本公開涉及一種基板結構及其制法，特別涉及一種可提升基板利用率的基板結構及其制法。

背景技術：

1、圖1a及圖1b分別為現有基板結構1的剖面示意圖及頂面示意圖。如圖1a所示，基板結構1包含核心層10、設于核心層10的相對兩側的第一增層結構13、設于第一增層結構13上的第二增層結構14以及設于第二增層結構14上的第三增層結構15。核心層10具有多個導電結構12，第一增層結構13具有第一介電層130及多個第一導電柱132，第二增層結構14具有第二介電層140及多個第二導電柱142，且第三增層結構15具有第三介電層150及多個第三導電柱152。

2、然而，導電結構12、第一導電柱132、第二導電柱142及第三導電柱152是以彼此錯位不重疊且以遞進方式設置于基板結構1的板邊b，導致板邊b需要預留一定寬度，進而令基板結構1的線路區a的數量受到限制。

3、因此，如何克服上述現有技術的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

技術實現思路

1、本公開提供一種基板結構，包括：核心層，具有多個導電結構；第一增層結構，設于該核心層上，并具有第一介電層及形成于該第一介電層中的多個第一導電柱；以及第二增層結構，設于該第一增層結構上，并具有第二介電層及形成于該第二介電層中的多個第二導電柱；其中，該第一導電柱與該導電結構彼此錯位，且該第二導電柱對應對準該導電結構并與該第一導電柱彼此錯位。

2、如前述的基板結構，還包括第三增層結構，該第三增層結構設于該第二增層結構上，并具有第三介電層及形成于該第三介電層中的多個第三導電柱。

3、如前述的基板結構，該第三導電柱對應對準該第一導電柱，并與該第二導電柱及該導電結構彼此錯位。

4、如前述的基板結構，該導電結構、該第一導電柱、該第二導電柱及該第三導電柱鄰近于該基板結構的板邊。

5、如前述的基板結構，該核心層具有相對的第一表面及第二表面，該第一增層結構形成于該第一表面及該第二表面上。

6、本公開還提供一種基板結構的制法，包括：提供一具有多個導電結構的核心層；于該核心層上形成第一增層結構，其中，該第一增層結構具有第一介電層及形成于該第一介電層中的多個第一導電柱；于該第一增層結構上形成第二增層結構，其中，該第二增層結構具有第二介電層及形成于該第二介電層中的多個第二導電柱；其中，該第一導電柱與該導電結構彼此錯位，且該第二導電柱對應對準該導電結構并與該第一導電柱彼此錯位。

7、如前述的基板結構的制法，還包括于該第二增層結構上形成第三增層結構，其中，該第三增層結構具有第三介電層及形成于該第三介電層中的多個第三導電柱。

8、如前述的基板結構的制法，該第三導電柱對應對準該第一導電柱，并與該第二導電柱及該導電結構彼此錯位。

9、如前述的基板結構的制法，該導電結構、該第一導電柱、該第二導電柱及該第三導電柱鄰近于該基板結構的板邊。

10、如前述的基板結構的制法，該核心層具有相對的第一表面及第二表面，該第一增層結構形成于該第一表面及該第二表面上。

11、綜上所述，本公開基板結構及其制法利用相鄰層的導電柱彼此錯位，且相間隔層的導電柱彼此對應對準的設計，可減小板邊的寬度，并提高基板利用率，在載板層數越多的情況下，基板利用率的差值將越大。

技術特征：

1.一種基板結構，包括：

2.如權利要求1所述的基板結構，其特征在于，該基板結構還包括第三增層結構，該第三增層結構設于該第二增層結構上，并具有第三介電層及形成于該第三介電層中的多個第三導電柱。

3.如權利要求2所述的基板結構，其特征在于，該第三導電柱對應對準該第一導電柱，并與該第二導電柱及該導電結構彼此錯位。

4.如權利要求2所述的基板結構，其特征在于，該導電結構、該第一導電柱、該第二導電柱及該第三導電柱鄰近于該基板結構的板邊。

5.如權利要求1所述的基板結構，其特征在于，該核心層具有相對的第一表面及第二表面，該第一增層結構形成于該第一表面及該第二表面上。

6.一種基板結構的制法，包括：

7.如權利要求6所述的基板結構的制法，其特征在于，該制法還包括于該第二增層結構上形成第三增層結構，其中，該第三增層結構具有第三介電層及形成于該第三介電層中的多個第三導電柱。

8.如權利要求7所述的基板結構的制法，其特征在于，該第三導電柱對應對準該第一導電柱，并與該第二導電柱及該導電結構彼此錯位。

9.如權利要求7所述的基板結構的制法，其特征在于，該導電結構、該第一導電柱、該第二導電柱及該第三導電柱鄰近于該基板結構的板邊。

10.如權利要求6所述的基板結構的制法，其特征在于，該核心層具有相對的第一表面及第二表面，該第一增層結構形成于該第一表面及該第二表面上。

技術總結
一種基板結構及其制法，包括：核心層，具有多個導電結構；第一增層結構，設于該核心層上，并具有多個第一導電柱；以及第二增層結構，設于該第一增層結構上，并具有多個第二導電柱；其中，該第一導電柱與該導電結構彼此錯位，且該第二導電柱對應對準該導電結構并與該第一導電柱彼此錯位。

技術研發人員：任義
受保護的技術使用者：芯愛科技（南京）有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28