本申請的實施例涉及封裝結構、半導體封裝件及其形成方法。

背景技術：

1、半導體集成電路(ic)工業經歷了指數級增長。ic材料和設計中的技術進步已經產生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更復雜的電路。在ic發展的過程中，功能密度(即，每芯片區的互連器件的數量)普遍增大，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝創建的最小組件(或線))已經減小。這種縮小工藝通常通過提高生產效率和降低相關成本來提供益處。這樣的縮小也增加了處理和制造ic的復雜性。

2、除了每一代中更小的器件尺寸之外，封裝技術已經發展，以進一步提高ic器件的性能。例如，引入了三維(3d)封裝技術來垂直堆疊多個ic器件。3d封裝技術涉及半導體器件管芯的接合。

技術實現思路

1、本申請的一些實施例提供了一種半導體封裝件，包括：中介層；以及組件，安裝在所述中介層上，并且包括：第一管芯；以及第二管芯，設置在所述第一管芯上方，并且包括遠離所述第一管芯的表面，其中，所述第二管芯包括金屬焊盤，其中，所述金屬焊盤的頂面與所述表面共面，其中，所述金屬焊盤是電浮置的。

2、本申請的另一些實施例提供了一種封裝結構，包括：中介層；以及組件，安裝在所述中介層上，并且包括：第一管芯和第二管芯，所述第二管芯設置在所述第一管芯旁邊，第三管芯，設置在所述第一管芯和所述第二管芯上方，其中，所述第三管芯包括遠離所述第一管芯和所述第二管芯的矩形表面，其中，所述第三管芯包括設置在所述第三管芯的四(4)個拐角處的四(4)個金屬焊盤，其中，所述四(4)個金屬焊盤的頂面與所述矩形表面共面，其中，所述四(4)個金屬焊盤是電浮置的。

3、本申請的又一些實施例提供了一種形成半導體封裝件的方法，包括：在晶圓上的管芯區上方形成圖案化掩模，所述圖案化掩模暴露所述管芯區的外圍區域；使用所述圖案化掩模蝕刻所述管芯區以形成外圍凹槽；在所述管芯區和所述圖案化掩模上方沉積晶種層；在沉積所述晶種層之后，去除所述圖案化掩模；在去除所述圖案化掩模之后，在所述晶種層上方沉積金屬層；平坦化所述晶圓以在所述外圍凹槽中形成外圍金屬焊盤；分割所述管芯區作為管芯；將所述管芯接合至至少另一個管芯以形成組件；以及將所述組件安裝在封裝襯底上。

技術特征：

1.一種半導體封裝件，包括：

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括：

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述金屬焊盤通過晶種層與所述第二管芯間隔開。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其中，所述晶種層包括鈦。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述金屬焊盤包括鋁(al)、銅(cu)或鋁銅(alcu)。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，

7.根據權利要求6所述的半導體封裝件，其中，所述四(4)個金屬焊盤的每個包括矩形形狀、三角形形狀、環形形狀或多邊形形狀。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第二管芯的所述表面包括半導體或介電材料。

9.一種封裝結構，包括：

10.一種形成半導體封裝件的方法，包括：

技術總結
根據本公開實施例的半導體封裝件包括中介層以及安裝在中介層上的組件。組件包括第一管芯以及設置在第一管芯上方的具有遠離第一管芯的表面的第二管芯。第二管芯包括金屬焊盤。金屬焊盤的頂面與表面共面。金屬焊盤是電浮置的。本申請的實施例還涉及封裝結構、半導體封裝件及其形成方法。

技術研發人員：蔡昇翰,陳琮瑜,洪文興,陳彥蒲
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28