本公開的實施例涉及半導體器件及其形成方法。

背景技術：

1、由于各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的不斷改進，半導體工業經歷了快速增長。在大多數情況下，集成密度的改進來自于最小部件尺寸的反復減小，這允許更多的組件集成到給定區域中。隨著對縮小電子器件的需求的增長，出現了對更小和更具創意的半導體管芯的封裝技術的需求。這種封裝系統的示例是三維疊層封裝(pop)技術。在pop器件中，頂部半導體封裝件堆疊在底部半導體封裝件的頂部上，以提供高水平的集成和組件密度。pop技術通常能夠在印刷電路板(pcb)上產生具有增強的功能和小的占用面積的半導體器件。

技術實現思路

1、本公開的實施例提供了一種形成半導體器件的方法，包括：將管芯附接至中介層；將所述中介層附接并且電耦接至封裝襯底；將封裝蓋和第一熱界面材料附接至所述管芯和所述封裝襯底；將所述封裝襯底附接并且電耦接至組件襯底；以及使用螺釘將散熱器和第二熱界面材料附接至所述封裝蓋，所述螺釘在所述散熱器和所述組件襯底之間延伸，所述散熱器包括與所述第二熱界面材料物理接觸的第一感測模塊。

2、本公開的另一實施例提供了一種半導體器件，包括：印刷電路板；半導體封裝件，設置在所述印刷電路板上；散熱器，設置在所述半導體封裝件上；第一熱界面材料，設置在所述半導體封裝件和所述散熱器之間；以及第一傳感器，設置在所述半導體封裝件和所述散熱器之間。

3、本公開的又一實施例提供了一種半導體器件，包括：半導體封裝件，包括：封裝襯底；和封裝組件，附接并且電連接至所述封裝襯底；第一熱界面材料，設置在所述封裝組件上方并且物理接觸所述封裝組件；封裝蓋，設置在所述第一熱界面材料上方，所述封裝蓋包括：導熱環，附接至所述封裝襯底；和覆蓋部分，與所述第一熱界面材料物理接觸；散熱器，設置在所述封裝蓋上方，所述散熱器包括第一壓力傳感器；以及組件襯底，設置在所述封裝襯底下方并且電連接至所述封裝襯底。

技術特征：

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一熱界面材料直接介于所述封裝蓋和所述管芯之間。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，第一熱界面粘合劑直接介于所述封裝蓋和所述封裝襯底之間。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

5.根據權利要求1所述的方法，其中，在平面圖中，所述第一感測模塊位于蓋表面區域的投影的拐角處。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述封裝蓋包括第二感測模塊。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述平面圖中，所述第二感測模塊位于所述蓋表面區域的側面處。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述管芯是壓力感測管芯。

9.一種半導體器件，包括：

10.一種半導體器件，包括：

技術總結
在實施例中，一種方法包括：將管芯附接至中介層；將中介層附接并且電耦接至封裝襯底；將封裝蓋和第一熱界面材料附接至管芯和封裝襯底；將封裝襯底附接并且電耦接至組件襯底；以及使用螺釘將散熱器和第二熱界面材料附接至封裝蓋，螺釘在散熱器和組件襯底之間延伸，散熱器包括與第二熱界面材料物理接觸的第一感測模塊。本公開的實施例還涉及半導體器件及其形成方法。

技術研發人員：洪文興,陳琮瑜
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28