本技術涉及led芯片，尤其涉及一種能發藍綠光的led芯片的結構。

背景技術：

1、led(light?emitting?diode)是一種固態半導體器件，可將電能轉換為光能。具有耗電量小、聚光效果好、反應速度快、可控性強、能承受高沖擊力、使用壽命長、環保等優點。led正逐步替代傳統光源，成為第四代光源。對于led封裝器件，不同的封裝結構會對led有著比較大的影響，例如影響壽命、發光角度、色域等。

2、隨著社會經濟的飛速發展，消費者對于led的色彩表現力的要求日益提升，現有的led芯片大多采用藍光來激發熒光粉，但其色域覆蓋范圍相對有限，難以完全滿足市場對寬色域的需求。

3、本實用新型的目的是為了解決傳統的藍光led芯片色域覆蓋范圍小的問題。

技術實現思路

1、本實用新型的目的是為了解決傳統的藍光led芯片色域覆蓋范圍小的問題，本實用新型采用了如下技術方案：

2、一種能發藍綠光的led芯片的結構，包括襯底，所述襯底的作用是作為led芯片器件生長的基礎平臺和物理支撐平臺，所述襯底的頂面設置有多量子阱層，所述多量子阱層包括若干的藍光多量子阱層以及若干的綠光多量子阱層，所述多量子阱層的上方設置有p型gan層，所述多量子阱層的下方設置有n型gan層，所述n型gan層的作用是提供電子，所述p型gan層的作用是提供空穴，所述p型gan層與n型gan層共同形成一個p-n結。

3、如上所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，所述藍光多量子阱層和所述綠光多量子阱層均由ingan壘層及ingan阱層構成。

4、如上所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，所述綠光多量子阱層的ingan壘層厚度為5-25nm，in含量20%-85%，發光波長為515-550nm，所述綠光多量子阱層的ingan阱層的厚度為1-7nm，in含量1%-25%。

5、如上所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，所述藍光多量子阱層的ingan壘層厚度為5-25nm，in含量10%-40%，發光波長為440-470nm，所述藍光多量子阱層的ingan阱層的厚度為1-7nm，in含量1%-25%。

6、如上所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，若干的所述藍光多量子阱層和若干的所述綠光多量子阱層52交替堆疊。

7、如上所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，所述n型gan層的下方設置有非摻雜gan層，所述非摻雜gan層的厚度為0.5-3μm。

8、如上所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，所述非摻雜gan層的與所述襯底之間設置有gan緩沖層，所述gan緩沖層的厚度為20-40nm。

9、如上所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，所述多量子阱層的總層數至少為層，包含一層藍光多量子阱層和一層綠光多量子阱層。

10、如上所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，所述襯底的材質為藍寶石、硅或氮化鎵的其中一種。

11、如上所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，所述n型gan層的厚度約為0.5-5μm，si的摻雜濃度大于1018/cm3，所述p型gan層的厚度約為50-250nm，mg的摻雜濃度大于1018/cm3。

12、實施本實用新型實施例，具有如下有益效果：

13、本實用新型中，多量子阱層中設置有藍光多量子阱層和綠光多量子阱層，實現了藍綠光的有效發射波長覆蓋，拓寬了led芯片色域覆蓋范圍，這增強了色彩表現力。

14、綜上，本實用新型解決了傳統的藍光led芯片色域覆蓋范圍小的問題。

技術特征：

1.一種能發藍綠光的led芯片的結構，其特征在于，包括襯底（1），所述襯底（1）的作用是作為led芯片器件生長的基礎平臺和物理支撐平臺，所述襯底（1）的頂面設置有多量子阱層（5），所述多量子阱層（5）包括若干的藍光多量子阱層（51）以及若干的綠光多量子阱層（52），所述多量子阱層（5）的上方設置有p型gan層（6），所述多量子阱層（5）的下方設置有n型gan層（4），所述n型gan層（4）的作用是提供電子，所述p型gan層（6）的作用是提供空穴,所述p型gan層（6）與n型gan層（4）共同形成一個p-n結；

2.根據權利要求1所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，其特征在于，所述藍光多量子阱層（51）和所述綠光多量子阱層（52）均由ingan壘層及ingan阱層構成。

3.根據權利要求2所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，其特征在于，所述綠光多量子阱層（52）的ingan壘層厚度為5-25nm，發光波長為515-550nm，所述綠光多量子阱層（52）的ingan阱層的厚度為1-7nm。

4.根據權利要求2所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，其特征在于，所述藍光多量子阱層（51）的ingan壘層厚度為5-25nm，發光波長為440-470nm，所述藍光多量子阱層（51）的ingan阱層的厚度為1-7nm。

5.根據權利要求1所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，其特征在于，若干的所述藍光多量子阱層（51）和若干的所述綠光多量子阱層（52）交替堆疊。

6.根據權利要求1所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，其特征在于，所述n型gan層（4）的下方設置有非摻雜gan層（3），所述非摻雜gan層（3）的厚度為0.5-3μm。

7.根據權利要求6所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，其特征在于，所述非摻雜gan層（3）的與所述襯底（1）之間設置有gan緩沖層（2），所述gan緩沖層（2）的厚度為20-40nm。

8.根據權利要求1所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，其特征在于，所述襯底（1）的材質為藍寶石、硅或氮化鎵的其中一種。

9.根據權利要求1所述的一種能發藍綠光的led芯片的結構，其特征在于，所述n型gan層（4）的厚度為0.5-5μm，所述p型gan層（6）的厚度為50-250nm。

技術總結
本技術涉及LED芯片技術，提供了一種能發藍綠光的LED芯片的結構，包括襯底，所述襯底的作用是作為LED芯片器件生長的基礎平臺和物理支撐平臺，所述襯底的頂面設置有多量子阱層，所述多量子阱層包括若干的藍光多量子阱層以及若干的綠光多量子阱層，所述多量子阱層的上方設置有P型GaN層，所述多量子阱層的下方設置有N型GaN層，所述N型GaN層的作用是提供電子，所述P型GaN層的作用是提供空穴,所述P型GaN層與N型GaN層共同形成一個P?N結。運用本技術，多量子阱層中設置有藍光多量子阱層和綠光多量子阱層，實現了藍綠光的有效發射波長覆蓋，拓寬了LED芯片色域覆蓋范圍，這增強了色彩表現力。

技術研發人員：皮保清,王洪貫
受保護的技術使用者：中山市木林森電子有限公司
技術研發日：20240530
技術公布日：2025/4/28