本發(fā)明屬于檢測領(lǐng)域，具體涉及一種探測器件和檢測方法。

背景技術(shù)：

1、x射線平板探測器背板產(chǎn)品(fpxd)可以應(yīng)用于醫(yī)療檢測，能夠?qū)⒋┩溉梭w的x射線轉(zhuǎn)化為可見光，再通過fpxd上的光電二極管將可見光轉(zhuǎn)化為電信號供影像系統(tǒng)處理，然后系統(tǒng)將電信號轉(zhuǎn)化為顯示的醫(yī)療圖像。其中，在面板的制造過程中，會產(chǎn)生各種不良，需要對面板的性能參數(shù)進行檢測。傳統(tǒng)的x射線平板探測器背板產(chǎn)品(fpxd)vbias(偏壓信號)貫穿整個面板，當給vbias光電二極管加載電壓后全屏的像素均加電，在檢測過程中，當測試面板的顯示區(qū)域某一位置的薄膜晶體管(tft)特性時，由于vbias全屏貫通，因此，無法進行特定位置單個tft的測試，僅能進行某一列多個tft并聯(lián)特性測試，難以對單個tft的特性進行分析檢測。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實施例的目的是提供一種探測器件和檢測方法，用以解決面板中難以對單個tft的特性進行分析檢測的問題。

2、第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種探測器件，包括：

3、襯底基板；

4、薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置于所述襯底基板上，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極與有源層，所述柵極的表面覆蓋有柵極絕緣層，所述源極與所述漏極和所述有源層連接；

5、第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置于所述薄膜晶體管遠離所述襯底基板的一側(cè)；

6、光電二極管，所述光電二極管設(shè)置于所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述光電二極管通過所述第一絕緣層上的第一過孔與所述漏極電連接；

7、第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置于所述光電二極管遠離所述襯底基板的一側(cè)；

8、第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層設(shè)置于所述第二絕緣層遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述第一導(dǎo)電層通過所述第二絕緣層上的第二過孔與所述光電二極管電連接；

9、第三絕緣層，所述第三絕緣層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述第三絕緣層遠離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過所述第三絕緣層上的第三過孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。

10、可選地，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第三絕緣層上的第三過孔的孔壁接觸設(shè)置。

11、可選地，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的部分設(shè)置在所述第二絕緣層上的第二過孔中。

12、可選地，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影與所述光電二極管在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。

13、可選地，所述光電二極管遠離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)有第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層覆蓋所述光電二極管，所述第一導(dǎo)電層與所述光電二極管通過所述第二導(dǎo)電層電連接。

14、可選地，所述器件還包括：

15、緩沖層，所述緩沖層設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述緩沖層覆蓋所述漏極與所述第二導(dǎo)電層，所述緩沖層上設(shè)有第四過孔，所述第一導(dǎo)電層通過所述第四過孔與所述第二導(dǎo)電層電連接。

16、可選地，所述器件還包括：

17、平坦層，所述平坦層設(shè)置于所述緩沖層與所述第二絕緣層之間。

18、可選地，所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)有第一連接層，所述第一連接層通過所述第一絕緣層上的第一過孔與所述漏極電連接，所述光電二極管與所述第一連接層電連接。

19、第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種探測器件的檢測方法，應(yīng)用于上述實施例中所述的探測器件，包括：

20、在柵極加載電壓進行掃描，并通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在漏極加載電壓，在源極進行電流檢測。

21、可選地，加載在柵極的電壓為-20～20v，加載在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電壓為1-7v。

22、第三方面，本發(fā)明實施例提供了一種檢測面板，包括：

23、上述實施例中所述的器件。

24、第四方面，本發(fā)明實施例提供了一種檢測裝置，包括：

25、上述實施例中所述的檢測面板。

26、本發(fā)明實施例的探測器件中，薄膜晶體管設(shè)置于所述襯底基板上，所述第一絕緣層設(shè)置于所述薄膜晶體管遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述光電二極管設(shè)置于所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述光電二極管通過所述第一絕緣層上的第一過孔與所述漏極電連接；所述第二絕緣層設(shè)置于所述光電二極管遠離所述襯底基板的一側(cè)；所述第一導(dǎo)電層設(shè)置于所述第二絕緣層遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述第一導(dǎo)電層通過所述第二絕緣層上的第二過孔與所述光電二極管電連接；所述第三絕緣層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述第三絕緣層遠離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過所述第三絕緣層上的第三過孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。通過在第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置光電二極管，光電二極管通過絕緣層上的過孔以及第一導(dǎo)電層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接，在進行tft測試過程中，可以通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)對單獨的某個tft進行測試，能夠具體地分析檢測單獨的tft，能夠有效識別tft的特性，有利于檢測面板的不良，提高檢測分析效率。

技術(shù)特征：

1.一種探測器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述第三絕緣層上的第三過孔的孔壁接觸設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的部分設(shè)置在所述第二絕緣層上的第二過孔中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影與所述光電二極管在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述光電二極管遠離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)有第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層覆蓋所述光電二極管，所述第一導(dǎo)電層與所述光電二極管通過所述第二導(dǎo)電層電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其特征在于，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其特征在于，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)有第一連接層，所述第一連接層通過所述第一絕緣層上的第一過孔與所述漏極電連接，所述光電二極管與所述第一連接層電連接。

9.一種探測器件的檢測方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1-8中任一項所述的探測器件，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測方法，其特征在于，加載在柵極的電壓為-20～20v，加載在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電壓為1-7v。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種探測器件和檢測方法，器件包括：襯底基板；薄膜晶體管設(shè)置于襯底基板上，第一絕緣層設(shè)于薄膜晶體管遠離襯底基板的一側(cè)；光電二極管設(shè)于第一絕緣層遠離襯底基板的一側(cè)，光電二極管通過第一絕緣層上的第一過孔與漏極電連接；第二絕緣層設(shè)于光電二極管遠離襯底基板的一側(cè)；第一導(dǎo)電層設(shè)于第二絕緣層遠離襯底基板的一側(cè)，第一導(dǎo)電層通過第二絕緣層上的第二過孔與光電二極管電連接；第三絕緣層設(shè)于第一導(dǎo)電層遠離襯底基板的一側(cè)，第三絕緣層遠離襯底基板的一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過第三絕緣層上的第三過孔與第一導(dǎo)電層電連接。通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可對單個TFT測試，能有效識別TFT特性，有利于檢測面板的不良。

技術(shù)研發(fā)人員：孫琦,明振興,薛靜,尹巖巖,駱超越,楊樨,陳偉,王智勇,李鑫,檀曉軻
受保護的技術(shù)使用者：京東方科技集團股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/24