技術特征：

1.一種基于CH₃NH₃PbI₃材料的P型HHMT晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

選取Al₂O₃材料作為襯底材料；

采用第一掩膜版在所述襯底材料表面形成源漏電極；

在所述襯底材料及所述源漏電極表面生長空穴傳輸層；

采用第二掩膜版在所述空穴傳輸層表面生長CH₃NH₃PbI₃材料形成光吸收層；

采用第三掩膜版在所述光吸收層表面生長形成柵電極材料，以完成所述P型HHMT晶體管的制備。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用第一掩膜版在所述襯底材料表面形成源漏電極，包括：

采用氬氣對磁控濺射設備的濺射腔體進行清洗后抽真空；

選取質量比純度≥99.99%的第一金屬材料作為濺射靶材，以質量百分比純度≥99.999%的氬氣作為濺射氣體通入濺射腔，在真空度為6×10^-4~1.3×10^-3Pa的條件下在所述襯底材料表面形成所述源漏電極。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金屬材料為Au、Al、Ti、Ni、Ag或Pt。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述襯底材料及所述源漏電極表面生長空穴傳輸層，包括：

配制濃度為72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD的氯苯溶液，并加入濃度為520mg/mL鋰鹽的乙腈溶液、四叔丁基吡啶和300mg/mL鈷鹽的乙腈溶液，以體積比為10:17:11在常溫下攪拌，得到Spiro-OMeTAD溶液；

將所述Spiro-OMeTAD溶液滴加至所述襯底材料及所述源漏電極表面并旋涂，形成所述空穴傳輸層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用第二掩膜版在所述空穴傳輸層表面生長CH₃NH₃PbI₃材料形成光吸收層，包括：

將PbI₂和CH₃NH₂I先后加入DMSO:GBL中，形成得到PbI₂和CH₃NH₂I的混合溶液；

將PbI₂和CH₃NH₃I的混合溶液攪拌后靜置得到所述CH₃NH₃PbI₃溶液；

采用所述第二掩膜版，在所述空穴傳輸層表面旋涂所述CH₃NH₃PbI₃材料以形成所述光吸收層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述孔穴傳輸層表面旋涂所述CH₃NH₃PbI₃材料以形成所述光吸收層，包括：

采用所述第二掩膜版，利用單一旋涂法在所述空穴傳輸層表面旋涂厚度為200~300nm的所述CH₃NH₃PbI₃材料；

在溫度為100℃下退火處理形成所述光吸收層。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用第三掩膜版在所述光吸收層表面生長形成柵電極材料，包括：

采用氬氣對磁控濺射設備的濺射腔體進行清洗后抽真空；

選取質量比純度≥99.99%的第二金屬材料作為濺射靶材，以質量百分比純度≥99.999%的氬氣作為濺射氣體通入濺射腔，在真空度為6×10^-4~1.3×10^-3Pa的條件下在所述光吸收層表面形成所述柵電極材料。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二金屬材料為Au、Al、Ti、Ni、Ag或Pt。

9.一種基于CH₃NH₃PbI₃材料的P型HHMT晶體管，其特征在于，所述HHMT晶體管由權利要求1-8任一項所述的方法制備形成。