技術特征：

1.一種優化邊緣工藝的晶圓承載機構，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的優化邊緣工藝的晶圓承載機構，其特征在于，自上而下，所述邊緣環（20）的內環由過渡斜面（21）、水平平面和豎直平面（22）構成，所述水平平面串連所述過渡斜面（21）和所述豎直平面（22）；

3.根據權利要求2所述的優化邊緣工藝的晶圓承載機構，其特征在于，所述豎直平面（22）靠近所述第二氣流通道（10b）的底部設有氣室（23）；

4.根據權利要求1所述的優化邊緣工藝的晶圓承載機構，其特征在于，所述邊緣環（20）上設有排氣通道（20a），所述排氣通道（20a）的一端連通所述氣體作業通道、另一端貫穿所述邊緣環（20）的外壁；

5.根據權利要求1-4任一項所述的優化邊緣工藝的晶圓承載機構，其特征在于，所述載具（10）包括金屬基座和陶瓷層，所述陶瓷層覆蓋于所述金屬基座頂部，所述陶瓷層用于接觸晶圓；

6.一種刻蝕裝置，其特征在于，包括權利要求1-5任一項所述的優化邊緣工藝的晶圓承載機構，還包括：

7.根據權利要求6所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述載具（10）中設有第一氣流通道（10a）、第二氣流通道（10b）和第三氣流通道；

8.一種刻蝕方法，其特征在于，通過權利要求7所述的刻蝕裝置實現，包括以下步驟：

9.根據權利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，所述第三傳感器監測到背氦壓力3≤p＜5torr時，將所述第一氣流通道（10a）的氦氣流量調整為1sccm；

10.根據權利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，工藝氣體為氟基氣體；

技術總結
本申請公開了一種優化邊緣工藝的晶圓承載機構、刻蝕裝置及刻蝕方法，晶圓承載機構包括載具和邊緣環，載具包括安裝部和承托部，邊緣環與承托部之間具有氣體作業通道，載具中設有第一氣流通道和第二氣流通道，氣體作業通道配合第一氣流通道和第二氣流通道，氦氣能夠對晶圓的邊緣溫度進行控制，氬氣能夠有效防止晶圓背面異化，從而優化邊緣工藝，提升整體工藝水平。刻蝕裝置包括晶圓承載機構、藝腔、射頻電源、供氣設備和分子泵，各部件協同工作，為刻蝕反應提供了穩定的環境。刻蝕方法通過上述刻蝕裝置實現，優化的工藝控制使得刻蝕過程更加穩定、可控，有助于提高生產效率，降低生產成本，滿足不同芯片制造工藝的需求。

技術研發人員：韓超然,范雄,唐璐,王兆豐
受保護的技術使用者：無錫尚積半導體科技股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24