:本發(fā)明涉及晶圓加工,具體為一種晶圓測(cè)試用吸附裝置及晶圓測(cè)試系統(tǒng)。
背景技術(shù)
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背景技術(shù):
1、半導(dǎo)體制造中,晶圓作為被檢測(cè)對(duì)象,一般需要固定在承載臺(tái)上,以便進(jìn)行測(cè)量、檢測(cè)、轉(zhuǎn)運(yùn)及其它工藝處理。在晶圓測(cè)試系統(tǒng)檢測(cè)晶圓的過(guò)程中,由于應(yīng)力的分散性,一部分待測(cè)晶圓會(huì)發(fā)生比較嚴(yán)重的翹曲,針對(duì)這些翹曲度大的晶圓,若在晶圓上表面按壓使其與承片臺(tái)貼合時(shí),會(huì)導(dǎo)致晶圓上表面污染。因此現(xiàn)有的做法通常是采用真空吸附的方式將晶圓吸附固定在承片臺(tái)上。但現(xiàn)有技術(shù)中大部分的晶圓測(cè)試吸附裝置在吸附晶圓的過(guò)程中,承片臺(tái)周邊剛性的接觸面會(huì)與硬質(zhì)晶圓接觸,其眾多接觸點(diǎn)區(qū)域會(huì)形成微小漏氣縫隙,往往不能牢固地將晶圓吸附于承片臺(tái)上,無(wú)法保證晶圓的平整性,而在晶圓測(cè)試系統(tǒng)中對(duì)于晶圓表面的平整性要求極高,晶圓若無(wú)法平整固定,會(huì)直接影響著晶圓測(cè)試操作的執(zhí)行,影響相應(yīng)的測(cè)試結(jié)果,嚴(yán)重的還會(huì)使晶圓受到機(jī)械損傷。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
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技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
1、為解決上述晶圓無(wú)法完美的吸附于承片臺(tái)上,無(wú)法保證晶圓的高平整性的問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種晶圓測(cè)試用吸附裝置及晶圓測(cè)試系統(tǒng)。
2、本發(fā)明提出的晶圓測(cè)試用吸附裝置,包括升降組件、支撐組件、氣路組件以及平臺(tái)組件,其特征在于:所述平臺(tái)組件包括真空槽底板、柔性密封件固定環(huán)、柔性密封件和密封槽;所述密封槽設(shè)置在所述真空槽底板對(duì)應(yīng)于晶圓周緣的位置處,所述柔性密封件固定環(huán)與所述柔性密封件設(shè)置在所述密封槽內(nèi),當(dāng)晶圓放置后,所述氣路組件將晶圓與所述真空槽底板之間形成的空間抽真空,在晶圓上下表面壓力差的作用下,所述柔性密封件完整支撐所述晶圓吸附于所述真空槽底板的表面,以使晶圓克服大翹曲,提高平整度。
3、作為本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn),所述真空槽底板上還設(shè)有真空?qǐng)A環(huán)氣路槽和真空氣孔,多組所述真空?qǐng)A環(huán)氣路槽和所述真空氣孔與所述氣路組件連通,并由所述真空槽底板中心向外呈同心圓設(shè)置。
4、作為本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn),所述升降組件包括導(dǎo)向柱、直線軸承、氣缸、直線軸承固定板、晶圓支撐柱以及接近傳感器;所述直線軸承固定板一端與所述直線軸承連接,另一端與所述晶圓支撐柱連接。
5、作為本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn),所述氣路組件包括真空壓力表、氣路堵頭、真空氣路通道、氣管接頭真空接口、壓縮空氣接口和外置真空接口;所述真空氣路通道與所述真空氣孔連通。
6、作為本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn),所述密封槽截面形狀為倒梯形。
7、作為本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn),所述密封槽截面形狀為矩形。
8、作為本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn),所述柔性密封件為橡膠密封圈。
9、作為本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn),所述柔性密封件截面呈之字形狀。
10、作為本發(fā)明的進(jìn)一步的改進(jìn),所述柔性密封件截面呈v字形狀。
11、本發(fā)明還提供了一種晶圓測(cè)試系統(tǒng),包括吸附力測(cè)試機(jī)構(gòu)和附著力測(cè)試機(jī)構(gòu),其特征在于:還包括上述任意一項(xiàng)所述的晶圓測(cè)試用吸附裝置。
12、本發(fā)明的有益效果是:通過(guò)在真空槽底板對(duì)應(yīng)于晶圓周緣的位置處增設(shè)的密封槽,在所述密封槽內(nèi)設(shè)置的柔性密封件固定環(huán)和柔性密封件以及多組由所述真空槽底板中心向外呈同心圓設(shè)置的真空?qǐng)A環(huán)氣路槽和真空氣孔,使晶圓能夠全程貼合吸附在真空槽底板的表面,晶圓不會(huì)出現(xiàn)翹曲問(wèn)題,保證了晶圓平整性的同時(shí),也保證了后續(xù)晶圓測(cè)試操作的執(zhí)行以及相應(yīng)測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
1.一種晶圓測(cè)試用吸附裝置,包括升降組件、支撐組件、氣路組件以及平臺(tái)組件,其特征在于:所述平臺(tái)組件包括真空槽底板(10)、柔性密封件固定環(huán)(11)、柔性密封件(12)和密封槽(23);所述密封槽(23)設(shè)置在所述真空槽底板(10)對(duì)應(yīng)于晶圓周緣的位置處,所述柔性密封件固定環(huán)(11)與所述柔性密封件(12)設(shè)置在所述密封槽(23)內(nèi),當(dāng)晶圓放置后,所述氣路組件將晶圓與所述真空槽底板(10)之間形成的空間抽真空,在晶圓上下表面壓力差的作用下,所述柔性密封件(12)完整支撐所述晶圓吸附于所述真空槽底板(10)的表面,以使晶圓克服大翹曲,提高平整度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測(cè)試用吸附裝置,其特征在于:所述真空槽底板(10)上還設(shè)有真空?qǐng)A環(huán)氣路槽(19)和真空氣孔(20),多組所述真空?qǐng)A環(huán)氣路槽(19)和所述真空氣孔(20)與所述氣路組件連通,并由所述真空槽底板(10)中心向外呈同心圓設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓測(cè)試用吸附裝置,其特征在于:所述升降組件包括導(dǎo)向柱(2)、直線軸承(3)、氣缸(5)、直線軸承固定板(9)、晶圓支撐柱(13)以及接近傳感器(15);所述直線軸承固定板(9)一端與所述直線軸承(3)連接,另一端與所述晶圓支撐柱(13)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓測(cè)試用吸附裝置,其特征在于:所述氣路組件包括真空壓力表(7)、氣路堵頭(16)、真空氣路通道(17)、氣管接頭真空接口(18)、壓縮空氣接口(21)和外置真空接口(22);所述真空氣路通道(17)與所述真空氣孔(20)連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓測(cè)試用吸附裝置,其特征在于:所述密封槽(23)截面形狀為倒梯形。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓測(cè)試用吸附裝置,其特征在于:所述密封槽(23)截面形狀為矩形。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的晶圓測(cè)試用吸附裝置,其特征在于:所述柔性密封件(12)為橡膠密封圈。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓測(cè)試用吸附裝置,其特征在于:所述柔性密封件(12)截面呈之字形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓測(cè)試用吸附裝置,其特征在于:所述柔性密封件(12)截面呈v字形狀。
10.一種晶圓測(cè)試系統(tǒng),包括吸附力測(cè)試機(jī)構(gòu)和附著力測(cè)試機(jī)構(gòu),其特征在于:還包括如權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的晶圓測(cè)試用吸附裝置。