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一種封裝層及封裝器件的制作方法

文檔序號:11136792閱讀:1069來源:國知局
一種封裝層及封裝器件的制造方法與工藝

本發明涉及顯示面板技術領域,特別是涉及一種封裝層及封裝器件。



背景技術:

有機發光二極管(OLED)是一種新的顯示和照明技術,不但可實現高分辨率或高解析度的顯示,而且在大面積照明以及柔性顯示領域展現出巨大的市場潛力。近年來,通過材料的和器件的不斷優化升級,目前OLED可實現內量子效率100%的光電轉換。然而,OLED器件中光從發光層到達外界中會通過比空氣折射率高的有機層、功能層以及基板等,因此實際發射到外界的光的只有約30%左右。雖然研究者們已經嘗試通過增加微折射或衍射結構(微透鏡、散射層等)等方法,提高光提取,然而,所研究出來的效果不佳,例如封裝層的結構較為脆弱、光耦合輸出率低等問題。



技術實現要素:

本發明主要解決的技術問題是提供一種能提高光耦合輸出率、器件結構穩定性高的封裝層及封裝器件。

為解決上述技術方案,本發明提供的一種技術方案是:提供一種封裝層,所述封裝層包括第一無機功能層以及覆蓋在所述第一無機功能層上的有機緩沖層,其中所述第一無機功能層與所述有機緩沖層接觸的表面具有多個凹槽,所述有機緩沖層與所述第一無機功能層接觸的表面具有多個與所述多個凹槽分別對應、且匹配的凸起,以供多個所述凸起分別嵌入至對應的多個所述凹槽中。

其中,多個所述凹槽呈周期性分布,所述凹槽靠近所述有機緩沖層的表面的截面面積大于所述凹槽遠離所述有機緩沖層的表面的截面面積。

其中,所述封裝層進一步包括第二無機功能層,所述第二無機功能層覆蓋在所述有機緩沖層上。

其中,所述第二無機功能層的材料選自為三氧化二鋁、二氧化鈦、氮化硅、碳氮化硅以及氧化硅中的至少一種。

其中,所述有機緩沖層的材料選自為丙烯酸、六甲基二硅氧烷、聚丙烯酸酯類、聚碳酸脂類以及聚苯乙烯中的至少一種,所述第一無機功能層的材料選自為三氧化二鋁、二氧化鈦、氮化硅、碳氮化硅以及氧化硅中的至少一種。

其中,所述第一無機功能層的厚度范圍為1-2μm,所述有機緩沖層的厚度為4-10μm。

其中,所述第一無機功能層是通過等離子體增強化學氣相沉積工藝PEVCD、原子層沉積工藝ALD、脈沖激光沉積工藝PLD或濺鍍工藝Sputter制備一層無機膜,進而利用光刻工藝在所述無機膜上刻蝕而形成的。

其中,所述有機緩沖層是通過噴墨印刷工藝,利用有機聚合材料填充所述第一無機功能層里的凹槽而擴散形成均勻薄膜后,進行紫外光固化而形成的。

其中,所述封裝層包括兩個以上重復循環設置的所述第一無機功能層和所述有機緩沖層。

為解決上述技術方案,本發明提供的另一種技術方案是:提供一種封裝器件,所述封裝器件包括待封裝基板以及封裝于所述待封裝基板上的封裝層,所述封裝層具有上述技術特征。

本發明的有益效果是:區別于現有技術的情況,本發明提供的封裝層先形成第一無機功能層,從而起到防水、隔氧的作用,因第一無機功能層上的表面具有多個凹槽,在形成有凹槽的表面覆蓋一層有機緩沖層,因有機緩沖層的材料流動性好,能填充至凹槽中,且能平整的覆蓋于第一無機功能層的表面,通過第一無機功能層和有機緩沖層的組合,能有效提高該封裝器件的光耦合輸出,而且能實現器件的彎曲、折疊乃至卷曲,提高封裝器件的穩定性,從而延長封裝器件的使用壽命。

附圖說明

圖1是本發明提供的封裝器件的一實施方式的剖面示意圖;

圖2(a)-2(f)是本發明提供的封裝器件的制備方法的流程示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明進行詳細的說明。

請參閱圖1,本發明提供一種封裝器件100,封裝器件100可為但不限于有機發光二極管、光電測試器、生物傳感器、太陽能電池、電子紙、智能標簽等。本實施方式中,封裝器件100以有機發光二極管為例進行說明。封裝器件100包括待封裝基板110以及封裝層130,封裝層130包括基底層131、第一無機功能層132、有機緩沖層133以及第二無機功能層134。

基底層131與待封裝的基板(未圖示)接觸,基底層131的材料為聚酰亞胺。

第一無機功能層132覆蓋在基底層131的表面,有機緩沖層133覆蓋在第一無機功能層132表面。第一無機功能層132與有機緩沖層133接觸的表面具有多個凹槽135,有機緩沖層133與第一無機功能層132接觸的表面具有多個與多個凹槽135分別對應、且匹配的凸起136,以供多個凸起136分別嵌入至對應的多個凹槽135中。

其中,多個凹槽135呈周期性分布,凹槽135靠近有機緩沖層133的表面的截面面積大于凹槽135遠離有機緩沖層133的表面的截面面積。

可以理解,通過將凹槽135設置為呈周期性分布,能有效提高光的耦合輸出率。

在其它實施方式中,多個凹槽135呈無規則分布。

第一無機功能層132是通過等離子體增強化學氣相沉積工藝(PEVCD)、原子層沉積工藝(ALD)、脈沖激光沉積工藝(PLD)或濺鍍工藝(Sputter)制備一層無機膜,進而利用光刻工藝在無機膜上刻蝕而形成的。第一無機功能層132的材料選自為三氧化二鋁、二氧化鈦、氮化硅、碳氮化硅以及氧化硅中的至少一種。

第一無機功能層132的厚度范圍為1-2μm,例如1μm、1.5μm、2μm等。

可以理解,第一無機功能層132能起到阻水、隔氧等功能。

有機緩沖層133是通過噴墨印刷工藝,利用有機聚合材料填充第一無機功能層132里的凹槽135而擴散形成均勻薄膜后,進行紫外光固化而形成的。有機緩沖層133的材料選自為丙烯酸、六甲基二硅氧烷、聚丙烯酸酯類、聚碳酸脂類以及聚苯乙烯中的至少一種。

可以理解,有機緩沖層133所選用的材料的流動性好,能填充至凹槽135中,形成對應的凸起136,且還能平整地、均勻地覆蓋在第一無機功能層132的表面。

可以理解,有機緩沖層133選用有機聚合材料制成,能有效緩沖封裝層130在彎曲、折疊時的應力以及防止顆粒污染物的覆蓋。

有機緩沖層133的厚度為4-10μm,例如4μm、7μm、10μm等。

可以理解,第一無機功能層132和有機緩沖層133的表面較為粗糙,能夠引起折射率的變化,此外,封裝器件100內部的發光元件(未圖示)發出的光線因經過第一無機功能層132和有機緩沖層133之間的邊界而減少,從而提高光提取效率。

第二無機功能層134與第一無機層功能132的制備工藝相同,第二無機功能層134的材料選自為三氧化二鋁、二氧化鈦、氮化硅、碳氮化硅以及氧化硅中的至少一種。

第二無機功能層134的厚度范圍為1-2μm,例如1μm、1.5μm、2μm等。

可以理解,第二無機功能層134能進一步加強阻水、隔氧的作用。

此外,當外部光線入射封裝層130時,外部光線因經過有機緩沖層133和第二無機功能層134而減少,如此,有效提高光提取效率。

在其它實施方式中,封裝層130包括兩個以上重復循環設置的第一無機功能層132和有機緩沖層133。即封裝層130至少包括依次設置的第一無機功能層132、有機緩沖層133、第一無機功能層132、有機緩沖層133。

可以理解,通過重復循環設置,能進一步提高該封裝層130的光耦合輸出,而且能實現器件的彎曲、折疊乃至卷曲,提高封裝層130穩定性。

本發明提供的封裝器件100中的封裝層130先形成第一無機功能層132,從而起到防水、隔氧的作用,因第一無機功能層132上的表面具有多個凹槽135,在形成有凹槽135的表面覆蓋一層有機緩沖層133,因有機緩沖層133的材料流動性好,能填充至凹槽135中,且能平整的覆蓋于第一無機功能層132的表面,通過第一無機功能層132和有機緩沖層133的組合,能有效提高該封裝器件100的光耦合輸出,而且能實現封裝器件100的彎曲、折疊乃至卷曲,提高封裝器件100的穩定性,從而延長封裝器件100的使用壽命。另外,在有機緩沖層133背離第一無機功能層132的表面進一步形成第二無機功能層134,能進一步加強該封裝器件100的防水、隔氧的效果。

請參閱圖2(a)-2(f),本發明還提供一種封裝器件200的制備方法,包括如下步驟:

步驟S101,提供基體210。

可以理解,基體210可為但不限于為玻璃基體210。

步驟S102,請參閱圖2(a),在基體210的表面形成基底層220。

基底層220的材料為聚酰亞胺。

步驟S103,請結合參閱圖2(a)-圖2(b),在基底層220背離基體210的表面形成第一無機功能層230,且在第一無機功能層230背離基底層220的表面形成若干個凹槽231。

具體的,通過等離子體增強化學氣相沉積工藝(PEVCD)、原子層沉積工藝(ALD)、脈沖激光沉積工藝(PLD)或濺鍍工藝(Sputter)在基體210層的表面制備一層無機膜,進而利用光刻工藝在無機膜上刻蝕而形成的。第一無機功能層230的材料選自為三氧化二鋁、二氧化鈦、氮化硅、碳氮化硅以及氧化硅中的至少一種。

其中,光刻工藝可使用正性光阻的方式。

第一無機功能層230的厚度范圍為1-2μm,例如1μm、1.5μm、2μm等。

其中,若干個凹槽231呈周期性排列,凹槽231靠近有機緩沖層240的表面的面積大于凹槽231遠離有機緩沖層240的表面的面積。

步驟S104,請參閱圖2(c),在第一無機功能層230形成有凹槽231的表面形成有機緩沖層240,其中部分有機材料填入至凹槽231中,形成若干個凸起241。

具體的,有機緩沖層240是通過噴墨印刷工藝,利用有機聚合材料填充第一無機功能層230里的凹槽231而擴散形成均勻薄膜后,進行紫外光固化而形成的。有機緩沖層240的材料選自為丙烯酸、六甲基二硅氧烷、聚丙烯酸酯類、聚碳酸脂類以及聚苯乙烯中的至少一種。

有機緩沖層240的厚度為4-10μm,例如4μm、7μm、10μm等。

步驟S105,請參閱圖2(d),在有機緩沖層240背離第一無機功能層230的表面形成第二無機功能層250。

可以理解,第二無機功能層250的制備工藝與第一無機功能層230的制備工藝相同。

步驟S106,請參閱圖2(e),對玻璃基板進行激光掃描,以將基體210與基底層220分離,制得封裝層260。

可以理解,基底層220使得在進行激光掃描時,易于與基底層220脫離。

步驟S107,請參閱圖2(f),提供一待封裝基板270,將封裝層260與待封裝基板270進行貼合,得到封裝器件200。

可以理解,可通過熱釋放型膠實現封裝層260與待封裝基板270的對位貼合。

在另一實施方式中,在進行步驟S105之前,將步驟S103和步驟S104重復兩次以上,以使得所制備的封裝器件200包括兩個以上重復循環設置的第一無機功能層230和有機緩沖層240。

區別于現有技術的情況,本發明提供的封裝層260的制備方法先形成第一無機功能層230,從而起到防水、隔氧的作用,因第一無機功能層230上的表面具有多個凹槽231,在形成有凹槽231的表面覆蓋一層有機緩沖層240,因有機緩沖層240的材料流動性好,能很好地填充至凹槽231中,且能均勻、平整的覆蓋于第一無機功能層230的表面,通過第一無機功能層230和有機緩沖層240的組合,能有效提高該封裝器件200的光耦合輸出,而且能實現封裝器件200的彎曲、折疊乃至卷曲,提高封裝器件200穩定性,從而延長封裝器件200的使用壽命。另外,在有機緩沖層240背離第一無機功能層230的表面進一步形成第二無機功能層250,能進一步加強該封裝器件200的防水、隔氧的效果。

以上所述僅為本發明的實施方式,并非因此限制本發明的專利范圍,凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本發明的專利保護范圍內。

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