本發明涉及晶圓刻蝕裝置，具體而言，涉及一種用于石英晶體晶圓雙面刻蝕的真空裝置及傳送機構。

背景技術：

1、在半導體制造領域，石英晶體晶圓的加工技術是至關重要的。石英晶體因其優異的物理和化學穩定性，被廣泛應用于制造高頻振蕩器、濾波器、傳感器等電子元件。為了滿足日益增長的高性能電子設備需求，對石英晶體晶圓的加工精度和效率提出了更高的要求。

2、傳統的石英晶體晶圓加工方法主要采用單面刻蝕技術，但隨著技術的發展，雙面刻蝕技術因其能夠同時對晶圓的兩面進行加工，顯著提高了生產效率和晶圓加工的一致性，因此受到了越來越多的關注。然而，現有技術中的加工后的晶圓經常出現破損，刻蝕精度低。

3、因此，有必要提供一種用于石英晶體晶圓雙面刻蝕的真空裝置及傳送機構用以解決現有技術中的加工后的晶圓經常出現破損，刻蝕精度低的問題。

技術實現思路

1、鑒于此，本發明提出了一種用于石英晶體晶圓雙面刻蝕的真空裝置及傳送機構，旨在解決現有技術中的加工后的晶圓經常出現破損，刻蝕精度低的問題。

2、本發明提出了一種用于石英晶體晶圓雙面刻蝕的真空裝置及傳送機構，包括：

3、真空裝置和傳送機構，所述傳送機構設置在所述真空裝置內；

4、其中，所述真空裝置包括刻蝕機本體、晶圓托架、第一進氣管、第二進氣管和抽真空模塊；所述晶圓托架設置在所述刻蝕機本體內，所述第一進氣管設置在所述刻蝕機本體內的頂部，所述第二進氣管設置在所述刻蝕機本體內的底部，所述抽真空模塊設置在所述刻蝕機本體上，所述抽真空模塊用于抽走所述刻蝕機本體內的等離子氣體或者揮發產物；

5、所述傳送機構包括伸縮豎桿、伸縮橫桿、支撐桿和真空吸盤；所述伸縮豎桿設置在所述刻蝕機本體內的頂部，所述伸縮橫桿的一端與所述伸縮豎桿遠離所述刻蝕機本體的一端連接，所述伸縮橫桿的另一端與所述支撐桿連接，所述支撐桿的底部設置有若干真空吸盤；

6、控制模塊，被配置為根據晶圓厚度控制所述伸縮豎桿放置晶圓時的降速。

7、進一步的，所述控制模塊被配置為根據晶圓厚度控制所述伸縮豎桿放置晶圓時的降速時，包括：

8、采集晶圓厚度信息，根據所述晶圓厚度信息判斷是否對所述伸縮豎桿的降速起始時間進行調整；

9、若判斷為調整，根據所述晶圓厚度信息調整所述伸縮豎桿降速起始時間。

10、進一步的，所述根據所述晶圓厚度信息判斷是否對所述伸縮豎桿的降速起始時間進行調整，若判斷為調整，根據所述晶圓厚度信息調整所述伸縮豎桿降速起始時間時，包括：

11、設置晶圓厚度最大值，若所述晶圓厚度信息小于所述晶圓厚度最大值，則判斷不對所述伸縮豎桿的降速起始時間進行調整，若所述晶圓厚度信息大于或等于所述晶圓厚度最大值，則判斷對所述伸縮豎桿的降速起始時間進行調整，計算所述晶圓厚度信息與晶圓厚度最大值的差值，設置第一差值和第二差值，所述第一差值小于所述第二差值；

12、若所述差值小于或等于所述第一差值，則通過第一調節系數對所述伸縮豎桿的降速起始時間進行調整；

13、若所述差值大于所述第一差值，且小于或等于所述第二差值，則通過第二調節系數對所述伸縮豎桿的降速起始時間進行調整；

14、若所述差值大于所述第二差值，則通過第三調節系數對所述伸縮豎桿的降速起始時間進行調整；

15、其中，調節系數的取值范圍為1＞第一調節系數＞第二調節系數＞0，調整后的所述伸縮豎桿的降速起始時間為調整前的所述伸縮豎桿的降速起始時間與所述調節系數的乘積。

16、進一步的，所述真空裝置還包括：

17、溫度控制器，設置在所述刻蝕機本體內的下部，所述溫度控制器還位于所述托架形成的空腔內；

18、所述溫度控制器用于控制所述刻蝕機本體內的溫度。

19、進一步的，所述溫度控制器用于控制所述刻蝕機本體內的溫度時，包括：

20、采集溫度信息和溫度變化信息，根據所述溫度信息判斷是否對所述刻蝕機本體內的溫度進行調整；

21、若判斷為調整，根據所述溫度變化信息對所述刻蝕機本體內溫度進行調整。

22、進一步的，所述根據所述溫度信息判斷是否對所述刻蝕機本體內的溫度進行調整，若判斷為調整，根據所述溫度變化信息對所述刻蝕機本體內溫度進行調整時，包括：

23、設置溫度最大值，若所述溫度信息小于所述溫度最大值，則判斷不需要對所述刻蝕機本體內的溫度進行調整；

24、若所述溫度信息大于或等于所述溫度最大值，則判斷需要對所述刻蝕機本體內的溫度進行調整；

25、設置采集時長，計算所述采集時長的平均單位時間溫度變化信息，通過下式根據所述溫度信息和平均單位時間溫度變化信息計算調節指數：

26、i＝(w-wy)/wy+k；

27、上式中，i表示調節指數，w表示溫度信息，wy表示溫度最大值，k表示平均單位時間溫度變化信息影響系數，其中，k的取值范圍為(0,1)；

28、預先設置第一調節指數和第二調節指數，其中，所述第一調節指數小于所述第二調節指數；

29、若所述調節指數小于所述第一調節指數，則通過第一調整系數對所述溫度控制器的輸出溫度進行調整；

30、若所述調節指數大于或等于所述第一調節指數，且小于或等于所述第二調節指數，則通過第二調整系數對所述溫度控制器的輸出溫度進行調整；

31、若所述調節指數大于所述第二調節指數，則通過第三調整系數對所述溫度控制器的輸出溫度進行調整；

32、其中，調整系數的取值范圍為1＞第一調整系數＞第二調整系數＞0，調整后的所述溫度控制器的輸出溫度為調整前的所述溫度控制器的輸出溫度與所述調整系數的乘積。

33、進一步的，所述真空裝置還包括：

34、第一勻氣板，水平設置在所述晶圓托架的上部，所述第一勻氣板的外側壁與所述刻蝕機本體的內側壁連接；

35、第二勻氣板，水平設置在所述晶圓托架的下部，所述第二勻氣板的外側壁固定在所述晶圓托架上。

36、進一步的，所述真空裝置還包括：

37、限位組件，至少設置有兩個，所述限位組件設置在所述晶圓托架與所述刻蝕機本體之間，所述限位組件一端與所述刻蝕機本體連接，所述限位組件的另一端與所述晶圓托架的頂部固定。

38、進一步的，所述限位組件包括：

39、托板，一側與所述刻蝕機本體內側壁連接，所述托板遠離所述刻蝕機本體的一側與所述晶圓托架的頂部連接；

40、氣缸，靠近所述刻蝕機本體并固定在托板上部；

41、卡件，固定在所述氣缸遠離所述刻蝕機本體的一端，所述卡件用于固定晶圓。

42、進一步的，所述卡件包括：

43、豎桿，與所述氣缸的輸出端垂直設置，所述豎桿的下部與所述托板上部相抵接；

44、橫桿，設置若干個，依次水平設置在所述豎桿遠離所述氣缸的一側，且所述橫桿由下到上依次增長。

45、與現有技術相比，本發明的有益效果在于：本發明的真空裝置通過合理布局的第一進氣管、第二進氣管和抽真空模塊，能夠精確控制刻蝕過程中氣體的流動和抽取，保證等離子氣體和揮發產物的有效排除，從而確保刻蝕環境的穩定性和刻蝕質量的均勻性。其次，傳送機構中的伸縮豎桿和伸縮橫桿相結合，使得晶圓的精準傳送得以實現。伸縮橫桿的設計能夠根據不同需求靈活調節位置，配合支撐桿和真空吸盤系統，確保晶圓在轉移過程中保持穩定，避免了晶圓的損傷或位移。特別是控制模塊的引入，能夠根據晶圓的厚度調節伸縮豎桿的降速，防止在晶圓放置過程中由于過快的速度導致刻蝕不均或晶圓破損。整體系統的智能控制和精確調節，使得該裝置在提高刻蝕精度的同時，也提升了設備的可靠性和自動化水平，適應了高精度制造需求，具備了良好的工業應用前景。