本申請涉及顯示，具體而言，涉及一種巨量轉(zhuǎn)移裝置及巨量轉(zhuǎn)移方法。

背景技術(shù)：

1、在微型發(fā)光二極管(micro?light?emitting?diode，micro-led)的制造過程中，需要將微型發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移并粘接在暫態(tài)基板上，以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的陣列排布，隨后完成微型發(fā)光二極管與驅(qū)動電路的鍵合。

2、激光輔助轉(zhuǎn)移技術(shù)是一種常用的轉(zhuǎn)移技術(shù)，通常使用準(zhǔn)分子激光作光源，激光通過光學(xué)透鏡部分并聚焦在轉(zhuǎn)移基板界面，實(shí)現(xiàn)基板上聚合物消融/燒蝕，產(chǎn)生的氣體助推微型發(fā)光二極管進(jìn)行轉(zhuǎn)移。但準(zhǔn)分子激光產(chǎn)生的激光的照射范圍通常為1cm2-2cm2，需要反復(fù)掃描為轉(zhuǎn)移基板提供光能，轉(zhuǎn)移效率較低。此外，準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生的激光波長通常位于uv范圍(248nm-355nm)內(nèi)，需要昂貴的稀有氣體(krf、cl2)作為激光介質(zhì)，生產(chǎn)成本較為高昂。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了至少克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足，本申請的目的在于提供一種巨量轉(zhuǎn)移裝置及巨量轉(zhuǎn)移方法。

2、第一方面，本申請實(shí)施例提供一種巨量轉(zhuǎn)移裝置，所述巨量轉(zhuǎn)移裝置包括轉(zhuǎn)移基板與照射光源，其中，所述轉(zhuǎn)移基板包括相對設(shè)置的粘接側(cè)與透光側(cè)，所述照射光源的出光方向朝向所述透光側(cè)；

3、所述轉(zhuǎn)移基板用于通過所述粘接側(cè)粘接待轉(zhuǎn)移的發(fā)光器件，并在所述照射光源作用下將所述發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板上；

4、所述照射光源用于照射所述轉(zhuǎn)移基板的透光側(cè)，將位于所述轉(zhuǎn)移基板的粘接側(cè)的所述發(fā)光器件進(jìn)行釋放，其中，所述照射光源包括至少一個氙燈。

5、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述轉(zhuǎn)移基板包括透明基板，以及在垂直于所述透明基板所在平面的方向上依次層疊設(shè)置的光吸收層、光釋放層及臨時鍵合層，其中，所述臨時鍵合層所在的一側(cè)為粘接側(cè)，所述光吸收層所在的一側(cè)為透光側(cè)；

6、所述臨時鍵合層用于鍵合所述發(fā)光器件，其中，所述臨時鍵合層在所述透明基板上的正投影與所述發(fā)光器件在所述透明基板上的正投影重合；

7、所述光吸收層用于吸收光能，并將光能轉(zhuǎn)換為熱能傳遞給所述光釋放層；

8、所述光釋放層用于在所述熱能作用下分解為氣體，以將位于所述臨時鍵合層上的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至所述目標(biāo)基板上。

9、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述透明基板的材質(zhì)包括雙拋玻璃、雙拋藍(lán)寶石及雙拋石英玻璃。

10、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述光吸收層的材質(zhì)包括寬波段吸光材料，在垂直于所述透明基板所在平面的方向，所述光吸收層的厚度為0.8um-1.2um；

11、所述光釋放層的材質(zhì)包括聚碳酸酯、聚醚砜、聚磷酸酯及聚鄰苯二甲酸酐，在垂直于所述透明基板所在平面的方向，所述光釋放層的厚度為0.8um-1.2um；

12、所述臨時鍵合層的材質(zhì)包括高粘性的聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯，在垂直于所述透明基板所在平面的方向，所述臨時鍵合層的厚度為5μm-7μm。

13、第二方面，本申請還提供一種巨量轉(zhuǎn)移方法，應(yīng)用于巨量轉(zhuǎn)移裝置，所述巨量轉(zhuǎn)移裝置包括轉(zhuǎn)移基板與照射光源，所述轉(zhuǎn)移基板包括相對設(shè)置的粘接側(cè)和透光側(cè)，所述方法包括：

14、將待轉(zhuǎn)移的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至所述轉(zhuǎn)移基板的粘接側(cè)；

15、利用所述照射光源照射所述轉(zhuǎn)移基板的透光側(cè)，將所述轉(zhuǎn)移基板上的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板上，其中，所述照射光源包括至少一個氙燈。

16、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述將待轉(zhuǎn)移的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至所述轉(zhuǎn)移基板的粘接側(cè)的步驟之前，所述方法還包括制作所述轉(zhuǎn)移基板的步驟，所述步驟包括：

17、提供一透明基板；

18、在所述透明基板的一側(cè)制作光吸收層，其中，在垂直于所述透明基板所在平面的方向，所述光吸收層的厚度為0.8μm-1.2μm；

19、在所述光吸收層遠(yuǎn)離所述透明基板的一側(cè)制作光釋放層，其中，在垂直于所述透明基板所在平面的方向，所述光釋放層的厚度為0.8μm-1.2μm；

20、在所述光釋放層遠(yuǎn)離所述透明基板的一側(cè)制作臨時鍵合層，其中，在垂直于所述透明基板所在平面的方向，所述臨時鍵合層的厚度為5μm-7μm。

21、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述透明基板的一側(cè)制作光吸收層的步驟之前，所述方法還包括對所述透明基板進(jìn)行預(yù)處理的步驟，該步驟包括：

22、依次利用丙酮、無水乙醇以及去離子水分別對所述透明基板進(jìn)行超聲清洗；

23、對清洗完成的透明基板進(jìn)行加熱，去除所述透明基板表面的水汽。

24、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述將待轉(zhuǎn)移的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至所述轉(zhuǎn)移基板的粘接側(cè)的步驟，包括：

25、移動所述轉(zhuǎn)移基板，將所述發(fā)光器件與所述臨時鍵合層進(jìn)行鍵合，其中，所述發(fā)光器件位于一臨時基板上；

26、采用準(zhǔn)分子激光照射所述發(fā)光器件遠(yuǎn)離所述臨時鍵合層的一側(cè)，將所述發(fā)光器件與所述臨時基板分離，并將所述發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至所述臨時鍵合層上。

27、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述將待轉(zhuǎn)移的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至預(yù)先制作好的轉(zhuǎn)移基板的粘接側(cè)的步驟之后，所述方法還包括：

28、對所述轉(zhuǎn)移基板進(jìn)行刻蝕，去除所述發(fā)光器件周側(cè)的臨時鍵合層，使得所述發(fā)光器件在所述透明基板上的正投影與所述臨時鍵合層在所述透明基板的正投影重合。

29、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述利用所述照射光源照射所述轉(zhuǎn)移基板的透光側(cè)，將所述轉(zhuǎn)移基板上的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板上的步驟，包括：

30、移動所述轉(zhuǎn)移基板，并將所述轉(zhuǎn)移基板的粘接側(cè)朝向目標(biāo)基板；

31、調(diào)整所述轉(zhuǎn)移基板與所述目標(biāo)基板之間的轉(zhuǎn)移間距，并對所述轉(zhuǎn)移基板進(jìn)行對準(zhǔn)調(diào)平，固定所述轉(zhuǎn)移基板；

32、基于所述轉(zhuǎn)移間距調(diào)節(jié)所述照射光源的脈沖光功率，并利用所述照射光源照射所述轉(zhuǎn)移基板的透光側(cè)，促使所述光釋放層分解為氣體，將所述發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板上；

33、優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)移間距為10μm-50μm，所述照射光源的脈沖光功率為0.2j/cm2-3j/cm2。

34、基于上述任意一個方面，本申請實(shí)施例提供的巨量轉(zhuǎn)移裝置及巨量轉(zhuǎn)移方法，包括轉(zhuǎn)移基板和照射光源，其中，轉(zhuǎn)移基板包括相對設(shè)置的粘接側(cè)與透光側(cè)，照射光源的出光方向朝向透光側(cè)。轉(zhuǎn)移基板通過粘接側(cè)粘接待轉(zhuǎn)移的發(fā)光器件，并在照射光源作用下將發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板上，照射光源用于照射轉(zhuǎn)移基板的透光側(cè)，轉(zhuǎn)移基板吸收光能以后將位于粘接側(cè)的發(fā)光器件進(jìn)行釋放。在上述巨量轉(zhuǎn)移裝置中，采用由至少一個氙燈組成的照射光源為轉(zhuǎn)移基板提供光能，不僅可以靈活調(diào)整單次照射的面積，提高單次轉(zhuǎn)移發(fā)光器件的數(shù)量，提高轉(zhuǎn)移效率，同時還無需使用諸如krf、cl2等稀有氣體作為激光介質(zhì)，有效降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)特征：

1.一種巨量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述巨量轉(zhuǎn)移裝置包括轉(zhuǎn)移基板與照射光源，其中，所述轉(zhuǎn)移基板包括相對設(shè)置的粘接側(cè)與透光側(cè)，所述照射光源的出光方向朝向所述透光側(cè)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的巨量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移基板包括透明基板，以及在垂直于所述透明基板所在平面的方向上依次層疊設(shè)置的光吸收層、光釋放層及臨時鍵合層，其中，所述臨時鍵合層所在的一側(cè)為粘接側(cè)，所述光吸收層所在的一側(cè)為透光側(cè)；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的巨量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述透明基板的材質(zhì)包括雙拋玻璃、雙拋藍(lán)寶石及雙拋石英玻璃。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的巨量轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述光吸收層的材質(zhì)包括寬波段吸光材料，在垂直于所述透明基板所在平面的方向，所述光吸收層的厚度為0.8um-1.2um；

5.一種巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，應(yīng)用于巨量轉(zhuǎn)移裝置，所述巨量轉(zhuǎn)移裝置包括轉(zhuǎn)移基板與照射光源，所述轉(zhuǎn)移基板包括相對設(shè)置的粘接側(cè)和透光側(cè)，所述方法包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，在所述將待轉(zhuǎn)移的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至所述轉(zhuǎn)移基板的粘接側(cè)的步驟之前，所述方法還包括制作所述轉(zhuǎn)移基板的步驟，所述步驟包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述在所述透明基板的一側(cè)制作光吸收層的步驟之前，所述方法還包括對所述透明基板進(jìn)行預(yù)處理的步驟，該步驟包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述將待轉(zhuǎn)移的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至所述轉(zhuǎn)移基板的粘接側(cè)的步驟，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述將待轉(zhuǎn)移的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至預(yù)先制作好的轉(zhuǎn)移基板的粘接側(cè)的步驟之后，所述方法還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的巨量轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，所述利用所述照射光源照射所述轉(zhuǎn)移基板的透光側(cè)，將所述轉(zhuǎn)移基板上的發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板上的步驟，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N巨量轉(zhuǎn)移裝置及巨量轉(zhuǎn)移方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。上述的巨量轉(zhuǎn)移裝置包括轉(zhuǎn)移基板和照射光源，其中，轉(zhuǎn)移基板包括相對設(shè)置的粘接側(cè)與透光側(cè)，照射光源的出光方向朝向透光側(cè)。轉(zhuǎn)移基板通過粘接側(cè)粘接待轉(zhuǎn)移的發(fā)光器件，并在照射光源作用下將發(fā)光器件轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基板上，照射光源用于照射轉(zhuǎn)移基板的透光側(cè)，轉(zhuǎn)移基板吸收光能以后將位于粘接側(cè)的發(fā)光器件進(jìn)行釋放。在上述巨量轉(zhuǎn)移裝置中，采用由至少一個氙燈組成的照射光源為轉(zhuǎn)移基板提供光能，不僅可以靈活調(diào)整單次照射的面積，提高單次轉(zhuǎn)移發(fā)光器件的數(shù)量，提高轉(zhuǎn)移效率，同時還無需使用諸如KrF、Cl<subgt;2</subgt;等稀有氣體作為激光介質(zhì)，有效降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：羅先剛,張仁彥,李雄,李勛,李維杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天府興隆湖實(shí)驗(yàn)室
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28