本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及接觸結構及其形成方法。

背景技術：

1、電子行業對更小、更快的電子設備的需求日益增長，這些設備能夠同時支持更多越來越復雜和復雜的功能。因此，半導體行業有制造低成本、高性能和低功耗集成電路(ic)的持續趨勢。到目前為止，這些目標在很大程度上是通過縮小半導體ic尺寸(例如最小特征尺寸)來實現的，從而提高了生產效率并降低了相關成本。然而，這種縮放也增加了半導體制造工藝的復雜性。因此，實現半導體ic和器件的持續進步需要半導體制造工藝和技術的類似進步。

2、隨著器件尺寸的不斷縮小，后端制程(beol)互連結構的性能受到更高的要求。低介電常數(低k)材料已被納入互連結構以降低電容。雖然低k材料的目的是降低電容，但它們的導熱性不佳，給前端制程(feol)器件的散熱帶來了挑戰。

技術實現思路

1、本發明的一實施例提供了一種接觸結構，包括：導電部件；蝕刻停止層(esl)，位于所述導電部件上方；介電層，位于所述蝕刻停止層上方；以及接觸部件，延伸穿過所述介電層和所述蝕刻停止層以接觸所述導電部件，其中，所述介電層包括：低k介電基材，和納米管，設置在所述低k介電基材中，并且被配置為降低所述介電層的熱阻。

2、本發明的另一實施例提供了一種形成接觸結構的方法，包括：在金屬部件上方沉積蝕刻停止層(esl)；在所述蝕刻停止層上方沉積溶液，所述溶液包括溶劑，低k介電前體，和至少一種高導熱性粒子；處理所述溶液以引起所述至少一種高導熱性粒子的自聚集；固化所述溶液以在所述蝕刻停止層上形成低k介電層；形成穿過所述低k介電層和所述蝕刻停止層的開口；在所述開口中沉積導電材料；以及執行平坦化以暴露所述低k介電層的頂面。

3、本發明的又一實施例提供了一種形成接觸結構的方法，包括：在金屬部件上方沉積蝕刻停止層(esl)；在所述蝕刻停止層上方形成低k介電層，其中，所述低k介電層包括沿方向排列的納米管；形成穿過所述低k介電層和所述蝕刻停止層的開口；在所述開口中沉積導電材料；以及執行平坦化以暴露所述低k介電層的頂面。

技術特征：

1.一種接觸結構，包括：

2.根據權利要求1所述的接觸結構，其中，所述納米管的每個均包括細長形狀。

3.根據權利要求2所述的接觸結構，其中，所述納米管沿垂直方向排列。

4.一種形成接觸結構的方法，包括：

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述至少一種高導熱性粒子包括金剛石、氮化硼、碳化硅、氧化鈹、磷化硼、氮化鋁、硫化鈹、砷化硼、氮化鎵、磷化鋁、磷化鎵、氧化鋁或石墨烯。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，在所述處理之后，所述至少一種高導熱性粒子被排列以形成納米管。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，所述溶液的沉積包括旋涂或可流動化學汽相沉積(fcvd)。

8.一種形成接觸結構的方法，包括：

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述低k介電層的形成包括：

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述至少一種高導熱性粒子包括金剛石、氮化硼、碳化硅、氧化鈹、磷化硼、氮化鋁、硫化鈹、砷化硼、氮化鎵、磷化鋁、磷化鎵、氧化鋁或石墨烯。

技術總結
本發明的實施例提供了接觸結構及其形成方法。根據本公開的接觸結構包括導電部件、導電部件上方的蝕刻停止層(ESL)、ESL上方的介電層以及延伸穿過介電層和ESL以接觸導電部件的接觸部件。介電層包括低k介電基材和設置在低k介電基材中并且被配置為降低介電層熱阻的納米管。

技術研發人員：林明賢,廖文晢,廖堃硯,張孝慷
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28