本發明涉及半導體器件及其制造方法。

背景技術：

1、下面列出了所公開的技術。

2、[專利文獻1]日本特開專利申請公開第h2-90634號

3、專利文獻1公開了一種涉及半導體器件的技術，該半導體器件包括具有對準標記的鍵合焊盤，該對準標記由與導線鍵合機的定位交叉標記相對應的狹縫或突起形成。

技術實現思路

1、半導體器件所需的性能指標之一是可靠性。半導體器件的可靠性是半導體器件在預定義的時間段內繼續執行規范等中預先定義的功能的能力。

2、例如，存在一種半導體器件，其中導線連接到形成在半導體芯片的主表面上的焊盤。在該半導體器件中，由于連接導線的鍵合位置的未對準，可能會出現特性波動。

3、如果可以快速檢測到鍵合位置的未對準，則可以選擇性地排除由于未對準而已經出現特性波動的半導體器件。因此，只有未對準在允許范圍內的半導體器件，即只有可靠的半導體器件才能被選為無缺陷產品。

4、從本說明書和附圖的描述中，其他問題和新穎特征將變得顯而易見。

5、根據實施例的制造半導體器件的方法包括在導線鍵合步驟之后，確定關于導線的鍵合部分的全部位于或者不位于鍵合區域內的質量的步驟。半導體芯片包括多個位置確定開口圖案，該多個位置確定開口圖案布置在位于包括鍵合區域的主開口部分周圍的區域中。鍵合區域具有矩形形狀，在平面圖中該矩形形狀的面積小于主開口部分的開口面積。鍵合區域由多個位置確定開口圖案和第二位置確定開口圖案限定。

6、根據另一實施例的半導體器件包括主表面、形成于主表面上的焊盤、絕緣膜、以及多個位置確定開口圖案，該絕緣膜中形成有用于暴露焊盤的一部分的開口部分，該多個位置確定開口圖案在平面圖中布置在位于主開口部分周圍的區域中。該多個位置確定開口圖案包括第一位置確定開口圖案和第二位置確定開口圖案，該第一位置確定開口圖案布置在最靠近主開口部分的第一拐角部分、第二拐角部分、第三拐角部分以及第四拐角部分之中的第一拐角部分的位置處，該第二位置確定開口圖案布置在最靠近主開口部分的第一拐角部分、第二拐角部分、第三拐角部分以及第四拐角部分之中的第三拐角部分或第四拐角部分的位置處。

7、根據以上實施例，半導體器件的性能可以得到提高。

技術特征：

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括:

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

3.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

4.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

5.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

6.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

7.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

8.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

9.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，所述方法還包括：

10.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

11.根據權利要求10所述的制造半導體器件的方法，

12.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

13.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

14.根據權利要求13所述的制造半導體器件的方法，

技術總結
一種制造半導體器件的方法，包括在導線鍵合步驟之后，確定關于導線的全部端部位于或者不位于鍵合區域內的質量的步驟。半導體芯片包括多個位置確定開口圖案，該多個位置確定開口圖案在平面圖中被布置在位于主開口部分周圍的區域中，該主開口部分包括鍵合區域。鍵合區域具有矩形形狀，在平面圖中該矩形形狀的面積小于主開口部分的開口面積。鍵合區域由多個位置確定開口圖案限定。

技術研發人員：高石龍勢,長谷川浩一
受保護的技術使用者：瑞薩電子株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28