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一種帶有降壓互補結構的主功率電路的制作方法

文檔序號:41754760發布日期:2025-04-29 18:23閱讀:3來源:國知局
一種帶有降壓互補結構的主功率電路的制作方法

本技術涉及功率電路,尤其涉及一種帶有降壓互補結構的主功率電路。


背景技術:

1、逆變器中一般包括mcu控制模塊、驅動模塊、主功率模塊和降壓模塊,其工作原理主要利用主功率模塊的開關特性引入輸入電壓,輸入電壓再經過降壓模塊得到所需要的電壓,主功率模塊的開關特性通過驅動模塊提供控制信號,而驅動模塊則受mcu控制模塊指令控制。

2、目前,現有的逆變器中的主功率模塊往往只有一個或者一組開關電路,該開關電路只受一個控制信號的高電平控制,在控制信號處于低電平時,主功率模塊失去作用,無法為降壓模塊提供輸入電壓,導致產品的輸出功率低。若為了增加輸出功率而將控制信號的頻率調高,則會導致各元器件發熱嚴重,存在損壞風險,產品的可靠性低。


技術實現思路

1、本實用新型的目的在于:針對上述存在的問題,提供一種帶有降壓互補結構的主功率電路,該電路通過設置兩個并接的功率模塊,利用兩個互補的控制信號對分別對兩個功率模塊進行控制,在其中一個功率模塊停止工作時令另一個功率模塊工作,起到互補作用,讓后續降壓模塊能接受高頻的輸入電壓,從而使輸出功率大大增加,且功率電路工作在低頻控制信號的情況下即可獲得高功率輸出,不會導致元器件過度升溫,提高了電路的可靠性。

2、為了實現上述實用新型目的,本實用新型采用的技術方案如下:

3、根據本發實用新型的一個方面,提供了一種帶有降壓互補結構的主功率電路,包括第一功率模塊、第二功率模塊和輸出模塊;

4、所述第一功率模塊的控制端連接第一控制信號,所述第二功率模塊的控制端連接第二控制信號;

5、所述第一功率模塊的輸出端與所述第二功率模塊的輸出端相連后與所述輸出模塊連接。

6、優選的,所述第一功率模塊包括第一開關單元、第一偏置單元和第一輸出單元,所述第一開關單元的控制端連接第一控制信號,所述第一開關單元的輸入端連接輸入電壓,所述第一開關單元的輸出端與所述第一偏置單元連接,所述第一輸出單元與所述第一開關單元的輸出端連接。

7、優選的,所述第一開關單元包括第一場效應晶體管,所述第一場效應晶體管的柵極與所述第一控制信號連接,所述第一場效應晶體管的漏極連接輸入電壓,所述第一場效應晶體管的源極與所述第一偏置單元連接,所述第一輸出單元與所述第一場效應晶體管的源極連接。

8、優選的,所述第一偏置單元包括第一肖特基二極管,所述第一肖特基二極管的負極與所述第一場效應晶體管的源極連接,所述第一肖特基二極管的正極接地。

9、優選的,所述第一輸出單元包括第一電感器,所述第一電感器的一端與所述第一場效應晶體管的源極連接,所述第一電感器的另一端分別與所述第二功率模塊和所述輸出模塊連接。

10、優選的,所述第二功率模塊包括第二開關單元、第二偏置單元和第二輸出單元,所述第二開關單元的控制端連接第二控制信號,所述第二開關單元的輸入端連接輸入電壓,所述第二開關單元的輸出端與所述第二偏置單元連接,所述第二輸出單元與所述第二開關單元的輸出端連接。

11、優選的,所述第二開關單元包括第二場效應晶體管,所述第二場效應晶體管的柵極與所述第二控制信號連接,所述第二場效應晶體管的漏極連接輸入電壓,所述第二場效應晶體管的源極與所述第二偏置單元連接。

12、優選的,所述第二偏置單元包括第二肖特基二極管,所述第二肖特基二極管的負極與所述第二場效應晶體管的源極連接,所述第二肖特基二極管的正極接地。

13、優選的,所述第二輸出單元包括第二電感器,所述第二電感器的一端與所述第二場效應晶體管的源極連接,所述第二電感器的另一端分別與所述第一電感器連接。

14、優選的,所述輸出模塊包括電阻和電容,所述電阻和所述電容并聯連接后與所述第一電感器連接。

15、綜上所述,由于采用了上述技術方案,本實用新型的有益效果是:

16、本實用新型通過設置兩個并接的功率模塊,利用兩個互補的控制信號對分別對兩個功率模塊進行控制,在其中一個功率模塊停止工作時令另一個功率模塊工作,起到互補作用,讓后續降壓模塊能接受高頻的輸入電壓,從而使輸出功率大大增加,且功率電路工作在低頻控制信號的情況下即可獲得高功率輸出,不會導致元器件過度升溫,提高了電路的可靠性。



技術特征:

1.一種帶有降壓互補結構的主功率電路,其特征在于,包括第一功率模塊、第二功率模塊和輸出模塊;

2.根據權利要求1所述的一種帶有降壓互補結構的主功率電路,其特征在于:所述第一功率模塊包括第一開關單元、第一偏置單元和第一輸出單元,所述第一開關單元的控制端連接第一控制信號,所述第一開關單元的輸入端連接輸入電壓,所述第一開關單元的輸出端與所述第一偏置單元連接,所述第一輸出單元與所述第一開關單元的輸出端連接。

3.根據權利要求2所述的一種帶有降壓互補結構的主功率電路,其特征在于:所述第一開關單元包括第一場效應晶體管,所述第一場效應晶體管的柵極與所述第一控制信號連接,所述第一場效應晶體管的漏極連接輸入電壓,所述第一場效應晶體管的源極與所述第一偏置單元連接,所述第一輸出單元與所述第一場效應晶體管的源極連接。

4.根據權利要求3所述的一種帶有降壓互補結構的主功率電路,其特征在于:所述第一偏置單元包括第一肖特基二極管,所述第一肖特基二極管的負極與所述第一場效應晶體管的源極連接,所述第一肖特基二極管的正極接地。

5.根據權利要求3所述的一種帶有降壓互補結構的主功率電路,其特征在于:所述第一輸出單元包括第一電感器,所述第一電感器的一端與所述第一場效應晶體管的源極連接,所述第一電感器的另一端分別與所述第二功率模塊和所述輸出模塊連接。

6.根據權利要求5所述的一種帶有降壓互補結構的主功率電路,其特征在于:所述第二功率模塊包括第二開關單元、第二偏置單元和第二輸出單元,所述第二開關單元的控制端連接第二控制信號,所述第二開關單元的輸入端連接輸入電壓,所述第二開關單元的輸出端與所述第二偏置單元連接,所述第二輸出單元與所述第二開關單元的輸出端連接。

7.根據權利要求6所述的一種帶有降壓互補結構的主功率電路,其特征在于:所述第二開關單元包括第二場效應晶體管,所述第二場效應晶體管的柵極與所述第二控制信號連接,所述第二場效應晶體管的漏極連接輸入電壓,所述第二場效應晶體管的源極與所述第二偏置單元連接。

8.根據權利要求7所述的一種帶有降壓互補結構的主功率電路,其特征在于:所述第二偏置單元包括第二肖特基二極管,所述第二肖特基二極管的負極與所述第二場效應晶體管的源極連接,所述第二肖特基二極管的正極接地。

9.根據權利要求8所述的一種帶有降壓互補結構的主功率電路,其特征在于:所述第二輸出單元包括第二電感器,所述第二電感器的一端與所述第二場效應晶體管的源極連接,所述第二電感器的另一端分別與所述第一電感器連接。

10.根據權利要求5所述的一種帶有降壓互補結構的主功率電路,其特征在于:所述輸出模塊包括電阻和電容,所述電阻和所述電容并聯連接后與所述第一電感器連接。


技術總結
本技術公開了一種帶有降壓互補結構的主功率電路,包括第一功率模塊、第二功率模塊和輸出模塊,第一功率模塊的控制端連接第一控制信號,第二功率模塊的控制端連接第二控制信號,第一功率模塊的輸出端與第二功率模塊的輸出端連接,輸出模塊與所述第一功率模塊的輸出端連接。本技術通過設置兩個并接的功率模塊,利用兩個互補的控制信號對分別對兩個功率模塊進行控制,在其中一個功率模塊停止工作時令另一個功率模塊工作,起到互補作用,讓后續降壓模塊能接受高頻的輸入電壓,從而使輸出功率大大增加,且功率電路工作在低頻控制信號的情況下即可獲得高功率輸出,不會導致元器件過度升溫,提高了電路的可靠性。

技術研發人員:陳獻曉,劉智君
受保護的技術使用者:嘉興索羅威新能源有限公司
技術研發日:20240718
技術公布日:2025/4/28
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