本技術(shù)涉及顯示，具體涉及一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著手機等終端顯示技術(shù)的進步，主動矩陣有機發(fā)光二極體(active-matrixorganic?light-emitting?diode，amoled)顯示已經(jīng)逐步成為主流。人們也對amoled手機顯示提出了諸如柔性、全面屏、超窄邊框等需求，因此手機顯示屏幕的邊框需求越做越小，面板尺寸已不再受限于精細金屬掩膜板。

2、然而，目前的顯示面板的制備過程較復雜。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)實施例提供了一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的制備過程較復雜的問題。

2、本技術(shù)第一方面提供了一種顯示面板，包括基板、多個發(fā)光器件以及輔助層，多個發(fā)光器件位于基板一側(cè)，發(fā)光器件包括發(fā)光單元和第一電極，第一電極位于發(fā)光單元背離基板一側(cè)；輔助層位于發(fā)光單元和第一電極之間，輔助層在基板上的正投影位于發(fā)光單元在基板上的正投影內(nèi)；輔助層包括多個輔助單元，輔助單元和發(fā)光單元一一對應。

3、結(jié)合第一方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，輔助層的厚度大于或等于500埃并且小于或等于5000埃；優(yōu)選的，輔助層的厚度大于或等于500埃并且小于或等于1000埃；優(yōu)選的，輔助層為單層。

4、結(jié)合第一方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，發(fā)光器件還包括公共層，公共層位于發(fā)光單元背離基板一側(cè)，輔助層位于發(fā)光單元和公共層之間；優(yōu)選的，輔助單元覆蓋發(fā)光單元背離基板一側(cè)的周邊。

5、結(jié)合第一方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，輔助層的材料包括有機材料和無機材料中的任一種；優(yōu)選的，輔助層的材料包括氧化物、氮化物、金屬、合金、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、支鏈淀粉、水溶性纖維素、醇溶性聚酰胺樹脂中的任一種。

6、結(jié)合第一方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，發(fā)光器件還包括公共層，公共層位于輔助層靠近基板一側(cè)；優(yōu)選的，輔助單元覆蓋公共層背離基板一側(cè)的周邊。

7、結(jié)合第一方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，輔助層為導電層；輔助層的材料包括金屬。

8、結(jié)合第一方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，還包括絕緣結(jié)構(gòu)層，位于輔助層背離基板一側(cè)，并位于相鄰發(fā)光器件之間。

9、結(jié)合第一方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，絕緣結(jié)構(gòu)層包括保護層，保護層包括依次連接的第一保護部和第二保護部，第一保護部位于相鄰發(fā)光器件之間，第二保護部覆蓋在發(fā)光單元側(cè)壁和輔助單元側(cè)壁上；優(yōu)選的，保護層在基板上的正投影覆蓋輔助層在基板上的正投影；優(yōu)選的，第一保護部和第二保護部圍合出凹槽；優(yōu)選的，保護層的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的任一項；優(yōu)選的，保護層還包括第三保護部，第三保護部連接于第二保護部遠離第一保護部的一側(cè)，且第三保護部位于所述輔助層背離所述基板的一側(cè)。

10、結(jié)合第一方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，絕緣結(jié)構(gòu)層還包括平坦化層，位于保護層背離基板一側(cè)；平坦化層在基板上的正投影和保護層在基板上的正投影至少部分交疊；優(yōu)選的，平坦化層在基板上的正投影位于保護層在基板上的正投影范圍內(nèi)。

11、結(jié)合第一方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，發(fā)光器件還包括第二電極，位于發(fā)光單元靠近基板一側(cè)，第二電極在基板上的正投影和發(fā)光單元在基板上的正投影至少部分交疊；優(yōu)選的，還包括第一無機封裝層，第一無機封裝層位于發(fā)光器件背離基板一側(cè)，第一無機封裝層在基板上的正投影覆蓋發(fā)光器件在基板上的正投影；優(yōu)選的，還包括有機封裝層，位于第一無機封裝層背離基板一側(cè)，第一無機封裝層在基板上的正投影覆蓋有機封裝層在基板上的正投影；優(yōu)選的，還包括第二無機封裝層，位于有機封裝層背離基板的一側(cè)，第二無機封裝層在基板上的正投影覆蓋有機封裝層在基板上的正投影。

12、本技術(shù)第二方面提供了一種顯示面板，包括基板、多個發(fā)光器件以及輔助層，多個發(fā)光器件位于基板一側(cè)，發(fā)光器件包括發(fā)光單元，多個發(fā)光器件還包括公共層，公共層位于多個發(fā)光單元背離基板一側(cè)；輔助層，位于發(fā)光單元和公共層之間；輔助層包括多個輔助單元，輔助單元和發(fā)光單元一一對應，輔助單元覆蓋發(fā)光單元背離基板一側(cè)周邊。

13、本技術(shù)第三方面提供了一種顯示面板的制備方法，包括在基板上制備多個第二電極，多個第二電極包括第一像素第二電極；在第一像素第二電極背離基板一側(cè)依次制備第一發(fā)光材料層和第一輔助材料層；部分去除未覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層；去除剩余未覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層；基于覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層對第一發(fā)光材料層進行圖形化，得到第一發(fā)光單元；在第一發(fā)光單元背離基板一側(cè)制備第一像素第一電極。

14、結(jié)合第三方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，部分去除未覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層包括：去除未覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層的厚度的20％-80％；優(yōu)選的，部分去除未覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層包括：去除未覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層的厚度的30％-70％。

15、結(jié)合第三方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，部分去除未覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層包括：在第一輔助材料層背離基板一側(cè)制備光刻膠圖案；基于光刻膠圖案部分去除未覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層。

16、結(jié)合第三方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，在去除剩余未覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層之前，還包括：去除光刻膠圖案；優(yōu)選的，在去除剩余未覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層的同時，制備方法還包括：減薄覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層。

17、結(jié)合第三方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，在發(fā)光單元背離基板一側(cè)制備第一電極包括：在發(fā)光單元背離基板一側(cè)依次制備公共層和第一電極。

18、結(jié)合第三方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，在第一像素第二電極背離基板一側(cè)依次制備第一發(fā)光材料層和第一輔助材料層包括：在第二電極背離基板一側(cè)依次制備第一發(fā)光材料層、公共材料層和第一輔助材料層；優(yōu)選的，基于覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層對第一發(fā)光材料層進行圖形化，得到第一發(fā)光單元包括：基于覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層對第一發(fā)光材料層和公共材料層進行圖形化，得到第一發(fā)光單元和公共層。

19、結(jié)合第三方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，多個第二電極還包括第二像素第二電極；在基于覆蓋第一像素第二電極的第一輔助材料層對第一發(fā)光材料層進行圖形化，得到第一發(fā)光單元之后，還包括：在第一輔助材料層背離基板一側(cè)依次制備第二發(fā)光材料層和第二輔助材料層；部分去除未覆蓋第二像素第二電極的第二輔助材料層；去除剩余未覆蓋第二像素第二電極的第二輔助材料層；基于覆蓋第二像素第二電極的第二輔助材料層對第二發(fā)光材料層進行圖形化，得到第二發(fā)光單元；在第一發(fā)光單元背離基板一側(cè)制備第一像素第一電極的同時，在第二發(fā)光單元背離基板一側(cè)制備第二像素第一電極。

20、結(jié)合第三方面，在一些可能的實現(xiàn)方式中，制備方法還包括：在覆蓋第一發(fā)光單元的第一輔助材料層和覆蓋第二發(fā)光單元的第二輔助材料層背離基板一側(cè)依次制備保護材料層和平坦化層，平坦化層在基板上的至少部分正投影位于相鄰第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元在基板上的正投影之間；刻蝕掉第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元背離基板一側(cè)的部分保護材料層，得到保護層，保護層和平坦化層構(gòu)成絕緣結(jié)構(gòu)層。

21、本技術(shù)第四方面提供了一種顯示裝置，包括上述的顯示面板，或根據(jù)上述的制備方法得到的顯示面板。

22、根據(jù)本技術(shù)實施例提供的顯示面板及其制備方法和顯示裝置，在發(fā)光單元上設(shè)置輔助層，通過對輔助層進行分步刻蝕，然后對輔助層和發(fā)光單元依次進行圖形化處理，即通過輔助層實現(xiàn)發(fā)光單元的圖形化，且在刻蝕過程中能夠?qū)Πl(fā)光單元進行保護，簡化了顯示面板的制程。