本發明涉及一種半導體裝置，且特別是涉及一種存儲器裝置。

背景技術：

1、隨著電子裝置的尺寸不斷縮小且使用者對于電子裝置的性能的要求不斷提升，如何使電子裝置在維持既有的水平面積的前提下使其包括更多的元件，或是在維持既有的元件數量的前提下使其具有小的水平面積，為本領域技術人員亟欲努力的目標之一。然而，不管是上述哪一種情況，都會顯著地增加互連線的密度(尤其是最靠近元件的互連線的密度)，如此就會需要更為精細的線寬。

2、在目前的制作工藝中，常使用曝光波長小的極紫外光(extreme?ultraviolet，euv)作為曝光機臺的光源，如此可通過縮小曝光光源的波長的手段來實現具有小線寬的互連線。然而，采用euv的光刻制作工藝(lithography?process)不僅昂貴且耗能，且在電子裝置的尺寸不斷縮小的前提下，采用euv的光刻制作工藝在未來仍會面臨無法制作出符合當時所期待的尺寸。因此，本領域技術人員仍持續尋找除了縮小曝光光源的波長以外的方法。

技術實現思路

1、本發明提供一種存儲器裝置，其通過將包括第二配線層的第三互連結構設置在基底的背側上，使得第一元件和第二元件除了包括通過基底前側的第一配線層的第一電連接路徑，其還包括了通過基底背側的第二配線層的第二電連接路徑。也就是說，晶圓前側的配線區域中的一些配線能夠移到晶圓的背側，故能夠顯著地降低形成于晶圓前側的互連線的密度。如此一來，存儲器裝置在維持既有的水平面積的前提下可包括更多的元件，并且能夠放寬設計規則(design?rules)，進而讓精細線寬的互連線為選擇性地設計。

2、本發明一實施例提供一種存儲器裝置，其包括基底、第一互連結構、第二互連結構以及第三互連結構。基底包括彼此相對的第一表面和第二表面。第一互連結構設置在基底的第一表面上。第一元件和第二元件設置在基底和/或第一互連結構中，其中第一互連結構包括配置為最鄰近第一元件和第二元件的多個第一配線層。第二互連結構設置在第一互連結構上。第三互連結構設置在基底的第二表面上且包括配置為最鄰近第一元件和第二元件的多個第二配線層。第一元件和第二元件各自包括通過第一配線層的第一電連接路徑以及通過第二配線層的第二電連接路徑。

3、在本發明的一實施例中，基底包括胞元區以及鄰接胞元區的周邊區，第一元件和/或第二元件設置在周邊區中且通過第一電連接路徑和/或第二電連接路徑與胞元區中的存儲器陣列電連接。

4、在本發明的一實施例中，第一元件和/或第二元件包括感測放大器或字線驅動器。

5、在本發明的一實施例中，第一元件通過第一電連接路徑和/或第二電連接路徑連接至所述第二元件。

6、在本發明的一實施例中，第三互連結構包括穿過基底并接觸第一元件和/或第二元件的第一通孔。

7、在本發明的一實施例中，第三互連結構包括穿過基底和第一互連結構并接觸第一配線層的第二通孔。

8、本發明一實施例提供一種存儲器裝置，其包括第一晶圓以及堆疊于第一晶圓上的第二晶圓。第一晶圓包括第一基底、第一前側互連結構、多個第一元件、第二前側互連結構以及第一背側互連結構。第一基底包括彼此相對的前側表面和背側表面。第一前側互連結構設置在第一基底的前側表面上。第一元件設置在第一基底和/或第一前側互連結構中，其中第一前側互連結構包括配置為最鄰近第一元件的多個第一配線層。第二前側互連結構設置在第一前側互連結構上。第一背側互連結構設置在第一基底的背側表面上且包括配置為最鄰近第一元件的多個第二配線層。各第一元件包括通過第一配線層的第一前側電連接路徑以及通過第二配線層的第一背側電連接路徑。第二晶圓包括第二基底、第三前側互連結構、多個第二元件、第四前側互連結構以及第二背側互連結構。第二基底設置在第二前側互連結構上且包括彼此相對的前側表面和背側表面。第三前側互連結構設置在第二基底的前側表面上。第二元件設置在第二基底和/或第三前側互連結構中，其中第三前側互連結構包括配置為最鄰近第二元件的多個第三配線層。第四前側互連結構設置在第三前側互連結構上。第二背側互連結構設置在第二基底的背側表面上且包括配置為最鄰近第二元件的多個第四配線層。各第二元件包括通過第三配線層的第二前側電連接路徑以及通過第四配線層的第二背側電連接路徑。第二前側互連結構包括與第二背側電連接路徑連通的重布線層。

9、在本發明的一實施例中，重布線層與第一前側電連接路徑連通。

10、在本發明的一實施例中，第一背側互連結構和第二背側互連結構包括分別穿過第一基底和第二基底并分別接觸第一元件和第二元件的第一通孔。

11、在本發明的一實施例中，第一背側互連結構和第二背側互連結構包括分別穿過第一基底和第一前側互連結構以及穿過第二基底和第三前側互連結構并分別接觸第一配線層以及第三配線層的第二通孔。

12、在本發明的一實施例中，第二前側互連結構包括與第四配線層直接接觸的前側接墊。

13、在本發明的一實施例中，第二晶圓包括貫穿第三前側互連結構、第二基底及第二背側互連結構的貫穿通孔，且貫穿通孔接觸第四配線層中的一者。

14、基于上述，在上述實施例的存儲器裝置中，其通過將包括第二配線層的第三互連結構設置在基底的背側上，使得第一元件和第二元件除了包括基底前側的第一電連接路徑(通過第一配線層)，其還包括了基底背側的第二電連接路徑(通過第二配線層)。換句話說，原先設置于晶圓前側的配線區域中的一些配線被移到了晶圓的背側，故能夠顯著地降低形成于晶圓前側的互連線的密度。如此一來，存儲器裝置在維持既有的水平面積的前提下，能夠采用放寬的設計規則(例如具有高密度和精細線寬的互連線為選擇性的而非必要的)實現包括更多元件的設計。

技術特征：

1.一種存儲器裝置，包括：

2.如權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述基底包括胞元區以及鄰接所述胞元區的周邊區，所述第一元件和/或所述第二元件設置在所述周邊區中且通過所述第一電連接路徑和/或所述第二電連接路徑與所述胞元區中的存儲器陣列電連接。

3.如權利要求2所述的存儲器裝置，其中所述第一元件和/或所述第二元件包括感測放大器或字線驅動器。

4.如權利要求3所述的存儲器裝置，其中所述第一元件通過所述第一電連接路徑和/或所述第二電連接路徑連接至所述第二元件。

5.如權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第三互連結構包括穿過所述基底并接觸所述第一元件和/或所述第二元件的第一通孔。

6.如權利要求5所述的存儲器裝置，其中所述第三互連結構包括穿過所述基底和所述第一互連結構并接觸所述第一配線層的第二通孔。

7.一種存儲器裝置，包括：

8.如權利要求7所述的存儲器裝置，其中所述重布線層與所述第一前側電連接路徑連通。

9.如權利要求7所述的存儲器裝置，其中所述第一背側互連結構和所述第二背側互連結構包括分別穿過所述第一基底和所述第二基底并分別接觸所述第一元件和所述第二元件的第一通孔。

10.如權利要求9所述的存儲器裝置，其中所述第一背側互連結構和所述第二背側互連結構包括分別穿過所述第一基底和所述第一前側互連結構以及穿過所述第二基底和所述第三前側互連結構并分別接觸所述第一配線層以及所述第三配線層的第二通孔。

11.如權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述第二前側互連結構包括與所述第四配線層直接接觸的前側接墊。

12.如權利要求11所述的存儲器裝置，其中所述第二晶圓包括貫穿所述第三前側互連結構、所述第二基底及所述第二背側互連結構的貫穿通孔，且所述貫穿通孔接觸所述第四配線層中的一者。

技術總結
本發明公開一種存儲器裝置，其包括基底、第一互連結構、第一元件和第二元件、第二互連結構以及第三互連結構。基底包括彼此相對的第一表面和第二表面。第一互連結構設置在基底的第一表面上。第一元件和第二元件設置在基底和/或第一互連結構中。第一互連結構包括配置為最鄰近第一元件和第二元件的多個第一配線層。第二互連結構設置在第一互連結構上。第三互連結構設置在基底的第二表面上且包括配置為最鄰近第一元件和第二元件的多個第二配線層。第一元件和第二元件各自包括通過第一配線層的第一電連接路徑以及通過第二配線層的第二電連接路徑。

技術研發人員：呂俊麟,何建廷,張守仁
受保護的技術使用者：力晶積成電子制造股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28