發明構思涉及半導體器件和制造該半導體器件的方法。

背景技術：

1、半導體器件由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本而在電子工業中是有益的。然而，隨著電子工業的顯著發展，半導體器件正在高度集成。半導體器件的圖案的線寬正在減小以實現其高集成。新的曝光技術和/或昂貴的曝光技術可以用于精細圖案以制造高度集成的半導體器件。因此，已經對新的集成技術進行了各種研究。

技術實現思路

1、發明構思可以提供具有提高的可靠性的半導體器件。

2、發明構思可以提供能夠提高產量的制造半導體器件的方法。

3、根據發明構思的一些實施方式的一種半導體器件包括：基板；在基板上的第一層間絕緣層，其中，第一層間絕緣層的上表面在距基板的上表面的第一距離處；在第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層，其中，第二層間絕緣層與第一層間絕緣層直接接觸；在第一層間絕緣層中的第一接觸，其中，第一接觸的上表面在距基板的上表面的第二距離處，第二距離比第一距離更遠離基板的上表面；在第一層間絕緣層和基板中的貫穿通路，其中，貫穿通路的上表面在距基板的上表面的第三距離處，第三距離比第二距離更遠離基板的上表面；在第二層間絕緣層中的第一布線，其中，第一布線與第一接觸接觸，第一布線的下表面在第四距離處，第四距離比第一距離更靠近基板的上表面；以及在第二層間絕緣層中的第二布線，其中，第二布線與貫穿通路接觸，第二布線的下表面在第五距離處，第五距離比第四距離更靠近基板的上表面，其中，第一層間絕緣層包括具有第一密度的第一材料，其中，第二層間絕緣層包括具有第二密度的第二材料，其中，第一密度大于第二密度。

4、根據發明構思的一些實施方式的一種半導體器件包括：基板；在基板上的第一層間絕緣層；在第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層，其中，第二層間絕緣層與第一層間絕緣層直接接觸；在第一層間絕緣層中的第一接觸；在第一層間絕緣層和基板中的貫穿通路；在第二層間絕緣層中的第一布線，其中，第一布線與第一接觸接觸；在第二層間絕緣層中的第二布線，其中，第二布線與貫穿通路接觸；與第二布線的側表面接觸的拋光停止圖案；以及在拋光停止圖案上的蓋圖案，其中，蓋圖案與第二布線的側表面接觸，其中，第一層間絕緣層的上表面包括突起，突起遠離基板的上表面延伸并且與拋光停止圖案的下表面接觸，其中，蓋圖案和拋光停止圖案與第一布線間隔開，其中，第一層間絕緣層包括具有第一密度的第一材料，其中，第二層間絕緣層包括具有第二密度的第二材料，其中，第一密度大于第二密度。

5、根據發明構思的一些實施方式的一種半導體器件包括：基板，包括單元陣列區域、外圍電路區域和貫穿通路區域；在外圍電路區域中的外圍結構；在單元陣列區域中的單元結構；第一層間絕緣層，在外圍結構、單元結構和貫穿通路區域上；在第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層，其中，第二層間絕緣層與第一層間絕緣層直接接觸；在第一層間絕緣層中的第一接觸，其中，第一接觸電連接到外圍結構；在貫穿通路區域中的貫穿通路，其中，貫穿通路在第一層間絕緣層和基板中延伸；在第二層間絕緣層中的第一布線，其中，第一布線與第一接觸接觸；以及在第二層間絕緣層中的第二布線，其中，第二布線與貫穿通路接觸，其中，外圍結構包括：在基板上或基板中的外圍晶體管；以及外圍接觸，電連接到外圍晶體管并且在基板和第一接觸之間，其中，單元結構包括：在基板中的字線；存儲節點接觸，與基板接觸并且在字線的一側；位線接觸，與基板接觸并且在字線的另一側；位線，在位線接觸上并且與字線重疊；以及在存儲節點接觸上的電容器，其中，第一層間絕緣層包括具有第一密度的第一材料，其中，第二層間絕緣層包括具有第二密度的第二材料，其中，第一密度大于第二密度。

6、根據發明構思的一些實施方式的一種制造半導體器件的方法包括：在基板上形成第一層間絕緣層；在第一層間絕緣層中形成第一接觸；在第一接觸和第一層間絕緣層上形成拋光停止層；通過蝕刻拋光停止層、第一層間絕緣層和一部分基板來形成貫穿通路孔；在貫穿通路孔中形成通路絕緣層和貫穿通路；在貫穿通路、通路絕緣層和拋光停止層上形成蓋層；在蓋層上形成掩模圖案，其中，掩模圖案與貫穿通路和通路絕緣層重疊；形成蓋圖案和拋光停止圖案，并且通過去除蓋層和拋光停止層的從掩模圖案暴露的部分來暴露第一層間絕緣層；去除掩模圖案；在第一層間絕緣層和蓋圖案上形成第二層間絕緣層；通過去除第二層間絕緣層、蓋圖案和拋光停止圖案的至少部分來形成第一溝槽和第二溝槽，其中，第一溝槽暴露第一接觸，第二溝槽暴露貫穿通路；以及在第一溝槽中形成第一布線并且在第二溝槽中形成第二布線。

技術特征：

1.一種半導體器件，包括：

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一布線在與所述基板的所述上表面平行的第一方向上具有第一寬度，

3.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括：

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一層間絕緣層不含碳，以及

5.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述蓋圖案的側表面與所述拋光停止圖案的側表面對準。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述蓋圖案和所述拋光停止圖案中的每個在平面圖中是“c”形狀或閉合曲線形狀。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述蓋圖案和所述拋光停止圖案與所述第一布線間隔開。

9.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述拋光停止圖案的上表面在所述第三距離處，以及

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述基板包括單元陣列區域、外圍電路區域和貫穿通路區域，

11.一種半導體器件，包括：

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述第二層間絕緣層在所述突起的側表面上。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述蓋圖案的側表面與所述拋光停止圖案的側表面對準。

14.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述蓋圖案和所述拋光停止圖案中的每個在平面圖中是“c”形狀或閉合曲線形狀。

15.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述蓋圖案和所述拋光停止圖案包括相同的材料。

16.一種半導體器件，包括：

17.根據權利要求16所述的半導體器件，其中，所述第一層間絕緣層的上表面在距所述基板的上表面的第一距離處，

18.根據權利要求16所述的半導體器件，其中，所述第一層間絕緣層不含碳，以及

19.根據權利要求16所述的半導體器件，進一步包括：

20.根據權利要求19所述的半導體器件，其中，所述蓋圖案和所述拋光停止圖案與所述第一布線間隔開。

技術總結
一種半導體器件，包括：第一層間絕緣層，在基板上并包括在第一水平處的上表面；第二層間絕緣層，在第一層間絕緣層上并且包括具有比第一層間絕緣層的密度小的密度的材料；第一接觸，在第一層間絕緣層中并且具有在高于第一水平的第二水平處的上表面；貫穿通路，在第一層間絕緣層和基板中并且具有在高于第二水平的第三水平處的上表面；第一布線，在第二層間絕緣層中，與第一接觸接觸，并具有在低于第一水平的第四水平處的下表面；以及第二布線，在第二層間絕緣層中，與貫穿通路接觸，并具有低于第四水平的第五水平。

技術研發人員：慎重垣,黃世現,李鐘旼
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24