本公開涉及發光器件領域，特別涉及一種發光二極管及發光二極管制備方法。

背景技術：

1、發光二極管能夠覆蓋從紫外到紅外的波長范圍。當前低分辨率示器市場仍以液晶顯示器(liquid?crystal?display，lcd)為主流，微型發光二極管(micro?light?emittingdiode，micro?led)因為本身的優點在低分辨率顯示器市場逐步受到大家的重視。

2、相關技術提供的微型發光二極管通常包括外延結構、電極、反射層和焊盤等。

3、然而，相關技術提供的微型發光二極管中由于焊盤尺寸較小，且焊盤平整度無法保證，造成焊盤在后續焊接工藝出容易存在良率不高的問題。

技術實現思路

1、本公開實施例提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法，能夠提高焊盤的焊接良率。所述技術方案如下：

2、一方面，提供了一種發光二極管，所述發光二極管包括：外延結構、第一電極、第二電極、反射層、第一電極焊盤和第二電極焊盤；

3、所述外延結構包括依次層疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述第一半導體層、所述有源層和所述第二半導體層形成臺階結構，所述第一電極位于所述臺階結構的臺階面，所述第二電極位于第二半導體層表面，所述反射層覆蓋所述臺階結構以及所述第一電極和所述第二電極；

4、所述反射層具有第一通孔和第二通孔，所述第一電極焊盤通過所述第一通孔與所述第一電極連接，所述第二電極焊盤通過所述第二通孔與所述第二電極連接；

5、所述第一通孔在所述第一半導體層的底面上的投影位于所述第一電極焊盤在所述第一半導體層的底面上的投影的邊緣，所述第一半導體層的底面為遠離所述有源層的一面。

6、可選地，所述第一電極焊盤在所述第一半導體層的底面上的投影為第一矩形，所述第一通孔在所述第一半導體層的底面上的投影位于所述第一矩形的一角。

7、可選地，所述第一半導體層的底面為第二矩形，所述臺階結構的臺階面在所述第一半導體層的底面上的投影位于所述第二矩形的一角。

8、可選地，所述發光二極管還包括：第一擋墻結構和第二擋墻結構，所述第一擋墻結構位于所述第一電極焊盤表面且沿所述第一電極焊盤邊緣布置，所述第二擋墻結構位于所述第二電極焊盤表面且沿所述第二電極焊盤邊緣布置。

9、可選地，所述第一擋墻結構和所述第二擋墻結構為硅的氧化物結構。

10、可選地，所述第一擋墻結構和所述第二擋墻結構均為環形的臺階擋墻結構，且所述臺階擋墻結構的臺階面朝向所述環形的中心。

11、可選地，所述第一擋墻結構和所述第二擋墻結構均為三級臺階擋墻結構，所述三級臺階擋墻結構中的每級臺階結構的高度為0.2～0.4微米。

12、另一方面，提供了一種發光二極管制備方法，所述方法包括：

13、形成依次層疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述第二半導體層、所述有源層、所述第一半導體層構成外延結構；

14、對所述外延結構進行圖形化處理，形成臺階結構；

15、制作第一電極和第二電極，所述第一電極位于所述臺階結構的臺階面，所述第二電極位于第二半導體層表面；

16、制作反射層，所述反射層覆蓋所述臺階結構以及所述第一電極和所述第二電極，所述反射層具有第一通孔和第二通孔；

17、制作第一電極焊盤和第二電極焊盤，所述第一電極焊盤通過所述第一通孔與所述第一電極連接，所述第二電極焊盤通過所述第二通孔與所述第二電極連接；所述第一通孔在所述第一半導體層的底面上的投影位于所述第一電極焊盤在所述第一半導體層的底面上的投影的邊緣，所述第一半導體層的底面為遠離所述有源層的一面。

18、可選地，所述方法還包括：

19、在所述第一電極焊盤和所述第二電極焊盤制作絕緣膜層；

20、對所述絕緣膜層進行圖形化處理，得到第一擋墻結構和第二擋墻結構，所述第一擋墻結構位于所述第一電極焊盤表面且沿所述第一電極焊盤邊緣布置，所述第二擋墻結構位于所述第二電極焊盤表面且沿所述第二電極焊盤邊緣布置。

21、可選地，所述對所述絕緣膜層進行圖形化處理，包括：

22、對所述絕緣膜層進行多道圖形化處理，以形成形狀為臺階結構的所述第一擋墻結構和所述第二擋墻結構。

23、本公開實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：

24、在本公開實施例中，將連接第一電極焊盤和第一電極的第一通孔從第一電極焊盤的中心移到第一電極焊盤的邊緣，這樣在焊接時，即使焊接材料(導電粒子)部分陷落在第一通孔導致的第一電極焊盤的凹陷中，由于該凹陷位于邊緣，也不會影響第一電極焊盤的焊接；并且，這種設置使得該第一電極焊盤表面中部更平整，大面積的平坦表面在焊點中心部位，提高了焊接的良率，提高了焊接后的導電性，優化了發光二極管的發光效果。

技術特征：

1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：外延結構(1000)、第一電極(105)、第二電極(106)、反射層(107)、第一電極焊盤(108)和第二電極焊盤(109)；

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一電極焊盤(108)在所述第一半導體層(101)的底面上的投影為第一矩形，所述第一通孔(111)在所述第一半導體層(101)的底面上的投影位于所述第一矩形的一角。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一半導體層(101)的底面為第二矩形，所述臺階結構的臺階面(120)在所述第一半導體層(101)的底面上的投影位于所述第二矩形的一角。

4.根據權利要求1至3任一項所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括：第一擋墻結構(201)和第二擋墻結構(202)，所述第一擋墻結構(201)位于所述第一電極焊盤(108)表面且沿所述第一電極焊盤(108)邊緣布置，所述第二擋墻結構(202)位于所述第二電極焊盤(109)表面且沿所述第二電極焊盤(109)邊緣布置。

5.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述第一擋墻結構(201)和所述第二擋墻結構(202)為硅的氧化物結構。

6.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述第一擋墻結構(201)和所述第二擋墻結構(202)均為環形的臺階擋墻結構，且所述臺階擋墻結構的臺階面朝向所述環形的中心。

7.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，所述第一擋墻結構(201)和所述第二擋墻結構(202)均為三級臺階擋墻結構，所述三級臺階擋墻結構中的每級臺階結構的高度為0.2～0.4微米。

8.一種發光二極管制備方法，其特征在于，所述方法包括：

9.根據權利要求8所述的發光二極管制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

10.根據權利要求9所述的發光二極管制備方法，其特征在于，所述對所述絕緣膜層進行圖形化處理，包括：

技術總結
本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：外延結構、第一電極、第二電極、反射層、第一電極焊盤和第二電極焊盤；外延結構包括依次層疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層，第一半導體層、有源層和第二半導體層形成臺階結構，第一電極位于臺階結構的臺階面，第二電極位于第二半導體層表面，反射層覆蓋臺階結構以及第一電極和第二電極；反射層具有第一通孔和第二通孔，第一電極焊盤通過第一通孔與第一電極連接，第二電極焊盤通過第二通孔與第二電極連接；第一通孔在第一半導體層的底面上的投影位于第一電極焊盤在第一半導體層的底面上的投影的邊緣，第一半導體層的底面為遠離有源層的一面。

技術研發人員：蘭葉,王江波,王念,朱廣敏,吳志浩,張威
受保護的技術使用者：京東方華燦光電（蘇州）有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28