本發(fā)明涉及電容制造領(lǐng)域，尤其涉及一種精密薄膜電容器制造加工方法、裝置、設(shè)備以及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、薄膜電容器主要應(yīng)用于電子、家電、通訊、電力、電氣化鐵路、混合動力汽車、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電等多個行業(yè)，這些行業(yè)的穩(wěn)定發(fā)展，推動了薄膜電容器市場的增長。隨著技術(shù)水平的發(fā)展，電子、家電、通訊等多個行業(yè)更新?lián)Q代周期越來越短，而薄膜電容器憑借其良好的電工性能和高可靠性，成為推動上述行業(yè)更新?lián)Q代不可缺少的電子元件。

2、但薄膜電容器在應(yīng)用過程中，會出現(xiàn)電容噪音大、電容發(fā)熱鼓包開路失效等問題，對電容器的壽命和可靠性形成挑戰(zhàn)。因此，如何制造出噪音小且耐溫性好的電容是亟待解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明通過提供一種精密薄膜電容器制造加工方法、裝置、設(shè)備以及介質(zhì)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中電容噪音大，耐溫性不強的技術(shù)問題，實現(xiàn)了制造出噪音小且耐溫性好的電容的技術(shù)效果。

2、第一方面，本發(fā)明提供了一種精密薄膜電容器制造加工方法，方法包括：

3、基于等離子放電，對基膜的蒸鍍面進行等離子處理，得到金屬化膜；

4、確定金屬化膜的寬度以及金屬串?dāng)?shù)量，以及在金屬化膜的寬度和金屬串?dāng)?shù)量下對應(yīng)的邊鍍層寬度偏差以及對應(yīng)的中鍍層寬度偏差，并進行蒸鍍，得到覆蓋金屬層的金屬化膜；

5、按照預(yù)設(shè)切割方式，對金屬化膜進行切割，其中，預(yù)設(shè)切割方式包括直切、單邊波浪切割以及雙邊波浪切割；

6、按照預(yù)設(shè)步驟對金屬化膜處理，得到精密薄膜電容器，其中，預(yù)設(shè)步驟包括：卷繞、熱壓、噴金、焊接以及封裝。

7、進一步地，確定金屬化膜的寬度以及金屬串?dāng)?shù)量，以及在金屬化膜的寬度和金屬串?dāng)?shù)量下對應(yīng)的邊鍍層寬度偏差以及對應(yīng)的中鍍層寬度偏差，包括：

8、當(dāng)金屬化膜的寬度≤14.5mm，且金屬串?dāng)?shù)量的數(shù)量為奇數(shù)時，邊鍍層寬度偏差以及中鍍層寬度偏差均為±0.15mm；

9、當(dāng)金屬化膜的寬度≤14.5mm，且金屬串?dāng)?shù)量的數(shù)量為偶數(shù)時，邊鍍層寬度偏差為±0.30mm，中鍍層寬度偏差為±0.15mm；

10、當(dāng)金屬化膜的寬度＞14.5mm且≤38mm時，金屬串?dāng)?shù)量的數(shù)量為奇數(shù)時，邊鍍層寬度偏差以及中鍍層寬度偏差均為±0.20mm；

11、當(dāng)金屬化膜的寬度＞14.5mm且≤38mm時，金屬串?dāng)?shù)量的數(shù)量為偶數(shù)時，邊鍍層寬度偏差為±0.40mm，中鍍層寬度偏差為±0.20mm；

12、當(dāng)金屬化膜的寬度＞38mm時，且金屬串?dāng)?shù)量的數(shù)量為奇數(shù)時，邊鍍層寬度偏差為±0.30mm，中鍍層寬度偏差為±0.20mm；

13、當(dāng)金屬化膜的寬度＞38mm時，且金屬串?dāng)?shù)量的數(shù)量為偶數(shù)時，邊鍍層寬度偏差為±0.60mm，中鍍層寬度偏差為±0.20mm。

14、進一步地，按照預(yù)設(shè)切割方式，對金屬化膜進行切割，包括：

15、按照各預(yù)設(shè)切割方式的形狀要求以及尺寸偏差，對金屬化膜進行切割。

16、進一步地，在卷繞步驟中，包括：

17、當(dāng)預(yù)設(shè)切割方式為直切，卷繞芯子的腳距≤27.5mm時，控制卷繞芯子的錯邊范圍在0.5mm±0.2mm之內(nèi)；

18、當(dāng)預(yù)設(shè)切割方式為波浪切，卷繞芯子的腳距≤27.5mm時，控制卷繞芯子的錯邊范圍在0.55mm±0.2mm之內(nèi)；

19、當(dāng)預(yù)設(shè)切割方式為直切，卷繞芯子的腳距＞27.5mm時，控制卷繞芯子的錯邊范圍在0.5mm±0.2mm之內(nèi)；

20、當(dāng)預(yù)設(shè)切割方式為波浪切，卷繞芯子的腳距＞27.5mm時，控制卷繞芯子的錯邊范圍在0.65mm±0.2mm之內(nèi)。

21、進一步地，在熱壓步驟中，包括：

22、熱壓溫度在125℃±5℃內(nèi)；

23、熱壓時間在360s±30s內(nèi)；

24、熱壓機的類型為大熱壓機，其中，芯子的支數(shù)為1247支，大熱壓機提供的壓強在6.3mpa±0.1mpa。

25、進一步地，在噴金步驟中，包括：

26、采用的合金中錫含量＞60％。

27、進一步地，在焊接步驟中，包括：

28、焊接電源采用數(shù)字逆變電源，并采用無阻氣缸提供壓力。

29、第二方面，本發(fā)明提供了一種精密薄膜電容器制造加工裝置，裝置包括：

30、放電處理模塊，用于基于等離子放電，對基膜的蒸鍍面進行等離子處理，得到金屬化膜；

31、蒸鍍模塊，用于確定金屬化膜的寬度以及金屬串?dāng)?shù)量，以及在金屬化膜的寬度和金屬串?dāng)?shù)量下對應(yīng)的邊鍍層寬度偏差以及對應(yīng)的中鍍層寬度偏差，并進行蒸鍍，得到覆蓋金屬層的金屬化膜；

32、切割模塊，用于按照預(yù)設(shè)切割方式，對金屬化膜進行切割，其中，預(yù)設(shè)切割方式包括直切、單邊波浪切割以及雙邊波浪切割；

33、容器獲取模塊，用于按照預(yù)設(shè)步驟對金屬化膜處理，得到精密薄膜電容器，其中，預(yù)設(shè)步驟包括：卷繞、熱壓、噴金、焊接以及封裝。

34、第三方面，本發(fā)明提供了一種電子設(shè)備，包括：

35、處理器；

36、用于存儲處理器可執(zhí)行指令的存儲器；

37、其中，處理器被配置為執(zhí)行以實現(xiàn)如第一方面提供的一種精密薄膜電容器制造加工方法。

38、第四方面，本發(fā)明提供了一種非臨時性計算機可讀存儲介質(zhì)，當(dāng)存儲介質(zhì)中的指令由電子設(shè)備的處理器執(zhí)行時，使得電子設(shè)備能夠執(zhí)行實現(xiàn)如第一方面提供的一種精密薄膜電容器制造加工方法。

39、本發(fā)明中提供的一個或多個技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點：

40、本發(fā)明提供了一種精密薄膜電容器制造加工方法，包括：基于等離子放電，對基膜的蒸鍍面進行等離子處理，得到金屬化膜；確定金屬化膜的寬度以及金屬串?dāng)?shù)量，以及在金屬化膜的寬度和金屬串?dāng)?shù)量下對應(yīng)的邊鍍層寬度偏差以及對應(yīng)的中鍍層寬度偏差，并進行蒸鍍，得到覆蓋金屬層的金屬化膜；按照預(yù)設(shè)切割方式，對金屬化膜進行切割，其中，預(yù)設(shè)切割方式包括直切、單邊波浪切割以及雙邊波浪切割；按照預(yù)設(shè)步驟對金屬化膜處理，得到精密薄膜電容器，其中，預(yù)設(shè)步驟包括：卷繞、熱壓、噴金、焊接以及封裝。基于本發(fā)明提供的方法所制作的電容可以具備較好的耐溫性，以及電容的噪音較低。

技術(shù)特征：

1.一種精密薄膜電容器制造加工方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如權(quán)利要求1所述的一種精密薄膜電容器制造加工方法，其特征在于，確定所述金屬化膜的寬度以及金屬串?dāng)?shù)量，以及在所述金屬化膜的寬度和金屬串?dāng)?shù)量下對應(yīng)的邊鍍層寬度偏差以及對應(yīng)的中鍍層寬度偏差，包括：

3.如權(quán)利要求1所述的一種精密薄膜電容器制造加工方法，其特征在于，按照預(yù)設(shè)切割方式，對所述金屬化膜進行切割，包括：

4.如權(quán)利要求1所述的一種精密薄膜電容器制造加工方法，其特征在于，在卷繞步驟中，包括：

5.如權(quán)利要求1所述的一種精密薄膜電容器制造加工方法，其特征在于，在熱壓步驟中，包括：

6.如權(quán)利要求1所述的一種精密薄膜電容器制造加工方法，其特征在于，在噴金步驟中，包括：

7.如權(quán)利要求1所述的一種精密薄膜電容器制造加工方法，其特征在于，在焊接步驟中，包括：

8.一種精密薄膜電容器制造加工裝置，其特征在于，所述裝置包括：

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：

10.一種非臨時性計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，當(dāng)所述存儲介質(zhì)中的指令由電子設(shè)備的處理器執(zhí)行時，使得電子設(shè)備能夠執(zhí)行實現(xiàn)如權(quán)利要求1至7中任一項所述的一種精密薄膜電容器制造加工方法。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種精密薄膜電容器制造加工方法、裝置、設(shè)備以及介質(zhì)，包括：基于等離子放電，對基膜的蒸鍍面進行等離子處理；確定金屬化膜的寬度以及金屬串?dāng)?shù)量，以及在金屬化膜的寬度和金屬串?dāng)?shù)量下對應(yīng)的邊鍍層寬度偏差以及對應(yīng)的中鍍層寬度偏差，并進行蒸鍍，得到覆蓋金屬層的金屬化膜；按照預(yù)設(shè)切割方式，對金屬化膜進行切割，其中，預(yù)設(shè)切割方式包括直切、單邊波浪切割以及雙邊波浪切割；按照預(yù)設(shè)步驟對金屬化膜處理，得到精密薄膜電容器，其中，預(yù)設(shè)步驟包括：卷繞、熱壓、噴金、焊接以及封裝。本發(fā)明屬于電容制造領(lǐng)域。基于本發(fā)明提供的方法制造的電容可以具備良好的耐高溫以及噪音低的優(yōu)勢。

技術(shù)研發(fā)人員：徐清全,李學(xué)權(quán)
受保護的技術(shù)使用者：四川中星電子有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/24