本發(fā)明涉及陶瓷加熱器，特別涉及一種aln陶瓷加熱器溫度均勻性的調(diào)整方法。

背景技術(shù)：

1、在aln陶瓷heater(加熱器)，使用高導(dǎo)熱的氮化鋁陶瓷材料制造而成，具有出色的導(dǎo)熱性能、高溫穩(wěn)定性和良好的絕緣性，能夠在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。因此，廣泛應(yīng)用于工業(yè)加熱、汽車電子、航空航天和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。尤其是在半導(dǎo)體領(lǐng)域，氮化鋁陶瓷加熱器在生產(chǎn)過程中發(fā)揮著重要作用，例如在化學(xué)氣相沉積(cvd)和物理氣相沉積(pvd)等工藝中。通過aln?heater可以提供穩(wěn)定的加熱環(huán)境和精確的溫度控制，以確保材料的均勻沉積、膜厚厚度均勻和成膜質(zhì)量。隨著，工藝使用溫度提升和膜厚極差變窄，對(duì)aln-heater的溫度均勻性要求更高，比如650℃使用的cvd-heater要求溫度均勻性不能超過13℃，在600℃使用要在10℃以內(nèi)。aln-heater使用溫度均勻性的提升，對(duì)材料的熱導(dǎo)率、加熱電極的排布、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和制成的穩(wěn)定性提出了更高的要求。但是，在實(shí)際生產(chǎn)中，材料性能、電極圖案制備和成本制備都存在一定的波動(dòng)性，對(duì)溫度要求越高，成品因溫度均勻性不合格而報(bào)廢的產(chǎn)品比例越高。因?yàn)槌善芬呀?jīng)燒結(jié)定型，無法通過加熱電極圖案和材質(zhì)優(yōu)化等方案調(diào)整，如果結(jié)構(gòu)相同可以降級(jí)使用，但半導(dǎo)體中heater是定制產(chǎn)品，降級(jí)使用的情況很少見，一般只能做報(bào)廢處理，heater的制造成本很高，做報(bào)廢處理造成很大的資源浪費(fèi)。

2、為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種低成本靈活的aln陶瓷heater加熱器成品的溫均調(diào)整方法，可以把溫度均勻性超差的heater調(diào)整到合格品范圍內(nèi)，減少heater成品的報(bào)廢率，為行業(yè)減少資源浪費(fèi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種aln陶瓷加熱器溫度均勻性的調(diào)整方法，以解決背景技術(shù)中提出的問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案為：

3、一種aln陶瓷加熱器溫度均勻性的調(diào)整方法，所述陶瓷加熱器包括aln陶瓷盤，所述aln陶瓷盤的內(nèi)部設(shè)有加熱電極，所述aln陶瓷盤包括用于吸附晶圓的散熱a面以及散熱b面，所述散熱a面位于所述散熱b面的上方，所述散熱a面上均勻分布若干emboss，所述emboss與被吸附的晶圓接觸，將熱量傳遞給晶圓。

4、優(yōu)選的，所述調(diào)整方法包括：

5、s1：對(duì)生產(chǎn)的aln陶瓷加熱器進(jìn)行溫度均勻性檢測(cè)，判斷是否溫度超差，若確定為溫度超差，則判斷并標(biāo)記出高溫區(qū)和低溫區(qū)，在所述散熱a面標(biāo)記出第一高溫區(qū)和第一低溫區(qū)，在所述散熱b面標(biāo)記出第二高溫區(qū)和第二低溫區(qū)；

6、s2：在所述第一低溫區(qū)上增加若干emboss，以增加所述第一低溫區(qū)上傳遞的溫度，或/和減少位于所述第一高溫區(qū)上的emboss，以減少所述第一高溫區(qū)上傳遞的溫度；

7、或者增大所述第一低溫區(qū)上的emboss的尺寸，以增加所述第一低溫區(qū)的熱傳遞面積，或/和減小所述第一高溫區(qū)上的emboss的尺寸，以減小所述第一高溫區(qū)上的emboss傳遞熱量的面積；

8、s3：將所述散熱b面標(biāo)的所述第二高溫區(qū)的aln陶瓷基材山加工成為弧面化處理的凹槽，以增加所述第二高溫區(qū)的散熱面積，提升散熱的效率，再在所述第二低溫區(qū)的aln陶瓷基材表面涂抹熱導(dǎo)率低的材質(zhì)，以減少所述第二低溫區(qū)散熱，平衡所述第二低溫區(qū)與所述第二高溫區(qū)的溫度；

9、s4：經(jīng)過上述步驟s2和/和步驟s3后，對(duì)aln陶瓷加熱器進(jìn)行溫度均勻性測(cè)試，若復(fù)合要求，則能夠進(jìn)行使用，若不符合要求，則根據(jù)具體的情況繼續(xù)進(jìn)行調(diào)整。

10、優(yōu)選的，所述emboss為圓柱形，所述步驟s2中，增大所述第一低溫區(qū)上的emboss的尺寸為增加所述emboss的直徑，減小所述第一高溫區(qū)上的emboss的尺寸為減小所述第一高溫區(qū)上emboss的直徑。

11、優(yōu)選的，所述步驟s3中，在所述第二低溫區(qū)的aln陶瓷基材表面涂抹熱導(dǎo)率低的材質(zhì)為玻璃或者al2o3或者y2o3。

12、優(yōu)選的，所述步驟s4中，若不符合要求，則根據(jù)具體情況繼續(xù)增加所述第一低溫區(qū)上增加若干emboss的數(shù)量，或/和繼續(xù)減少位于所述第一高溫區(qū)上的emboss的數(shù)量；

13、或者繼續(xù)增大所述第一低溫區(qū)上的emboss的尺寸，或/和繼續(xù)減小所述第一高溫區(qū)上的emboss的尺寸；

14、或者繼續(xù)增大所述凹槽的表面面積，或/和增加所述第二低溫區(qū)的aln陶瓷基材表面涂抹熱導(dǎo)率低的材質(zhì)的體積。

15、采用上述技術(shù)方案，具有以下有益效果：

16、本發(fā)明提供一種低成本靈活的aln陶瓷heater加熱器成品的溫均調(diào)整方法，可以把溫度均勻性超差的heater調(diào)整到合格品范圍內(nèi)，減少heater成品的報(bào)廢率，提高制成的合格率，為行業(yè)減少資源浪費(fèi)，為企業(yè)創(chuàng)造明顯的經(jīng)濟(jì)效益。

技術(shù)特征：

1.一種aln陶瓷加熱器溫度均勻性的調(diào)整方法，其特征在于，所述陶瓷加熱器包括aln陶瓷盤，所述aln陶瓷盤的內(nèi)部設(shè)有加熱電極，所述aln陶瓷盤包括用于吸附晶圓的散熱a面以及散熱b面，所述散熱a面位于所述散熱b面的上方，所述散熱a面上均勻分布若干emboss，所述emboss與被吸附的晶圓接觸，將熱量傳遞給晶圓。

2.一種aln陶瓷加熱器溫度均勻性的調(diào)整方法，其特征在于，所述調(diào)整方法包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種aln陶瓷加熱器溫度均勻性的調(diào)整方法，其特征在于，所述emboss為圓柱形，所述步驟s2中，增大所述第一低溫區(qū)上的emboss的尺寸為增加所述emboss的直徑，減小所述第一高溫區(qū)上的emboss的尺寸為減小所述第一高溫區(qū)上emboss的直徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種aln陶瓷加熱器溫度均勻性的調(diào)整方法，其特征在于，所述步驟s3中，在所述第二低溫區(qū)的aln陶瓷基材表面涂抹熱導(dǎo)率低的材質(zhì)為玻璃或者al2o3或者y2o3。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種aln陶瓷加熱器溫度均勻性的調(diào)整方法，其特征在于，所述步驟s4中，若不符合要求，則根據(jù)具體情況繼續(xù)增加所述第一低溫區(qū)上增加若干emboss的數(shù)量，或/和繼續(xù)減少位于所述第一高溫區(qū)上的emboss的數(shù)量；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種AlN陶瓷加熱器溫度均勻性的調(diào)整方法，屬于陶瓷加熱器技術(shù)領(lǐng)域，包括：S1：對(duì)加熱器進(jìn)行檢測(cè)；S2：在所述第一低溫區(qū)上增加若干emboss，或/和減少位于所述第一高溫區(qū)上的emboss；或者增大所述第一低溫區(qū)上的emboss的尺寸，或/和減小所述第一高溫區(qū)上的emboss的尺寸；S3：將所述散熱B面標(biāo)的所述第二高溫區(qū)的AlN陶瓷基材山加工成為弧面化處理的凹槽，再在所述第二低溫區(qū)的AlN陶瓷基材表面涂抹熱導(dǎo)率低的材質(zhì)；S4：對(duì)AlN陶瓷加熱器進(jìn)行測(cè)試。

技術(shù)研發(fā)人員：李君,牛奔奔,石鍺元,肖偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：君原電子科技（海寧）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28