W表面供給作為沖洗液的碳酸水的處理液上部噴嘴25。處理液上部噴嘴25具有用來向由旋轉卡盤3保持的晶片W表面的旋轉中心噴出處理液的處理液上部噴出口 26。通過碳酸水閥27向處理液上部噴嘴25供給碳酸水。另外，在上部旋轉軸24的內壁與處理液上部噴嘴25的外壁之間，形成用來向晶片W的中心部供給作為非活性氣體的氮氣的非活性氣體流通路徑（非活性氣體供給單元）28。非活性氣體流通路徑28具有在基板對置面23上開口的非活性氣體噴出口（非活性氣體供給單元）29。通過非活性氣體閥（非活性氣體供給單元）30向該非活性氣體流通路徑28供給氮氣。
[0092] 上部旋轉軸24以從沿大致水平設置的蓋臂31的前端部垂下的狀態可旋轉地安裝在其前端部。即，蓋部件7被蓋臂31支撐。上部旋轉軸24上結合有蓋部件旋轉機構（蓋部件旋轉單元）32,該蓋部件旋轉機構用于使蓋部件7與基于旋轉卡盤3的晶片W的旋轉大致同步旋轉。
[0093] 蓋臂31上結合有用于使蓋臂31升降的蓋部件升降機構33。通過該蓋部件升降機構33,能夠使蓋部件7在對腔室主體6的上部開口 5進行閉塞的關閉位置（圖1所示位置）與從該關閉位置向上方離開且打開腔室主體6的上部開口 5的開放位置（圖12A所示位置）之間升降。蓋部件7在位于關閉位置以及位于開放位置時均被蓋臂31支撐。
[0094] 在腔室主體6的分隔壁9的內表面（更具體地說是第一圓錐面17與圓筒面18之間的邊界部分）上，設置有用于清洗密閉腔室2內部的清洗液噴嘴（清洗液噴出單元）34。清洗液噴嘴34是例如以連續流的狀態噴出清洗液的線形噴嘴，其噴出口朝向斜上方安裝在腔室主體6的分隔壁9的內表面上。從清洗液噴嘴34噴出口噴出的清洗液朝向蓋部件 7下表面的中心部與周緣部之間的中間位置噴出。來自清洗液供給源（未圖示）的清洗液 (例如純水（去離子水））通過清洗液閥35供給至清洗液噴嘴34。
[0095] 處理液噴嘴4安裝在于旋轉卡盤3上方延伸的噴嘴臂15的前端部。噴嘴臂15呈以直線狀在水平方向上延伸的棒狀，并在密閉腔室2的內外延伸。噴嘴臂15沿著通過旋轉軸線C上方的直線狀基準線L1 (參考圖2)，其剖面形狀為矩形（參考圖5及圖6)。通過配設在密閉腔室2外的直線驅動機構36,在沿著基準線L1的方向上可移動的方式支撐著噴嘴臂15。
[0096] 噴嘴臂15插入形成在腔室主體6的分隔壁9上的貫通孔14。該貫通孔14位于基準線L1上。因為沿著基準線L1延長的噴嘴臂15沿著基準線L1移動，因而分隔壁9與基準線L1交叉的部分始終是噴嘴臂15通過的位置。因為在該位置上設置有貫通孔14,因而能夠將貫通孔14的大小限制在最小限度的大小。噴嘴臂15與腔室主體6的分隔壁9之間用第三密封結構37密封。通過將貫通孔14的大小限制在最小限度的大小，因而易于保持密閉腔室2內的空間的密閉狀態。
[0097] 處理液噴嘴4上連接有處理液供給管38。從配管內調和單元51 (后述，參考圖8) 向處理液供給管38選択性地供給作為處理液的藥液及沖洗液。通過向處理液供給管38供給處理液（藥液或者沖洗液），因而能夠從處理液噴嘴4噴出處理液。
[0098] 如圖2所示，直線驅動機構36具有：噴嘴驅動馬達139、架設在噴嘴驅動馬達139 的輸出軸140與自由旋轉的滑輪141之間的同步齒型帶142、結合在同步齒型帶142中部的連接部件143、限制連接部件143的移動并使該連接部件143僅在沿著基準線L1的方向上移動的直線導軌144。連接部件143連接在噴嘴臂15的底端部，并支撐該噴嘴臂15。當噴嘴驅動馬達139旋轉驅動時，同步齒型帶142旋轉，結合在該同步齒型帶142上的連接部件 143沿基準線L1移動。由此，能夠向噴嘴臂15輸入噴嘴驅動馬達139的旋轉驅動力，并能夠使噴嘴臂15沿基準線L1移動。
[0099] 通過該噴嘴臂15的移動，因而能夠使處理液噴嘴4在旋轉卡盤3所保持的晶片W 的側方的退避位置（圖1所示狀態，圖2中用實績表示）與旋轉卡盤3所保持的晶片W的表面（圖2中以雙點劃線表示）之間移動，并能夠使來自處理液噴嘴4的處理液的噴出位置在晶片W的表面上移動。如此，由于將直線驅動機構36配置在密閉腔室2外，因而能夠實現密閉腔室2的小型化，并能夠減小其內部空間的容積（狹小化）。
[0100] 接著僅參考圖1對旋轉卡盤3進行說明。旋轉卡盤3具有：水平延伸的基底（露出部分）40、固定在基底40上的旋轉馬達41、在輸入該旋轉馬達41的旋轉驅動力的鉛直方向上延伸的旋轉軸42、水平地安裝在旋轉軸42上端的圓盤狀旋轉基座（基板保持旋轉單元）43、配置在該旋轉基座43上的多個夾持部件（基板保持旋轉單元）44和包圍旋轉馬達 41的側方的罩部件（露出部分）45。旋轉基座43例如是比晶片W直徑稍大的圓盤狀部件。罩部件45的下端固定在基底40的外周上。罩部件45與基底40緊貼，在由這些罩部件45 與基底40構成的殼體內，密閉腔室2外的環境氣體不會流入。罩部件45的上端到達旋轉基座43的附近。罩部件45的上端部上安裝有凸緣部件46。
[0101] 具體來講，凸緣部件46 -體地具有：從罩部件45的上端部向徑向外側大致水平地突出的水平部47、從水平部47的徑向中部向鉛直下方垂下的內壁部48和從水平部47的外周緣向鉛直下方垂下的外壁部49。內壁部48及外壁部49分別形成以旋轉軸線C為中心的圓筒狀。將內壁部48的下端與外壁部49的下端設定為大致相同的高度。
[0102] 將多個夾持部件44隔開適當的間隔配置在旋轉基座43的上表面周緣部的與晶片 W外周形狀對應的圓周上。多個夾持部件44能夠互相協同地以水平姿勢夾持（保持）1張晶片W。在晶片W由多個夾持部件44保持的狀態下，向旋轉軸42輸入旋轉馬達41的旋轉驅動力，因而被保持的晶片W圍繞通過其中心的鉛直旋轉軸線旋轉。
[0103] 在本實施方式中，旋轉卡盤3 (的罩部件45)使腔室主體6的下部開口 200閉塞。旋轉基座43及夾持部件44收容在密閉腔室2內，罩部件45的除上端部外的幾乎所有部分與基底40露出在密閉腔室2外。并且，凸緣部件46的內壁部48構成密封腔室主體6和旋轉卡盤3之間的第二液體密封結構13的一部分。
[0104] 此外，作為旋轉卡盤3,并不僅限于夾持式的部件，也可以采用如下的真空吸附式部件（真空卡盤）：例如真空吸附晶片W的背面從而以水平姿勢保持晶片W，進而使晶片W 在該狀態下圍繞鉛直旋轉軸線旋轉，因而能夠使所保持的晶片W旋轉。
[0105] 另外，在本實施方式中，旋轉卡盤3能夠升降。基板處理裝置1具有使旋轉卡盤3 在處理位置（液體處理位置，如圖1所示的位置）與旋轉干燥位置（干燥位置，如圖12E所示的位置）及腔室清洗位置（蓋清洗位置，如圖12F所示的位置）之間升降的卡盤升降機構（第一移動單元、第二移動單元）100。該卡盤升降機構100包括例如滾珠絲杠機構、馬達等，結合在例如旋轉卡盤3的基底40上。處理位置是用于對旋轉卡盤3所保持的晶片W實施藥液處理或者沖洗處理的位置。旋轉干燥位置是從處理位置向上方離開并用于對該晶片 W實施干燥處理的位置，也是用于在與傳送機器人（未圖示）之間交接晶片W的位置。腔室清洗位置是用于清洗密閉腔室2內壁（即，蓋部件7的基板對置面23及腔室主體6的分隔壁9內表面）的位置。
[0106] 在本實施方式中，通過第一液體密封結構8、第二液體密封結構13及第三密封結構37可靠地隔斷密閉腔室2的內部空間與密閉腔室2外的空間。因此，能夠防止密閉腔室 2外的環境氣體進入密閉腔室2內并能夠防止密閉腔室2內的環境氣體泄漏到密閉腔室2 外。
[0107] 圖3是用于說明第一液體密封結構8及其外圍的結構的圖解式剖視圖。參考圖1 及圖3對第一液體密封結構8及其外圍的結構進行說明。
[0108] 在蓋部件7的周緣部上設置有從蓋部件7周緣沿鉛直下方垂下的圓筒狀密封環 101以及比密封環101靠近徑向內側并向下方突出的俯視為圓環狀的突條102。突條102 的剖面形狀為三角形，突條102的下表面103形成一個越遠離旋轉軸線C越低的圓錐狀。
[0109] 在腔室主體6的分隔壁9的上端部即傾斜部11的上端部上形成有第一密封槽 104,其遍及整個外周且能夠蓄積作為密封用液體的純水（去離子水）。第一密封槽104形成為以旋轉軸線C(參考圖1)為中心的俯視的圓環狀。具體來講，在傾斜部11的上端部上一體地設置有由俯視為圓環狀的平坦面構成的上端面105、從上端面105內周緣向鉛直上方立起的圓筒狀內壁部106、從上端面105的外周緣向鉛直上方立起的圓筒狀外壁部107。該上端面105、內壁部106外表面及外壁部107內表面的剖面形成U字形，由上端面105、內壁部106外表面及外壁部107內表面形成第一密封槽104。密封環101位于第一密封槽104 上。密封環101與第一密封槽104構成第一液體密封結構8。在第一液體密封結構8中蓄積有作為密封用液體的純水。
[0110] 在蓋部件7處于關閉位置的狀態下，密封環101的下端部保持與第一密封槽104 的底部之間的微小間隙收容在第一密封槽104中。因為在第一密封槽104中蓄積有密封用液體，因而在蓋部件7處于關閉位置的狀態下，密封環101進入第一密封槽104,浸漬在密封用液體中。因此，密封環101與第一密封槽104之間由密封用液體密封。
[0111] 用于噴出密封用液體的密封用液體供給噴嘴108配置在蓋部件7的側方上，并且其噴出口朝向第一密封槽104。在基板處理裝置1處于啟動狀態下，從密封用液體噴嘴108 始終吐出密封用液體。因此，在第一密封槽104內始終蓄積有密封用液體。并且，因為始終向第一密封槽104供給密封用液體，因而密封用液體不會發生斷液。由此，能夠長時間地維持蓋部件7與腔室主體6之間的密封。另外，因為能夠始終置換第一密封槽104內的密封用液體，因而能夠抑制污染在第一密封槽104內的密封用液體中的儲存。
[0112] 設定內壁部106的上端面被設定在高于外壁部107的上端面的位置上。因此，從第一密封槽104溢出的密封用液體通過外壁部107的上端面上流到腔室主體6外，順著腔室主體6的外周而流下。因此，蓄積在第一密封槽104后的密封用液體不會流入腔室主體6 內，即不會流入密閉腔室2內。流至腔室主體6外周而流下的密封用液體通過設置在密閉腔室2外的廢液路徑（未圖示）被排出。
[0113] 并且，在蓋部件7處于關閉位置的狀態下驅動蓋部件旋轉機構32時，蓋部件7圍繞旋轉軸線C旋轉。因為利用密封用液體密封了第一密封槽104與處于旋轉狀態的密封環 101之間，因而即使蓋部件7正在旋轉，也能夠將密閉腔室2的內部空間與密閉腔室2外的環境隔斷開來。
[0114] 蓋部件7的直徑比較大（本實施方式中比晶片W直徑大），因此，密封環101及第一密封槽104的半徑也比較大。因此，在蓋部件7高速旋轉時（例如干燥處理時），密封環 101的圓周速度變大，有可能從第一密封槽104飛濺出大量的密封用液體。但是，因為始終向第一密封槽104供給密封用液體，因而密封環101始終浸漬在密封用液體中。由此，能夠長時間密封蓋部件7與腔室主體6之間。
[0115] 另外，當蓋部件7處于關閉位置（如圖1及圖3所示狀態）時，突條102下表面 103呈與傾斜部11的第一圓錐面17大致相同的平面狀。如后述那樣，在清洗腔室時，向蓋部件7的基板對置面23供給作為清洗液的純水（去離子水）。供給至基板對置面23的清洗液受到蓋部件7旋轉所產生的離心力，順著基板對置面23向蓋部件7的周緣部移動，到達突條102的下表面103。下表面103與第一圓錐面17形成大致相同的平面狀，因而到達下表面103清洗液向第一圓錐面17平滑地移動。因此，能夠將供給至蓋部件7的基板對置面23的處理液平滑地引導至腔室主體6的分隔壁9的內表面。
[0116] 圖4是用于說明圖1所示第二液體密封結構13及其外圍結構的圖解式剖視圖。參考圖1及圖4對第二液體密封結構13及其外圍結構進行說明。
[0117] 在腔室主體6的底部12形成有從該底部12底壁內周緣向鉛直上方立起的內壁部 146、從底部12底壁的徑向中部向鉛直上方立起的外壁部147。通過內壁部146外表面與外壁部147內表面以及底部12底面形成用來蓄積作為密封用液體的純水（去離子水）的第二密封槽148。第二密封槽148形成為以旋轉軸線C為中心的圓環狀。第二密封槽148形成剖面U字狀，凸緣部件46的內壁部48位于其上方。第二密封槽148中蓄積有作為密封用液體的純水。
[0118] 另外，由外壁部147外表面、底部12外周壁以及底面形成脫氣液槽20。脫氣液槽 20排出用于晶片W處理的處理液（藥液及非活性氣體溶解水）及清洗液，還蓄積用于排出密閉腔室2內部空間的環境氣體的作為密封用液體的純水。脫氣液槽20以包圍第二密封槽148的方式形成以旋轉軸線C(參考圖1)為中心的圓環狀。脫氣液槽20剖面形成U字狀，其底部上連接有脫氣液路110 (參考圖1)的一端。脫氣液路110的另一端通過氣液分享器（未圖示）與廢液處理設備（未圖示）、脫氣處理設備（未圖示）連接。凸緣部件46 的外壁部49位于脫氣液槽20的上方。
[0119] 在旋轉卡盤3處于處理位置（圖1所示位置）的狀態下，內壁部48的下端部保持與第二密封槽148底部之間的微小間隙而收容在第二密封槽148中。
[0120] 當旋轉卡盤3處于旋轉干燥位置（圖12E所示位置）時，內壁部48的下端部與第二密封槽148的一部分在水平方向上重合。即，在該狀態下，內壁部48的下端部收容在第二密封槽148中。
[0121] 通過純水配管201向第二密封槽148供給純水。對第二密封槽148的純水（密封用液體）供給始終在基板處理裝置1的起動狀態下進行。因此，始終在第二密封槽148內蓄積滿密封用液體。從第二密封槽148溢出的密封用液體流入脫氣液槽20,從脫氣液槽20 通過脫氣液路110被引導至設備外的廢液設備。
[0122] 圖5是用于說明圖1所示第三密封結構37的結構的圖解式剖視圖。圖6是從圖 5的截斷面線VI-VI觀察的剖視圖。圖7是從圖5的截斷面線VII-VII觀察的剖視圖。
[0123] 如圖5所示，第三密封結構37具有：以覆蓋貫通孔14的方式固定安裝在分隔壁9 外側側面的氣體密封部111、相對該氣體密封部111固定安裝在氣體密封部111的分隔壁9 相反側的液體密封部121。
[0124] 液體密封部121具有形成厚壁的矩形板狀的液體密封主體122。在液體密封主體 122的中心部形成有用于插入噴嘴臂15的第一插入孔123 (參考圖5)。第一插入孔123沿其厚度方向貫穿液體密封主體122 (圖5所示左右方向）。第一插入孔123的斷面形狀形成與噴嘴臂15斷面形狀匹配的矩形。
[0125] 氣體密封部111具有形成厚壁的矩形板狀的氣體密封主體112。在氣體密封主體 112的中心部，形成有用于插入噴嘴臂15的第二插入孔113 (參考圖5)。第二插入孔113 沿其厚度方向貫穿氣體密封主體112。第二插入孔113的斷面形狀形成與噴嘴臂15的斷面形狀匹配的矩形。
[0126] 氣體密封部111的第二插入孔113及液體密封部121的第一插入孔123分別與分隔壁9的貫通孔14連通。氣體密封主體112的一個面（圖5的右面）以緊貼狀態與腔室主體6的分隔壁9外表面接合。液體密封主體122的一個面（圖5的右面）以緊貼狀態與氣體密封主體112另一面（圖5的左面）接合。因此，將貫通孔14、第二插入孔113及第一插入孔123連通的空間內的環境氣體不會從分隔壁9與氣體密封部111之間或者氣體密封部111與液體密封部121之間泄漏。
[0127] 噴嘴臂15可滑動地插入第一插入孔123的內周面及第二插入孔113的內周面。如后述般，在液體密封部121與插入第一插入孔123的噴嘴臂15的外表面之間形成有遍及整個外周包圍噴嘴臂15外表面的四角環狀第一流通路徑130。該第一流通路徑130由作為密封用液體的純水（去離子水）形成液密狀態。另外，如后述般，在氣體密封部111與插入第二插入孔113的噴嘴臂15外表面之間形成有遍及整個外周包圍噴嘴臂15外表面的四角環狀第二流通路徑120。
[0128] 從藥液處理中及沖洗處理中晶片W飛濺出的處理液（藥液或者包含藥液的沖洗液）可能會附著在噴嘴臂15外表面上。藥液在噴嘴臂15外表面干燥并結晶化，其藥液干燥物形成顆粒，有可能會污染在旋轉卡盤3上旋轉的晶片W。
[0129] 但是，四角環狀第一流通路徑130內部被密封用液體形成液密狀態，因而密封用液體接觸噴嘴臂15外表面，通過該密封用液體，附著在噴嘴臂15外表面上的處理液（藥液或者沖洗液）被沖洗掉。即，能夠利用密封用液體清洗噴嘴臂15外表面。
[0130] 另外，因為氮氣在四角環狀第二流通路徑120內部流通，因而附著在噴嘴臂15外表面上的密封用液體（液體密封部121的密封用液體）等被除去，噴嘴臂15外表面得以干燥。
[0131] 進而，氣體密封部111配置在比液體密封部121靠近密閉腔室2內部空間一側。因此，進入密閉腔室2內時，噴嘴臂15外表面的各位置在供給氮氣后進入密閉腔室2。通過液體密封部121附著在噴嘴臂15外表面上的密封用液體被氣體密封部111的氮氣除去。由此，能夠可靠地防止密封用液體進入密閉腔室2的內部空間。
[0132] 下面，參考圖5及圖6詳細說明液體密封部121。
[0133] 在第一插入孔123(參考圖5)的內周面上，在密封主體122厚度方向的中心位置遍及整個外周方向形成有四角環狀的第一環狀槽124。在第一環狀槽124上與噴嘴臂15的上表面對置的部分上，液體密封主體122的上端面上開口有朝向同時與液體密封主體122 的厚度方向及鉛直方向垂直的方向（圖5中與紙面垂直的方向，圖6及圖7中的左右方向，以下簡稱為"左右方向"。）的中心部延伸的液體導入連接路徑125。液體導入連接路徑125 沿鉛直方向延伸并在液體密封主體122上端面上開口，其開口部分形成用于將作為密封用液體的純水（去離子水）導入液體導入連接路徑125的液體導入口 126。來自純水供給源 (未圖示）的純水（密封用液體）供給至液體導入口 126。
[0134] 在第一環狀槽124的與噴嘴臂15下表面對置的部分上開口有向液體密封主體122 下端面的左右方向的中心部延伸的液體導出連接路徑127。液體導出連接路徑127沿鉛直方向延伸并在液體密封主體122下端面開口，該開口部分形成用于將密封用液體從液體導出連接路徑127導出的液體導出口 128。液體導出口 128上連接有將由該液體導出口 128 導出的密封用液體引向廢液設備的廢液路徑129 (參考圖5)。
[0135] 在噴嘴臂15插入第一插入孔123的狀態下，在第一環狀槽124與噴嘴臂15外表面（上表面、下表面及兩側面）之間形成四角環狀的第一流通路徑130。該第一流通路徑 130分別與液體導入口 126及液體導出口 128連通。
[0136] 供給至液體導入口 126且在液體導入連接路徑125中流通的密封用液體一邊沿噴嘴臂15上表面的左右方向的一側部分（圖6所示上表面的右側部分）、噴嘴臂15的一側側面（右側側面）及噴嘴臂15下表面的左右方向的一側部分（圖6所示下表面的右側部分）在第一流通路徑130中移動，一邊通過液體導出連接路徑127從液體導出口 128排出。另夕卜，供給至液體導入口 126的密封用液體一邊沿噴嘴臂15上表面的左右方向的另一側部分 (圖6所示上表面的左側部分）、噴嘴臂15的另一側側面（左側側面）及噴嘴臂15下表面的左右方向的另一側部分（圖6所示下表面左側部分）在第一流通路徑130中移動，一邊通過液體導出連接路徑127從液體導出口 128排出。由此，液體密封主體122內周面與噴嘴臂15外表面之間被密封用液體密封。
[0137] 下面，參考圖5及圖7詳細說明氣體密封部111。
[0138] 如上所述，氣體密封部111 (參考圖5)具有形成厚壁的矩形板狀的氣體密封主體 112。在氣體密封主體112的中心部上形成有用于插入噴嘴臂15的第二插入孔113。第二插入孔113沿其厚度方向貫穿氣體密封主體112。第二插入孔113的斷面形狀形成與噴嘴臂15斷面形狀匹配的矩形。
[0139] 在第二插入孔113的內周面上，在氣體密封主體112的厚度方向的中心位置，遍及該整個外周方向形成有四角環狀第二環狀槽114。在第二環狀槽114的與噴嘴臂15上表面對置的部分開口有向氣體密封主體112上端面的左右方向的中心部延伸的氣體導入連接路徑115。氣體導入連接路徑115沿鉛直方向延伸并在氣體密封主體112上端面開口，該開口部分形成用于向氣體導入連接路徑115導入作為密封用氣體的氮氣的氣體導入口 116。來自氮氣供給源（未圖示）的氮氣供給至氣體導入口 116。
[0140] 第二環狀槽114的與噴嘴臂15下表面對置的部分開口有向氣體密封主體112下端面的左右方向的中心部延伸的氣體導出連接路徑117。氣體導出連接路徑117沿鉛直方向延伸并在氣體密封主體112下端面開口，該開口部分形成用于從氣體導出連接路徑117 導出氮氣的氣體導出口 118。氣體導出口 118上連接將導出至該氣體導出口 118的氮氣引向脫氣處理設備的脫氣路119 (參考圖5)。
[0141] 在噴嘴臂15插入第二插入孔113的狀態下，在第二環狀槽114與噴嘴臂15外表面（上表面、下表面及兩側面）之間形成四角環狀的第二流通路徑120。該第二流通路徑 120分別與氣體導入口 116及氣體導出口 118連通。
[0142] 供給至氣體導入口 116且在氣體導入連接路徑115中流通的氮氣一邊沿噴嘴臂15 上表面的左右方向的一側部分（圖7所示上表面的右側部分）、噴嘴臂15的一側側面（右側側面）及噴嘴臂15下表面的左右方向的一側部分（圖7所示下表面的右側部分）在第二流通路徑120中移動，一邊通過氣體導出連接路徑117從氣體導出口 118排出。
[0143] 另外，供給至氣體導入口 116的氮氣一邊沿噴嘴臂15上表面的左右方向的另一側部分（圖7所示上表面的左側部分）、噴嘴臂15的另一側側面（左側側面）及噴嘴臂15下表面的左右方向的另一側部分（圖7所示下表面的左側部分）在第二流通路徑120中移動，一邊通過氣體導出連接路徑117從氣體導出口 118排出。由此，氣體密封主體112內周面與噴嘴臂15外表面之間被氮氣密封。
[0144] 圖8是用于對處理模塊Ml (參考圖1)供給處理液的結構的示意圖。基板處理裝置1還具有非活性氣體溶解水生成單元50及處理液供給模塊M2,所述非活性氣體溶解水生成單元50排出純水中的氧并在該純水中添加非活性氣體生成非活性氣體溶解水，所述處理液供給模塊M2用于向處理模塊Ml供給處理液。
[0145] 非活性氣體溶解水生成單元50能夠從純水供給源（未圖示）供給的純水生成非活性氣體溶解水。由非活性氣體溶解水生成單元50生成的非活性氣體溶解水供給至處理液供給模塊M2。非活性氣體溶解水生成單元50例如是通過具有透氣性及不透液性的中空纖維分離膜從純水脫氧及向純水添加非活性氣體的單元。作為具有這種結構的非活性氣體溶解水生成單元50,能夠使用例如Membrana GmbH公司生產的商品名為"Liquicell (商標）分離膜接觸器"。非活性氣體溶解水生成單元50的具體結構由例如US2003/0230236A1號公報公開。
[0146] 非活性氣體溶解水生成單元50排出氧直至被供給的純水中的氧濃度變為例如 20ppb以下。另外，非活性氣體溶解水生成單元50在純水中添加高純度的氮氣（濃度為例如99. 999 %?99. 999999999 %的氮氣），生成氮濃度為例如7ppm?24ppm的非活性氣體溶解水。通過將非活性氣體溶解水的氮濃度設定在此范圍內的值，因而能夠抑制或者防止非活性氣體溶解水的氧濃度隨時間上升。
[0147] 該圖8中僅顯示了處理液供給模塊M2的用于向處理液供給管38供給處理液的結構，但處理液供給模塊M2還能夠向用于向處理液上部噴嘴25等其他噴嘴噴出處理液的結構供給處理液。處理液供給模塊M2具有配管內調和單元51和藥液供給單元53,所述配管內調和單元51混合藥液原液和非活性氣體溶解水調和作為處理液的藥液，所述藥液供給單元53向配管內調和單元51供給藥液原液。
[0148] 所謂"藥液原液"是指與非活性氣體溶解水混合前的藥液。作為藥液原液的例子，可例示出氟化氫（HF)、鹽酸（HCL)、氟化氫與IPA(異丙醇）混合液、氟化銨（NH 4F)。將氟化氫用作藥液原液時，在配管內調和單元51中，按規定比例混合（調和）氟化氫與非活性氣體溶解水，生成稀氫氟酸（DHF)。
[0149] 配管內調和單元51通過供給配管54與非活性氣體溶解水生成單元50連接。通過供給配管54從非活性氣體溶解水生成單元50向配管內調和單元51供給非活性氣體溶解水。另外，配管內調和單元51通過藥液供給配管55與藥液供給單元53連接。通過藥液供給配管55從藥液供給單元53向配管內調和單元51供給藥液原液。配管內調和單元51 能夠混合藥液供給單元53供給的藥液原液與非活性氣體溶解水生成單元50供給的非活性氣體溶解水而調和成作為水處理液的藥液。
[0150] 配管內調和單元51與處理液供給管38相連接，能夠通過該處理液供給管38向處理液噴嘴4供給作為處理液的藥液。另外，在配管內調和單元51中，能夠在不使藥液原液與非活性氣體溶解水生成單元50供給的非活性氣體溶解水混合的條件下，使該非活性氣體溶解水作為沖洗液直接通過處理液供給管38供給至處理液噴嘴4。由此，能夠向處理液噴嘴4選擇性地供給藥液及非活性氣體溶解水。
[0151] 配管內調和單元51具有：作為能夠在其內部混合藥液原液與非活性氣體溶解水的配管的混合部59、安裝在供給配管54上的閥60及流量調整閥61、安裝在藥液供給配管 55上的藥液閥62及藥液流量調整閥63。供給配管54及藥液供給配管55分別與混合部59 連接。
[0152] 通過打開閥60,能夠向混合部59供給經流量調整閥61調整的規定流量的非活性氣體溶解水，通過打開藥液閥62,能夠向混合部59供給經藥液流量調整閥63調整的規定流量的藥液原液。在打開閥60的狀態下，通過打開藥液閥62,能夠向在混合部59內流通的非活性氣體溶解水中注入（注射）藥液原液，使藥液原液與非活性氣體溶解水混合。因此，通過調整對混合部59的藥液原液供給量與非活性氣體溶解水的供給量，能夠生成按規定比例調和的藥液。另外，通過在關閉藥液閥62的狀態下僅打開閥60,能夠僅向混合部59 供給非活性氣體溶解水。由此，能夠在不使藥液原液與非活性氣體溶解水混合的條件下，直接作為沖洗液向處理液供給管38供給該非活性氣體溶解水。
[0153] 藥液供給單元53具有：儲存藥液原液的藥液罐71、從藥液罐71向配管內調和單元51引導藥液原液的藥液供給配管55。藥液罐71由密閉容器構成，藥液罐71的內部空間與其外部空間隔斷。藥液供給配管55的一端與藥液罐71相連接。在藥液供給配管55上從藥液罐71 -側依次安裝有泵72、過濾器73及脫氣單元74。脫氣單元74與非活性氣體溶解水生成單元50具有同樣的結構，不進行非活性氣體的添加。
[0154] 另外，藥液罐71上連接有藥液供給管75。通過藥液供給管75向藥液罐71供給來自藥液原液供給源（未圖示）的藥液原液。在藥液供給管75上，安裝有用于切換向藥液罐 71供給及停止供給藥液原液的藥液閥76。例如在藥液罐71內的液量為規定量以下的情況下向藥液罐71供給未使用的藥液原液。由此，能夠向藥液罐71補充未使用的藥液原液。
[0155] 另外，藥液罐71上連接有非活性氣體供給管77。通過非活性氣體供給管77向藥液罐71供給來自非活性氣體供給源（未圖示）的非活性氣體。在非活性氣體供給管77上安裝有用于切換向藥液罐71供給及停止供給非活性氣體的非活性氣體閥78。例如始終向藥液罐71供給非活性氣體。
[0156] 通過向藥液罐71供給非活性氣體，能夠從藥液罐71內驅出空氣。因此，藥液罐71 內空氣所含的氧溶入儲存于藥液罐71內的藥液原液中，能夠抑制或者防止增加該藥液原液中的氧溶解量。另外，通過利用非活性氣體對藥液罐71內加壓，能夠將儲存于藥液罐71 內的藥液原液加壓輸送至藥液供給配管55。
[0157] 藥液罐71內的藥液原液被非活性氣體的圧力及泵72的吸引力從藥液罐71抽吸。并且，被抽吸的藥液原液被泵72加壓，通過過濾器73后除去異物。進而，通過過濾器73的藥液原液被脫氣單元74脫氣，降低了氧溶解量。之后，向配管內調和單元51供給降低了氧溶解量的藥液原液。
[0158] 圖9是基板處理裝置1所具備的配管的圖解圖。
[0159] 用于使處理液供給管38等處理液流通的全部配管的結構如圖9所示。以下，將用于流通處理液供給管38等處理液的全部配管統稱為"配管79"。
[0160] 配管79具有具備流通處理液的內配管80和包圍該內配管80的外配管81的雙重配管結構。內配管80在外配管81內部由插設在內配管80與外配管81之間的支撐部件 (未圖示）支撐著。內配管80相對外配管81以非接觸狀態被支撐著。內配管80與外配管 81之間形成有筒狀空間。內配管80及外配管81例如為含氟樹脂制成（更具體點來講，由具有優良耐藥液性及耐熱性的 PFA(perfluoro-alkylvinyl-ethertetrafluor〇-ethlene_c opolymer，可溶性聚四氟乙烯）制成）。氧能夠透過PFA。
[0161] 另外，外配管81上連接有安裝有非活性氣體閥82的非活性氣體供給管83、安裝有排氣閥84的排氣配管85。通過打開非活性氣體閥82,能夠通過非活性氣體供給管83將來自非活性氣體供給源（未圖示）的非活性氣體（例如氮氣）供給至外配管81內部。由此，能夠在內配管80與外配管81之間填充非活性氣體。另外，通過打開排氣閥84,能夠從內配管80與外配管81之間排出氣體。
[0162] 通過在打開排氣閥84的狀態下打開非活性氣體閥82,能夠從內配管80與外配管 81之間驅出空氣，將該空間內的環境置換為非活性氣體環境。由此，能夠通過非活性氣體包圍內配管80。并且，通過在將內配管80與外配管81之間的環境置換為非活性氣體環境后，關閉非活性氣體閥82及排氣閥84,內配管80能夠維持被非活性氣體包圍的狀態。
[0163] 通過由非活性氣體包圍內配管80,能夠降低進入內配管80內部的氧量。由此，氧溶入在內配管80內流通的處理液中，因而能夠抑制或者防止該處理液的氧濃度的上升。
[0164] 圖10是用于說明基板處理裝置1的電氣結構的框圖。
[0165] 基板處理裝置1具有結構包括微型計算機的控制裝置（腔室清洗控制單元、干燥控制單元）131。控制裝置131控制旋轉馬達41、蓋部件升降機構33、蓋部件旋轉機構32、卡盤升降機構1〇〇、噴嘴驅動馬達139等的工作。另外，基板處理裝置1所具備的各個閥27、 30、35、60?63、76、78的開閉由控制裝置131控制。
[0166] 圖11是用于說明基板處理裝置1所處理的晶片W的表面狀態的一個例子的剖視圖。
[0167] 如下所述，搬入該基板處理裝置1的晶片W是例如在表面上附著有聚合物殘渣 (干刻蝕及灰化后的殘渣）且露出金屬圖案的晶片。金屬圖案可以是銅或鎢等其他金屬的單層膜，也可以是層疊多個金屬膜的多層膜。作為多層膜的一個例子，能夠列舉出在銅膜表面形成用于防止擴散的阻擋金屬膜的層疊膜。
[0168] 如圖11所示，在晶片W表面上形成有層間絕緣膜87。在層間絕緣膜87上，從其上表面向下凹陷地形成有下配線槽88。下配線槽88上埋設有銅配線89。在層間絕緣膜87 上，通過蝕刻阻擋膜90層疊作為被加工膜的一個例子的低介電常數絕緣膜91。在低介電常數絕緣膜91上從其上表面向下凹陷地形成有上配線槽92。進而，在低介電常數絕緣膜91 上形成有從上配線槽92底面到達銅配線89表面的晶片貫通孔93。在上配線槽92及晶片貫通孔93上一起埋入銅。
[0169] 在低介電常數絕緣膜91上形成硬掩模后，進行干刻蝕處理，除去從低介電常數絕緣膜91的硬掩模露出的部分，以形成上配線槽92及晶片貫通孔93。上配線槽92及晶片貫通孔93形成后，進行灰化處理，從低介電常數絕緣膜91上除去不需要的硬掩模。在干刻蝕時及灰化時，含有低介電常數絕緣膜91及硬掩模的成分的反應生成物形成聚合物殘渣附著在低介電常數絕緣膜91表面（包括上配線槽92及晶片貫通孔93內表面）等處。因此，灰化后，向晶片W表面供給聚合物除去液，進行用于從低介電常數絕緣膜91表面除去聚合物殘渣的處理。以下，對使用基板處理裝置1用于從晶片W表面除去聚合物殘渣的處理例進行說明。
[0170] 圖12A?圖12F是用于說明基板處理裝置1所進行的晶片W處理的一個例子的工序圖。以下，參考圖1、圖8、圖10及圖12A?圖12F，對基板處理裝直1處理晶片W的例子進行說明。
[0171] 在晶片W處理之前，如圖12A所示，蓋部件7配置在從旋轉卡盤3的旋轉基座43 向上方分離的開放位置。因此，密閉腔室2的上部開口 5打開。另外，使旋轉卡盤3上升至旋轉干燥位置（圖12E所示位置），使其在該旋轉干燥位置待機。使處理液噴嘴4退避至旋轉卡盤3側方的退避位置。關閉閥27、30、35、60?63、76、78。
[0172] 灰化后的晶片W被傳送機器人（未圖示）搬入基板處理裝置1內，在處于旋轉干燥位置的旋轉卡盤3上以其表面朝向上方的狀態下被保持。晶片W被保持后，控制裝置131 控制卡盤升降機構100,使旋轉卡盤3朝向處理位置下降。另外，控制裝置131控制蓋部件升降機構33,使蓋部件7下降至關閉位置（參考圖1)。之后，通過蓋部件7使腔室主體6 的上部開口 5(參考圖12B)閉塞。由此，密閉腔室2的內部空間被從外部密閉，密閉腔室2 實際上作為密閉腔室發揮作用。
[0173] 接著，如圖12B所示，進行將密閉腔室2內部空間的空氣環境置換成非活性氣體 (氮氣）環境的非活性氣體凈化處理。具體來講，控制裝置131打開非活性氣體閥30,將氮氣從非活性氣體噴出口 29供給至密閉腔室2內部空間內。此時從非活性氣體噴出口 29噴出的氮氣的噴出流量為例如50?300L/min，優選為150L/min。從非活性氣體噴出口 29噴出的氮氣在密閉腔室2內部空間擴散，將密閉腔室2內的空氣通過脫氣液槽20 (參考圖1 及圖4)的排氣口排到密閉腔室2外。由此，將密閉腔室2內環境轉換成氮氣環境。向該密閉腔室2內繼續供給氮氣直至干燥處理結束。
[0174] 在本實施方式中，氮氣凈化期間，使晶片W處于靜止狀態（非旋轉狀態）。但是，也可以通過控制裝置131控制旋轉馬達41，使晶片W旋轉。
[0175] 繼續進行該非活性氣體凈化處理直至密閉腔室2內部空間的氧濃度達到規定低濃度（例如lOOppm以下）。密閉腔室2內的氧濃度是否達到規定低濃度，既可以在腔室主體6的分隔壁9內表面上配置氧濃度傳感器（未圖示）檢測出密閉腔室2內氧濃度來進行判定，也可以通過非活性氣體噴出口 29的氮氣的噴出時間達到規定時間來進行判定。并且，一但密閉腔室2內的氧濃度達到規定低濃度，接著，就對晶片W進行用于從其表面除去聚合物殘渣的藥液處理（參考圖12C)。
[0176] 到達藥液處理開始時機時，控制裝置131控制旋轉馬達41，使晶片W以規定液體處理速度（10?500rpm，優選250rpm)旋轉。
[0177] 另外，控制裝置131控制配管內調和單元51，從處理液噴嘴4噴出作為藥液的稀氫氟酸。具體來講，控制裝置131打開藥液閥62及閥60。通過打開藥液閥62及閥60,將作為藥液原液的氟化氫和非活性氣體溶解水供給至混合部59。此時，為了使得用于生成稀氫氟酸的混合比例及噴出流量分別達到預期的混合比例及噴出流量（供給流量），控制裝置 131進一步分別調整流量調整閥61及藥液流量調整閥63的開度。由此，將氟化氫注入在混合部59內流通的非活性氣體溶解水中，生成以所述規定比例調和的稀氫氟酸。稀氫氟酸既是藥液的一個例子，也是聚合物除去液的一個例子。在本實施方式，在混合部59生成的稀氫氟酸中，例如氟化氫與純水以1 :1〇?1 :1800的混合比例混合（調和），優選以1 :10? 1 :800的混合比例混合（調和）。另外，在混合部59所生成的稀氫氟酸的噴出流量（供給流量）為0. 5L/min?3L/min，優選為lL/min。并且，在混合部59所生成的稀氫氟酸被供給至處理液供給管38,并從處理液噴嘴4向晶片W表面噴出。從該處理液噴嘴4噴出的稀氫氟酸是經脫氣單元74脫氧后的氟化氫被經非活性氣體溶解水生成單元50脫氧后的純水稀釋而成。因此，氧濃度被充分降低。
[0178] 另外，如圖12C所示，在藥液處理中，控制裝置131控制噴嘴驅動馬達139,使噴嘴臂15在規定范圍往復移動。由此，引導來自處理液噴嘴4的稀氫氟酸的晶片W表面上的供給位置就在從晶片W的旋轉中心到晶片W的周緣部的范圍內一邊描繪與晶片W旋轉方向交叉的直線狀軌跡一邊做往復移動。另外，供給至晶片W表面的稀氫氟酸在晶片W的整個表面上擴散開來。由此，稀氫氟酸被均勻地供給至晶片W整個表面。通過從處理液噴嘴4向晶片W表面供給稀氫氟酸，能夠通過該稀氫氟酸的化學性能除去形成在晶片W表面上的聚合物殘渣。供給至晶片W表面的稀氫氟酸從晶片W周緣部向晶片W側方飛濺。此時，從晶片W表面飛濺的處理液主要附著在腔室主體6的分隔壁9內表面（尤其是圓筒面18及廢液引導面19)、噴嘴臂15外表面及處理液噴嘴4上。
[0179] 另外，在進行藥液處理時，向密閉腔室2內部空間供給氮氣。因此，密閉腔室2的內部空間維持為氮氣環境，能夠抑制或防止密閉腔室2內部空間的氧濃度的上升。因此，抑制環境氣體中的氧溶入從處理液噴嘴4噴出的稀氫氟酸，由此，能夠防止稀氫氟酸中氧濃度的上升。因此，能夠對晶片W表面供給氧濃度已充分降低了的稀氫氟酸。由此，在晶片W 上，能夠抑制或防止因稀氫氟酸中的溶解氧而導致的氧化反應。基結果，即便供給至晶片W 的藥液如稀氫氟酸一般具有對氧化物的蝕刻作用，也能夠抑制或防止晶片W上不希望的蝕刻的產生。
[0180] 在規定時間（例如10?60秒期間，優選30秒期間）范圍進行藥液處理，接著，在晶片W上實施從晶片W表面清洗藥液的沖洗處理（參考圖12D)。
[0181] 具體來講，控制裝置131 -邊以打開狀態維持配管內調和單元51的閥60 -邊關閉藥液閥62。通過關閉藥液閥62,使閥60處于打開狀態，僅向混合部59供給非活性氣體溶解水。因此，向處理液供給管38供給非活性氣體溶解水，作為沖洗液的非活性氣體溶解水從處理液噴嘴4噴出來。
[0182] 另外，在沖洗處理中，控制裝置131控制噴嘴驅動馬達139,使噴嘴臂15在規定范圍內往復移動。由此，引導來自處理液噴嘴4的非活性氣體溶解水的晶片W表面上的供給位置在從晶片W旋轉中心到晶片W周緣部的范圍內一邊描繪與晶片W旋轉方向交叉的直線狀軌跡一邊往復移動。另外，供給至晶片W表面的非活性氣體溶解水在整個晶片W表面擴散開來，附著在晶片W表面的稀氫氟酸被非活性氣體溶解水沖洗掉。并且，含有稀氫氟酸的非活性氣體溶解水通過晶片W的旋轉被甩開從該周緣部向側方飛濺。此時，含有稀氫氟酸的非活性氣體溶解水主要附著在腔室主體6的分隔壁9內表面（尤其是圓筒面18及廢液引導面19)、噴嘴臂15外表面及處理液噴嘴4。
[0183] 從處理液噴嘴4噴出的非活性氣體溶解水通過非活性氣體溶解水生成單元50進行脫氧，氧溶解量充分降低。進而，非活性氣體溶解水生成單元50所產生的非活性氣體溶解水通過添加氮氣能夠抑制或防止氧濃度隨時間的上升。而且，密閉腔室2內的環境中的氧濃度被充分降低。因此，能夠向晶片W表面供給充分降低了氧濃度的非活性氣體溶解水，在晶片W上能夠抑制或防止因非活性氣體溶解水中的溶解氧所引起的氧化反應的發生。因此，能夠抑制殘留在晶片W上的稀氫氟酸所引起的氧化物的蝕刻，由此，能夠抑制或防止晶片W上不希望的蝕刻的發生。
[0184] 繼續該沖洗處理直至密閉腔室2內部空間的氟化物離子的殘留量達到例如規定低值（〇. 15ng/cm2以下）。密閉腔室2內氟化物離子的殘留量是否達到規定低值，既可以通過在腔室主體6的分隔壁內表面上配置氟化物離子傳感器（未圖示）檢測出密閉腔室2內的氟化物離子的殘留量來判定，也可以通過來自處理液噴嘴4的非活性氣體溶解水的噴出時間達到規定時間來判定。密閉腔室2內的氟化物離子的余量達到規定低值時，接著，如圖 12E所示進行使晶片W干燥的干燥處理（旋轉干燥）。
[0185] 控制裝置131控制卡盤升降機構100,使旋轉卡盤3上升至最上方的旋轉干燥位置 (第二配置工序）。由此，蓋部件7的基板對置面23接近保持在旋轉卡盤3上的晶片W的表面。在該旋轉干燥位置由旋轉卡盤3保持的晶片W表面與蓋部件7的基板對置面23之間的間隔為規定的狹窄間隔（例如〇. 1?5. 0mm。優選2. 5mm)。因此，晶片W表面與基板對置面23之間形成微小空間，從其側方的環境隔斷開來。由此，能夠以精密控制實現晶片 W表面附近環境的狀態實現良好的干燥處理，并且，能夠抑制干燥處理中晶片W表面上附著異物。
[0186] 并且，旋轉卡盤3上升至旋轉干燥位置時，控制裝置131加速旋轉馬達41的轉速，使旋轉卡盤3所保持的晶片W以高轉速（例如1000?2500rpm，優選2500rpm)旋轉。另夕卜，在干燥處理時，控制裝置131控制蓋部件旋轉機構32,使蓋部件7與晶片W的旋轉同步并與晶片W的旋轉方向同方向地旋轉。因此，在晶片W表面與蓋部件7的基板對置面23之間形成穩定氣流，并且將晶片W表面與基板對置面23之間的空間與其側方的環境隔斷。
[0187] 進而，繼續從非活性氣體噴出口 29噴出氮氣。因此，在晶片W表面與基板對置面 23之間形成從晶片W的中心部向晶片W的周緣部的氣氣流，晶片W表面與基板對置面23之間充滿氮氣。由此，在低氧環境下能夠對晶片W實施干燥處理。
[0188] 在該干燥處理中，通過晶片W高轉速旋轉，附著在晶片W上的沖洗液（非活性氣體溶解水）受到晶片W旋轉所產生的離心力被甩開至晶片W的周圍。由此，從晶片W除去沖洗液，干燥晶片W。
[0189] 另外，在旋轉卡盤3的旋轉干燥位置上，能夠干燥處理前向晶片W表面供給IPA 液。如圖1中雙點劃線所示，在向處理液上部噴嘴25供給IPA液的情況下，能夠向晶片W 表面的中心供給IPA液，由此能夠很好地置換非活性氣體溶解水（沖洗液）與IPA液，并能夠很好地干燥晶片W表面。
[0190] 在規定干燥時間內進行干燥處理時，控制裝置131控制旋轉馬達41，使晶片W停止旋轉。另外，控制裝置131控制蓋部件旋轉機構32使蓋部件7停止旋轉的同時驅動蓋部件升降機構33,使蓋部件7從旋轉卡盤3的旋轉基座43上升至離開上方的開放位置（參考圖 12A)。由此，打開密閉腔室2的上部開口 5。另外，控制裝置131關閉非活性氣體閥30,停止供應來自非活性氣體噴出口 29的氮氣。
[0191] 之后，通過打開的上部開口 5,將晶片W從位于旋轉干燥位置的旋轉卡盤3交接至基板傳送機器人（未圖示），通過基板傳送機器人將晶片W從密閉腔室2內搬出。
[0192] 此外，在沖洗處理時，也可以不使用來自處理液噴嘴4的沖洗液進行沖洗處理，而使用來自處理液上部噴嘴25的沖洗液進行沖洗處理。在此情況下，在沖洗處理時，打開碳酸水閥27,將碳酸水從處理液上部噴嘴25的處理液上噴出口 26向晶片W上表面噴出。供給至晶片W的碳酸水受到晶片W旋轉所產生的離心力在整個晶片W表面上擴散開來，由此沖洗掉附著在晶片W表面上的藥液。
[0193] 另外，也可以同時使用來自處理液噴嘴4的沖洗液與來自處理液上部噴嘴25的沖洗液來進行沖洗處理。
[0194] 接下來，對使用清洗液（例如純水）清洗密閉腔室2內部的腔室清洗處理進行說明。該腔室清洗處理可以在基板處理裝置1進行處理其間進行，腔室清洗處理時，不在旋轉卡盤3上保持晶片W，旋轉卡盤3位于腔室清洗位置。
[0195] 控制裝置131控制卡盤升降機構100,使旋轉卡盤3-直下降至腔室清洗位置（第一配置工序）。另外，控制裝置131控制蓋部件升降機構33使蓋部件7 -直下降至關閉位置，并控制蓋部件旋轉機構32使蓋部件以規定轉速（蓋清洗轉速）旋轉。另外，控制裝置 131打開清洗液閥35,從清洗液噴嘴34向蓋部件7的基板對置面23供給清洗液。在本實施方式中，使用純水作為清洗液（參考圖12F)。即使蓋部件7處于旋轉狀態，也能夠通過第一液體密封結構8的動作來保持密閉腔室2內的密閉狀態。由此，能夠保持劃分為狹小的內部空間的密閉腔室2內壁的清潔。
[0196] 供給至蓋部件7的基板對置面23的清洗液受到蓋部件7旋轉所產生的離心力，傳遞至蓋部件7的基板對置面23并向旋轉半徑的外側移動。由此，能夠向整個蓋部件7的基板對置面23均勻地遍布清洗液，能夠用清洗液將附著在蓋部件7的基板對置面23上的藥液及含藥液的沖洗液沖洗掉。
[0197] 另外，傳遞至蓋部件7的基板對置面23并向旋轉半徑外側移動的清洗液通過下表面103 (參考圖3)與第一圓錐面17 (參考圖1)被引導至腔室主體6的分隔壁9內表面，傳遞至腔室主體6的分隔壁9內表面而流下。此時，附著在分隔壁9內表面上的處理液（藥液及含藥液的沖洗液）被清洗液沖洗。這樣，沖洗掉處理液的清洗液流入脫氣液槽20,通過該脫氣液槽20及脫氣液路110被引導至廢液處理設備。
[0198] 另外，在旋轉卡盤3處于與處理位置不同的腔室清洗位置的狀態下實施腔室清洗處理。旋轉卡盤3在腔室清洗位置比在處理位置時更接近蓋部件7。在腔室主體6的分隔壁9內表面（密閉腔室2內壁面），與位于處理位置的旋轉卡盤3所保持的晶片W的周圍相對的區域，附著有進行液體處理時從晶片W飛濺出的處理液。在旋轉卡盤3或者密閉腔室2處于處理位置的狀態下實施腔室清洗處理時，藥液處理時及沖洗處理時從晶片W周緣飛濺，附著在腔室主體6的分隔壁9內表面上的處理液（藥液及含藥液的沖洗液）撒在旋轉卡盤3上，可能污染該旋轉卡盤3。因此，在清洗密閉腔室2時，使旋轉卡盤3比在處理位置時更接近蓋部件7。由此，與位于處理位置的旋轉卡盤3所保持的晶片W的周圍相對的分隔壁9內表面的區域位于比處于腔室清洗位置的旋轉卡盤3更低的位置。因此，在清洗密閉腔室2時，能夠抑制從密閉腔室2的內壁面除去的處理液撒向旋轉卡盤3并附著其上。
[0199] 此外，能夠在對晶片W的一系列清洗處理中進行腔室清洗處理。該腔室清洗處理優選在沖洗處理后干燥處理前進行。具體來講，密閉腔室2內的氟化物離子的余量達到規定低值后，實施腔室清洗處理。此時，認為在旋轉卡盤3上保持晶片W，通過腔室清洗處理向晶片W施加清洗液。在此情況下，優選以不通過清洗液向晶片W供給氧的方式，將非活性氣體溶解水用作清洗液。另外，在一系列晶片清洗處理中進行腔室清洗處理時，優選在腔室清洗處理中從非活性氣體噴出口 29供給氮氣。由此，即使在腔室清洗處理中，也能夠維持密閉腔室2內的低氧濃度狀態。
[0200] 另外，在一系列處理（對晶片W的清洗處理）中，藥液處理的密閉腔室2的氮氣供給流量既可以與氮氣凈化時相同，也可以比氮氣凈化時的流量大。另外，沖洗處理的密閉腔室2的氮氣供給流量既可以與氮氣凈化時相同，也可以比氮氣凈化時流量大。進而，干燥處理時密閉腔室2的氮氣供給流量既可以與氮氣凈化時相同，也可以比氮氣凈化時流量大。
[0201] 如上所述，根據本實施方式，密閉了密閉腔室2的內部空間。并且，縮小了該內部空間的容積。因此，能夠良好地控制密閉腔室2內部空間的環境。因此，能夠將內部空間的環境充分地控制為低氧環境。由此，能夠在氧濃度足夠低的環境下，對晶片W實施處理液處理。
[0202] 另外，蓋部件7和腔室主體6之間用第一液體密封結構8密封。因此，即使在蓋部件7處于旋轉狀態時，也能夠將密閉腔室2內部空間保持為密閉狀態。另外，因為采用了液體密封結構，因而與使用接觸式密封的情況相比較，幾乎不會產生灰塵或導致密封性降低等。由此，能夠長期良好地保持蓋部件7與腔室主體6之間的密封。
[0203] 如此，在本實施方式中，腔室主體6與可旋轉的蓋部件7通過密封二者間的第一液體密封結構8劃分出密閉空間。因為可旋轉的蓋部件能夠發揮將晶片W表面的上方空間與其側方環境隔斷的功能，因而密閉空間內無需另外具備隔斷部件。因此，能夠縮小密閉空間的容積，因而能夠充分控制其內部環境。由此，能夠將密閉腔室2內部空間的環境控制為充分的低氧環境。
[0204] 另外，在旋轉卡盤3處于與處理位置不同的腔室清洗位置的狀態下，清洗密閉腔室2內部。旋轉卡盤3在腔室清洗位置比在處理位置時更加接近蓋部件7。在密閉腔室2 內壁面，與位于處理位置的旋轉卡盤3所保持的晶片W的周圍相對的區域附著有藥液處理時或沖洗處理時從晶片W飛濺的處理液（藥液或含藥液的沖洗液）。因此，旋轉卡盤3在清洗密閉腔室2時比在處理位置時更接近蓋部件7。由此，例如與位于處理位置的旋轉卡盤3 所保持的晶片W的周圍相對的內壁面區域位于比位于腔室清洗位置的旋轉卡盤3更低的位置。因此，在清洗密閉腔室2內壁面時，能夠抑制從密閉腔室2內壁面除去的處理液（藥液處理時或沖洗處理時附著的處理液）撒向并附著在旋轉卡盤3上。由此，因為能夠抑制對旋轉卡盤3的污染，因而能夠抑制對旋轉卡盤3所保持的晶片W的污染。
[0205] 另外，支撐處理液噴嘴4的噴嘴臂15通過分隔壁9的貫通孔14在密閉腔室2的內外延伸著。用于驅動噴嘴臂15的直線驅動機構36配置在密閉腔室2外。該直線驅動機構36向噴嘴臂15從密閉腔室2露出的部分輸入驅動力，由此移動噴嘴臂15。由此，能夠通過來自密閉腔室2外的直線驅動機構36的驅動力，使處理液噴嘴4在密閉腔室2內移動。因為將直線驅動機構36配置在密閉腔室2外，因而能夠降低密閉腔室2內部空間的容積。
[0206] 密閉腔室2內部空間被密閉，另外，該內部空間減小。因此，能夠良好地控制密閉腔室2內部空間的環境。因此，能夠在氧濃度充分降低的環境下，對晶片W實施處理液處理。
[0207] 以下，對通過基板處理裝置1處理晶片W而得到的測定結果等進行說明。
[0208] 圖13是表示非活性氣體溶解水中的氧濃度與銅的蝕刻量之間關系的圖。該圖13 為對晶片W表面進行稀氫氟酸的藥液處理（聚合物除去處理）時的銅的蝕刻量（膜厚減少量）的測定結果。使用了 1:100的比例調和氟化氫與純水而成的稀氫氟酸。另外，稀氫氟酸中所含有的氟化氫使用未脫氧的氟化氫。在該測定中所使用的稀氫氟酸因為相對純水的比例氟化氫的比例非常小，因而能夠將稀氫氟酸中的氧濃度看作與調和該稀氫氟酸所使用的非活性氣體溶解水中的氧濃度大致相等。藥液處理時間為60秒。
[0209] 在該圖13中，最左側的測定值（最左側的?的值）為用氧濃度12ppb的非活性氣體溶解水調和稀氫氟酸，用該稀氫氟酸進行藥液處理時銅的蝕刻量。另外，從左側數第二個測定值（左側起第二個?的值）為用氧濃度20ppb的非活性氣體溶解水調和稀氫氟酸，用該稀氫氟酸進行藥液處理時銅的蝕刻量。從圖13所示測定結果可知，如果使用通過氧濃度 20ppb以下的非活性氣體溶解水調和而成的稀氫氟酸進行藥液處理，能夠可靠地抑制或防止銅的蝕刻。即，可以理解為用氧濃度20ppb以下的非活性氣體溶解水調和而成的稀氫氟酸能夠可靠地抑制或防止銅氧化物的生成。
[0210] 圖14是表示晶片W上方的氧濃度與供給至晶片W表面的純水中的氧濃度之關系的圖。該圖14表示以旋轉卡盤3位于處理位置的狀態下，從處理液噴嘴4向旋轉卡盤3所保持的晶片W表面噴出非活性氣體溶解水，測定供給至晶片W表面的非活性氣體溶解水的氧濃度而得到的結果。從處理液噴嘴4噴出氧濃度被調整至lOppb的非活性氣體溶解水。
[0211] 在該圖14中，最左側的測定值（最左側的的值）是晶片W上方的氧濃度為 0. 001% (lOppm)時供給至晶片W表面的非活性氣體溶解水的氧濃度值，此時非活性氣體溶解水中的氧濃度成為12ppb。另外，從左數第二個測定值（左側起第二個值）是晶片W上方的氧濃度為0.01% (lOOppm)時供給至晶片W表面的非活性氣體溶解水的氧濃度值，此時非活性氣體溶解水中的氧濃度成為20ppb。
[0212] 從圖14所示測定結果可知，向晶片W表面噴出氧濃度調整至lOppb的純水時，如果晶片W上方的氧濃度為lOOpprn以下，則能夠將供至晶片W表面的純水的氧濃度維持在 20ppb以下。因此，考慮到圖13所示測定結果，如果將晶片W上方的氧濃度設定為lOOpprn 以下，向晶片W表面噴出氧濃度為lOppb以下的稀氫氟酸，則能夠將供給至晶片W表面的稀氫氟酸的氧濃度維持在20ppb以下，由此，能夠可靠地抑制或防止因稀氫氟酸中的溶解氧而導致的銅的氧化。
[0213] 圖15是表示純水中氧濃度與純水中氮濃度之間關系的圖。在該圖15中，單點劃線表示剛從純水脫氧后的氧濃度測定值，實線表示將直至單點劃線所示值為止脫氧后的純水在大氣中暴露10秒以上后得到的氧濃度測定值。另外，對純水不添加氮氣時純水中的氮濃度為3ppm。
[0214] 從圖15所示測定結果可知，如果純水中的氮濃度不足7ppm，則純水中氧濃度隨時間上升。因此，通過向純水中添加氮氣，使純水中氮濃度達到7ppm以上，能夠抑制或防止純水中氧濃度隨時間而上升。由此，能夠將脫氧后的純水維持在低氧濃度狀態。
[0215] 圖16是用于說明本發明的另一實施方式的基板處理裝置的結構的圖解式俯視圖。在該圖16所示實施方式中，對與圖1?圖15所示實施方式所表示的各部分相對應的部分標注與第一實施方式相同的附圖標記來表示，省略說明。該圖16所示實施方式與圖1? 圖15所示實施方式的不同點在于：使用直線驅動機構（直線驅動單元）150代替直線驅動機構36作為驅動處理液噴嘴4的驅動機構。
[0216] 該直線驅動機構150具有：驅動臂151，其與噴嘴臂15相連接，且連接位置能夠變更；馬達152 (擺動驅動單元），其使驅動臂151圍繞規定鉛垂軸線（擺動軸線）C1擺動。
[0217] 噴嘴臂15的底端部上連接有連接部件153。連接部件153向沿基準線L1方向移動受到兩根引導軸154的引導。在連接部件153上，具有在水平方向延伸的插入孔155的轉動片156圍繞規定鉛垂軸線C2轉動自如地被支撐著。驅動臂151進出自如地插入該插入孔155,轉動片156相對噴嘴臂15移動自如地設置在其長度方向上。通過將來自馬達152 的旋轉驅動力輸入驅動臂151，驅動臂151圍繞鉛垂軸線C1在規定范圍內擺動。連接部件 153被引導軸154引導，因而隨著驅動臂151的角度（擺動角度）變化，轉動片156在驅動臂151長度方向上相對移動，同時，轉動片156圍繞鉛垂軸線C2旋轉而變換姿勢，連接部件 153沿基準線L1移動，由此，噴嘴臂15在基準線L1上直線移動。此外，伴隨驅動臂151的擺動，轉動片156與驅動臂151的底端之間的距離，即鉛垂軸線C1與鉛垂軸線C2之間的距離發生變化。
[0218] 如此，伴隨驅動臂151的擺動，噴嘴臂15在基準線L1上直線移動（進入或者退避），通過該噴嘴臂15的移動，能夠使處理液噴嘴4在旋轉卡盤3所保持的晶片W側方的退避位置（圖16中虛線所示）與旋轉卡盤3所保持的晶片W表面（圖16中雙點劃線所示）之間移動。由此，能夠在晶片W表面上移動來自處理液噴嘴4的處理液的噴出位置。
[0219] 圖17是用于說明本發明又一實施方式的基板處理裝置的結構的圖解式俯視圖。在該圖17所示實施方式中，對與圖1?圖15所示實施方式中所示各部相對應的部分標注與第一實施方式相同的附圖標記進行表示，省略說明。該圖17所示實施方式與圖1?圖15 所示實施方式的主要區別在于：使用圓弧驅動機構（圓弧驅動單元）160代替了直線驅動機構36。
[0220] 在本實施方式中，基準線L2不是直線狀，而是呈規定鉛垂軸線C3為中心的圓弧狀。基準線L2通過旋轉軸線C上。因此，在本實施方式中，將形成以鉛垂軸線C3為中心的圓弧狀的噴嘴臂15A用作噴嘴臂，另外，貫通孔14及第一及第二插入孔123、113 (圖17中未圖示）的內周面也不是平面而形成曲面狀（圓弧狀）。
[0221] 圓弧驅動機構160具有：連接在噴嘴臂15A底端部的驅動臂161、使驅動臂161圍繞規定的鉛垂軸線C3擺動的馬達162 (擺動驅動單元）。通過將來自馬達162的旋轉驅動力輸入驅動臂161，驅動臂161圍繞鉛垂軸線C3擺動，伴隨該擺動噴嘴臂15A在基準線L2 上移動。由此，能夠使處理液噴嘴4在旋轉卡盤3所保持的晶片W側方的退避位置（圖17 中虛線所示）與旋轉卡盤3所保持的晶片W表面（圖17中雙點劃線所示）之間移動，能夠在晶片W表面上移動來自處理液噴嘴4的處理液的噴出位置。
[0222] 以上對本發明的三個實施方式進行了說明，但本發明也能以其他實施方式來實施。
[0223] 例如，搬入搬出晶片W時，可以不在旋轉干燥位置，而在使晶片W從旋轉干燥位置向上方離開（旋轉卡盤3接近蓋部件7)的搬入搬出位置由旋轉卡盤3保持。
[0224] 另外，可以不使旋轉卡盤3升降，而使密閉腔室2升降。另外，也可以使旋轉卡盤3 及密閉腔室2二者一同升降。這些情況下，用于使密閉腔室2升降的升降機構與例如腔室主體6相連接。并且，在使密閉腔室2升降時，需要與密閉腔室2 (即，腔室主體6及蓋部件 7)的升降一同使噴嘴臂15及噴嘴驅動馬達139等驅動機構升降。
[0225] 另外，噴嘴臂15的剖面形狀可以不是矩形而是圓形。
[0226] 另外，可以在密閉腔室2的形狀等的設計，在即使將噴嘴臂驅動機構收容在密閉腔室2內也能夠縮小密閉腔室2內容積的情況下，在密閉腔室2內收容直線驅動機構36、直線驅動機構150或者圓弧驅動機構160。
[0227] 進一步，旋轉卡盤3也可以具有相對腔室主體6 (密閉腔室2)不能夠升降的結構。在此情況下，就不需要卡盤升降機構1〇〇的結構。
[0228] 另外，代替作為移動噴嘴的處理液噴嘴4,能夠使用在旋轉卡盤3上方朝向晶片W 表面（例如中心部）固定地配置其噴出口的處理液噴嘴。在此情況下，不需要直線驅動機構36、直線驅動機構150或者圓弧驅動機構160的結構。
[0229] 另外，蓋部件7可以具有相對腔室主體6不能旋轉的結構。在此情況下，不需要蓋部件旋轉機構32的結構。
[0230] 關于本發明的實施方式進行了詳細的說明，但這些不過是使本發明技術內容明確化的具體實例而已，應理解為本發明不限定于這些具體實例，本發明的范圍由所附權利要求書限定。
[0231] 本申請與2010年3月31日向日本國特許廳提出的特愿2010-82247號及特愿 2010-82248號相對應，通過引用而本申請的全部公開內容援引其它們的內容。
【權利要求】
1. 一種基板處理裝置，其特征在于，包括：密閉腔室，其具有用于劃分密閉的內部空間的分隔壁；基板保持旋轉單元，其在所述密閉腔室的內部空間內，一邊保持基板一邊使該基板旋轉；噴嘴，其在所述密閉腔室的內部空間內，向所述基板保持旋轉單元所保持的基板的主面噴出處理液；噴嘴臂，其支撐所述噴嘴，而且，經由形成在所述密閉腔室的所述分隔壁上的貫通孔，在所述密閉腔室的內外延伸；驅動單元，其配置在所述密閉腔室外，用于使所述噴嘴臂沿所述基板保持旋轉單元所保持的基板的主面移動。
2. 如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述噴嘴臂呈沿著規定的基準線的形狀，所述規定的基準線沿著所述基板保持旋轉單元所保持的基板的主面延伸；所述貫通孔沿著所述密閉腔室的分隔壁上的所述基準線形成；所述驅動單元使所述噴嘴臂沿所述基準線移動。
3. 如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述基準線為直線，所述驅動單元包括使所述噴嘴臂沿所述基準線進行直線運動的直線驅動單元。
4. 如權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，所述直線驅動單元包括：驅動臂，其連接在所述噴嘴臂上，并能夠變換連接位置；擺動驅動單元，其使所述驅動臂圍繞與所述基準線垂直的規定的擺動軸線擺動。
5. 如權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述基準線呈圓弧狀，所述驅動單元包括使所述噴嘴臂沿所述基準線進行圓弧運動的圓弧驅動單元。
6. 如權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括用于密封所述噴嘴臂與所述密閉腔室的所述分隔壁之間的密封結構。
7. 如權利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，所述密封結構包括：液體密封結構，其用液體密封所述噴嘴臂與所述密閉腔室的所述分隔壁之間；氣體密封結構，其用氣體密封所述噴嘴臂與所述密閉腔室的所述分隔壁之間。
8. 如權利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，所述氣體密封結構配置在與所述液體密封結構相比更靠近所述密閉腔室的內部空間一側的位置。
9. 如權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，所述驅動單元，通過使所述噴嘴臂從待機位置向處理液噴出位置移動，使所述噴嘴沿所述基板保持旋轉單元所保持的基板的主面移動。
10. 如權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，所述噴嘴臂呈直線形狀。
11. 如權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，所述噴嘴臂呈圓弧形狀。
【文檔編號】H01L21/67GK104143520SQ201410363150
【公開日】2014年11月12日申請日期:2011年3月22日優先權日:2010年3月31日
【發明者】橋詰彰夫, 赤西勇哉, 川口賢士, 山本學申請人:大日本網屏制造株式會社

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