本公開涉及顯示技術領域，且更具體地涉及一種陣列基板和一種包括該陣列基板的嵌入式觸摸顯示面板。

背景技術：

有機發光顯示器(amoled)是當今平板顯示器研究領域的熱點之一，與液晶顯示器相比，oled具有低能耗、生產成本低、自發光、寬視角和響應速度快等優點，目前，oled已經在手機、pda、數碼相機等顯示領域開始取代傳統的lcd顯示屏。內嵌式觸摸(incelltouch)技術可以與顯示面板工藝兼容，所以越來越受到青睞。尤其是未來應用到柔性oled產品時，內嵌式oled膜集成電路(fic)技術將更加具備優勢，主要是因為目前的柔性oled觸摸方案都是在薄膜封裝(tfe)的封裝結構上直接制作多層的觸摸結構，這既增加了制作的難度，同時也增加了制作成本。

然而，對于內嵌式有源矩陣有機發光二極管顯示器，存在著外界噪聲干擾面板的內部信號而導致觸控靈敏度受到影響的問題。

公開內容

為了解決上述問題中的至少一個，本公開提供了一種陣列基板和一種包括該陣列基板的嵌入式觸摸顯示面板。

根據本公開的一方面，提供了一種陣列基板，其包括多個導電圖案層，還包括與所述多個導電圖案層中的第一導電圖案層同層設置且位于第一導電圖案層周邊的屏蔽環。

在本公開的一個實施例中，所述多個導電圖案層包括柵極圖案層、源/漏電極層以及發光顯示器件的陰極層和陽極層，第一導電圖案層是陰極層、陽極層、源\漏電極層和柵極圖案層中的一個。

在本公開的一個實施例中，所述陣列基板還包括與所述多個導電圖案層中的第二導電圖案層同層設置且位于第二導電圖案層周邊的屏蔽環，第一導電圖案層和第二導電圖案層是從陰極層、陽極層、源\漏電極層和柵極圖案層中選擇的兩個。

在本公開的一個實施例中，第一導電圖案層和第二導電圖案層分別是陰極層和陽極層，其中，位于陽極層周邊的屏蔽環和位于陰極層周邊的屏蔽環通過形成在陣列基板的像素限定層中的通孔彼此電連接。

在本公開的一個實施例中，所述陣列基板還包括與所述多個導電圖案層中的第三導電圖案層同層設置且位于所述第三導電圖案層周邊的屏蔽環，第一導電圖案層、第二導電圖案層和第三導電圖案層分別是陰極層、陽極層和源\漏電極層，其中，位于陽極層周邊的屏蔽環和位于陰極層周邊的屏蔽環通過形成在陣列基板的像素限定層中的通孔彼此電連接，位于陽極層周邊的屏蔽環和位于源\漏電極層周邊的屏蔽環通過形成在平坦化層中的通孔彼此電連接。

在本公開的一個實施例中，所述陣列基板還包括與所述多個導電圖案層中的第四導電圖案層同層設置且位于第四導電圖案層周邊的屏蔽環，第一導電圖案層、第二導電圖案層、第三導電圖案層和第四導電圖案層分別是陰極層、陽極層、源\漏電極層和柵極圖案層，其中，位于陽極層周邊的屏蔽環和位于陰極層周邊的屏蔽環通過形成在陣列基板的像素限定層中的通孔彼此電連接，位于陽極層周邊的屏蔽環和位于源\漏電極層周邊的屏蔽環通過形成在陣列基板的平坦化層中的通孔彼此電連接，位于源\漏電極層周邊的屏蔽環和位于柵極圖案層周邊的屏蔽環通過形成在陣列基板的柵極絕緣層中的通孔彼此電連接。

在本公開的一個實施例中所述陣列基板還包括與所述多個導電圖案層中的第二導電圖案層同層設置且位于所述第二導電圖案層周邊的屏蔽環。

在本公開的一個實施例中，位于所述第一導電圖案層周邊的屏蔽環和位于所述第二導電圖案層周邊的屏蔽環彼此電連接。

在本公開的一個實施例中，屏蔽環通過跨接方式與第一導電圖案層電絕緣。

根據本公開的另一方面，提供了一種嵌入式觸摸顯示面板，所述嵌入式觸摸顯示面板包括上面描述的陣列基板。

附圖說明

包括附圖以提供對本公開的進一步理解，附圖并入本申請并組成本申請的一部分，附圖示出了本公開的實施例，并與描述一起用于解釋本公開的原理。在附圖中：

圖1是示出根據本公開的實施例的屏蔽環的平面示意圖；

圖2是示出根據本公開的第一實施例的包括屏蔽環的陣列基板的示意性剖視圖；

圖3是示出根據本公開的第二實施例的包括屏蔽環的陣列基板的示意性剖視圖；

圖4是示出根據本公開的第三實施例的包括屏蔽環的陣列基板的示意性剖視圖；

圖5是示出根據本公開的第四實施例的包括屏蔽環的陣列基板的示意性剖視圖；

圖6是示出根據本公開的第五實施例的包括屏蔽環的陣列基板的示意性剖視圖；

圖7是示出根據本公開的實施例的屏蔽環通過跨接方式跨過與觸控電極電連接的柵極布線的局部平面示意圖。

具體實施方式

將理解的是，當元件或層被稱作在另一元件或層“上”或者“連接到”另一元件或層時，該元件或層可以直接在另一元件或層上、直接連接到或直接結合到另一元件或層，或者也可以存在中間元件或中間層。相反，當元件被稱作“直接”在另一元件或層“上”或者“直接連接到”另一元件或層時，不存在中間元件或中間層。同樣的標號始終指示同樣的元件。如在這里使用的，術語“和/或”包括一個或多個相關所列的項目的任意組合和所有組合。

為了便于描述，在這里可使用空間相對術語，如“下”、“在…上方”、“上”、“在…下方”等來描述如圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關系。將理解的是，空間相對術語意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。

如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式的“一個(種)”和“所述(該)”也意圖包括復數形式。還將理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”和/或“包括”時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

在下文中，將參照附圖詳細地解釋本公開。

總體地說，根據本公開實施例的陣列基板包括多個導電圖案層，還包括與所述多個導電圖案層中的第一導電圖案層同層設置且位于第一導電圖案層周邊的屏蔽環。

此外，屏蔽環可以設置在陣列基板的周邊區域中。多個導電圖案層可以包括柵極圖案層、源/漏電極層以及發光顯示器件的陰極層和陽極層，第一導電圖案層是陰極層、陽極層、源\漏電極層和柵極圖案層中的一個。

可選地，陣列基板還包括與所述多個導電圖案層中的第二導電圖案層同層設置且位于第二導電圖案層周邊的屏蔽環。在一些情況下，屏蔽環需要通過跨接方式與第一導電圖案層電絕緣。

例如，參照圖1，屏蔽環200設置在陣列基板的周邊區域中，即設置在陣列基板的非顯示區域(即，外圍區域)中。包括在陣列基板中的發光顯示器件包括用作觸控電極的陰極109，而屏蔽環200圍繞觸摸電極109而設置，以有效地屏蔽外界噪聲對基板內部信號的干擾，從而改善觸控靈敏度。

在一個實施例中，屏蔽環200可以與集成電路芯片(ic芯片)電連接，而ic芯片可以向屏蔽環200提供接地信號。

另外，發光顯示器件的陰極109可以連接到外接柵極引線。

本文所述的多個導電圖案層可以包括柵極圖案層、源/漏電極層以及發光顯示器件的陰極層和陽極層，本文所述的第一導電圖案層是陰極層、陽極層、源\漏電極層和柵極圖案層中的一個。

在一個實施例中，陣列基板還包括與所述多個導電圖案層中的第二導電圖案層同層設置且位于第二導電圖案層周邊的屏蔽環，第一導電圖案層和第二導電圖案層是從陰極層、陽極層、源\漏電極層和柵極圖案層中選擇的兩個。

在一個實施例中，第一導電圖案層和第二導電圖案層分別是陰極層和陽極層，其中，位于陽極層周邊的屏蔽環和位于陰極層周邊的屏蔽環通過形成在陣列基板的像素限定層中的通孔彼此電連接。

在一個實施例中，陣列基板還包括與所述多個導電圖案層中的第三導電圖案層同層設置且位于第三導電圖案層周邊的屏蔽環，第一導電圖案層、第二導電圖案層和第三導電圖案層分別是陰極層、陽極層和源\漏電極層。

在此情況下，位于陽極層周邊的屏蔽環和位于陰極層周邊的屏蔽環通過形成在陣列基板的像素限定層中的通孔彼此電連接，位于陽極層周邊的屏蔽環和位于源\漏電極層周邊的屏蔽環通過形成在平坦化層中的通孔彼此電連接。

在一個實施例中，陣列基板還包括與所述多個導電圖案層中的第四導電圖案層同層設置且位于第四導電圖案層周邊的屏蔽環，第一導電圖案層、第二導電圖案層、第三導電圖案層和第四導電圖案層分別是陰極層、陽極層、源\漏電極層和柵極圖案層。

在此情況下，位于陽極層周邊的屏蔽環和位于陰極層周邊的屏蔽環通過形成在陣列基板的像素限定層中的通孔彼此電連接，位于陽極層周邊的屏蔽環和位于源\漏電極層周邊的屏蔽環通過形成在陣列基板的平坦化層中的通孔彼此電連接，位于源\漏電極層周邊的屏蔽環和位于柵極圖案層周邊的屏蔽環通過形成在陣列基板的柵極絕緣層中的通孔彼此電連接。

在一個實施例中，陣列基板還包括與所述多個導電圖案層中的第二導電圖案層同層設置且位于所述第二導電圖案層周邊的屏蔽環。

在此情況下，位于第一導電圖案層周邊的屏蔽環和位于第二導電圖案層周邊的屏蔽環彼此電連接。

根據需要，屏蔽環可以通過跨接方式與第一導電圖案層電絕緣。

下面將參照圖2至圖6詳細地描述本公開實施例的屏蔽環的具體結構。

圖2是示出根據本公開的第一實施例的包括屏蔽環的陣列基板的示意性剖視圖。

參照圖2，根據本公開實施例的陣列基板100主要包括襯底基板101、依次形成在襯底基板101上的柵極圖案層102、覆蓋柵極圖案層102的柵極絕緣層103、形成在柵極絕緣層103上的有源圖案層104、分別與有源圖案層104接觸并部分地覆蓋柵極絕緣層103的源電極層105s和漏電極層105d(即，源\漏電極層105s\105d)、以及平坦化層106。陣列基板100還包括形成在平坦化層106上的發光顯示器件以及封裝層110，其中，發光顯示器件包括用作觸控電極的陰極層109、陽極層107以及設置在陰極層109與陽極層107之間的有機發光層108。另外，像素限定層pdl設置在陰極層109與陽極層107之間。

在圖2所示的實施例中，屏蔽環200設置在陣列基板100的周邊區域中，并圍繞陰極109而形成。在圖2的剖視圖中僅示出了設置在陣列基板100的左側區域中的屏蔽環200，如圖1所示出的。

在本實施例中，屏蔽環200與陰極層109同層地形成且與陰極層109電絕緣。

在一個實施例中，可以通過在像素限定層pdl和有機發光層108上沉積電極材料層，然后通過對電極材料層進行例如圖案化工藝來形成彼此電絕緣的屏蔽環200和陰極層109。

如果屏蔽環200與陰極層109的外接引線在同一層上相遇，則屏蔽環200可以通過跨接方式跨過陰極層109的外接引線，即，屏蔽環200可以通過位于不同層上的其他導電圖案(比如，在柵極絕緣層103上的柵極金屬圖案、或在平坦化層106上的陽極金屬圖案等)進行跨接。因此，屏蔽環200能夠與陰極層109電絕緣。

圖3是示出根據本公開的第二實施例的包括屏蔽環的陣列基板的示意性剖視圖。

參照圖3，在本實施例中，除了屏蔽環200-1的設置方式不同于第一實施例的屏蔽環200的設置方式之外，根據本實施例的陣列基板100-1具有與第一實施例的陣列基板100類似的構造，下面將主要描述二者的不同之處。

在本實施例中，屏蔽環200-1不與陰極層109同層地形成，而是與陽極層107同層地形成且與陽極層107電絕緣。屏蔽環200-1是在陣列基板100-1的周邊區域中圍繞陽極層107而形成的。

類似地，在一個實施例中，可以通過在平坦化層106上沉積電極材料層，然后通過對電極材料層進行例如圖案化工藝來形成彼此電絕緣的屏蔽環200-1和陽極層107。

必要時，屏蔽環200-1也可以通過類似的跨接方式實現與陽極層107的電絕緣。

此外，陣列基板可以包括與陰極層109同層地形成且與陰極層109電絕緣的屏蔽環200以及與陽極層107同層地形成且與陽極層107電絕緣的屏蔽環200-1二者。在此情況下，可選的是，屏蔽環200可以通過形成在像素限定層pdl中的通孔與屏蔽環200-1進行電連接。因此，能夠更好地屏蔽時鐘信號和寄生信號對觸控信號的干擾。

圖4是示出根據本公開的第三實施例的包括屏蔽環的陣列基板的示意性剖視圖。

參照圖4，在本實施例中，除了屏蔽環200-2的設置方式不同于第一實施例的屏蔽環200的設置方式之外，根據本實施例的陣列基板100-2具有與第一實施例的陣列基板100類似的構造，下面將主要描述二者的不同之處。

在本實施例中，屏蔽環200-2不與陰極層109同層地形成，而是與源電極105s和漏電極105d同層地形成且與源電極105s和漏電極105d電絕緣。屏蔽環200-2是在陣列基板100-2的周邊區域中圍繞源電極105s和漏電極105d而形成的。

類似地，在一個實施例中，可以通過在柵極絕緣層103上沉積金屬材料層，然后通過對金屬材料層進行例如圖案化工藝來形成彼此電絕緣的屏蔽環200-2與源電極105s及漏電極105d。

必要時，屏蔽環200-2也可以通過類似的跨接方式實現與源電極105s和漏電極105d的電絕緣。

圖5是示出根據本公開的第四實施例的包括屏蔽環的陣列基板的示意性剖視圖。

參照圖5，除了屏蔽環之外，根據本實施例的陣列基板100-3具有與第一實施例的陣列基板100類似的構造，下面將主要描述二者的不同之處。

在本實施例中，屏蔽環包括與陰極層109同層地形成且與陰極層109電絕緣的屏蔽環200、與陽極層107同層地形成且與陽極層107電絕緣的屏蔽環200-1以及與源電極105s和漏電極105d同層地形成且與源電極105s和漏電極105d電絕緣的屏蔽環200-2。

如圖5所示，屏蔽環200可以通過形成在像素限定層pdl中的通孔h1與屏蔽環200-1電連接，而屏蔽環200-1可以通過形成在平坦化層106中的通孔h2與屏蔽環200-2電連接。因此，屏蔽環200、屏蔽環200-1和屏蔽環200-2這三者實現電連接。

此外，屏蔽環200、屏蔽環200-1和屏蔽環200-2的形成方法可以分別與在上面的實施例中描述的方法類似。

當然，可以理解的是，屏蔽環200、屏蔽環200-1和屏蔽環200-2也可以不彼此電連接。或者，屏蔽環200、屏蔽環200-1和屏蔽環200-2中的兩個實現電連接。比如，屏蔽環200與屏蔽環200-1實現電連接，或者屏蔽環200-1和屏蔽環200-2實現電連接。

圖6是示出根據本公開的第五實施例的包括屏蔽環的陣列基板的示意性剖視圖。

除了屏蔽環之外，根據本實施例的陣列基板100-4具有與第一實施例的陣列基板100類似的構造，下面將主要描述二者的不同之處。

在本實施例中，屏蔽環包括與陰極層109同層地形成且與陰極層109電絕緣的屏蔽環200、與陽極層107同層地形成且與陽極層107電絕緣的屏蔽環200-1、與源電極105s和漏電極105d同層地形成且與源電極105s和漏電極105d電絕緣的屏蔽環200-2、以及與柵極圖案層102同層地形成且與柵極圖案層102電絕緣的屏蔽環200-3。

如圖6所示，屏蔽環200可以通過形成在像素限定層pdl中的通孔h1與屏蔽環200-1電連接，屏蔽環200-1可以通過形成在平坦化層106中的通孔h2與屏蔽環200-2電連接，并且屏蔽環200-2可以通過形成在柵極絕緣層103中的通孔h3與屏蔽環200-3電連接。在這種情況下，屏蔽環200、屏蔽環200-1、屏蔽環200-2和屏蔽環200-3能夠實現電連接。

同樣，屏蔽環200、屏蔽環200-1、屏蔽環200-2和屏蔽環200-3也可以不彼此電連接。或者，屏蔽環200、屏蔽環200-1、屏蔽環200-2和屏蔽環200-3中的相鄰的兩個屏蔽環可以實現電連接。

在圖2至圖6中舉例說明了根據本公開的一些實施例的包括屏蔽環的陣列基板，然而根據本公開的內容，本公開的陣列基板并不僅僅限于在圖2至圖6中所示出的例子。

圖7是示出根據本公開的實施例的屏蔽環通過跨接方式跨過與觸控電極電連接的柵極布線以與柵極布線電絕緣的局部平面示意圖。

在圖7中，發光顯示器件的陰極層109通過像素限定層pdl的鏤空區域t1向下連接，從而與下方的橫向的陽極金屬層(例如，ito/ag/ito層)電連接，然后通過形成在平坦化層106中的過孔t2和形成在柵極絕緣層103中的過孔t3與形成在襯底基板101上的柵極布線400電連接。

在此情況下，例如，與柵極圖案層102同層地形成且與柵極圖案層102電絕緣的屏蔽環200-3在進行環連接時將遇到柵極布線400，此時為了實現與柵極布線400的電絕緣，屏蔽環200-3可以經由形成在柵極絕緣層103中的過孔t3通過位于不同層的跨接線cl進行閉合環的電連接。

在一個實施例中，跨接線cl可以是形成在柵極絕緣層103上的部分源漏電極層(其與源電極105s和漏電極105d電絕緣)，或者是形成在平坦化層106上的部分陽極層(其與陽極層107電絕緣)。然而，在本公開中，跨接線cl的類型不限于此，只要能夠使屏蔽環與同層的導電層(比如，陰極層109、陽極層107、源電極105s和漏電極105d、或者柵極圖案層102等)實現電絕緣即可。

此外，本公開的實施例還提供了一種嵌入式觸摸顯示面板，其包括上面描述的陣列基板。

由于在陣列基板的周邊區域中圍繞相應的導電圖案層設置了屏蔽環，所以能夠有效地屏蔽時鐘信號和寄生信號對觸控信號的干擾，因此改善了觸控靈敏度。

已經針對附圖給出了對本公開的特定示例性實施例的前面的描述。這些示例性實施例并不意圖是窮舉性的或者將本公開局限于所公開的精確形式，并且明顯的是，在以上教導的啟示下，本領域普通技術人員能夠做出許多修改和變化。因此，本公開的范圍并不意圖局限于前述的實施例，而是意圖由權利要求和它們的等同物所限定。