本發明屬于光伏電池，具體涉及一種太陽能電池及光伏組件。

背景技術：

1、隨著光伏產業的快速發展，國內外光伏市場對太陽能電池的性能與效率要求也在不斷提高，業界廠商紛紛著力于高效電池的研究與開發。topcon(tunnel?oxidepassivated?contact，隧穿氧化層鈍化接觸)電池通過在硅襯底背面依次制備超薄的隧穿氧化層和摻雜多晶硅層，能夠提高電池表面鈍化性能，降低金屬接觸復合電流，有效提升電池的開路電壓與短路電流。近年來，topcon電池的市場份額迅速上升，已逐漸超越perc電池成為太陽能電池的主流技術。

2、topcon電池中n+極性和p+極性都具有優異的鈍化和導電性能，同時還與傳統的工業生產相兼容，具有廣闊的發展前景。隨著topcon電池的不斷優化，背面多晶硅層(poly)的寄生吸收已成為限制topcon電池效率提升和雙面率提升的首要因素。

3、在topcon電池中，背面多晶硅層在經過磷摻雜之后形成摻雜多晶硅層(n+poly)，其主要有3個作用：1、提供場鈍化效果；2、做為富磷層，極大的改善了背面的接觸；3、隔絕了ag金屬與硅襯底的直接接觸，降低了金屬復合。除了上述優點外，多晶硅層的寄生吸收是其最大的缺點，寄生吸收指的是一種光學吸收機制，它不會在硅體中產生電子空穴對，因此會降低光的利用率。為了降低背面ag金屬區的復合，多晶硅層的厚度一般要大于100nm，在保證金屬區鈍化不受損失的前提下降低多晶硅層的厚度已成為topcon電池的主要優化方向。

4、因此，針對上述技術問題，有必要提供一種太陽能電池及光伏組件。

技術實現思路

1、本發明的目的在于提供一種光伏電池片及光伏組件，以降低電池背面的寄生吸收，提升電池的電流。

2、為了實現上述目的，本發明一實施例提供的技術方案如下：

3、一種太陽能電池，所述太陽能電池包括硅襯底，所述硅襯底包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第二表面上包括間隔分布的第一區域和第二區域，所述第二表面的部分區域內設有隧穿鈍化接觸結構及第二電極，所述隧穿鈍化接觸結構在硅襯底第二表面上的投影位于第一區域內，所述隧穿鈍化接觸結構包括與所述硅襯底直接接觸的遂穿層和設置在所述遂穿層上的第二摻雜層，所述第二電極與所述第二摻雜層相接觸。

4、一實施例中，所述硅襯底的第一表面處形成有第一摻雜層及第一電極，所述第一摻雜層的摻雜類型與所述硅襯底的摻雜類型相反，所述第一電極與第一摻雜層相接觸。

5、一實施例中，所述第一摻雜層為p型摻雜層；和/或，

6、所述第一摻雜層的表面摻雜濃度為3e18cm-3～3e19cm-3。

7、一實施例中，所述第一摻雜層上層疊有第一鈍化層和/或第一減反層。

8、一實施例中，所述第一鈍化層為氧化鋁鈍化層，厚度為2nm～7nm或3nm～6nm；所述第一減反層為氮化硅層、氮氧化硅層、氧化硅層中的任意一種或多種形成的疊層膜，厚度為60nm～130nm。

9、一實施例中，所述第二摻雜層為摻雜多晶硅層，且第二摻雜層的摻雜類型與硅襯底的摻雜類型相同。

10、一實施例中，所述硅襯底為n型硅襯底，所述第二摻雜層為n型摻雜多晶硅層；和/或，

11、所述第二摻雜層表面摻雜濃度為1e20cm-3～1e21cm-3，厚度為1nm～150nm或50nm～100nm。

12、一實施例中，所述隧穿層為氧化硅層、氮氧化硅層中的一種或兩種的組合，厚度為0.5nm～3nm或1.5nm～2.5nm。

13、一實施例中，所述硅襯底的第二表面上至少部分層疊有第二鈍化層和/或第二減反層，所述第二鈍化層和/或第二減反層層疊于第二表面的第二區域上及層疊于隧穿鈍化接觸結構上。

14、一實施例中，所述第二鈍化層為氧化鋁鈍化層，厚度為2nm～7nm或3nm～6nm；和/或，

15、所述第二減反層為氮化硅層、氮氧化硅層、氧化硅層中的任意一種或多種形成的疊層膜，厚度為60nm～130nm。

16、一實施例中，所述第一區域包括多個平行且等間距間隔分布的第一子區域，第二電極包括多根平行分布的柵線，所述第一子區域的寬度大于或等于柵線的寬度。

17、一實施例中，所述第一子區域的寬度為50μm～150μm，柵線的寬度為15μm～100μm。

18、一實施例中，所述硅襯底的第一表面上形成有金字塔絨面結構；和/或，

19、所述硅襯底的第二表面為拋光面。

20、本發明另一實施例提供的技術方案如下：

21、一種光伏組件，所述光伏組件包括上述的太陽能電池。

22、與現有技術相比，本發明具有以下有益效果：

23、本發明太陽能電池的背面僅有金屬區域層疊有隧穿鈍化接觸結構，非金屬區域上無隧穿鈍化接觸結構，可以降低電池背面的寄生吸收，電流能得到顯著提升，同時不會影響背面電極與第二摻雜層的接觸性能，在提高工藝窗口的同時顯著提高電池效率及雙面率。

技術特征：

1.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括硅襯底，所述硅襯底包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第二表面上包括間隔分布的第一區域和第二區域，所述第二表面的部分區域內設有隧穿鈍化接觸結構及第二電極，所述隧穿鈍化接觸結構在硅襯底第二表面上的投影位于第一區域內，所述隧穿鈍化接觸結構包括與所述硅襯底直接接觸的遂穿層和設置在所述遂穿層上的第二摻雜層，所述第二電極與所述第二摻雜層相接觸。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅襯底的第一表面處形成有第一摻雜層及第一電極，所述第一摻雜層的摻雜類型與所述硅襯底的摻雜類型相反，所述第一電極與第一摻雜層相接觸。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一摻雜層為p型摻雜層；和/或，

4.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一摻雜層上層疊有第一鈍化層和/或第一減反層。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一鈍化層為氧化鋁鈍化層，厚度為2nm～7nm或3nm～6nm；所述第一減反層為氮化硅層、氮氧化硅層、氧化硅層中的任意一種或多種形成的疊層膜，厚度為60nm～130nm。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二摻雜層為摻雜多晶硅層，且第二摻雜層的摻雜類型與硅襯底的摻雜類型相同。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅襯底為n型硅襯底，所述第二摻雜層為n型摻雜多晶硅層；和/或，

8.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述隧穿層為氧化硅層、氮氧化硅層中的一種或兩種的組合，厚度為0.5nm～3nm或1.5nm～2.5nm。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅襯底的第二表面上至少部分層疊有第二鈍化層和/或第二減反層，所述第二鈍化層和/或第二減反層層疊于第二表面的第二區域上及層疊于隧穿鈍化接觸結構上。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二鈍化層為氧化鋁鈍化層，厚度為2nm～7nm或3nm～6nm；和/或，

11.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一區域包括多個平行且等間距間隔分布的第一子區域，第二電極包括多根平行分布的柵線，所述第一子區域的寬度大于或等于柵線的寬度。

12.根據權利要求11所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一子區域的寬度為50μm～150μm，柵線的寬度為15μm～100μm。

13.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅襯底的第一表面上形成有金字塔絨面結構；和/或，

14.一種光伏組件，其特征在于，所述光伏組件包括若干權利要求1～13中任一項所述的太陽能電池。

技術總結
本發明公開了一種太陽能電池及光伏組件，所述太陽能電池包括硅襯底，所述硅襯底包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第二表面上包括間隔分布的第一區域和第二區域，所述第二表面的部分區域內設有隧穿鈍化接觸結構及第二電極，所述隧穿鈍化接觸結構在硅襯底第二表面上的投影位于第一區域內，所述隧穿鈍化接觸結構包括與所述硅襯底直接接觸的遂穿層和設置在所述遂穿層上的第二摻雜層，所述第二電極與所述第二摻雜層相接觸。本發明太陽能電池的背面僅有金屬區域層疊有隧穿鈍化接觸結構，非金屬區域上無隧穿鈍化接觸結構，可以降低電池背面的寄生吸收，電流能得到顯著提升，同時不會影響背面電極與第二摻雜層的接觸性能，在提高工藝窗口的同時顯著提高電池效率及雙面率。

技術研發人員：葉曉亞,陳海燕,來俊男,鄧偉偉
受保護的技術使用者：揚州阿特斯太陽能電池有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28