本公開涉及一種基板處理方法和基板處理裝置。
背景技術(shù):
1、在專利文獻(xiàn)1中公開了一種在半導(dǎo)體基板的蝕刻裝置中將兩種以上工藝氣體切換地進(jìn)行供給的方法。在該氣體的供給方法中,通過閥的開閉來在向基板處理空間供給氣體的路徑與利用排氣系統(tǒng)進(jìn)行排氣的路徑之間進(jìn)行切換,由此將氣體的供給進(jìn)行脈沖化。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1:日本特開2015-144249號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的問題
2、本公開所涉及的技術(shù)能夠減少基板處理時(shí)的氣體廢棄并使基板處理裝置簡化。
3、用于解決問題的方案
4、本公開的一個(gè)方式是一種基板處理方法,用于在基板處理裝置中從氣體供給部向基板處理空間供給氣體來對(duì)基板進(jìn)行處理,所述氣體供給部具備:多個(gè)氣體源;流路,其用于使所述氣體從多個(gè)所述氣體源流通至所述基板處理空間;以及閥,其設(shè)置于所述流路,用于將所述氣體的流通在流通與斷開之間進(jìn)行切換,在所述基板處理方法中,執(zhí)行通過在所述閥中使所述氣體的流通在流通和斷開之間交替地重復(fù)來將所述氣體的流通進(jìn)行脈沖化的脈沖控制,在所述脈沖控制中,通過控制所述脈沖控制的持續(xù)時(shí)間和所述持續(xù)時(shí)間期間內(nèi)的所述氣體的流通的流通次數(shù),來控制所述氣體的流量。
5、發(fā)明的效果
6、根據(jù)本公開,能夠減少基板處理時(shí)的氣體廢棄并使基板處理裝置簡化。
1.一種基板處理方法,用于在基板處理裝置中從氣體供給部向基板處理空間供給氣體來對(duì)基板進(jìn)行處理,
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法,其中,
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理方法,其中,
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板處理方法,包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其中,
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其中,
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板處理方法,其中,
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理方法,其中,
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理方法,其中,
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理方法,其中,
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理方法,其中,
12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其中,
13.一種基板處理裝置,具備:
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理裝置,其中,
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板處理裝置,其中,
16.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的基板處理裝置,其中,
17.根據(jù)權(quán)利要求13至15中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其中,
18.根據(jù)權(quán)利要求13至15中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其中,
19.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的基板處理裝置,其中,
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板處理裝置,其中,
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的基板處理裝置,其中,
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板處理裝置,其中,
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板處理裝置,其中,
24.根據(jù)權(quán)利要求13至15中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其中,