本揭露關于一種半導體裝置。

背景技術：

1、半導體裝置用于多種電子設備中，例如個人計算機、手機、數字相機和其他電子設備。半導體裝置通常通過在半導體基板上依序地沉積絕緣或介電層、導電層和半導體材料層，并使用微影技術對各種材料層進行圖案化，以在半導體基板上形成電路組件和元件來制造。

2、半導體產業通過不斷地減小最小特征尺寸來持續提高各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的整合密度，如此一來，將允許更多元件整合到給定區域中。然而，隨著最小特征尺寸的減小，出現了其他需要被解決的問題。

技術實現思路

1、根據本揭露的一些實施例，一種半導體裝置包括半導體基板、第一鰭部、第二鰭部及淺溝槽隔離區。第一鰭部設置于半導體基板上。第二鰭部設置于半導體基板上且與第一鰭部以一距離相鄰。淺溝槽隔離區設置于第一鰭部及第二鰭部之間，且淺溝槽隔離區包括第一介電層及第二介電層。第一介電層設置于第一鰭部與第二鰭部的多個頂表面及多個側壁上方，并位于第一鰭部與第二鰭部之間的半導體基板的頂表面上。第二介電層設置于第一介電層上方。

2、根據本揭露的一些實施例，一種半導體裝置包括半導體基板、多個鰭部及淺溝槽隔離區。多個鰭部設置于該半導體基板上，鰭部彼此相鄰間隔設置。淺溝槽隔離區設置于半導體基板上方且位于鰭部之間，且淺溝槽隔離區包括第一介電層及第二介電層。第一介電層設置于鰭部上方并環繞鰭部的側壁。第二介電層設置于第一介電層上方，且第二介電層的頂表面低于鰭部的頂表面。

3、根據本揭露的一些實施例，一種半導體裝置包括多個第一鰭部、淺溝槽隔離層、柵極結構及源極/漏極區。第一鰭部從基板延伸。淺溝槽隔離層位于相鄰的第一鰭部之間，且淺溝槽隔離層的頂表面低于第一鰭部的頂表面。柵極結構位于相鄰的第一鰭部中及淺溝槽隔離層上方。源極/漏極區位于相鄰的第一鰭部中，且該源極/漏極區與柵極結構相鄰。

技術特征：

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中該淺溝槽隔離區進一步包括：

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，其中該第一介電層的厚度與該第三介電層的厚度相同。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，其中該第一介電層的厚度與該第三介電層的厚度不同。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中該第二介電層的頂表面低于該第一鰭部的頂表面。

6.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，其中該第一介電層具有雙層結構或多層結構。

8.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，其中各該鰭部的高度與該淺溝槽隔離區的厚度之間的比值介于1.2至15之間。

9.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，其中該淺溝槽隔離層包括：

技術總結
一種半導體裝置包括半導體基板、第一鰭部、第二鰭部及淺溝槽隔離區。第一鰭部設置于半導體基板上。第二鰭部設置于半導體基板上且與第一鰭部以一距離相鄰。淺溝槽隔離區設置于第一鰭部及第二鰭部之間，且淺溝槽隔離區包括第一介電層及第二介電層。第一介電層設置于第一鰭部與第二鰭部的多個頂表面及多個側壁上方，并位于第一鰭部與第二鰭部之間的半導體基板的頂表面上。第二介電層設置于第一介電層上方。

技術研發人員：鄧運楨,陳思穎,陳永君,薛森鴻,徐志安
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發日：20240531
技術公布日：2025/4/28