一種柔性顯示基板及其制備方法與顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發明提供一種柔性顯示基板及其制備方法與顯示裝置，屬于柔性顯示【技術領域】，可解決柔性顯示基板在ELA晶化時，激光對柔性材料層造成局部碳化的問題。本發明柔性顯示基板包括柔性材料層和顯示結構，以及設于所述柔性材料層和所述顯示結構之間的激光阻擋層。本發明的柔性顯示基板的制備方法包括：在基板上形成柔性材料層；在柔性材料層上形成激光阻擋層；在激光阻擋層上形成顯示結構；通過激光剝離的方式使柔性材料層與基板分離，得到柔性顯示基板。
【專利說明】一種柔性顯示基板及其制備方法與顯示裝置

【技術領域】
[0001] 本發明涉及柔性顯示【技術領域】，具體地說，涉及一種柔性顯示基板及其制備方法 與顯示裝置。

【背景技術】
[0002] 柔性顯示（Flexible Display)是未來非常有前景的顯示技術，在通過廣大研究者 及工程師的開發下，柔性顯示技術迅速發展。在不久的將來，柔性顯示技術的發展，將會使 得顯示技術更加多樣。目前研究較多的是柔性有機發光二極管（0LED)、柔性EH)等，其中柔 性0LED研究最熱，為了很好的驅動0LED，目前多采用低溫多晶硅、氧化物等遷移率較高的 半導體材料。然而，為了能有較好的特性，一般制程溫度較難降下來，這給襯底的選擇帶來 了挑戰。
[0003] 目前，本 申請人:提出采用涂覆聚酰亞胺薄膜（PI膜）作為襯底，這種襯底一般采用 激光（Laser)照射進行剝離。但是，在沒有額外增加緩沖層（Buffer) -非晶硅層（a-Si)時， 在進行準分子激光晶化時，常出現局部碳化導致工藝不良。
[0004] 為了避免了上述問題， 申請人:提出了雙緩沖層（Buffer)-非晶娃層（a-Si),但是 又出現了由于最下面一層的非晶硅層透過率低，致使集成電路壓焊時無法識別光學定位孔 (Mark)進行對位。針對這一技術問題， 申請人:又提出將集成電路壓焊區的a-Si刻蝕掉，解 決了集成電路壓焊對位問題。但是上述改進后的技術方案仍然存在一些技術問題：1、增加 一道掩膜及刻蝕工藝，增加了工藝成本；2、雙非晶硅層（a-Si)透過率低，在未來柔性透明 顯示中帶來問題。


【發明內容】

[0005] 為了解決現有技術中存在的問題，本發明的目的是提供一種柔性顯示基板及其制 備方法與顯示裝置，既能夠降低柔性材料層局部碳化的風險，又不需要增加一道掩膜及刻 蝕工藝。
[0006] 為了實現本發明目的，本發明首先提供了一種柔性顯示基板，包括柔性材料層和 顯示結構，所述柔性顯示基板還包括：設于所述柔性材料層和所述顯示結構之間的激光阻 擋層。
[0007] 進一步地，所述激光阻擋層的材料為銦鎵鋅氧化物。其對308nm波長的紫外光具 有較強的吸收能力，能夠有效吸收非晶硅晶化時的激光能量，可以降低柔性材料層局部碳 化的風險；同時銦鎵鋅氧化物對可見光有較大的透過率，可以不需要單獨加一道掩膜進行 刻蝕集成電路壓焊區的銦鎵鋅氧化物，提高了生產效率，降低了生產成本。
[0008] 進一步地，所述激光阻擋層的厚度為300-3000 A。
[0009] 作為優選，所述柔性材料層優選為聚酰亞胺薄膜（PI膜）。
[0010] 作為優選，所述柔性顯示基板為柔性陣列基板；所述顯示結構包括低溫多晶硅薄 膜晶體管。 toon] 本發明還提供了一種柔性顯示基板的制備方法，包括：
[0012] 在基板上形成柔性材料層；
[0013] 在柔性材料層上形成激光阻擋層；
[0014] 在激光阻擋層上形成顯示結構；
[0015] 通過激光剝離的方式使柔性材料層與基板分離，得到柔性顯示基板。
[0016] 進一步地，所述激光阻擋層的材料為銦鎵鋅氧化物，所述激光阻擋層通過磁控濺 射沉積形成。
[0017] 作為優選，所述基板為玻璃基板。
[0018] 作為優選，所制備的柔性顯示基板為柔性陣列基板，所述顯示結構包括低溫多晶 娃薄膜晶體管；所述形成顯示結構包括：
[0019] 形成非晶硅層；
[0020] 通過激光退火將非晶硅層轉變為多晶硅層。
[0021] 本發明還提供了一種顯示裝置，其包括前述柔性顯示基板。
[0022] 本發明的有益效果在于：
[0023] 本發明使用銦鎵鋅氧化物做激光阻擋層，銦鎵鋅氧化物對308nm波長的紫外光具 有較強的吸收能力，能夠有效吸收非晶硅晶化時的激光能量，可以降低柔性材料層局部碳 化的風險；同時銦鎵鋅氧化物對可見光有較大的透過率，可以不需要單獨加一道掩膜進行 刻蝕集成電路壓焊區的銦鎵鋅氧化物，提高了生產效率，降低了生產成本。本發明所提供的 柔性顯示基板膜既能降低ELA晶化造成的柔性材料層局部碳化導致的工藝不良，又克服了 因雙非晶硅層透過率降低，造成集成電路壓焊時無法對位的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024] 圖1為本發明柔性顯示基板的切面示意圖；
[0025] 圖中，1 :基板；2 :柔性材料層；3 :激光阻擋層；4 :顯示結構。

【具體實施方式】
[0026] 以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。
[0027] 實施例1柔性顯示基板
[0028] 如圖1所示，本實施例所述的柔性顯示基板包括基板1、柔性材料層2、激光阻擋層 3、顯示結構4。
[0029] 其中：基板1為玻璃基板；柔性材料層2為聚酰亞胺薄膜（PI膜）；激光阻擋層為 銦鎵鋅氧化物（IGZ0)薄膜；激光阻擋層3的厚度為3〇〇 A。
[0030] 上述柔性基板的制備方法為：
[0031] 1、在基板1上形成柔性材料層2 ;
[0032] 2、在柔性材料層2上通過磁控濺射沉積形成激光阻擋層3 ;
[0033] 3、在激光阻擋層3上形成顯示結構4 ;
[0034] 所述形成顯示結構包括：先在激光阻擋層3上形成非晶硅層；然后通過激光退火 將非晶硅層轉變為多晶硅層；
[0035] 4、通過激光剝離的方式使柔性材料層2與基板1分離，得到柔性顯示基板。
[0036] 銦鎵鋅氧化物對308nm波長的紫外光具有較強的吸收能力，能夠有效吸收非晶硅 晶化時的激光能量，可以降低柔性材料層局部碳化的風險；同時銦鎵鋅氧化物對可見光有 較大的透過率，可以不需要單獨加一道掩膜進行刻蝕集成電路壓焊區的銦鎵鋅氧化物，提 高了生產效率，降低了生產成本。本發明所提供的柔性顯示基板膜既能降低ELA晶化造成 的柔性材料層局部碳化導致的工藝不良，又克服了因雙非晶硅層透過率降低，造成集成電 路壓焊時無法對位的問題。
[0037] 實施例2柔性顯示基板
[0038] 本實施例與實施例1相比，區別點僅在于：激光阻擋層3的厚度為3000 A。
[0039] 實施例3柔性顯示基板
[0040] 本實施例與實施例1相比，區別點僅在于：激光阻擋層3的厚度為1500 A。
[0041] 雖然，上文中已經用一般性說明及具體實施方案對本發明作了詳盡的描述，但在 本發明基礎上，可以對之作一些修改或改進，這對本領域技術人員而言是顯而易見的。因 此，在不偏離本發明精神的基礎上所做的這些修改或改進，均屬于本發明要求保護的范圍。
【權利要求】
1. 一種柔性顯示基板，包括柔性材料層和顯示結構，其特征在于，所述柔性顯示基板還 包括：設于所述柔性材料層和所述顯示結構之間的激光阻擋層。
2. 根據權利要求1所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述激光阻擋層的材料為銦鎵 鋅氧化物。
3. 根據權利要求1所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述激光阻擋層的厚度為 300-3000 A。
4. 根據權利要求1所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述柔性材料層為聚酰亞胺薄 膜。
5. 根據權利要求1-4任一項所述的柔性顯示基板，其特征在于，所述柔性顯示基板為 柔性陣列基板；所述顯示結構包括低溫多晶硅薄膜晶體管。
6. -種柔性顯示基板的制備方法，其特征在于，包括： 在基板上形成柔性材料層； 在柔性材料層上形成激光阻擋層； 在激光阻擋層上形成顯示結構； 通過激光剝離的方式使柔性材料層與基板分離，得到柔性顯示基板。
7. 根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述激光阻擋層的材料為銦鎵鋅氧 化物，所述激光阻擋層通過磁控濺射沉積形成。
8. 根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述基板為玻璃基板。
9. 根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所制備的柔性顯示基板為柔性陣列 基板，所述顯示結構包括低溫多晶硅薄膜晶體管；所述形成顯示結構包括： 形成非晶硅層； 通過激光退火將非晶硅層轉變為多晶硅層。
10. -種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-5任意一項所述的柔性顯示基板。
【文檔編號】H01L51/52GK104143565SQ201410363651
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年7月28日 優先權日:2014年7月28日
【發明者】任慶榮, 郭煒, 馬凱葓 申請人:京東方科技集團股份有限公司